ES2346267T3 - Dispositivo de control de un interruptor electronico de potencia y la unidad que comprende dicho dispositivo. - Google Patents

Dispositivo de control de un interruptor electronico de potencia y la unidad que comprende dicho dispositivo. Download PDF

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Philippe Baudesson
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Abstract

Dispositivo de control de un interruptor electrónico de potencia JFET (15) de tipo normalmente cerrado, comprendiendo el dispositivo de control: - un circuito principal de control de rejilla (30) alimentado por una fuente principal de energía (11) para pilotar la rejilla (G) del interruptor JFET (15), un órgano de conmutación de protección (41, 51) que es conmutable entre una primera posición y una segunda posición, - una fuente auxiliar de energía (25) que es alimentada por la indicada fuente principal de energía y de la cual el borne positivo está conectado con la fuente (S) del interruptor JFET (15), caracterizado porque comprende un circuito auxiliar de control (40, 50) que pilota el órgano de conmutación de protección (41, 51) y porque, en ausencia de señal de control procedente del circuito auxiliar de control (40, 50), el órgano de conmutación de protección (41, 51) se mantiene en la segunda posición en la cual la rejilla (G) del interruptor JFET (15) está conectada con el borne negativo de la fuente auxiliar de energía (25) sin pasar por el indicado circuito principal de control de rejilla (30).

Description

Dispositivo de control de un interruptor electrónico de potencia y la unidad que comprende dicho dispositivo.
La presente invención se refiere a un dispositivo de control de un interruptor electrónico de potencia de tipo transistor JFET (Junction Field Effect Transistor ó Transistor de efecto de campo de unión) realizado por ejemplo en carburo de silicio (SiC ó Silicon Carbide). La invención se propone utilizar tales transistores JFET del tipo normalmente cerrado (ó "normally ON") para la conmutación de importantes corrientes de potencia y en particular como interruptores de potencia en una fase onduladora de un variador de velocidad.
Un transistor JFET es un interruptor electrónico conocido que comprende una Rejilla de control cuya función es la de permitir o no el paso de una corriente entre un Drenaje y una Fuente. Un transistor de este tipo se denomina del tipo normalmente cerrado (ó Normally ON) si la tensión V_{DS} entre el Drenaje y la Fuente es nula cuando la tensión V_{GS} entre la Rejilla y la Fuente es nula. Eso significa que el camino Drenaje - Fuente es pasante o conductor en ausencia de tensión de control V_{GS} entre Rejilla y Fuente. Por el contrario un transistor JFET se denomina de tipo normalmente abierto (o normally OFF) si el camino Drenaje - Fuente no es conductor en ausencia de tensión V_{GS} entre Rejilla y Fuente.
Se manifiesta que un interruptor electrónico JFET de tipo normalmente cerrado ofrece bastantes mejores rendimientos que otros tipos de interruptores electrónicos de potencia controlados en tensión, tales como los MOSFET, los IGBT o incluso los JFET de tipo normalmente abierto. En efecto, un interruptor de este tipo presenta particularmente las ventajas de ser más rápido de conmutar, de generar menos pérdidas en el estado conductor, de tener un mejor comportamiento en temperatura, de tener un tamaño más pequeño y de ser más económico.
Sin embargo, cualquier interruptor electrónico de tipo normalmente cerrado presenta el inconveniente de encontrarse en estado conductor (o cerrado) en ausencia de tensión de control en su Rejilla (Gate). Esta característica no es segura para el control de corrientes importantes ya que este interruptor deja pasar la corriente entre Drenaje y Fuente en ausencia de control sobre la Rejilla. Como consecuencia de ello se producen evidentemente riesgos potenciales importantes para la seguridad de los bienes y de las personas.
De forma usual, un variador de velocidad de tipo convertidor de frecuencia comprende una fase rectificadora encargada de rectificar una tensión procedente de una fuente externa de alimentación eléctrica alternativa (por ejemplo una red eléctrica trifásica 380 Vac) para proporcionar una tensión continua en un bus continuo (por ejemplo del orden de 400 a 800 Vcc o más según las condiciones de utilización). Uno o varios condensadores de bus de fuerte capacidad son habitualmente utilizados para mantener constante la tensión del bus continuo.
El variador de velocidad comprende seguidamente una fase onduladota encargada de controlar un motor eléctrico con una tensión de amplitud y de frecuencia variables, a partir de este bus continuo. Para ello, la fase onduladora está dotada de dos interruptores electrónicos de potencia por fase. Cada interruptor es controlado por un circuito de control alimentado por una alimentación de corte (alimentación de tipo SMPS: Switched Mode Power Supply) del variador de velocidad.
De este modo, si se desean utilizar interruptores electrónicos del tipo normalmente cerrado en la fase onduladora de un variador de velocidad, varios riesgos pueden entonces aparecer:
-
En la puesta bajo tensión del variador, es preciso asegurarse de que los circuitos de control de los interruptores electrónicos están correctamente alimentados, para poder abrir estos interruptores antes de la aparición de la tensión en el bus continuo del variador,
-
En la puesta fuera de tensión, es preciso asegurarse del mantenimiento de la apertura de los interruptores electrónicos, mientras que el o los condensadores de bus no están descargados, por ejemplo en resistencias de equilibrado, sabiendo que la descarga de estos condensadores puede a veces durar hasta varios minutos,
-
En la aparición de un fallo, es preciso igualmente asegurarse del mantenimiento de la apertura de los interruptores mientras el o los condensadores del bus continuo no están descargados. Un fallo de este tipo puede proceder particularmente de un cortocircuito en el circuito de control, de una pérdida de alimentación del circuito de control, etc...
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Para evitar estos riesgos, existe ya una solución en la cual cada transistor JFET de tipo normalmente cerrado está montado en serie con otro componente auxiliar de tipo normalmente abierto, tal como por ejemplo un transistor CASCODE. Esta solución necesita sin embargo la utilización de dos transistores en serie por cada interruptor de potencia, lo cual produce particularmente un aumento de los costes y un aumento de las pérdidas por conducción.
