JP3005461B2 - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JP3005461B2 JP3005461B2 JP30535495A JP30535495A JP3005461B2 JP 3005461 B2 JP3005461 B2 JP 3005461B2 JP 30535495 A JP30535495 A JP 30535495A JP 30535495 A JP30535495 A JP 30535495A JP 3005461 B2 JP3005461 B2 JP 3005461B2
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- detachment
- pins
- electrostatic chuck
- semiconductor substrate
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシアル装
置やエッチング装置などに使用され半導体基板(以下単
にウェハと記す)を静電吸着によって保持する静電チャ
ックに関する。
置やエッチング装置などに使用され半導体基板(以下単
にウェハと記す)を静電吸着によって保持する静電チャ
ックに関する。
【0002】
【従来の技術】通常、例えば、プラズマエッチング装置
においては、プラズマ処理中のウェハの保持には、ウェ
ハ周辺部をクランプによって機械的に押さえる方法と、
ウェハ裏面と保持台間を静電力によって吸着させる静電
吸着による方法がある。この静電吸着方法によるウェハ
の保持は、ウェハと保持台との密着性が高いため、ウェ
ハを冷却する冷却効率が高いことと、ウェハの周辺を押
さえる必要がないため、ウェハ全面をエッチングできチ
ップ収集数を増加させることもできることから、近年、
静電吸着方法によるウェハの保持に移行しつつある。
においては、プラズマ処理中のウェハの保持には、ウェ
ハ周辺部をクランプによって機械的に押さえる方法と、
ウェハ裏面と保持台間を静電力によって吸着させる静電
吸着による方法がある。この静電吸着方法によるウェハ
の保持は、ウェハと保持台との密着性が高いため、ウェ
ハを冷却する冷却効率が高いことと、ウェハの周辺を押
さえる必要がないため、ウェハ全面をエッチングできチ
ップ収集数を増加させることもできることから、近年、
静電吸着方法によるウェハの保持に移行しつつある。
【0003】図3は従来の静電チャックの一例を示す模
式断面図である。従来、この種の静電チャックは、例え
ば、図3に示すように、絶縁体に埋設される電極6に直
流電源7より電圧を印加されウェハ10を吸着保持する
保持台5と、この保持台5からの吸着保持を解放された
ウェハ10を突き上げたり下降したりする複数のリフト
ピン9と、リフトピン9を上下させる昇降機構とを備え
ている。
式断面図である。従来、この種の静電チャックは、例え
ば、図3に示すように、絶縁体に埋設される電極6に直
流電源7より電圧を印加されウェハ10を吸着保持する
保持台5と、この保持台5からの吸着保持を解放された
ウェハ10を突き上げたり下降したりする複数のリフト
ピン9と、リフトピン9を上下させる昇降機構とを備え
ている。
【0004】この静電チャックで保持されたウェハ10
を取外すには、直流電源7の供給電圧を切り除電シーケ
ンスを行ない、帯電したウェハ10の裏面の電荷を除去
する。このとき、例えば、図示していない高周波電源か
らの高周波電源の投入電力を下げながら除電放電をおこ
なうこともある。また、ウェハ10の保持面からの離脱
をより確実にするために、吸着物や電極間に印加時の極
性と反対の極性の電圧を印加し電荷を徐々に除去する等
の方法もある。
を取外すには、直流電源7の供給電圧を切り除電シーケ
ンスを行ない、帯電したウェハ10の裏面の電荷を除去
する。このとき、例えば、図示していない高周波電源か
らの高周波電源の投入電力を下げながら除電放電をおこ
なうこともある。また、ウェハ10の保持面からの離脱
