ES2287313T3 - Dispositivo de elevacion y apoyo. - Google Patents
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Abstract
Instalación de procesamiento por plasma para el tratamiento de elementos con forma de placa de gran superficie, con un dispositivo de elevación y apoyo que aloja al elemento con forma de placa (4) y con un elemento base (1) metálico, sobre el que está dispuesta una pluralidad de pasadores (2), que pueden ser anclados en agujeros (3) de pasador previstos en el elemento base, y sobre cuyos extremos (9) el elemento con forma de placa (4) está montado para la manipulación o durante el tratamiento de plasma, pudiendo presentar el elemento con forma de placa (4) una carga electrostática, eligiéndose el diámetro de los agujeros (3) de pasador y de los pasadores (2) tan pequeños que adaptados al elemento con forma de placa (4) a ser tratado por el plasma en la elaboración con plasma se evite esencialmente una perturbación del plasma en la zona de los agujeros (3) de pasador o pasadores (2) y una descarga electrostática no deseada sobre el elemento con forma de placa (4) en la manipulación y almacenamiento, estando formados los pasadores (2) de un material dieléctrico y siendo los diámetros de los pasadores menores de 3 mm.
Description
Dispositivo de elevación y apoyo.
La presente invención se refiere a una
instalación de procesamiento por plasma para el tratamiento de
elementos con forma de placa de gran superficie con un dispositivo
de elevación y apoyo que aloja al elemento con forma de placa, así
como a un procedimiento de elaboración correspondiente.
En la elaboración y en particular en el
recubrimiento o el bombardeo iónico de semiconductores, por ejemplo
obleas de silicio para la fabricación de circuitos de conmutación
integrados o de dieléctricos, tales como placas de vidrio para la
fabricación de monitores de pantalla plana, es necesario
transportar, almacenar de forma intermedia etc., esto es, en
general manipular de determinada forma, los substratos que aquí la
mayoría de las veces son elementos en forma de placa, entre o
durante las etapas de elaboración individuales. No obstante, a
diferencia de otros ámbitos de la logística de procesamiento esto
conlleva dificultades, ya que aquí se trata de componentes
extremadamente sensibles o procesos en los que las mínimas
perturbaciones pueden conducir a un fuerte perjuicio o incluso a la
destrucción de los componentes.
Un problema que se presenta en general en la
manipulación de semiconductores, y especialmente en la manipulación
de dieléctricos que llevan circuitos eléctricos, como por ejemplo
transistores de película delgada, es el problema de la carga
eléctrica y la consiguiente descarga electrostática no deseada. Como
se desprende del cuadro esquemático de la Fig. 6, por procesos de
elaboración, por ejemplo procedimientos de recubrimiento de plasma,
aunque también por procesos de rozamiento en el transporte de
elementos con forma de placa, se puede producir una carga
electrostática del elemento con forma de placa. Esta carga sobre el
elemento con forma de placa (4) está representada esquemática en la
Fig. 6 y designada con el símbolo de referencia 8. Si ahora el
elemento de placa cargado es llevado a diferente distancia hacia el
potencial de tierra, como puede suceder por ejemplo al elevar el
elemento con forma de placa (4), se producen diferencias de
potencial sobre el elemento con forma de placa (4), que están
representadas en la Fig. 6 con V_{1} y V_{2}. Estas diferencias
de potencial sobre la superficie superior del elemento con forma de
placa pueden ahora conducir a una descarga electrostática no
deseada sobre los circuitos de conmutación dispuestos sobre la
superficie superior o transistores de película delgada. Esto se
muestra esquemáticamente en la Fig. 6 en el marco en el centro de
la figura. La descarga electrostática puede conducir a una
destrucción del componente, de manera que en caso de duda el
elemento con forma de placa completo con su pluralidad de circuitos
de conmutación o transistores de película delgada es desechado.
