FR2534078A1 - Dispositif laser a semi-conducteur - Google Patents
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Abstract
A.LASER SEMI-CONDUCTEUR. B.LASER SE COMPOSANT D'UN SUPPORT 11, D'UNE PREMIERE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE 12 DE REVETEMENT, D'UNE SECONDE COUCHE DE REVETEMENT 14 ENSERRANT AVEC LA PRECEDENTE UNE COUCHE ACTIVE 13, UNE COUCHE 18 ABSORBANT LA LUMIERE ET UNE COUCHE 15 DE RECOUVREMENT, AVEC UNE PARTIE EN FORME DE BANDE 19. C.L'INVENTION CONCERNE LES LASERS A SEMI-CONDUCTEUR.
Description
Dispositif-laser à semi-conducteur ".
La présente invention concerne de façon géné-
rale un dispositif-laser à semi-conducteur et plus parti-
culièrement un dispositif-laser à semi-conducteur utili- sable comme source lumineuse d'enregistrement et/ou de
lecture dans un appareil d'enregistrement et/ou de lec-
ture d'un disque optique vidéo, d'un disque numérique audio etc. Suivant un classement très schématique, des dispositifs-lasers à semi-conducteur se répartissent suivant leur mécanisme de déplacement dans la direction verticale en mécanisme guidé par l'indice de réfraction
et en mécanisme guidé par le gain.
Un exemple d'un tel dispositif-laser à semi-
conducteur guidé par l'indice de réfraction est repré-
senté à la figure 1 Ce dispositif-laser semi-conducteur est tel que sur le support 1 de Ga As de type N, on développe de façon épitaxiale, une première couche de revêtement 2 de type N formée par le composé Ay Ga Y As une couche 3 active, de type N formée par Aî, Ca 1 x As, une secondecouche de revêtement 4 de type N formée par At Ga 1,As et une couche d'enrobage 5 de type Ca As dont
le centre comporte'çune couche 6 à forte indice de réfrac-
tion, suivant un tracé en forme de bande; cette couche est obtenue par injection de l'impureté Zn de type P suivant une diffusion sélective ou analogue dans la direction perpendiculaire à la feuille des dessins de la figure 1 La profondeur de cette couche 6 correspondant à un indice de réfraction élevé est fixée à un niveau assez profond pour atteindre la couche active 3 ou même la première couche de revêtement 2 avec plusieurs milliers No
de Angstroms (A).
A la surface de la couche semi-conductrice 5,
il est p-révu une couche isolée 7 en silice Si O 2 ou analo-
gue dans laquelle est formée une fenêtre pour une élec-
trode Une électrode 8 est déposée sur la couche 6 à
indice de réfraction élevé à travers la fenêtre à élec-
trode ci-dessus, suivant un contact ohmique; l'autre électrode 9 est déposée sur la surface inférieure du
support 1 de Ga As de type N avec le même contact ohmique.
Comme décrit ci-dessus, il y a des différences d'indices de réfraction dans la couche active 3 suivant qu'il existe ou non une couche 6 à indice de réfraction élevé dans la
couche active 3, ce qui limite la région d'émission lumi-
neuse.
Par ailleurs, un exemple de dispositif-laser à semi-conducteur à guidage par le gain est représenté
à la figure 2 Dans ce cas également, ce dispositif-
laser à semi-conducteur à guidage par le gain est réali-
sé comme suit:
Sur un support 1 en Ga As de type N, on dévelop-
pe par croissance épitaxiale une première couche de revê-
tement 2, At Q Ca As de type N, une couche active 3 de y i-y, type N ou P réalisée en ALX Ca x As, une seconde couche
de revêtement Agy Q Ca As de type P et une couche supé-
rieure 5 en Ga As de type N; au centre de cette couche, il est prévu une région 10 en forme de bande obtenue par diffusion sélective d'une impureté de type P par exemple de Zn; cette région en forme de bande s'étend dans la direction perpendiculaire à la feuille du dessin de la 3- figure 2 La profondeur de cette région 10 en forme de bande est choisie suffisante pour atteindre la seconde couche de revêtement 4 De la même manière, dans ce cas, on dépose sur la couche semi-conductrice 5 une couche isolée 7 à travers laquelle on réalise une fenêtre à électrode en forme de bande Puis, on dépose une électrode 8 sur la région 10 à travers la fenêtre à électrode en forme de bande, en réalisant un contact ohmique; l'autre
électrode 9 est déposée sur la surface inférieure du sup-
port Ga As, 1 de type-N avec un contact ohmique Dans le dispositif-laser à semi-conducteur à guidage par le gain, ainsi réalisé, la région 10 en forme de bande permet la concentration d'un courant d'entraînement; le courant d'entraînement injecté dan-s la partie qui est directement proche ou en-dessous de la région en forme de bande 10, permet au laser d'osciller dans la couche active 3 En effet, la distribution du gain due à la distribution de la concentration dans la direction transversale pour les porteurs injectés dans la couche active 3 détermine le
mode transversal.