をより確実にするために、吸着物や電極間に印加時の極
性と反対の極性の電圧を印加し電荷を徐々に除去する等
の方法もある。
【0005】このように除電をおこなった後、二点鎖線
で示すように、3ないしは4本程度のリフトピン9を同
時に上昇させ、ウェハ10を保持台5から引離し、搬送
装置の一種であるフォーク11をウェハ下に挿入し、リ
フトピン9を下降させ、ウェハ10をフォーク11にウ
ェハ10を移載し反応室外へ搬出させていた。
で示すように、3ないしは4本程度のリフトピン9を同
時に上昇させ、ウェハ10を保持台5から引離し、搬送
装置の一種であるフォーク11をウェハ下に挿入し、リ
フトピン9を下降させ、ウェハ10をフォーク11にウ
ェハ10を移載し反応室外へ搬出させていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の静電チ
ャックでは、除電作業を行なうものの、ウェハの裏面状
態や蓄積される電荷量の異なりや、あるいは、ウェハ処
理を重ねる毎に反応室内の雰囲気や壁面の状態が変化に
より、必ずしも除電が完全に行なわれず、ウェハ全面ま
たはウェハ面内で局所的に吸着力が存在し、保持台の保
持面からウェハを円滑に離脱させることができない。こ
のため、ウェハが離脱時にはね上がったり、フォークに
移載されなかったり、ウェハが振動により位置ずれを生
じ落下し、破損や搬送不良を起こすという問題があっ
た。
ャックでは、除電作業を行なうものの、ウェハの裏面状
態や蓄積される電荷量の異なりや、あるいは、ウェハ処
理を重ねる毎に反応室内の雰囲気や壁面の状態が変化に
より、必ずしも除電が完全に行なわれず、ウェハ全面ま
たはウェハ面内で局所的に吸着力が存在し、保持台の保
持面からウェハを円滑に離脱させることができない。こ
のため、ウェハが離脱時にはね上がったり、フォークに
移載されなかったり、ウェハが振動により位置ずれを生
じ落下し、破損や搬送不良を起こすという問題があっ
た。
【0007】さらに、近年、ウェハの口径が8インチ、
12インチという大口径化に伴ない、離脱時には、リフ
トピンとウェハとの接触点にかかる力が大きくなり、ウ
ェハの破損や搬送不良の問題が頻繁に発生する。
12インチという大口径化に伴ない、離脱時には、リフ
トピンとウェハとの接触点にかかる力が大きくなり、ウ
ェハの破損や搬送不良の問題が頻繁に発生する。
【0008】従って、本発明の目的は、電荷が残留しウ
ェハの保持面への残留吸着力が存在しても、円滑に保持
面からウェハを離脱することができる静電チャックを提
供することである。
ェハの保持面への残留吸着力が存在しても、円滑に保持
面からウェハを離脱することができる静電チャックを提
供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、静電気
で半導体基板を吸着保持する保持台と、前記半導体基板
を突き上げたり下降したりする複数のリフトピンとを備
える静電チャックにおいて、前記半導体基板の周辺部を
突き上げるように該半導体基板の周辺部に対応する前記
保持台に配置される複数の離脱用ピンと、前記離脱ピン
の先端部を構成する接触子の後端部と接触し前記半導体
基板との接触圧力を検出する圧力センサと、前記半導体
基板の弾性変形許容範囲内で前記離脱用ピンのそれぞれ
を独立してステップ状に突き上げる離脱駆動機構と、前
記半導体基板の周辺部と当接する前記離脱ピンのそれぞ
れの接触圧力が均一にさせるために前記離脱駆動機構の
それぞれを選択して作動させる制御装置とを備える静電
チャックである。また、前記離脱駆動機構は、電歪素子
をスタック状に積み上げた機構であることが望ましい。
で半導体基板を吸着保持する保持台と、前記半導体基板
を突き上げたり下降したりする複数のリフトピンとを備
える静電チャックにおいて、前記半導体基板の周辺部を
突き上げるように該半導体基板の周辺部に対応する前記
保持台に配置される複数の離脱用ピンと、前記離脱ピン
の先端部を構成する接触子の後端部と接触し前記半導体