Un interruptor JFET de tipo normalmente cerrado es conocido por el documento WO2007/137569.
El fin de la invención es por consiguiente proponer la utilización de transistores JFET de tipo normalmente cerrado como interruptores de potencia en una fase onduladora de un variador de velocidad, gracias a un dispositivo de control capaz de evitar los inconvenientes mencionados anteriormente, a saber proponer una solución sencilla que permita evitar los riesgos en las puestas bajo/fuera de tensión y en los fallos.
Para ello, la invención describe un dispositivo de control de un interruptor electrónico de potencia de tipo JFET de tipo normalmente cerrado según la reivindicación 1.
Según una característica, el órgano de conmutación de protección comprende un conmutador electromagnético dotado de un contacto móvil entre dos posiciones bajo la acción de una bobina de control del circuito auxiliar de control, siendo el indicado contacto móvil conmutable entre una primera posición en la cual la rejilla del interruptor JFET está conectada con el circuito principal de control de rejilla y una segunda posición en la cual la rejilla del interruptor JFET está conectada con el borne negativo de la fuente auxiliar de energía. En ausencia de alimentación de la bobina de control, el contacto móvil se mantiene en la segunda posición.
Según otra característica, el órgano de conmutación de protección comprende un primer conmutador electrónico que está situado entre la rejilla del interruptor JFET y el borne negativo de la fuente auxiliar de energía, y que está pilotado por el circuito auxiliar de control entre un primer estado no conductor en el cual la rejilla del interruptor JFET no está conectada con el borne negativo de la fuente auxiliar de energía y un segundo estado conductor en el cual la rejilla del interruptor JFET está conectada al borne negativo de la fuente auxiliar de energía.
Otras características y ventajas aparecerán en la descripción detallada que sigue haciendo referencia a un modo de realización dado a título de ejemplo y representado en los dibujos adjuntos en los cuales:
- la figura 1 muestra una arquitectura simplificada clásica de un variador de velocidad que utiliza varios interruptores de potencia JFET,
- la figura 2 describe un dispositivo de control conocido de un interruptor de potencia JFET de tipo normalmente cerrado o normalmente ON,
- la figura 3 representa un primer modo de realización de un dispositivo de control de un interruptor de potencia JFET según la invención,
- la figura 4 detalla un ejemplo de un circuito auxiliar de control del conmutador electromagnético según el primer modo de realización,
- la figura 5 facilita una variante del primer modo de realización,
- la figura 6 muestra un segundo modo de realización de un dispositivo de control de un interruptor de potencia JFET según la invención,
- las figuras 7 y 8 proporcionan variantes del segundo modo de realización.
Haciendo referencia a la figura 1, un variador de velocidad comprende una fase rectificadora R encargada de rectificar una tensión trifásica alterna procedente de una red de alimentación exterior A, con el fin de proporcionar una tensión de bus continuo Vb. Para ello, la fase rectificadora R comprende dos componentes electrónicos de potencia 14a, 14b por fase. Estos componentes 14a, 14b son por ejemplo diodos y/o tiristores. El ejemplo de la figura 1 presenta un tiristor 14a acoplado con un diodo 14b por cada fase de la red A. Para mantener constante la tensión Vb del bus continuo, el variador mostrado en la figura 1 comprende dos condensadores de bus 18 acoplados a dos resistencias de equilibrado 17 que permiten equilibrar la tensión entre estos dos condensadores.
El variador de velocidad comprende seguidamente una fase onduladora O que permite, a partir del bus continuo Vb, controlar un motor eléctrico M con una tensión de amplitud y de frecuencia variables, por medio de un control por Modulación de Amplitud de Impulsos (MLI o PWM). Para ello, la fase onduladora está dotada de dos interruptores electrónicos de potencia 15a, 15b por fase. Cada interruptor 15a, 15b es un transistor JFET (con Efecto de Campo de Unión) de tipo normalmente cerrado (es decir en el estado conductor en ausencia de tensión en la Rejilla del transistor) que está realizado en carburo de silicio (SiC). Otros materiales al carburo de silicio podrían también ser utilizados: así, se podría utilizar cualquier material de gran energía de banda prohibida (llamado igualmente material de gran espacio o "wide-band gap material"), es decir que presenta una baja resistencia en estado conductor R_{dson} y capaz de soportar tensiones importantes (superiores a 1000 V), como por ejemplo nitruro de galio (GaN).
Estos dispositivos de control son alimentados por una alimentación de corte 11 (SMPS: Switched Mode Power Supply) del variador de velocidad, que proporciona una tensión continua Vs a partir de la red de alimentación A. La tensión Vs se utiliza particularmente para alimentar la unidad de control del variador (no representada en la figura 1), los dispositivos de control de los transistores JFET 15a, 15b, así como los dispositivos de control de los tiristores 14a de la fase rectificadora.
A causa de la utilización de interruptores de potencia 15a, 15b de tipo normalmente cerrado, es preciso evidentemente asegurarse de que los dispositivos de control de estos interruptores 15a, 15b sean alimentador correctamente antes de la aparición de la tensión de bus Vb, para evitar un cortocircuito en la fase onduladora O del variador y/o corrientes intempestivas en el motor M. Es preciso por consiguiente asegurarse de que la alimentación de corte 11 proporciona la tensión Vs antes de la aparición de la tensión de bus Vb.
Una primera solución descrita en la figura 1 consiste en alimentar la alimentación de corte 11 directamente a partir de la red alterna exterior A y en utilizar, en la fase rectificadora R, tiristores 14a cuyos dispositivos de control son alimentados por la alimentación de corte 11. De este modo, mientras la tensión Vs no se encuentre presente, los tiristores 14a no son controlados y la tensión de bus Vb no aparece.