A este problema se ha hecho frente hasta ahora
intentando evitar una carga de los elementos con forma de placa,
por ejemplo por ionización del aire ambiente. No obstante, se ha
comprobado que es casi prácticamente irrealizable evitar por
completo la carga electrostática. Otro planteamiento para resolver
el problema de la descarga electrostática no deseada es aquel en el
que durante el proceso de fabricación todos los circuitos sobre el
semiconductor o el dieléctrico son puestos en cortocircuito por
conducciones colocadas adicionalmente, llamadas bus bars. Sin
embargo, esto tiene el inconveniente por un lado de que es necesario
un alto despliegue para la colocación y posterior retirada de las
bus bars. Además las bus bars obstaculizan el siguiente proceso de
fabricación.
Otro problema en la manipulación de elementos
con forma de placa consiste, en particular en el caso de los
procedimientos de plasma, en que éste se ve perturbado por
dispositivos de elevación y apoyo en las cámaras de plasma, lo que
conduce a repercusiones en las propiedades de los elementos tratados
con el plasma. Así, en las instalaciones de plasma habitualmente
los elementos a ser tratados, como elementos con forma de placa,
por ejemplo obleas de silicio o placas de vidrio, son depositados
sobre placas base metálicas para ser tratadas con el procedimiento
de plasma. En los bordes de la placa base están previstos pasadores
que pueden ser anclados en la placa base para elevar y descender
los elementos con forma de placa a ser tratados, para que un
dispositivo de agarre por ejemplo un brazo de robot con un soporte
con forma de horquilla pueda agarrar por debajo los elementos con
forma de placa y transportarlos desde una estación de elaboración a
la siguiente. Los pasadores del dispositivo de elevación y apoyo
conocido están dispuestos en el borde de la placa base, ya que los
agujeros de pasador en los que son conducidos los pasadores
representan una falta de homogeneidad en la placa base metálica y
así pueden conducir a una modificación del plasma a través de estas
zonas. La modificación del plasma a través de estas zonas tiene, no
obstante, como consecuencia que aquí por ejemplo la separación de
capas o el bombardeo iónico por medio de plasma se vería perturbado.
Puesto que, no obstante, habitualmente en los bordes de los
elementos con forma de placa no son colocados circuitos de
conmutación o transistores de película delgada, es decir elementos
activos, la disposición de los pasadores con los agujeros de
pasadores en estas zonas es inocua. Al aumentar el tamaño y
disminuir el espesor de los elementos con forma de placa, esto
conduce, no obstante, al problema de tener que prever también
pasadores en el centro de la placa base para garantizar un apoyo
suficiente del elemento con forma de placa en la elevación o
descenso. De esta forma existe sin embargo por los agujeros de
pasadores en los procedimientos de plasma también una falta de
homogeneidad en la zona del centro del dispositivo de elevación y
apoyo, por lo que sería deseable poder fabricar igualmente zonas
activas de los elementos con forma de placa. Hasta aquí se las
arreglaba uno con el hecho de que sobre un elemento con forma de
placa son generados varios componentes finales, que al final son
separados uno de otro por separación del elemento con forma de
placa. Por tanto, es posible también prever en los lugares de
separación pasadores correspondientes que tampoco aquí en estas
zonas tengan repercusión en la perturbación del plasma por los
pasadores o agujeros de pasadores situados por debajo. Puesto que,
no obstante, por ejemplo para la fabricación de monitores de
pantalla plana se tiene que las zonas activas particulares de los
elementos de tipo placa al disminuir el espesor de los elementos
con forma de placa se hacen más grandes, se ponen ciertos límites a
estos remedios.
Además es conocido, por ejemplo por el documento
US 6 228 438 B1, depositar los elementos a ser tratados en el
plasma sobre pasadores para por debajo del elemento a ser tratado
realizar una capa dieléctrica. Con ello se producen por los
pasadores igualmente perturbaciones en el plasma en la zona de los
mismos. Éstas son atenuadas por escotaduras adicionales en torno a
los pasadores en la placa base.
El documento
US-A-5 669 977 muestra una
instalación de procesamiento por plasma para el tratamiento de
elementos con forma de placa, con un dispositivo de elevación y
apoyo que aloja al elemento con forma de placa y con un elemento
base sobre el que está dispuesta una pluralidad de pasadores que
pueden ser anclados en los agujeros de pasador previstos en el
elemento base, y sobre cuyos extremos es montado el elemento con
forma de placa para la manipulación o durante el tratamiento con
plasma, siendo el diámetro de los pasadores 0,76 mm y el de los
agujeros para los pasadores de 1,0 mm.