基板との接触圧力を検出する圧力センサと、前記半導体
基板の弾性変形許容範囲内で前記離脱用ピンのそれぞれ
を独立してステップ状に突き上げる離脱駆動機構と、前
記半導体基板の周辺部と当接する前記離脱ピンのそれぞ
れの接触圧力が均一にさせるために前記離脱駆動機構の
それぞれを選択して作動させる制御装置とを備える静電
チャックである。また、前記離脱駆動機構は、電歪素子
をスタック状に積み上げた機構であることが望ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【0011】図1(a)〜(c)は本発明の一実施の形
態における静電チャックを説明するための構成を示す模
式断面図およびA部とB部を拡大して示す図である。こ
の静電チャックは、図1(a)に示すように、ウェハ1
0の周辺部を突き上げるようにウェハ10の周辺部に対
応する保持台5に配置される複数の離脱用ピン1と、ウ
ェハ10の弾性変形範囲内で離脱用ピン1をステップ状
に突き上げる離脱駆動機構2と、これらの離脱駆動機構
2のそれぞれを選択し作動させる制御装置3とを設けた
ことである。それ以外は従来例と同じである。
態における静電チャックを説明するための構成を示す模
式断面図およびA部とB部を拡大して示す図である。こ
の静電チャックは、図1(a)に示すように、ウェハ1
0の周辺部を突き上げるようにウェハ10の周辺部に対
応する保持台5に配置される複数の離脱用ピン1と、ウ
ェハ10の弾性変形範囲内で離脱用ピン1をステップ状
に突き上げる離脱駆動機構2と、これらの離脱駆動機構
2のそれぞれを選択し作動させる制御装置3とを設けた
ことである。それ以外は従来例と同じである。
【0012】離脱用ピン1はウェハ10を均等に押し上
げられるように同一円周上に、例えば、4本から10本
程度設けられている。また、これら離脱用ピン1はリフ
トピン9の外側に配設されている。さらに、離脱用ピン
1をステップ状に突上げる離脱駆動機構2は、離脱用ピ
ン1の後端を押す電歪素子を積み重ねたスタック状のも
のである。そして、電歪素子スタックである離脱駆動機
構2の一面は離脱用ピン1の後端と接触し、他の面は離
脱駆動機構2を収納する容器の底部と接触しスプリング
の反発力で押さえられている。すなわち、この離脱駆動
機構2の電歪素子に電圧が印加されない限り離脱用ピン
1の先端面は、保持台5の保持面と同一かあるいはやや
引込んでいる状態となる。
げられるように同一円周上に、例えば、4本から10本
程度設けられている。また、これら離脱用ピン1はリフ
トピン9の外側に配設されている。さらに、離脱用ピン
1をステップ状に突上げる離脱駆動機構2は、離脱用ピ
ン1の後端を押す電歪素子を積み重ねたスタック状のも
のである。そして、電歪素子スタックである離脱駆動機
構2の一面は離脱用ピン1の後端と接触し、他の面は離
脱駆動機構2を収納する容器の底部と接触しスプリング
の反発力で押さえられている。すなわち、この離脱駆動
機構2の電歪素子に電圧が印加されない限り離脱用ピン
1の先端面は、保持台5の保持面と同一かあるいはやや
引込んでいる状態となる。
【0013】制御部3は、離脱駆動機構2を構成する電
歪素子に電圧を印加する駆動電源3bと、どの離脱駆動
機構2を作動させるか選択する選択スイッチ3aとを備
えている。すなわち、この選択スイッテ3aにより離脱
駆動機構2を選択して作動させ、脱着時にウェハ10に
かかる力をウェハ面内でより均一にさせている。さら
に、ウェハ10の全面に残留吸着力がある場合でも、リ
フトピンが3本程度の時に比較し、これら離脱用ピン1
とウェハ10との接点にかかる力を数分の1程度にする
ことができる。このことは、ウェハ10への局所的な力
の集中によるそりの発生やそれによるはね返りの問題を
解消している。
歪素子に電圧を印加する駆動電源3bと、どの離脱駆動
機構2を作動させるか選択する選択スイッチ3aとを備
えている。すなわち、この選択スイッテ3aにより離脱
駆動機構2を選択して作動させ、脱着時にウェハ10に