Otra solución consiste por ejemplo en alimentar la alimentación de corte 11 directamente a partir de la red alterna exterior A, río arriba de un contactor de línea (no representado) presente a la entrada del variador. La bobina de este contactor de línea es controlada a partir de la tensión Vs. Así, mientras la tensión Vs no se encuentre presente, el contactor de línea está abierto. La fase rectificadora R del variador no es entonces alimentada y la tensión de bus Vb no aparece. En esta solución, la fase rectificadora R puede comprender solo diodos 14a, 14b.
La figura 2 muestra un dispositivo de control existente de un interruptor electrónico de potencia 15 de tipo transistor JFET normalmente cerrado, realizado por ejemplo en SiC. Un transistor JFET 15 de este tipo es controlado aplicando una tensión negativa V_{GS} entre la Rejilla G y la Fuente S. En ausencia de tensión V_{GS} entre la Rejilla G y la Fuente S o en presencia de una tensión V_{GS} positiva, el transistor 15 es conductor entre el Drenaje D y la Fuente S, es decir que la tensión V_{DS} es nula. Para bloquear el transistor 15 (es decir la tensión V_{DS} máxima), es preciso aplicar una tensión V_{GS} negativa suficiente, por ejemplo del orden de -15 Voltios.
El dispositivo de control comprende un circuito principal de control de rejilla 30 (llamado igualmente Gate Driver) (accionador de puerta) que es un circuito amplificador de potencia que permite el control de la rejilla G, a partir de una señal de control 37. De forma conocida, este circuito principal de control de rejilla 30 puede ser del tipo "Push-Pull", "Reversed Push-Pull" o "Totem Pôle" y realizado con transistores bipolares o transistores MOSFET. La salida 39 del circuito principal de control de rejilla 30 está conectada con la rejilla G del transistor JFET 15 por mediación de una resistencia 31. La señal de control 37 del transistor 15 proviene por ejemplo de la unidad de control 24 del variador de velocidad.
Según las funcionalidades deseadas, el dispositivo de control de la figura 2 comprende igualmente uno o varios módulos de detección de fallo 33, 34, 35, cuyo fin es el de permitir el mantenimiento del transistor 15 en el estado OFF en caso de aparición de uno de estos fallos. Cuando varios módulos de detección de fallo están presentes, las salidas de estos módulos de detección 33, 34, 35 forman las entradas de una puerta lógica O ("OR") 32, cuya salida proporciona una entrada de desactivación (o "Disable") D_{IS} en el circuito principal de control de rejilla 30. Cuando esta entrada D_{IS} se encuentra en el estado 1, eso significa que el circuito de control de rejilla 30 deber forzar al transistor 15 al estado OFF (sea cual fuere el estado de la señal de control C) y por consiguiente proporcionar una tensión negativa V_{GS} (del orden de -15 V) en la rejilla G.
Un primer módulo de detección de subtensión 33 sirve para detectar la aparición de una caída de la tensión Vs de la alimentación 11 por debajo de un umbral predeterminado. Esta caída de tensión puede particularmente provenir bien sea de la puesta fuera de tensión del variador, o de un fallo o de un cortocircuito de la alimentación 11, de la capacidad de tampón 21 o del circuito de control de rejilla 30.
Un segundo módulo de detección de cortocircuito 35 sirve para detectar la aparición de un cortocircuito en el transistor JFET 15. El módulo de detección de cortocircuito 35 compara la señal de control 37 con la tensión real en los bornes del transistor JFET 15 para detectar un eventual cortocircuito.
Un tercer módulo de detección de sobretensión 34 sirve para detectar la aparición de una sobretensión en los bornes del transistor JFET 15. Esta sobretensión puede por ejemplo producirse cuando se trata de abrir el transistor JFET 15 mientras existe un cortocircuito en la línea de potencia P del transistor JFET 15.
El dispositivo de control es alimentado por una fuente principal de energía que proporciona una tensión principal Vs entre los bornes positivo 28 y negativo 29. En el marco de un variador de velocidad, esta fuente principal de energía proviene preferentemente de la alimentación de corte 11, asociada con un diodo de rectificación 22 y un condensador principal 21 que sirve de tampón de energía para la tensión Vs.
El dispositivo de control comprende también una fuente auxiliar de energía 25 que es cargada con la ayuda de la tensión Vs a través de un diodo de carga 26. Preferentemente, esta fuente auxiliar de energía es un simple condensador auxiliar de reserva 25. El borne negativo del condensador auxiliar 25 está conectado con el borne negativo 29 del condensador principal 21. El borne positivo del condensador auxiliar 25 está conectado con la fuente S del transistor JFET 15 y con el borne positivo 28 del condensador principal 21 por medio del diodo de carga 26. El condensador auxiliar de reserva 25 puede ser un condensador químico, que presenta la ventaja de ser menos costoso, o preferentemente un condensador de tántalo o polipropileno, que presenta la ventaja de ser más robusto.
Este diodo de carga 26 sirve para evitar que el condensador auxiliar 25 se descargue en todos los elementos colocados en paralelo con el condensador principal 21, tales como los elementos 33, 35, 30, cuando la tensión Vs es inferior a la tensión V_{R} en los bornes del condensador auxiliar 25. El mismo es colocado río abajo del circuito lo más próximo al transistor JFET 15 (en estos casos el circuito 30 en las figuras), es decir entre el condensador auxiliar 25 y las conexiones del circuito 30. Su cátodo es dirigido hacia el borne positivo del condensador auxiliar 25 y su ánodo es dirigido hacia el borne positivo 28. Se habría podido también disponer el diodo de carga 26 entre los bornes negativos de los condensadores 21, 25, estando entonces su cátodo conectado con el borne negativo del condensador auxiliar 25 y su ánodo conectado con el borne negativo 29.