El documento
EP-A-O 821 404 muestra una
instalación de procesamiento para el tratamiento térmico de
elementos con forma de placa de gran superficie con un dispositivo
de elevación y apoyo que aloja al elemento con forma de placa y con
un elemento base metálico sobre el que está dispuesta una pluralidad
de pasadores, que pueden ser anclados en los agujeros para
pasadores previstos en el elemento base y sobre cuyos extremos está
montado el elemento con forma de placa para la manipulación o
durante el tratamiento, estando formados los pasadores de cuarzo, y
siendo el diámetro de los pasadores de 2 mm y el de los agujeros de
pasador de 4,75 mm.
Por consiguiente, el objeto de la presente
invención es conseguir de forma completamente general un dispositivo
de elevación y apoyo para la manipulación y almacenamiento de
elementos con forma de placa, en particular de gran superficie, que
pueda ser empleado en una pluralidad de procesos, y que evite los
problemas mostrados al principio. En particular, es el objeto de la
presente invención conseguir un dispositivo de elevación y apoyo
para elementos correspondientes, que sin medidas adicionales y
complicadas evite daños por descargas electrostáticas no deseadas.
Además, el dispositivo de elevación y apoyo debe ejercer una
perturbación lo más pequeña posible de un plasma previsto para el
tratamiento del elemento con forma de placa, de manera que se
eviten repercusiones negativas sobre la fabricación y las
propiedades de los elementos con forma de placa.
Este objeto se lleva a cabo por una instalación
de procesamiento por plasma según la reivindicación 1 o un
procedimiento para la elaboración de substratos con forma de placa
según la reivindicación 18. Perfeccionamientos ventajosos son
objeto de las reivindicaciones subordinadas.
Es esencial para llevar a cabo el objeto
mencionado y todos sus aspectos parciales que para un dispositivo
de elevación y apoyo con un elemento base sobre el que está prevista
una pluralidad de pasadores para llevar los elementos con forma de
placa, el diámetro de los pasadores o de los agujeros de los
pasadores, en los que pueden estar anclados los pasadores, se elija
pequeño, de tal modo que los problemas mencionados al principio no
puedan producirse o sean evitados esencialmente. Como a continuación
se explica en detalle es precisamente la realización fina o delgada
de los pasadores lo que resuelve los diversos problemas en los
dispositivos de elevación y apoyo según la invención.
Así como los inventores han comprobado, el
problema de la descarga electrostática no deseada puede evitarse
con una realización delgada de los pasadores dieléctricos, con lo
que se reduce notablemente la generación de diferencias de
potencial sobre la superficie superior de los elementos con forma de
placa. Dependiendo de las propiedades del elemento con forma de
placa, por ejemplo el espesor y el tipo del elemento con forma de
placa, por ejemplo el semiconductor o dieléctrico, así como el
número y tipo de componentes eléctricos, como por ejemplo
transistores, la reducción del espesor de los pasadores conduce a
evitar descargas electrostáticas y, por tanto, un daño del elemento
con forma de placa a ser manipulado. Según la invención los
pasadores son fabricados de un material dieléctrico ya que en el
caso de un elemento base fabricado de metal para instalaciones de
procesamiento por plasma, los pasadores conductores conducirían a la
formación de diferencias de potencial altas sobre el elemento con
forma de placa, lo cual tampoco podría ser evitado por una
realización fina de los pasadores.
Para poder desplazar los elementos con forma de
placa que se van a depositar sobre los pasadores respecto al
elemento base, los pasadores pueden ser anclados en el elemento base
por lo que están previstos en éste agujeros de pasador. El elemento
base puede ser una placa, una rejilla, horquillas de transporte o
similares.