Bien que les dispositifs-lasers à semi-conduc-
teur à guidage-par le gain ou par l'indice de réfraction
présentent chacun leurs avantages, ils ont des inconvé-
nients De façon plus particulière, un dispositif-laser semi-conducteur à guidage par indice de réfraction est
faible quant au bruit engendré par la lumière en retour-
lorsqu'il est utilisé comme source lumineuse d'inscrip-
tion et/ou de lecture, par exemple pour un disque optique vidéo ou analogue, car son mode longitudinal est un mode unique Par ailleurs, comme il existe une position de resserrement de faisceau au voisinage de l'extrémité lumineuse de la région d'émission de lumière, un tel dispositif-laser à semi-conducteur à guidage par l'indice de réfraction présente l'avantage qu'en pratique il est facile de déterminer la position du foyer En outre comme
il y a une longue distance image dans la section trans-
versale, parallèlement au plan de jonction, c'est-à-dire un schéma de champ dit éloigné, symétrique par rapport aux côtés gauche et droit, on a l'avantage de réaliser un point avec le faisceau avec moins de distorsion qu'avec la lumière d'écriture ou de lecture utilisée en pratique Toutefois dans le laser à semi-conducteur à guidage par gain, décrit ci- dessus, comme la position de
resserrement du faisceau existe au voisinage de l'inté-
rieur, à-environ 20 microns de l'extrémité lumineuse de la région d'émission de lumière et que de plus le schéma du champ éloigné est asymétrique par rapport au côté
gauche et au côté droit, on a l'inconvénient d'un fort.
astigmatisme et la déformation du point du faisceau devient relativement importante Toutefois dans un tel dispositif-laser à semi-conducteur à guidage par gain, son mode longitudinal est un mode multiple, si bien que
ce dispositif est moins influencé par les bruits engen-
drés par la lumière en retour.
La présente invention a pour but de créer un dispositif-laser à semiconducteur-permettant de remédier aux inconvénients ci-dessus propres aux dispositifs-lasers à semi-conducteur de type à guidage par indice de réfrac tion et de type à guidage par gain, et qui présente la
combinaison particulièrement avantageuse des caractéris-
tiques des deux types de dispositifs-lasers à semi-
conducteur, pouvant s'utiliser comme source lumière pour
l'inscription et la lecture dans un appareil d'enregistre-
ment et/ou de reproduction comme par exemple pour un dis-
que optique vidéo, un disque numérique audio etc. L'invention a également pour but de créer un dispositif-laser à semi-conducteur donnant un point du
faisceau de forme meilleure que ceux donnés par les sour-
ces connues, et dont la conception du système de lentille
optique etc soit facilitée.
253-4078
A cet effet, l'invention concerne un dispositif-
laser à semi-conducteur, avec une première couche de revêtement, une couche active, une seconde couche de revêtement, une couche de recouvrement et-une seconde électrode, ces couches étant réalisées sur une surface principale, et une jonction hétérogène étant formée entre cette couche active et la première et la seconde couches de revêtement respectives, ce dispositif comportant une région en forme de bande d'émission de lumière réalisée essentiellement sur la couche active plate, un moyen de mise en oeuvre de guidage par indice de réfraction réalisé au moins au niveau de la partie d'extrémité lumineuse de la région d'émission lumineuse, en forme de bande et un moyen de manoeuvre de guidage par le gain formé au moins sur une partie à l'intérieur de la partie d'extrémité de
la région d'émission de lumière en forme de bande.