Cuando la tensión Vs aparece, el condensador auxiliar 25 se carga automáticamente, pues el diodo de carga 26 es conductor mientras que la tensión V_{R} es inferior a la tensión Vs. Cuando la tensión Vs cae y se vuelve inferior a la tensión V_{R}, el condensador auxiliar 25 proporciona una reserva de tensión para alimentar el circuito de control de rejilla 30, cuya salida 39 debe proporcionar una tensión V_{GS} negativa. El tamaño del condensador auxiliar 25 debe calcularse para obtener una tensión negativa V_{GS} que sea capaz de mantener el transistor JFET 15 en el estado bloqueado OFF, durante un tiempo T suficiente para asegurarse de que los condensadores de bus del variador están bien descargados (por ejemplo del orden de 10 minutos). En efecto, mientras que los condensadores de bus no estén descargados, no hace falta que el transistor JFET 15 pase de nuevo al estado conductor ON, por motivos de seguridad.
Ahora bien, sucede que cualquier circuito de control de rejilla 30 (Gate driver) consume energía y genera corrientes de fuga que pueden ser importantes (por ejemplo superiores a 1 mA). El condensador auxiliar 25 se descargará por consiguiente bastante rápidamente en el circuito 30. Es preciso entonces una capacidad auxiliar 25 muy fuerte para llegar a proporcionar la reserva de energía suficiente que permita bloquear el transistor JFET 15 durante todo el tiempo T. Eso produce por consiguiente problemas de factibilidad, de coste y de dimensiones, en particular para un variador trifásico que comprende seis transistores JFET 15 distintos en su fase onduladora.
Es por lo que, uno de los fines de la invención es concebir un dispositivo de control que permita minimizar las pérdidas cuando el condensador auxiliar 25 deba proporcionar la tensión V_{GS} para mantener el transistor JFET 15 en el estado bloqueado OFF durante el tiempo T. Para ello, la invención propone añadir un órgano de conmutación de protección al dispositivo de control. Este órgano de conmutación es conmutable entre dos posiciones y está dispuesto para que, en una de estas dos posiciones, el borne negativo del condensador auxiliar 25 sea conectado con la rejilla G del transistor 15 sin pasar por el circuito de control de rejilla 30, de forma que en esta posición el condensador auxiliar 25 alimente la rejilla 30 del transistor JFET 15 normalmente cerrado para mantenerlo en el estado OFF y el condensador auxiliar 25 no pueda ser descargado por otros componentes.
Según un primer modo de realización de la invención representada en las figuras 3 a 5, el órgano de conmutación de protección es un conmutador electromagnético 41. En un segundo modo de realización representado en las figuras 6 a 8, el órgano de conmutación de protección es un conmutador electrónico 51.
Haciendo referencia a la figura 3, el dispositivo de control de un interruptor JFET es alimentado por una fuente principal de energía que proporciona una tensión principal Vs entre los bornes 28 y 29. En un variador de velocidad, esta fuente principal de energía es preferentemente la alimentación de corte 11. El dispositivo de control comprende igualmente una fuente auxiliar de energía 25 que es cargada por la tensión Vs a través de un diodo de carga 26, de forma idéntica al dispositivo de la figura 2 descrito anteriormente.
Como para la figura 2, el dispositivo de control comprende un circuito principal de control de rejilla 30 (o Gate Driver) que permite el control de la rejilla G, a partir de la señal de control 37 que proviene por ejemplo de la unidad control 24 del variador de velocidad. En la figura 3, se presenta un solo módulo de detección de fallo (en este caso un módulo de detección de cortocircuito 35 del transistor JFET), estando la salida 36 de este módulo de detección directamente conectada con la entrada D_{IS} del circuito de control de rejilla 30.
La salida 39 del circuito principal de control de rejilla 30 está conectada con la rejilla G del transistor JFET 15 por mediación de una resistencia 31. Contrariamente a la figura 2, un órgano de conmutación de protección de tipo conmutador electromagnético está situado entre la salida 39 y la rejilla G.
Este conmutador electromagnético comprende un contacto móvil 41 que es conmutable entre dos posiciones bajo la acción de un circuito auxiliar de control 40.
En la primera posición del contacto móvil 41, el conmutador electromagnético permite conectar la rejilla G del transistor JFET 15 con la salida 39 del circuito de control de rejilla 30. En la segunda posición del contacto móvil 41, el conmutador electromagnético aisla la rejilla G de la salida 39 y conecta la rejilla G con el borne negativo del condensador auxiliar de reserva 25, por medio eventualmente de una resistencia 27. Así en esta segunda posición, el borne negativo del condensador auxiliar 25 está conectado con la rejilla G sin pasar por el circuito de control de la rejilla 30. La resistencia 27 es de preferencia bastante importante con el fin de limitar la variación de corriente dl/dt durante le bloqueo del transistor JFET 15 y por consiguiente evitar eventuales sobretensiones.
El conmutador electromagnético está concebido para que en ausencia de alimentación de su bobina de control, el contacto móvil 41 se encuentre siempre mantenido en la segunda posición, por ejemplo gracias a medios de retroceso magnéticos (imán permanente) o elásticos. Preferentemente, se utiliza un conmutador electromagnético de tipo MEMS (Micro Electro-Magnétic Switch) cuyo consumo de energía, voluminosidad y tiempo de respuesta son muy bajos y que no genera rebote.
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Un ejemplo de un circuito auxiliar de control 40 se detalla en las figuras 4 y 5, en las cuales el circuito de control de rejilla 30 no está representado en el deseo de una mayor simplificación. El circuito auxiliar de control 40 comprende una bobina de control 43 que acciona el contacto móvil 41 del conmutador electromagnético. El primer extremo de la bobina 43 está conectado con el borne positivo 28. El segundo extremo de la bobina 43 está conectado con el borne negativo 29 por medio de un transistor 44. En el ejemplo de la figura 4, el transistor 44 es un transistor bipolar NPN cuyo Colector está conectado con el segundo extremo de la bobina 43 y cuyo Emisor está conectado con el borne negativo 29. La Base de este transistor bipolar 44 está conectada al borne positivo 28 a través de una resistencia y de un órgano de detección de un umbral mínimo de tensión Vs, tal como un diodo Zener 45. De forma equivalente, el circuito auxiliar de control 40 podría también estar compuesto con transistores de efecto de campo de tipo MOSFET en lugar de los transistores bipolares.