かかる力をウェハ面内でより均一にさせている。さら
に、ウェハ10の全面に残留吸着力がある場合でも、リ
フトピンが3本程度の時に比較し、これら離脱用ピン1
とウェハ10との接点にかかる力を数分の1程度にする
ことができる。このことは、ウェハ10への局所的な力
の集中によるそりの発生やそれによるはね返りの問題を
解消している。
【0014】離脱駆動機構2を構成する電歪素子スタッ
クは、例えば、5つの電歪素子を積み重ねてあり、一つ
の電歪素子に電圧を印加すると、0.1mm程度離脱用
ピン1を上昇させる。すなわち、5つの電歪素子に同時
に電圧を印加すれば、離脱用ピン1を0.5mm上昇さ
せることができる。また、最大上昇限度を0.5mmに
した理由は、口径6インチのウェハを割れを起さずに弾
性変形をさせる許容値が0.6mm程度であり、突き上
げ量を弾性変形の許容範囲内に留め、突き上げ最大値と
して0.5mmにした。勿論、口径の大きい8インチあ
るいは10インチになれば、最大上昇させてもウェハは
変形するものの破損には至らないことは明らかである。
クは、例えば、5つの電歪素子を積み重ねてあり、一つ
の電歪素子に電圧を印加すると、0.1mm程度離脱用
ピン1を上昇させる。すなわち、5つの電歪素子に同時
に電圧を印加すれば、離脱用ピン1を0.5mm上昇さ
せることができる。また、最大上昇限度を0.5mmに
した理由は、口径6インチのウェハを割れを起さずに弾
性変形をさせる許容値が0.6mm程度であり、突き上
げ量を弾性変形の許容範囲内に留め、突き上げ最大値と
して0.5mmにした。勿論、口径の大きい8インチあ
るいは10インチになれば、最大上昇させてもウェハは
変形するものの破損には至らないことは明らかである。
【0015】次に、図1を再度参照してウェハの離脱動
作を説明する。ここで、説明を理解し易いように、離脱
用ピン1が同一円周上に4本配置されているものと仮定
する。まず、ウェハ10の半径方向に対向する2本の離
脱用ピン1の離脱駆動機構2を動作させ、0.1mm程
度上昇させる。この時、残留吸着力が弱い位置にある離
脱用ピン1は、図1(b)のようにウェハ10を容易に
保持台5より押し上げることができる。一方、図1
(c)のように、ウェハ10が保持台5より離脱しない
場合があるが、次のステップ動作に移る。
作を説明する。ここで、説明を理解し易いように、離脱
用ピン1が同一円周上に4本配置されているものと仮定
する。まず、ウェハ10の半径方向に対向する2本の離
脱用ピン1の離脱駆動機構2を動作させ、0.1mm程
度上昇させる。この時、残留吸着力が弱い位置にある離
脱用ピン1は、図1(b)のようにウェハ10を容易に
保持台5より押し上げることができる。一方、図1
(c)のように、ウェハ10が保持台5より離脱しない
場合があるが、次のステップ動作に移る。
【0016】次に、ウェハ10が離脱するか否かに関わ
らず、上昇した離脱用ピン1と90度なす半径方向で対
向する2本の離脱用ピン1を0.1mm程度上昇させ
る。そして、保持台5からウェハ10が離脱するか否か
にかかわらず、最初に0.1mm上昇させた離脱用ピン
1をさらに0.1mm上昇させる。このように、0.1
mmづつそれぞれの離脱用ピン1を上昇させ、最大0.
5mmまで離脱用ピン1を上昇させれば、電荷の残留状
態である場合でもでも、ウェハ10を保持台5より離脱
させることができる。この0.5mm上昇させることに
より確実にウェハが離脱できる事実は、幾度かの実験で
得られている。そして、従来と同様に、リフトピン9を
上昇させ、フォーク11をウェハ10と保持台5との間
に差し込み、リフトピン9の下降によりウェハ10をフ
ォーク11に移載する。
らず、上昇した離脱用ピン1と90度なす半径方向で対
向する2本の離脱用ピン1を0.1mm程度上昇させ
る。そして、保持台5からウェハ10が離脱するか否か
にかかわらず、最初に0.1mm上昇させた離脱用ピン
1をさらに0.1mm上昇させる。このように、0.1
mmづつそれぞれの離脱用ピン1を上昇させ、最大0.