En las instalaciones de procesamiento por plasma
el elemento con forma de placa es depositado habitualmente durante
el procesamiento por plasma sobre el elemento base, que está
realizado de metal para la generación del plasma. Los pasadores del
dispositivo de elevación y apoyo están dispuestos anclables en el
elemento base, ya que sólo sirven para elevar y descender el
elemento con forma de placa. Los agujeros de pasador previstos para
ello generan no obstante la falta de homogeneidad en el elemento
base que se pretende evitar según la invención, que perturba al
plasma en las zonas por arriba. Correspondientemente los diámetros
de los agujeros de pasador y de los pasadores conducidos en su
interior se eligen tan pequeños que se evite esencialmente una
perturbación del plasma y por tanto un daño del elemento con forma
de placa. Puesto que una eventual perturbación del plasma por la
falta de homogeneidad del elemento base depende también del propio
plasma y del elemento a ser tratado, hay que elegir el diámetro de
los agujeros de pasador o los pasadores en correspondencia al caso
de aplicación.
En general hay que recalcar que para evitar el
problema de la descarga electrostática no deseada, así como para
evitar las perturbaciones del plasma, hay que elegir el diámetro de
los pasadores en el dispositivo de elevación y apoyo lo más pequeño
posible. El límite exacto del diámetro de los pasadores o de los
agujeros de los pasadores se puede averiguar en virtud del caso de
aplicación, lo que, no obstante, no representa ningún problema para
el experto. Teniendo en cuenta los conocimientos de un experto y la
presente revelación, éste puede averiguar los valores límite en un
caso particular, bien por ensayos adecuados o por simulación
numérica.
En general se ha mostrado que en particular para
el caso en que sea empleado el dispositivo de elevación y apoyo en
instalaciones de procesamiento por plasma, el diámetro de los
pasadores debe ser menor que el espesor de la vaina de plasma que
rodea al plasma.
En particular para evitar descargas
electrostáticas no deseadas ha demostrado ser eficaz que el diámetro
de los pasadores sea menor de su longitud sobresaliente por el
elemento base, en particular el elemento base metálico, partida por
15. Como magnitud para el diámetro de los pasadores ha resultado que
el diámetro de los pasadores debería ser menor de 3 mm,
preferentemente menor de 2 mm y en particular igual a 1,8 mm.
Para garantizar un apoyo suficiente de los
elementos con forma de placa que van a ser portados y evitar un
esfuerzo excesivo de los pasadores delgados, es ventajoso prever un
número suficiente de pasadores por m^{2} de superficie de
elemento base. Preferentemente el número de pasadores por m^{2} de
superficie base debería situarse por encima de 5, en particular
preferentemente por encima de 10 y en especial por encima de 15. En
particular en el caso de elementos con forma de placa delgados, como
es el caso por ejemplo de substratos de vidrio para monitores de TV
planos, la distancia media de los pasadores no debería ser mayor de
300 mm, siendo conveniente en todos los casos que los pasadores
estén distribuidos uniformemente sobre el elemento base.
Es preferible fabricar los pasadores de un
dieléctrico con baja constante dieléctrica para con ello reducir
aún más el peligro de diferencias de potencial sobre la superficie
superior de los elementos con forma de placa.
Sin embargo, hay que tener en cuenta que los
pasadores presenten también propiedades mecánicas adecuadas. Para
ello es especialmente ventajoso que los pasadores presenten
suficiente elasticidad, esto es, estén hechos de un material
elástico adecuado. Esto evita que los pasadores muy finos se rompan
en caso de aplicación de fuerzas perpendiculares. Las fuerzas
perpendiculares pueden producirse, por ejemplo, por dilatación
térmica del elemento con forma de placa alojado durante el
tratamiento o por pasadores no alineados correctamente en la
elevación o descenso. Según el ámbito de aplicación ha dado buen
resultado fabricar los pasadores de un polímero o de una cerámica.
Materiales especialmente ventajosos son aquí politetrafluoretileno,
poliisobutileno, poliacrilato, polietileno, así como cuarzo,
cordierita, óxido de aluminio o circonio.