Suivant une autre caractéristique de l'invention,
le dispositif-laser à semi-conducteur comporte une pre-
mière couche de revêtement, une couche active, une seconde couche de revêtement et une couche de recouvrement ainsi qu'une seconde électrode, réalisées sur l'autre surface principale d'un support semi-conducteur ayant une première électrode sur sa première surface principale, une jonction hétérogène étant formée respectivement entre la couche active et la première et la seconde couches de revêtement dispositif comportant une région d'émission de lumière en forme de bande réalisée sur la couche contenant l'impureté et une couche d'absorption de lumière ayant un espacement essentiellement égal à la largeur de la région d'émission de lumière dans au moins une partie d'extrémité lumineuse de la région d'émission de lumière et ayant un espacement
plus grand que la largeur de la région d'émission lumi-
neuse dans au moins une partie à l'intérieur de la partie
d'extrémité de la région d'émission lumineuse.
La présente invention sera décrite plus en détail à l'aide des dessins annexés, dans lesquels les figures 1 et 2 sont des vues en coupe respectives à échelle -agrandie ded
à semi-conducteur selon l'art antérieur.
la figure 3 est une vue en perspective à
échelle agrandie d'un mode de réalisation d'un dispositif-
laser à semi-conducteur selon la présente invention.
la figure 4 est une coupe transversale à échelle agrandie et en perspective, selon la ligne en
traits mixtes a de la figure 3.
la figure 5 est une vue en plan à échelle agrandie d'un autre mode de réalisation d'un dispositif
laser à semi-conducteur selon la présente invention.
les figures 6 et 7 sont des vues en coupe respectives à échelle agrandie selon les lignes A-A et
B-B de la figure 5.
la figure 8 est une vue en plan à échelle
agrandie d'un autre mode de réalisation d'un dispositif-
laser à semi-conducteur selon la présente invention.
les figures 9 et 10 sont des vues en coupe
-transversale à échelle agrandie d'un autre mode de réali-
sation d'un dispositif-laser à semi-conducteur selon la
présente invention, et suivant différentes surfaces.
DESCRIPTION DE DIFFERENTS MODES DE REALISATION PREFEREN-
TIELS:
Un premier mode de réalisation de la présente invention sera décrit ciaprès à l'aide des figures 3 et 4 La figure 3 est une vue en perspective schématique à
échelle agrandie du premier mode de réalisation d'un dis-
positif-laser à semi-conducteur selon la présente inven-
tion; la figure 4 est une vue à échelle agrandie, en perspective, coupée transversalement suivant le plan correspondant à la ligne en traits mixtes a de la figure 3. Dans le mode de réalisation de la présente invention représenté aux figures 3 et 4, la référence 11 désigne un support d'un premier type de conductivité par exemple un support en monocristal de Ga As de type N Sur une surface principale de ce support, on développe par croissance épitaxiale, une première couche semi- conductri- ce 12 de même type de conductivité que le support 11 et qui est constituée à la fois de couches-tampons et de premières couches de revêtement par exemple constituées par une couche de A Gal As de type N, puis on réalise y l-y une seconde couche semi-conductrice 13 du premier type de conductivité ou à conductivité opposée, du second type, qui sert de couche active; cette couche est par exemple une couche A x Gal x As; puis, on réalise une troisième couche semi-conductrice 14 du second type de conductivité qui constitue la seconde couche de revêtement par exemple une couche A Oy al As de type P et enfin on réalise une "-y 1-y quatrième couche semi-conductrice 15 du premier type de conductivité et qui sert de couche de revêtement par
exemple une couche Ga As de type N La croissance épita-
xiale de ces couches semi-conductrices 12-15 peut être effectuée par une série d'opérations mettant en oeuvre le procédé de décomposition thermique ou le procédé d'épitaxie en phase liquide (LPE) ou autre, utilisant par exemple du triméthyl aluminium,-du triméthyl de
gallium et un arsénure comme gaz réactif Lorsque le dis-
positif-laser à semi-conducteur est réalisé réellement, on forme une plaquette semi-conductrice par croissance
épitaxiale des couches semi-conductrices 12 à 15 respec-