5mmまで離脱用ピン1を上昇させれば、電荷の残留状
態である場合でもでも、ウェハ10を保持台5より離脱
させることができる。この0.5mm上昇させることに
より確実にウェハが離脱できる事実は、幾度かの実験で
得られている。そして、従来と同様に、リフトピン9を
上昇させ、フォーク11をウェハ10と保持台5との間
に差し込み、リフトピン9の下降によりウェハ10をフ
ォーク11に移載する。
【0017】図2は本発明の他の実施における静電チャ
ックを説明するための離脱用ピンを示す断面図である。
この静電チャックは、図2に示すように、各々の離脱用
ピン1にウェハ10と接触しその接触圧力を検出する圧
力センサ4を設けたことである。それ以外は、前述の実
施の形態の静電チャックと同じである。
ックを説明するための離脱用ピンを示す断面図である。
この静電チャックは、図2に示すように、各々の離脱用
ピン1にウェハ10と接触しその接触圧力を検出する圧
力センサ4を設けたことである。それ以外は、前述の実
施の形態の静電チャックと同じである。
【0018】この圧力センサ4は、離脱用ピン1の先端
部に入れられスプリング4bの反発力で離脱用ピン1か
ら先端を突出する接触子4aの後端と接触している。す
なわち、図1に示すように、離脱用ピン1がウェハ10
と接触したとき、電荷の残留吸着力を検知しこの電荷の
残留吸着力が無くなったとき、ウェハ10が保持台5か
ら離脱したことを検知するために設けられたものであ
る。
部に入れられスプリング4bの反発力で離脱用ピン1か
ら先端を突出する接触子4aの後端と接触している。す
なわち、図1に示すように、離脱用ピン1がウェハ10
と接触したとき、電荷の残留吸着力を検知しこの電荷の
残留吸着力が無くなったとき、ウェハ10が保持台5か
ら離脱したことを検知するために設けられたものであ
る。
【0019】例えば、この残留電荷による一本の離脱用
ピン1に対する吸着力が50g/cm2 であったと仮定
すれば、前述の0.1mm毎に検知する圧力センサ4の
値は、図1(c)のような場合は、50g/cm2 程度
である。しかし、離脱用ピン1の上昇を続けると、図1
(b)に示すように、保持台5から離脱する。もし、こ
のとき、対向する離脱ピン1もウェハ10を保持台5か
ら離脱していれば、圧力センサ4はウェハ10の重量に
よる圧力値を示す筈である。また、対向している離脱用
ピン1がウェハ10を保持台5より離脱していなけれ
ば、図1(b)のように離脱の状態でも、圧力値は、例
えば、中間の25g/cm2 程度を示す筈である。
ピン1に対する吸着力が50g/cm2 であったと仮定
すれば、前述の0.1mm毎に検知する圧力センサ4の
値は、図1(c)のような場合は、50g/cm2 程度
である。しかし、離脱用ピン1の上昇を続けると、図1
(b)に示すように、保持台5から離脱する。もし、こ
のとき、対向する離脱ピン1もウェハ10を保持台5か
ら離脱していれば、圧力センサ4はウェハ10の重量に
よる圧力値を示す筈である。また、対向している離脱用
ピン1がウェハ10を保持台5より離脱していなけれ
ば、図1(b)のように離脱の状態でも、圧力値は、例
えば、中間の25g/cm2 程度を示す筈である。
【0020】このように圧力センサ4によって得られた
吸着力の強さに応じて離脱用ピン1の上昇を適宜に制御
してやれば、前述の実施の形態における静電チャックの
ように、全ての離脱用ピン1を0.5mmまで上昇させ
ない内に、ウェハ10を保持台5より離脱したかを確認
することができる。
吸着力の強さに応じて離脱用ピン1の上昇を適宜に制御
してやれば、前述の実施の形態における静電チャックの
ように、全ての離脱用ピン1を0.5mmまで上昇させ
ない内に、ウェハ10を保持台5より離脱したかを確認
することができる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハの
周辺部に保持台から離脱させるための複数の離脱用ピン
を配置し、ウェハの弾性変形範囲内で離脱用ピンをステ
ップ状にウェハを突き上げる離脱駆動機構と、これらの
離脱駆動機構を任意に選択し作動させる制御部とを設け
ることによって、ウェハの周辺部を均等に僅かづつ突き
上げて保持台から離脱させることができるので、ウェハ
のはね返りによるウェハの落下やそれによる破損や移載
不良が無くなるという効果がある。
周辺部に保持台から離脱させるための複数の離脱用ピン
を配置し、ウェハの弾性変形範囲内で離脱用ピンをステ
ップ状にウェハを突き上げる離脱駆動機構と、これらの
離脱駆動機構を任意に選択し作動させる制御部とを設け
ることによって、ウェハの周辺部を均等に僅かづつ突き
上げて保持台から離脱させることができるので、ウェハ
のはね返りによるウェハの落下やそれによる破損や移載
不良が無くなるという効果がある。
【図1】本発明の一実施の形態における静電チャックを
説明するための構成を示す模式断面図およびA部とB部
を拡大して示す図である。
説明するための構成を示す模式断面図およびA部とB部
を拡大して示す図である。
【図2】本発明の他の実施における静電チャックを説明
するための離脱用ピンを示す断面図である。
するための離脱用ピンを示す断面図である。
【図3】従来の静電チャックの一例を示す模式断面図で
ある。
ある。
1 離脱用ピン 2 離脱駆動機構 3 制御装置 3a 選択スイッチ 3b 駆動電源 4 圧力スイッチ 4a 接触子 4b スプリング 5 保持台 6 電極 7 直流電源 8 昇降機構 9 リフトピン 10 ウェハ 11 フォーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−69096(JP,A) 特開 平6−177141(JP,A) 特開 平4−206546(JP,A) 特開 平3−51539(JP,A) 特開 平5−102282(JP,A) 特開 平4−352435(JP,A) 実開 昭58−78641(JP,U)
Claims (2)
- 【請求項1】 静電気で半導体基板を吸着保持する保持
台と、前記半導体基板を突き上げたり下降したりする複
数のリフトピンとを備える静電チャックにおいて、前記
半導体基板の周辺部を突き上げるように該半導体基板の
周辺部に対応する前記保持台に配置される複数の離脱用
ピンと、前記離脱ピンの先端部を構成する接触子の後端
部と接触し前記半導体基板との接触圧力を検出する圧力
センサと、前記半導体基板の弾性変形許容範囲内で前記
離脱用ピンのそれぞれを独立してステップ状に突き上げ
る離脱駆動機構と、前記半導体基板の周辺部と当接する
前記離脱ピンのそれぞれの接触圧力が均一にさせるため
に前記離脱駆動機構のそれぞれを選択して作動させる制
御装置とを備えることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項2】 前記離脱駆動機構は、電歪素子をスタッ
ク状に積み上げた機構であることを特徴とする請求項1
記載の静電チャック。
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JP3163973B2 (ja) * | 1996-03-26 | 2001-05-08 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法 |