En funcionamiento normal, cuando la tensión Vs está presente, el diodo Zener 45 conduce, por consiguiente el transistor 44 es conductor y una corriente circula por la bobina de control 43. El contacto móvil 41 se mantiene entonces en su primera posición, lo cual permite conectar la rejilla G con la salida 39 del circuito de control de rejilla 30. El condensador auxiliar 25 se carga por medio del diodo 26.
Cuando la tensión Vs cae y pasa bajo el umbral mínimo de desencadenamiento determinado por el diodo Zener 45, este ya no es conductor y el transistor 44 se bloquea. Al no circular entonces ninguna corriente por la bobina de control 43, el contacto móvil 41 es automática y rápidamente retrocedido a su segunda posición (gracias a los medios de retroceso) en la cual la rejilla G está conectada al borne negativo del condensador auxiliar 25.
Así, cuando el contacto móvil 41 del conmutador electromagnético se encuentra en la segunda posición (como se ha indicado en las figuras 3 a 5), la fuente S del transistor JFET 15 está conectada al borne positivo del condensador auxiliar 25 y la rejilla G del transistor JFET 15 está conectada con el borne negativo del condensador auxiliar 25 por medio de la resistencia 27. Se crea por consiguiente ventajosamente un circuito auxiliar de alimentación que comprende únicamente el transistor JFET 15, el condensador auxiliar 25 y la resistencia 27. Por otro lado, el diodo 26 impide al condensador auxiliar 25 descargarse hacia el condensador 21 y cualquier otro circuito puesto en paralelo con esta fuente principal, mientras que la tensión V_{R} es superior a la tensión V_{S}.
El condensador auxiliar 25 no puede por consiguiente ya descargarse en otra parte más que en el transistor JFET para proporcionar una tensión V_{GS} negativa. Ahora bien, se sabe que un transistor JFET genera muy poca corriente de fuga en su capacidad Rejilla-Fuente.
Esta solución simple permite así minimizar enormemente todas las pérdidas del circuito auxiliar, y por consiguiente obtener un tiempo T mucho más importante y/o un tamaño del condensador auxiliar 25 más pequeño. Una vez que la tensión Vs cae por debajo de un umbral predeterminado por el diodo Zener 45, la rejilla G se aisla del circuito 30 y se crea el circuito auxiliar de alimentación del transistor JFET 15. El circuito auxiliar de control 40 hace así las veces de módulo de detección de subtensión de la tensión Vs.
Opcionalmente, es posible añadir también una función de protección del circuito de control de rejilla 30 cuando el transistor JFET 15 se encuentra en cortocircuito. Para ello, el circuito auxiliar 40 comprende además un segundo transistor 48 cuyo Colector está conectado (por medio de una resistencia) a la Base del transistor 44 y del cual el Emisor está conectado con el borne negativo 29. La Base del segundo transistor 48 está conectada (por medio de una resistencia) con la salida 36 del módulo de detección de cortocircuito 35 del JFET. Así, cuando este módulo 35 detecta un cortocircuito, su salida 36 pasa al estado 1, lo cual hace al transistor 48 conductor y el transistor 44 pasa al estado bloqueante. En este caso, la bobina 43 ya no es alimentada y el contacto móvil 41 vuelve a su segunda posición. Así, se aisla la rejilla G del circuito de control de rejilla 30 cuando se detecta un cortocircuito del transistor JFET 15. Otra opción consistiría también en gestionar la salida de un módulo de detección de sobretensión 34 en el circuito auxiliar 40.
La figura 5 muestra una variante de este primer modo de realización. En esta variante, el conmutador electromagnético comprende además un segundo contacto móvil 42 que es controlado como el primer contacto móvil 41 por la misma bobina de control 43 y que está dispuesto entre el borne positivo 28 y el diodo 26 de la forma siguiente:
-
En funcionamiento normal (es decir cuando una corriente circula por la bobina 43), el contacto móvil 42 se encuentra en su primera posición y el borne positivo 28 se encuentra conectado con el diodo 26, como en la figura 4.
-
Por el contrario, cuando ninguna corriente circula por la bobina 43, el contacto móvil 42 es retrocedido automáticamente a su segunda posición, lo cual permite aislar el borne positivo 28 del diodo 26, y así desconectar la fuente auxiliar de energía 25 con la fuente principal de energía.
Gracias a este segundo contacto móvil, se salvan así eventuales corrientes de fuga del diodo 26 cuando está bloqueado, lo cual alarga otro tanto el tiempo T durante el cual el condensador auxiliar 25 puede mantener el transistor JFET 15 en el estado OFF. Se impide igualmente descargar el condensador principal 21 en el condensador auxiliar 25 como consecuencia de un eventual cortocircuito de las conexiones Rejilla Fuente del transistor JFET 15 cuando este muere en cortocircuito. Se evita así propagar el fallo del transistor JFET en el circuito de control de rejilla 30.
Las figuras 6 a 8 muestran varios ejemplos de un segundo modo de realización de la invención en el cual el órgano de conmutación de protección no es un conmutador electromagnético sino que comprende un primer conmutador electrónico 51. Este conmutador electrónico 51 es preferentemente un transistor MOSFET de canal N que presenta la ventaja de generar muy poca fuga cuando se encuentra en estado ON conductor.
En la figura 6, el dispositivo de control del interruptor JFET 15 es alimentado por una fuente principal de energía y una fuente auxiliar de energía 25, de forma idéntica al dispositivo de la figura 3 descrito anteriormente.
Como para la figura 3, el dispositivo de control comprende un circuito principal de control de rejilla 30 (o Gate Driver) que permite el control de la rejilla G, a partir de la señal de control 37 que proviene por ejemplo de la unidad de control 24 del variador de velocidad. La salida 39 del circuito principal de control de rejilla 30 está conectada con la rejilla G del transistor JFET 15 por mediación de una resistencia.