tives sur le support 11 en formant des boulettes, puis
on réalise un ensemble de dispositifs-lasers à semi-
conducteur Les surfaces 16 a et 16 b en regard l'une de l'autre et qui constituent les sorties pour la lumière laser correspondent chaque fois à un plan de clivage lors de la réalisation des boulettes; les autres surfaces 16 c et 16 d en regard l'une de l'autre s'obtiennent selon un procédé quelconque par exemple un procédé de découpe mécanique. Avant de soumettre la plaquette semi-conductrice
par exemple au travail de réalisation de boulettes ci-
dessus, on effectue par exemple une attaque sélective de
la couche semi-conductrice 15 pour former des gorges pré-
sentant un écartement prédéterminé Q, dans la direction selon laquelle sont réalisées les surfaces latérales 16 a, 16 b; on obtient ainsi une partie épaisse 15 f formée sur la partie centrale de la couche semiconductrice 15 et des parties minces 15 t et 15 t 2 des deux côtés de la partie épaisse 15 f Après cela, on introduit sélectivement Zn qui est de type P c'est-à-dire une impureté du second type, à travers la mince partie 15 tl, la partie épaisse
15 f et la partie mince 15 t 2 à partir de la surface laté-
rale de la couche de recouvrement 15 suivant un schéma en forme de bande en utilisant le procédé de diffusion ou le procédé d'injection ionique ou autre Dans ces conditions, la profondeur d'injection de l'impureté Zn à partir de la surface est rendue essentiellement uniforme dans chaque partie pour que la position de la surface inférieure de la région 17 dans laquelle est injectée
l'impureté soit différente dans les parties dans lesquel-
les se trouve la partie épaisse 15 f et dans les parties Q 25 correspondant aux parties minces 15 ti et 15 t 2 De façon plus détaillée, dans ce cas, dans la partie intérieure des surfaces latérales 16 a et 16 b formées au cours du
travail de mise en boulettes ultérieur, la région d'injec-
tion de l'impureté 17 s'étend dans la couche active 13
ou sur la première couche de revêtement 12 sur une pro-
o fondeur de plusieurs milliers de Angstroms (A), en formant ainsi un moyen de commande de guidage par indice de réfraction 18 a et 18 b comme cela sera décrit en référence
à la figure 1, dans les parties entre les surfaces laté-
rales 16 a et 16 b c'est-à-dire les surfaces libres A
l'intérieur de la partie centrale correspondant à la par-
tie épaisse 15 f, la région d'injection d'impureté 17 n'arrive pas jusqu'à la couche active 13 mais sa surface inférieure se trouve dans la seconde couche de revêtement 14 formant ainsi un moyen de mise en oeuvre de guidage par le gain 18 c comme cela a été décrit en relation avec la figure 2 Bien que non représentée, une électrode (comme l'électrode 8 des figures 1 et 2) est déposée avec un contact ohmique sur la région 17 en forme de bande alors que l'autre électrode (comme l'électrode 9 des figures 1 et 2) est déposée sur la surface inférieure du
support 11 suivant un contact ohmique.
En conséquence, le dispositif-laser à semi-
conducteur selon la présente invention présente une
structure telle qu'il mette en oeuvre à la fois la confi-
guration à guidage par indice de réfraction et à guidage par le gain, ces deux moyens étant combinés dans le-même dispositif-laser à semiconducteur Selon la présente invention, comme le mode longitudinal pour l'oscillation du laser est déterminé par le mécanisme de guidage du gain qui occupe la partie principale de la cavité, le mode longitudinal correspond au mode multiple Il en
résulte l'avantage de réduire l'influence du bruit en-
gendré par la lumière en retour En outre comme les moyens de mise en oeuvre de guidage par l'indice de
réfraction 18 a, 18 b sont prévus sur les surfaces latéra-
les de la région d'oscillation 17 c'est-à-dire les parties d'extrémité de lumière pour les surfaces de sortie de lumière 16 a, 16 b, la position resserrée du faisceau peut être mise en place au niveau des'surfaces d'extrémité et on améliore la symétrie de la forme du champ éloigné par rapport au côté gauche et droit On peut ainsi obtenir
facilement et avec précision la formation et la détermi-
nation du foyer du faisceau ponctuel lorsque le dispositif
laser à semi-conducteur est utilisé comme source lumineuse.