Para reducir las fuerzas perpendiculares sobre
los pasadores es ventajoso también evitar la adherencia entre el
extremo de los pasadores, sobre los que está montado el elemento con
forma de placa, y el elemento con forma de placa. En particular
debería evitarse un pegado. Esto puede conseguirse por ejemplo si
los pasadores están dispuestos giratorios en torno a su eje
longitudinal. Por el giro de los pasadores se evita una adherencia
demasiado fuerte de los extremos de los pasadores al elemento con
forma de placa, de manera que no puede alcanzarse la fuerza de
rozamiento necesaria para la transmisión de fuerzas perpendiculares.
Alternativamente a un giro de los pasadores en torno a su eje
longitudinal, los pasadores pueden realizar también un movimiento de
translación oscilante realizado a lo largo de su eje longitudinal.
Para este fin puede ser ventajoso prever un transductor
piezoeléctrico que pueda generar los movimientos de translación.
Otra posibilidad para evitar altas fuerzas
perpendiculares consiste en prever dos conjuntos independientes de
pasadores que elevan o descienden alternativamente el elemento con
forma de placa.
Con el fin de evitar altas fuerzas
perpendiculares es también ventajoso realizar los extremos de los
pasadores sobre los que es montado el elemento con forma de placa de
manera que no se generen altas fuerzas de rozamiento. Para ello
basta pulir lisa la superficie superior o aplicar un recubrimiento
con bajo coeficiente de rozamiento.
Otras ventajas, rasgos y características de la
presente invención se harán claras con la descripción detallada a
continuación de un ejemplo de realización en virtud de los dibujos
adjuntos. Los dibujos muestran así en conjunto de forma puramente
esquemática en:
Fig. 1, un dispositivo de elevación y apoyo en
una vista en sección transversal con una placa de vidrio dispuesta
sobre él por un lado durante el tratamiento con plasma y por otro en
la elevación de la placa de vidrio;
Fig. 2, una sección transversal del dispositivo
de elevación y apoyo con una placa de vidrio elevada;
Fig. 3, una sección transversal de un
dispositivo de elevación y apoyo con una placa de vidrio elevada, en
la que los pasadores están dispuestos giratorios;
Fig. 4, una sección transversal a través de un
dispositivo de elevación y apoyo con una placa de vidrio elevada,
en el que los pasadores pueden oscilar por medio de un transductor
piezoeléctrico a lo largo de su dirección longitudinal;
Fig. 5, varias secciones transversales a través
de un dispositivo de elevación y apoyo en el descenso de una placa
de vidrio, presentando el dispositivo de elevación y apoyo dos
juegos de pasadores para llevar la placa de vidrio
alternativamente, así como un diagrama que muestra el curso
recorrido-tiempo de los dos juegos en pasadores,
así como de la placa de vidrio; y en
Fig. 6, una representación esquemática de una
distribución de tensión no homogénea no deseada de una placa de
vidrio impulsada con una carga electrostática a distancia diferente
de tierra, pudiendo conducir la diferencia de tensión a una
descarga electrostática no deseada sobre la placa de vidrio dotada
de circuitos de conmutación.
La Fig. 1 muestra en una sección transversal en
dos imágenes parciales, un fragmento de una forma de realización
del dispositivo de elevación y apoyo en el que por un lado el
pasador 2 mostrado está anclado en la placa base 1 y el elemento
con forma de placa 4 a ser tratado, por ejemplo una placa de vidrio,
está depositado sobre la placa base 1, así como por otro lado el
pasador 2 desplazado, que sobresale por la placa base 1 y en uno de
cuyos extremos 9 se apoya la placa de vidrio 4. En la representación
esquemática de la Fig. 1, el agujero 3 de pasador está representado
sólo en una zona superior. Sin embargo, el agujero 3 de pasador
puede estar realizado también de manera que posea a través de toda
su altura el mismo diámetro. Para una mejor representación se
muestra, no obstante, un agujero de pasador que en su zona superior
presenta un diámetro considerablemente mayor que el pasador 2.
Aunque ésta es una forma de realización posible, será habitualmente
la forma de realización preferida aquella en la que el agujero 3 de
pasador es sólo mínimamente mayor en diámetro que el pasador 2, y
concretamente en la medida en que posibilite un movimiento libre del
pasador 2 en el agujero 3 de pasador. En este caso no es tampoco
necesaria una variación del diámetro del agujero 3 de pasador a
través de su longitud.