US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-02-26 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
US6264752B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-07-24 | Gary L. Curtis | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6413436B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
TW334609B (en) | 1996-09-19 | 1998-06-21 | Hitachi Ltd | Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same |
JP3245369B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を静電チャックから離脱する方法及びプラズマ処理装置 |
US6456480B1 (en) * | 1997-03-25 | 2002-09-24 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and a processing method |
JP3725967B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2005-12-14 | 株式会社日立製作所 | 静電吸着した試料を離脱する方法 |
WO1999000837A1 (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Lam Research Corporation | Vacuum processing chamber workpiece lifter |
JP3374743B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2003-02-10 | 日本電気株式会社 | 基板熱処理装置及び同装置からの基板の分離方法 |
US6423642B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
US20050217707A1 (en) * | 1998-03-13 | 2005-10-06 | Aegerter Brian K | Selective processing of microelectronic workpiece surfaces |
US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
US6790375B1 (en) | 1998-09-30 | 2004-09-14 | Lam Research Corporation | Dechucking method and apparatus for workpieces in vacuum processors |
US6965506B2 (en) * | 1998-09-30 | 2005-11-15 | Lam Research Corporation | System and method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
KR100493011B1 (ko) * | 1998-10-13 | 2005-08-01 | 삼성전자주식회사 | 디스크 사이트에 결합되어 있는 슬라이드 핀을 갖춘 웨이퍼 핸들러 시스템 |
US6231716B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-05-15 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with rapid wafer exchange |
US6548411B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
US6492284B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-10 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US6511914B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US7217325B2 (en) * | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6305677B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-10-23 | Lam Research Corporation | Perimeter wafer lifting |
RU2158438C1 (ru) | 1999-04-14 | 2000-10-27 | Нунупаров Мартын Сергеевич | Электростатические устройства для механической блокировки |
JP4490524B2 (ja) * | 1999-08-10 | 2010-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 静電吸着ステージ及び基板処理装置 |
AU5653699A (en) | 1999-09-20 | 2001-04-24 | Nikon Corporation | Parallel link mechanism, exposure system and method of manufacturing the same, and method of manufacturing devices |
KR100343468B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-07-11 | 박종섭 | 웨이퍼 홀딩척 |
US6286231B1 (en) | 2000-01-12 | 2001-09-11 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
EP1174910A3 (en) * | 2000-07-20 | 2010-01-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for dechucking a substrate |
JP2002064132A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の受け渡し方法、被処理体の載置機構及びプローブ装置 |
US20050061676A1 (en) * | 2001-03-12 | 2005-03-24 | Wilson Gregory J. | System for electrochemically processing a workpiece |