En outre, le point du faisceau se réalise avec une défor-
mation moindre.
La réalisation des moyens de manoeuvre de gui-
dage de l'indice de réfraction 18 a, 18 b n'est pas limitée à la réalisation selon la région 17 à injection de Zn
et qui atteint la couche active 13 Les moyens de manoeu-
vre de guidage par indice de réfraction 18 a, 18 b peuvent également être réalisés par l'intégration de la différence
de l'indice de réfraction provenant de la couche d'absorp-
tion de lumière, noyée par exemple dans la seconde couche
de revêtement 14.
Un exemple d'un tel dispositif-laser à semi-
conducteur sera décrit ci-après à l'aide des figures 5 à 7 La figure 5 est une vue en plan schématique à échelle agrandie d'un tel dispositif- laser à semi-conducteur et les figures 6 et 7 sont des vues en coupe transversale
respectives selon les lignes A-A et B-B de la figure-5.
Dans les diverses figures 5 à 7, on désignera les mêmes
éléments que ceux des-figures 3 et 4 par les mêmes réfé-
rences et leur description ne sera pas répétée Dans ce
mode de réalisation, les couches d'absorption de lumière
18 sont noyées dans la seconde couche de revêtement 14.
La ou les couches d'absorption de lumière 18 ont une lar-
geur de bande interdite égale ou inférieure à celle de la couche active 13 et leur indice de réfraction est égal ou supérieur à celui de la couche active 13 Dans ce mode de réalisation, la surface de la couche de revêtement 15 est plate et une région d'impureté, en forme de bande, par exemple une région 19 à injection de l'élément Zn correspondant au second type de conductivité, présentant
une faible largeur est prévue sur la couche de recouvre-
ment 15 en travers-de deux surfaces latérales 16 a et 16 b.
Comme cela est représenté clairement par la forme délimi-
tée par les lignes en pointillés à la figure 5, les cou-
ches d'absorption de lumière 18 se trouvent sous les deux côtés de la région 19 en forme de bande c'est-à-dire des deux côtés de la région 19 en enserrant entre elles la
partie qui se trouve en-dessous En particulier, l'écarte-
ment entre les couches d'absorption de lumière 18 se trouvant des deux côtés de la région en forme de bande 19 est diminué de largeur au niveau des deux faces d'extrémité de la région d'émission de lumière c'est-àdire au niveau des parties d'extrémité en regard des surfaces latérales 16 a et 16 b de façon à se réduire à l'écartement Dn se rapprochant ou pénètrant dans la partie qui se trouve
directement en-dessous de la région en forme de bande 19 -
De la même manière, l'écartement ci-dessus est augmenté dans la partie proche de l'intérieur des deux parties d'extrémité (la partie centrale) de façon à donner un écartement Dw qui est écarté de la partie se trouvant
directement en-dessous de la région en forme de bande 19.
En outre la distance ou l'écartement entre la couche d'absorption de lumière 18 et la couche active 13 est choisi de façon que la lumière émise de la couc Kt' active 13 puisse atteindre la couche d'absorption de lumière 18
c'est-à-dire pour qu'il y ait une longueur approximative-
ment égale'à la longueur d'onde.
Dans le cas du dispositif-laser, à semi-conduc-
teur réalisé comme indiqué ci-dessus, du fait de la
région en forme de bande 19, cela limite le chemin du cou-
rant, si bien que le courant est concentré et par suite
de l'effet de guidage par le gain, le courant d'entraîne-
ment généré par l'injection des porteurs est concentré localement dans la partie centrale de la couche active
13 qui est la région efficace pour l'émission lumineuse.