La fuente del transistor MOSFET 51 está conectada con el borne negativo del condensador auxiliar 25. El Drenaje del transistor MOSFET 51 está conectado con la rejilla G del transistor JFET 15 por medio de una resistencia 57. La Rejilla del transistor MOSFET 51 está controlada por una señal de control procedente del circuito auxiliar de control 50. Este circuito auxiliar de control 50 puede ser realizado con transistores de tecnología bipolar, como se indica a continuación, o de forma equivalente en tecnología MOSFET.
La figura 6 detalla un primer ejemplo del circuito auxiliar de control 50 que cumple la función de detección de subtensión de la tensión Vs. El circuito auxiliar de control 50 comprende un transistor bipolar 54 del cual el Colector está conectado al borne positivo del condensador auxiliar 25 por medio de una resistencia y a la Rejilla del transistor MOSFET 51, del cual el Emisor está conectado al borne negativo del condensador auxiliar 25 y del cual la Base está conectada con el borne positivo 28 a través de una resistencia y de un diodo Zener 55. El funcionamiento del circuito auxiliar de control 50 es el siguiente:
En funcionamiento normal, cuando la tensión Vs se encuentra presente, el diodo Zener 55 conduce y el transistor 54 es conductor. En este caso el Colector del transistor 54 se encuentra a 0 y el conmutador electrónico 51 no recibe señal de control. El conmutador electrónico 51 se encuentra por consiguiente en un primer estado no conductor o bloqueado. En este caso, la rejilla G del transistor JFET 15 es controlada únicamente por la salida 39 del circuito de control de rejilla 30, pues el rejilla G no está conectada con el borne negativo del condensador 25.
Una vez que la tensión Vs cae y pasa bajo el umbral mínimo de desencadenamiento determinado por el diodo Zener 55, este no es conductor ya y el transistor 54 se bloquea. En este caso, el Colector del transistor 54 es retrocedido a 1 pues está conectado (por medio de una resistencia) al borne positivo del condensador auxiliar 25. El conmutador electrónico 51 recibe entonces una señal de control que lo hace bascular a un segundo estado conductor. La rejilla G del transistor JFET 15 está entonces directamente conectada al borne negativo del condensador auxiliar 25, por medio de la resistencia 57.
De este modo, cuando el conmutador electrónico 51 se encuentra en el segundo estado conductor, se crea ventajosamente un circuito auxiliar de alimentación que comprende el transistor JFET 15, el condensador auxiliar 25, el conmutador electrónico 51 y la resistencia 57. Se fuerza entonces la rejilla G del transistor JFET 15 a un potencial negativo determinado por la tensión V_{R} en los bornes del condensador auxiliar 25, cortocircuitando la salida 39 del circuito de control de rejilla 30. Como el conmutador electrónico 51 es un transistor MOSFET que genera muy poca corriente de fuga en el estado conductor, esta solución permite igualmente minimizar las pérdidas del circuito auxiliar, y por consiguiente obtener un tiempo T muy importante y/o un tamaño del condensador auxiliar 25 más pequeño. En ausencia de alimentación, el conmutador electrónico 51 permanece en el segundo estado conductor.
Sin embargo, si el circuito de control de rejilla 30 se encuentra en posición elevada (salida 39 igual a Vs) cuando el conmutador electrónico 51 se encuentra en el estado conductor, es preciso forzar la salida 39 a 0, para evitar tener que pasar una corriente entre la salida 39, la resistencia 57 y el condensador auxiliar 25. Es por lo que, el circuito auxiliar de control 50 comprende igualmente otro transistor bipolar 53 del cual el Colector está conectado con la entrada D_{IS} del circuito de control de rejilla 30, del cual el Emisor está conectado con el borne negativo del condensador auxiliar 25 y del cual la Base está conectada con la base del transistor 54 por medio de una resistencia.
En funcionamiento normal, cuando la tensión Vs está presente, el diodo Zener 55 es conductor, por consiguiente el transistor 53 es conductor y la entrada D_{IS} del circuito de control de rejilla 30 es igual a 0. Una vez que el diodo Zener 55 no es ya conductor, el transistor bipolar 53 se bloquea, lo cual fuerza la entrada D_{IS} del circuito de control de rejilla 30 al estado 1 con el fin de suprimir la tensión en la salida 39.
La figura 7 proporciona un segundo ejemplo del circuito auxiliar de control 50. En este segundo ejemplo, se trata igualmente la función de detección de cortocircuito del transistor JFET 15. Para ello, el dispositivo de control comprende un módulo de detección de cortocircuito 35 ya descrito anteriormente.
El circuito auxiliar de control 50 comprende además un transistor bipolar 58 del cual el Colector está conectado a la Base del transistor 54, del cual el Emisor está conectado al borne negativo del condensador auxiliar 25 y del cual la Base está conectada con la salida 36 del módulo 35. Esta salida 36 es enviada igualmente a una puerta lógica O para ser combinada con el Colector del transistor 53. Así, cuando el módulo 35 detecta un cortocircuito, su salida 36 pasa al estado 1, lo cual hace al transistor 58 conductor y al transistor 54 se bloquea. En este caso, el conmutador electrónico 51 bascula al segundo estado conductor, y la rejilla G del transistor JFET 15 está directamente conectada al borne negativo del condensador auxiliar 25, por medio de la resistencia 57. Así, se fuerza una tensión negativa entre la rejilla G y la fuente S del transistor JFET 15 cuando se detecta un cortocircuito del transistor JFET 15.
Según otra variante del segundo modo de realización representada en la figura 8, que se asemeja a la variante de la figura 5, el órgano de conmutación electrónico comprende igualmente un segundo conmutador electrónico 52 de tipo transistor MOSFET de canal P, dispuesto entre el borne positivo 28 y el diodo 26 con el fin de desconectar la fuente auxiliar de energía 25 de la fuente principal de energía cuando el primer conmutador electrónico 51 está posicionado en el segundo estado conductor. El funcionamiento es el siguiente:
-
En funcionamiento normal, el transistor 54 es conductor, y el primer conmutador 51 se encuentra en el estado bloqueado o no conductor. Por consiguiente el transistor 57 se encuentra igualmente en el estado bloqueado y el transistor 59 es conductor. En este caso, el segundo conmutador electrónico 52 se encuentra en el estado conductor y los bornes positivos de los condensadores 21 y 25 están conectados por medio del diodo 26.