Como se muestra igualmente en la Fig. 1, el
dispositivo de elevación y apoyo es empleado en el tratamiento por
plasma de una placa de vidrio 4. Para ello por encima de la placa de
vidrio 4 es encendido un plasma 5 cuando la placa de vidrio 4 es
depositada sobre la placa base metálica 1. Entre el plasma 5 y la
placa de vidrio 4 se forma un espacio intermedio libre de plasma,
que aquí es denominado vaina de plasma 6. La vaina de plasma 6
presenta habitualmente un espesor de 2 a 3 mm. En correspondencia,
la forma de realización preferida según la Fig. 1 está realizada de
manera que tanto el diámetro de los agujeros 3 de pasador como el
correspondiente a cada pasador 2 es menor que el espesor de la
vaina de plasma 6. Por consiguiente, el radio de los agujeros 3 de
pasador, así como el correspondiente al de los pasadores 2 en el
ejemplo de realización mostrado es menor de
1 mm.
1 mm.
La Fig. 2 muestra igualmente un fragmento de una
forma de realización del dispositivo de elevación y apoyo en
sección transversal, estando aquí el pasador 2 desplazado por
completo fuera de la placa base 1 (el agujero 3 de pasador no se
muestra aquí). En esta forma de realización está representada
esquemáticamente otra posibilidad de la realización según la
invención de los pasadores 2, concretamente aquella en la que el
radio de los pasadores 2 sea menor que su altura total desplazada
h_{1} partida por 30. Esta forma de realización está dirigida en
particular al empleo en la manipulación de placas de vidrio que
están dotadas de circuitos de conmutación y que están expuestas por
carga electrostática a un daño por descarga electrostática no
deseada.
Las figuras 3 a 5 muestran, respectivamente,
fragmentos de dispositivos de elevación y apoyo en sección
transversal, en los que están previstas medidas para evitar una
alta carga de los pasadores 2 por fuerzas perpendiculares no
deseadas al elevar o descender o durante el tratamiento de los
elementos con forma de placa 4. En particular los ejemplos
mostrados en estas figuras 3 a 5 están orientados a evitar una
adherencia fuerte entre los extremos 9 de los pasadores 2 por un
lado y los elementos con forma de placa 4 por otro lado, esto es
minimizar las fuerzas de roza-
miento.
miento.
En la forma de realización según la figura 3,
los pasadores 2 están montados giratorios, de manera que pueden
girar en torno a su eje longitudinal. Al elevar o descender o en el
tratamiento de elementos con forma de placa 4, los pasadores 2 son
girados de manera que se evite una fijación o adherencia de los
extremos 9 de los pasadores 2 al elemento con forma de placa 4. Con
ello se consigue nuevamente que no puedan ser ejercidas fuerzas
perpendiculares fuertes sobre los pasadores 2, que por ejemplo
pudieran resultar de una alineación no exacta de los pasadores
2.
En la forma de realización según la Fig. 4 este
problema de la adherencia o de las fuerzas perpendiculares se
resuelve de modo que los pasadores 2 son desplazados por ejemplo por
transductores piezoeléctricos en oscilaciones de translación a lo
largo del eje longitudinal de los pasadores 2, de manera que los
pasadores 2 sean descargados periódicamente de la carga del
elemento con forma de placa 4. También aquí se evita que se realice
una unión demasiado fuerte entre el extremo 9 de los pasadores 2 y
el elemento con forma de placa 4, lo que podría conducir a una
transmisión de fuerzas perpendiculares altas inadmisible.
Otra solución para este problema se muestra en
la forma de realización según la Fig. 5. Aquí están previstos 2
juegos de pasadores 2 ó 2' en el dispositivo de elevación y apoyo
según la invención que asumen alternativamente la función de
sustentación para el elemento con forma de placa 4 en la elevación o
el descenso o similar. Esto puede conseguirse, por ejemplo, si los
pasadores 2 son movidos tras un curso escalonado en el diagrama
recorrido-tiempo, de manera que el elemento con
forma de placa 4 sea montado alternativamente sobre un juego de
pasadores 2 y el otro juego de pasadores 2'.