En outre dans le montage ci-dessus, les couches d'absorp-
tion de lumière 18 prévues aux deux extrémités de la région en forme de bande 19 se trouvent suffisamment proches sous la face inférieure de la région en forme de bande 19 ou directement en-dessous de la région en forme de bande 19 de façon à créer un effet de guidage par indice de réfraction à l'aide de la différence d'indices de réfraction engendrée par la couche 18 Ainsi, comme dans la partie centrale proche de l'intérieur par rapport aux deux extrémités de la région en forme de bande 19, les
couches d'absorption de lumière 18 se trouvent suffisam-
ment éloignées de la partie qui se trouve directement en-
dessous de la région 19, cette région en forme de bande
19 assure uniquement un effet de guidage par le gain.
Cela signifie que dans la partie dans laquelle la lumière émise par la région photo-émissive de la couche active 13 atteint la partie dans laquelle se trouvent les couches d'absorption de lumière 18, cette absorption de lumière se fait pratiquement totalement et il y a une différence d'indices de réfraction entre la partie en-dessous de la région 19 en forme de bande et les deux régions latérales de part et d'autre de la partie sous la région 19 Il en résulte une différence d'indices de réfraction, intégrée assurant un guidage par indice de réfraction dans cette partie et notamment les surfaces d'extrémité de la région photo-émissive.
Pour cette raison, dans le second mode de réa-
lisation de l'invention comme dans le premier mode de réalisation décrit en relation avec les figures 3 et 4, le dispositif-laser à semiconducteur à guidage par-indice de réfraction permet d'assurer un meilleur point à l'aide du faisceau-laser par la combinaison des caractéristiques des dispositifs-lasers à semi-conducteur de type à indice
de réfraction et de type gain.
Les couches d'absorption de lumière 18 corres-
pondant à la forme de réalisation de la figure 8 présen-
tent un faible écartement Dn aux deux extrémités de la région 19 en forme de bande et un écartement important à l'intérieur de la région 19; les écartements importants
et les écartements réduits Dw, Dn alternent ainsi.
Comme procédé pour réaliser les couches d'absorp-
tion de lumière 18 ci-dessus, il est possible de dévelop-
per par croissance axiale des parties de couches semi-
conductrices 12 et 13 et la seconde couche de revêtement 14 sur le support semi-conducteur 11 et la couche semi-
conductrice sur laquelle-on réalise les couches d'absorp-
tion de lumière 18 Après cette opération, la couche épitaxiale qui constitue la couche d'absorption de lumière 18 est enlevée sélectivement par attaque chimique pour donner la forme représentée aux figures 5 ou 8 La
couche semi-conductrice 14 qui constitue la seconde cou-
che de revêtement est développée par croissance épitaxiale de façon à noyer la partie enlevée par attaque chimique
de la couche d'absorption de lumière 18, puis on y dévelop-
pe par croissance épitaxiale la couche de recouvrement 15.
A la suite de cela, on réalise la région 19 en forme de bande par diffusion sélective ou par injection ionique
sélective de l'impureté Zn.
Dans le montage selon lequel la couche d'absorp-
tion de lumière 18 est noyée dans la couche semi-conduc-
trice 14 comme représenté aux figures 5 à 7 et 8, les différences couches semi-conductrices 12-15 peuvent être constituées par une série de croissances épitaxiales en intercalant l'opération d'attaque chimique, par exemple au cours de la croissance épitaxiale C'est pourquoi, pendant l'opération d'attaque chimique, dans la couche semi-conductrice contenant par exemple notamment A t, comme l'aluminium A t risque d'être oxydé, il peut se former un film d'oxyde entraînant une contamination On risque ainsi un détérioration des caractéristiques S'il y a un tel risque, la couche d'absorption de lumière 18 n'est pas noyée dans-=la seconde couche de revêtement 14
mais peut en définitive se former à la surface de celle-
ci.
Les figures 9 et 10 montrent un tel exemple.