-
Por el contrario, en caso de fallo (por ejemplo por medio del diodo Zener 55 o el transistor 58), el transistor 54 se bloquea lo cual hace que el primer conmutador 51 se encuentre en el estado conductor, pues el Colector del transistor 54 es retrocedido a 1. El transistor 57 se vuelve igualmente conductor y el transistor 59 pasa al estado bloqueado. Por consiguiente, el segundo conmutador electrónico 52 pasa entonces igualmente al estado bloqueado, lo cual permite aislar el borne positivo 28 del diodo 26, y así desconectar la fuente auxiliar de energía con la fuente principal de energía. Se obvian así eventuales corrientes de fuga del diodo 26 cuando se encuentra bloqueado, lo cual alarga otro tanto el tiempo T durante el cual el condensador auxiliar 25 puede mantener el transistor JFET 15 en el estado OFF.
Se entiende que se puede, sin salir del marco de la invención, idear otras variantes y perfeccionamientos de detalle y de igualmente considerar la utilización de medios equivalentes.

Claims (14)

1. Dispositivo de control de un interruptor electrónico de potencia JFET (15) de tipo normalmente cerrado, comprendiendo el dispositivo de control:
-
un circuito principal de control de rejilla (30) alimentado por una fuente principal de energía (11) para pilotar la rejilla (G) del interruptor JFET (15),
un órgano de conmutación de protección (41, 51) que es conmutable entre una primera posición y una segunda posición,
-
una fuente auxiliar de energía (25) que es alimentada por la indicada fuente principal de energía y de la cual el borne positivo está conectado con la fuente (S) del interruptor JFET (15),
caracterizado porque comprende un circuito auxiliar de control (40, 50) que pilota el órgano de conmutación de protección (41, 51) y porque, en ausencia de señal de control procedente del circuito auxiliar de control (40, 50), el órgano de conmutación de protección (41, 51) se mantiene en la segunda posición en la cual la rejilla (G) del interruptor JFET (15) está conectada con el borne negativo de la fuente auxiliar de energía (25) sin pasar por el indicado circuito principal de control de rejilla (30).
2. Dispositivo de control según la reivindicación 1, caracterizado porque el interruptor electrónico de potencia JFET (15) está realizado en carburo de silicio.
3. Dispositivo de control según la reivindicación 1, caracterizado porque la fuente auxiliar de energía es un condensador auxiliar (25) conectado con la fuente principal de energía a través de un diodo de carga (26).
4. Dispositivo de control según la reivindicación 1, caracterizado porque el órgano de conmutación de protección comprende un conmutador electromagnético dotado de un contacto móvil (41) entre dos posiciones bajo la acción de una bobina de control (43) del circuito auxiliar de control (40), siendo el indicado contacto móvil (41) conmutable entre una primera posición en la cual la rejilla (G) del interruptor JFET (15) está conectada con el circuito principal de control de rejilla (30) y una segunda posición en la cual la rejilla (G) del interruptor JFET (15) está conectada con el borne negativo de la fuente auxiliar de energía (25).
5. Dispositivo de control según la reivindicación 4, caracterizado porque el circuito auxiliar de control (40) comprende un órgano de detección de un umbral mínimo de tensión (45) de la fuente principal de energía, por debajo del cual la bobina de control (43) del conmutador electromagnético no es alimentada.
6. Dispositivo de control según la reivindicación 5, caracterizado porque comprende igualmente un órgano de detección (35) de un cortocircuito del interruptor JFET (15).
7. Dispositivo de control según la reivindicación 5 ó 6, caracterizado porque el conmutador electromagnético comprende además un segundo contacto móvil (42) entre las indicadas dos posiciones bajo la acción de la indicada bobina de control (43), estando el segundo contacto móvil (42) dispuesto de forma que la fuente auxiliar de energía (25) sea desconectada de la fuente principal de energía en la segunda posición.
8. Dispositivo de control según una de las reivindicaciones 4 a 7, caracterizado porque el conmutador electromagnético es un conmutador de tipo MEMS.
9. Dispositivo de control según la reivindicación 1, caracterizado porque el órgano de conmutación de protección comprende un primer conmutador electrónico (51) que está situado entre la rejilla (G) del interruptor JFET (15) y el borne negativo de la fuente auxiliar de energía (25), y que es pilotado por el circuito auxiliar de control (50) entre un primer estado no conductor en el cual la rejilla (G) del interruptor JFET (15) no está conectada con el borne negativo de la fuente auxiliar de energía (25) y un segundo estado conductor en el cual la rejilla (G) del interruptor JFET (15) está conectada con el borne negativo de la fuente auxiliar de energía (25).
10. Dispositivo de control según la reivindicación 9, caracterizado porque el circuito auxiliar de control (50) comprende un órgano de detección (55) de un umbral mínimo de tensión de la fuente principal de energía, por debajo del cual el circuito auxiliar de control (50) no genera la señal de control del primer conmutador electrónico (51).
11. Dispositivo de control según la reivindicación 10, caracterizado porque comprende igualmente un órgano de detección (35) de un cortocircuito del interruptor JFET (15).
12. Dispositivo de control según una de las reivindicaciones 8 a 11, caracterizado porque el primer conmutador electrónico (51) es un transistor MOSFET.
13. Dispositivo de control según la reivindicación 12, caracterizado porque el órgano de conmutación comprende un segundo conmutador electrónico (52) de tipo transistor MOSFET, dispuesto de forma que desconecte la fuente auxiliar de energía (25) de la fuente principal de energía cuando el primer conmutador electrónico (51) está posicionado en el segundo estado conductor.