Claims (18)
1. Instalación de procesamiento por plasma para
el tratamiento de elementos con forma de placa de gran superficie,
con un dispositivo de elevación y apoyo que aloja al elemento con
forma de placa (4) y con un elemento base (1) metálico, sobre el
que está dispuesta una pluralidad de pasadores (2), que pueden ser
anclados en agujeros (3) de pasador previstos en el elemento base,
y sobre cuyos extremos (9) el elemento con forma de placa (4) está
montado para la manipulación o durante el tratamiento de plasma,
pudiendo presentar el elemento con forma de placa (4) una carga
electrostática, eligiéndose el diámetro de los agujeros (3) de
pasador y de los pasadores (2) tan pequeños que adaptados al
elemento con forma de placa (4) a ser tratado por el plasma en la
elaboración con plasma se evite esencialmente una perturbación del
plasma en la zona de los agujeros (3) de pasador o pasadores (2) y
una descarga electrostática no deseada sobre el elemento con forma
de placa (4) en la manipulación y almacenamiento, estando formados
los pasadores (2) de un material dieléctrico y siendo los diámetros
de los pasadores menores de 3 mm.
2. Instalación de procesamiento por plasma según
la reivindicación 1, caracterizada porque el diámetro de los
pasadores (2) es menor que el espesor de la vaina de plasma.
3. Instalación de procesamiento por plasma según
una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada porque
el diámetro de los pasadores (2) es menor que la quinta parte de su
longitud (h_{1}) que sobresale por la placa base (1).
4. Instalación de procesamiento por plasma según
una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada porque
el diámetro de los pasadores (2) es menor de 2 mm, en particular
igual a 1,8 mm.
5. Instalación de procesamiento por plasma según
una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada porque
el número de pasadores (2) por m^{2} de superficie de placa base
es mayor de 5.
6. Instalación de procesamiento por plasma según
una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada porque
el número de pasadores (2) por m^{2} de superficie de placa base
es mayor de 10.
7. Instalación de procesamiento por plasma según
una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada porque
el número de pasadores (2) por m^{2} de superficie de placa base
es mayor de 15.
8. Instalación de procesamiento por plasma según
una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada porque
la distancia media de los pasadores (2) no es mayor de 300 mm y
porque los pasadores (2) están distribuidos uniformemente a través
de la placa base (1).
9. Instalación de procesamiento por plasma según
una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada porque
los pasadores (2) están hechos de un dieléctrico con constante
dieléctrica baja.
10. Instalación de procesamiento por plasma
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada
porque los pasadores (2) están hechos de un material elástico.
11. Instalación de procesamiento por plasma
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada
porque los pasadores (2) están hechos de un polímero.
12. Instalación de procesamiento por plasma
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada
porque los pasadores (2) están hechos de politetrafluoretileno,
poliisobutileno, poliacrilato o polietileno, o de cerámica.
13. Instalación de procesamiento por plasma
según una de las reivindicaciones 1 a 9, caracterizada porque
los pasadores (2) están hechos de cuarzo, cordierita, óxido de
aluminio o circonio.
14. Instalación de procesamiento por plasma
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada
porque los pasadores están dispuestos giratorios en torno a su eje
longitudinal.
15. Instalación de procesamiento por plasma
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada
porque los pasadores pueden realizar un movimiento de
desplazamiento oscilante a lo largo de su eje longitudinal.
16. Instalación de procesamiento por plasma
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada
porque están previstos dos juegos de pasadores (2) independientes
entre sí que permiten movimientos de elevación y descenso
independientes.
17. Instalación de procesamiento por plasma
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada
porque los pasadores en sus extremos, sobre los que está montado el
elemento con forma de placa, presentan una superficie superior
pulida y/o un recubrimiento con coeficientes de rozamiento
bajos.
bajos.
18. Procedimiento para la elaboración de
substratos con forma de placa en una instalación de procesamiento
por plasma, caracterizado porque los substratos con forma de
placa son movidos sobre dispositivos de elevación y apoyo en una
instalación de procesamiento por plasma según una de las
reivindicaciones anteriores.
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