La figure 9 est une vue en coupe transversale à échelle agrandie au voisinage de l'autre surface latérale de la région photo-émissive; la figure 10 est une vue en coupe
transversale à échelle agrandie d'une partie plus à l'in-
* 5 térieur Aux figures 9 et 10, les éléments correspondant à ceux des figures 6 et 7 portent les mêmes références
et leur description ne sera pas répétée Dans ces condi-
tions, la couche d'absorption de lumière 18 n'est pas noyée dans la couche de revêtement 14 Après l'opération de croissance épitaxiale des couches semi-conductrices 12 à 15, on effectue une opération d'attaque chimique de type mesa sur la profondeur de la couche de recouvrement jusqu'à la couche de revêtement 14 et on dépose par croissance épitaxiale la couche semi-conductrice donnant la couche d'absorption de lumière 18 Après cela, on peut réaliser la région 19 en forme de bande par injection sélective d'une impureté De la même manière dans ce cas,
le schéma de la couche d'absorption de lumière 18 c'est-
à-dire le schéma de l'attaque de type mesa s'obtient comme aux figures 5 et 8, jusqu'à la partie se trouvant en-dessous de la région 19 en forme de bande, pour que l'écartement entre les deux côtés qui entourent la région 19 en forme de bande soit une partie-étroite au niveau des deux surfaces d'extrémité de la région photo-émissive c'est-à-dire en regard du chemin de courant pour obtenir un tracé large et un tracé étroit, alternativement dans
la partie centrale.
Comme indiqué ci-dessus, dans le dispositif-
laser à semi-conducteur selon l'invention, comme les parties assurant la fonction de guidage par indice de réfraction sont prévues aux deux extrémités de la région photo-émissive et que la partie ayant une fonction de guidage par le gain se trouve au moins sur une partie entre les deux extrémités, on obtient en combinaison les caractéristiques des deux mécanismes à savoir celui du guidage par indice de réfraction et celui du guidage par le gain En d'autres termes, grâce à l'invention, comme on obtient une position de pincement du faisceau au niveau des faces d'extrémité de la région photo-émissive et que la symétrie du schéma de champ éloigné est meil- leure, il est possible de réaliser un dispositif-laser à semi-conducteur permettant de focaliser facilement avec moins de déformation du point et une conception facile
du système optique.
En outre comme dans le dispositif-laser à semi-conducteur selonl'invention, la lumière de retour engendre moins de bruit lorsque ce dispositif est utilisé comme source de lumière d'enregistrement ou de lecture d'un disque optique vidéo ou autre, le dispositif-laser à semiconducteur permet d'enregistrer et de reproduire
avec précision.
Claims (1)
- R E V E N D I C A T I O N S) Dispositif-laser à semi-conducteur avec unecouche de revêtement, une couche active, une seconde cou-che de revêtement, une couche de recouvrement et une seconde électrode formées sur une surface principale d'un support semi-conducteur ayant une première électrode surl'autre surface principale et une jonction hétérogène en-tre la couche active et respectivement la première et la seconde couche de revêtement, dispositif caractérisé en ce qu'il comporte une région d'émission de lumière ( 19) en forme de bande réalisée sur la couche active ( 13) essentiellement plane, un moyen de mise en oeuvre de guidage par indice de réfraction ( 18 a, 18 b) formé sur au moins d'unepartie d'extrémité de la région d'émission de lumière en forme de bande et un moyen de manoeuvre ( 18, Dn) de guidage par le gain prévu au moins sur une partie intérieure de la partie d'extrémité de la régiond'émission de lumière en forme de bande ( 19).) Dispositif-laser à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une partied'extrémité d'émission de lumière de la région photo-émis-sive ( 19) en forme de bande est mince.) Dispositif-laser à semi-conducteur selonla revendication 2, caractérisé en ce que la région photo-émissive en forme de bande ( 19) est obtenue par injectionionique de l'impureté.) Dispositif-laser à semi-conducteur caracté-risé en ce qu'il comporte une première couche de revête-ment ( 12), une couche active ( 13), une seconde couche de revêtement ( 14) et une couche de recouvrement ( 15) ainsi qu'une seconde électrode formées sur la surfaceprincipale du support ( 11), semi-conducteur avec une au-tre électrode sur son autre surface principale et une jonction hétérogène formée entre la couche active ( 13) et respectivement la première et la seconde couche de revêtement ( 12, 14), une région photo-émissive ( 19) en forme de bande formée d'une couche d'impureté, et une couche d'absorption de lumière ( 18) avec un écartementpratiquement identique à la largeur de la région photo-émissive, à au moins une partie d'extrémité de la région photo-émissive et un espacement supérieur à la largeur de la région photo-émissive dans au moins une partie àl'intérieur de la partie d'extrémité de la région photo-émissive.
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