JP3967556B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2007-08-29 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ドライエッチング装置 |
US6528767B2 (en) * | 2001-05-22 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications |
DE10134513A1 (de) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Unaxis Balzers Ag | Hebe-und Stützvorichtung |
US20030034617A1 (en) * | 2001-08-14 | 2003-02-20 | Applied Materials, Inc. | Wafer chuck with plunger |
JP4244555B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2009-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の支持機構 |
JP3910081B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2007-04-25 | 東京応化工業株式会社 | 静電チャック装置及び静電チャック装置からの離脱方法 |
US7040525B2 (en) * | 2002-03-20 | 2006-05-09 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Stage structure in bonding machine and method for controlling the same |
KR20040009691A (ko) * | 2002-07-24 | 2004-01-31 | 주식회사 래디언테크 | 반도체 식각장비에 적용되는 웨이퍼 분리장치 및 방법 |
US20040096636A1 (en) * | 2002-11-18 | 2004-05-20 | Applied Materials, Inc. | Lifting glass substrate without center lift pins |
US7311784B2 (en) * | 2002-11-26 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
US6917755B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
EP1475667A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20040226513A1 (en) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform heating of large area substrates |
JP2005072559A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4522139B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-08-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理ユニット、基板載置状態検出方法および基板処理装置 |
US7198276B2 (en) * | 2003-10-24 | 2007-04-03 | International Business Machines Corporation | Adaptive electrostatic pin chuck |
US8033245B2 (en) | 2004-02-12 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support bushing |
US7434712B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-10-14 | Blackhawk Industries Product Group Unlimited Llc | Hooded holster |
US20060005770A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-12 | Robin Tiner | Independently moving substrate supports |
KR20070072571A (ko) * | 2004-11-04 | 2007-07-04 | 가부시키가이샤 알박 | 정전 척 장치 |
KR101089096B1 (ko) | 2004-12-28 | 2011-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 노광장치용 척 |
US7292428B2 (en) * | 2005-04-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for a plasma reactor |
CN101352108B (zh) * | 2005-12-28 | 2011-12-07 | 夏普株式会社 | 台装置和等离子体处理装置 |
JP4597894B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
US7751172B2 (en) * | 2006-10-18 | 2010-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Sliding wafer release gripper/wafer peeling gripper |
US20080108154A1 (en) * | 2006-11-03 | 2008-05-08 | Hyoung Kyu Son | Apparatus and method for measuring chuck attachment force |
JP4301299B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2009-07-22 | 日新イオン機器株式会社 | 基板保持装置および基板押し上げ状態判定方法 |
JP5548841B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2014-07-16 | チャーム エンジニアリング シーオー エルティーディー | 基板処理装置 |
TW201005825A (en) * | 2008-05-30 | 2010-02-01 | Panasonic Corp | Plasma processing apparatus and method |