14. Variador de velocidad que comprende una fase onduladora (O) dotada de varios interruptores electrónicos de potencia JFET (15a, 15b) de tipo normalmente cerrado para proporcionar una tensión variable a una carga eléctrica (M), tal como un motor eléctrico, caracterizado porque el variador comprende un dispositivo de control según una de las reivindicaciones anteriores para cada uno de los indicados interruptores electrónicos de potencia.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102187557B (zh) * 2008-08-21 2014-12-24 三菱电机株式会社 功率用半导体元件的驱动电路
JP5322269B2 (ja) * 2008-08-21 2013-10-23 住友電気工業株式会社 半導体スイッチング装置
ES2353039T3 (es) * 2008-12-23 2011-02-24 Sma Solar Technology Ag Circuito eléctrico con interruptor semiconductor autoconductor.
FR2941577B1 (fr) * 2009-01-27 2011-02-11 Schneider Electric Ind Sas Dispositif de commande d'un transistor jfet
US8203377B2 (en) * 2009-05-11 2012-06-19 Ss Sc Ip, Llc Gate driver for enhancement-mode and depletion-mode wide bandgap semiconductor JFETs
JP5170075B2 (ja) 2009-12-28 2013-03-27 サンケン電気株式会社 電流型インバータ装置
EP2355290B1 (en) * 2010-02-04 2017-04-26 Inmotion Technologies AB Protection circuit for a drive circuit of a permanent magnet motor and corresponding system
WO2011099117A1 (ja) * 2010-02-09 2011-08-18 三菱電機株式会社 プログラマブルコントローラ
US8320090B2 (en) * 2010-06-08 2012-11-27 Hamilton Sundstrand Corporation SSPC for parallel arc fault detection in DC power system
US20120262220A1 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Semisouth Laboratories, Inc. Cascode switches including normally-off and normally-on devices and circuits comprising the switches
GB201112144D0 (en) 2011-07-15 2011-08-31 Cambridge Entpr Ltd Switching circuits
JP5811800B2 (ja) * 2011-11-18 2015-11-11 富士通株式会社 制御回路及び電子機器
WO2013084277A1 (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 三菱電機株式会社 電源電圧監視機能を有する電子制御装置及びそれを備えた車両ステアリング制御装置
US9025294B2 (en) * 2012-02-24 2015-05-05 Hamilton Sundstrand Corporation System and method for controlling solid state circuit breakers
FR2990312B1 (fr) * 2012-05-03 2015-05-15 Alstom Transport Sa Un dispositif comportant un composant electronique avec une grande vitesse de commutation
JP6237038B2 (ja) * 2013-09-20 2017-11-29 富士通株式会社 カスコードトランジスタ及びカスコードトランジスタの制御方法
WO2015078482A1 (en) * 2013-11-22 2015-06-04 Intel Corporation Methods and devices for detecting open and/or shorts circuits in mems micro-mirror devices
AT516568B1 (de) * 2014-11-21 2017-03-15 Bernecker + Rainer Industrie-Elektronik Ges M B H Vorrichtung und ein Verfahren zur sicheren Ansteuerung eines Halbleiterschalters eines Wechselrichters
JP6591315B2 (ja) * 2016-03-09 2019-10-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、チャージポンプ回路、半導体システム、車両及び半導体装置の制御方法
US9871510B1 (en) 2016-08-24 2018-01-16 Power Integrations, Inc. Clamp for a hybrid switch
US10859300B2 (en) 2016-10-05 2020-12-08 Johnson Controls Technology Company Variable speed drive for a HVACandR system
US10516262B2 (en) * 2016-12-01 2019-12-24 Osypka Medical Gmbh Overvoltage protection device and method
US10511297B2 (en) 2017-07-25 2019-12-17 Psemi Corporation High-speed switch with accelerated switching time
US10734992B2 (en) * 2017-08-09 2020-08-04 Infineon Technologies Ag Circuit and method for providing an output signal
FR3083396B1 (fr) * 2018-06-28 2020-08-21 Valeo Equip Electr Moteur Systeme de commande d'un interrupteur, bras de commutation et installation electrique
CN109347463B (zh) * 2018-10-26 2022-04-19 苏州农业职业技术学院 一种自动化推拉电磁铁式的拨码装置
US11101640B1 (en) 2020-07-29 2021-08-24 Abb Schweiz Solid-state protection for direct current networks
CN115378413B (zh) * 2022-10-25 2023-01-24 成都市易冲半导体有限公司 控制电路及控制方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1079804A (en) * 1977-03-14 1980-06-17 Ibm Canada Limited - Ibm Canada Limitee Voltage sequencing circuit for sequencing voltage to an electrical device
JPS62109112A (ja) * 1985-11-08 1987-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電源シ−ケンス回路
JPH1169623A (ja) * 1997-08-19 1999-03-09 Toyota Autom Loom Works Ltd GaAsFET用電源回路
JP2000083369A (ja) * 1998-06-24 2000-03-21 Toshiyasu Suzuki 切換えスイッチング手段、論理回路、双安定回路、多安定回路、切換えスイッチング手段および論理回路
DE19902520B4 (de) * 1999-01-22 2005-10-06 Siemens Ag Hybrid-Leistungs-MOSFET
DE10063084B4 (de) * 2000-12-18 2009-12-03 Siemens Ag Leistungselektronische Schaltung
DE10212869A1 (de) * 2002-03-22 2003-09-18 Siemens Ag Ansteuerschaltung für einen Sperrschicht-Feldeffekttransistor
JP2006158185A (ja) * 2004-10-25 2006-06-15 Toshiba Corp 電力用半導体装置
JP4844007B2 (ja) * 2005-05-18 2011-12-21 富士電機株式会社 複合型半導体装置
JP4600180B2 (ja) * 2005-06-27 2010-12-15 株式会社日立製作所 電界効果型パワー半導体素子を用いた半導体回路
DE102006025374B4 (de) * 2006-05-31 2008-03-13 Technische Universität Chemnitz Sperrschicht-Feldeffekttransistor-Anordnung und Verfahren zum Ansteuern eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors

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Publication number Publication date
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