US8270142B2 (en) * | 2008-12-10 | 2012-09-18 | Axcelis Technologies, Inc. | De-clamping wafers from an electrostatic chuck |
JP2009164620A (ja) * | 2009-02-13 | 2009-07-23 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置 |
US8313612B2 (en) | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking |
CN102110630B (zh) * | 2009-12-28 | 2013-10-30 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于半导体器件加工设备的升降装置及加工设备 |
US8802545B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-08-12 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
JP5907681B2 (ja) * | 2011-08-02 | 2016-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板受け渡し方法 |
CN103698070A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-04-02 | 北京华卓精科科技有限公司 | 一种静电卡盘静电吸附力及脱附时间的测量装置 |
US9410249B2 (en) | 2014-05-15 | 2016-08-09 | Infineon Technologies Ag | Wafer releasing |
CN105448787A (zh) * | 2014-06-05 | 2016-03-30 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种传输装置及半导体加工设备 |
US10460977B2 (en) * | 2016-09-29 | 2019-10-29 | Lam Research Corporation | Lift pin holder with spring retention for substrate processing systems |
US10262887B2 (en) * | 2016-10-20 | 2019-04-16 | Lam Research Corporation | Pin lifter assembly with small gap |
JP6789099B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2020-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 計測方法、除電方法及びプラズマ処理装置 |
KR101952718B1 (ko) * | 2017-01-31 | 2019-02-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 프로세싱하는 방법 및 기판을 홀딩하기 위한 기판 캐리어 |
US11114327B2 (en) | 2017-08-29 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | ESC substrate support with chucking force control |
CN111508805B (zh) * | 2020-04-07 | 2023-12-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备 |
KR102251891B1 (ko) * | 2020-12-08 | 2021-05-13 | 주식회사 기가레인 | 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 반출 방법 |
JP7390328B2 (ja) * | 2021-03-30 | 2023-12-01 | キヤノントッキ株式会社 | 制御装置、基板吸着方法及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5878641U (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-27 | 株式会社東芝 | 静電チャック |
JPH0351539A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-05 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | 滑りブッシュ構造 |
US5179498A (en) * | 1990-05-17 | 1993-01-12 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck device |
JPH04206546A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
JPH04271286A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-28 | Fujitsu Ltd | 静電チャック |
JP2705361B2 (ja) * | 1991-05-30 | 1998-01-28 | 三菱電機株式会社 | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ製造用金型 |
JP2946870B2 (ja) * | 1991-10-09 | 1999-09-06 | トヨタ自動車株式会社 | 圧電材料の評価方法およびその装置 |
JP2821835B2 (ja) * | 1992-08-18 | 1998-11-05 | キヤノン株式会社 | 微動位置決め装置 |
JPH06177141A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Toshiba Corp | 熱処理装置 |
JPH06252253A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 静電チャック |
US5591269A (en) * | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
TW254030B (en) * | 1994-03-18 | 1995-08-11 | Anelva Corp | Mechanic escape mechanism for substrate |
-
1995
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