KR100901999B1 - 리프팅 및 지지 장치 - Google Patents

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무스타파 엘야코비
쟈크 슈미츠
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오를리콘 트레이딩 아크티엔게젤샤프트, 트뤼프바흐
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Abstract

본 발명은 특히 플라즈마 공정 설비에서, 특히 대면적을 가진 패널 형태 엘리먼트를 위치시키고 취급(handling)하기 위한 리프팅 및 지지 장치에 관한 것이다. 상기 리프팅 및 지지 장치는 복수의 유전체 핀들이 위에 정렬되는 특히 금속의 베이스 판을 포함한다. 상기 핀들은 특히 베이스 판에 구비되는 핀 홀들에 놓여진다. 상기 패널 형태 엘리먼트는 취급(handling)을 위해 또는 플라즈마 공정 중 핀의 말단 위에 위치될 수 있다. 상기 패널 형태 엘리먼트는 정전기 충전될 수 있다. 패널 형태 엘리먼트의 지름은, 정전기 충전된 패널 형태 엘리먼트에 따라, 원하지 않는 패널 형태 엘리먼트에 대한 정전기 충전이 필수적으로 억제되거나, 플라즈마 처리되는 패널 형태 엘리먼트에 따라, 핀 홀들 또는 핀들의 영역에서 플라즈마 이상이 실질적으로 억제되도록 작게 선택된다.
플라즈마, 유전체, 충전, 방전

Description

리프팅 및 지지 장치{Lifting and Supporting Device}
본 발명은 특히 플라즈마 처리 설비에서 패널 형태의 특히 대면적을 가진 엘리먼트를 위치시키고 취급(handling)하는 리프팅(Lifting) 및 지지 장치와 그에 상응하는 처리 방법 및 처리 장치에 관한 것이다.
처리 공정 특히 반도체 에칭 공정 및 코팅 공정 중에, 대부분이 패널 형태 엘리먼트인 예를 들어, 집적 회로 또는 유전체 제조를 위한 실리콘 웨이퍼, 평면 텔레비전 스크린 제조를 위한 유리판 및 기판과 같은 유전체는 이동되고 일시적으로 지지되어야 하는 등 처리 공정 중에 또는 어느 한 공정과 다음 공정 사이에서 특정한 방법으로 조종되어야 한다. 처리 공정 세부 계획의 다른 분야들에서 발생하는 문제와는 달리, 컴포넌트와 처리 공정이 대단히 민감하고 작은 이상에도 컴포넌트가 큰 손상을 입을 수 있고 심지어 컴포넌트가 파괴될 수 있으므로 이는 대단히 어렵다.
반도체의 취급(handling), 특히 박막 트랜지스터와 같은 전기 회로를 이동시키는 유전체의 취급(handling)에 있어서 가장 일반적으로 발생하는 문제는 정전기의 충전 및 그에 따르는 원하지 않는 정전기의 방전이다. 도 6에 개략적으로 도시된 바와 같이, 적절한 케이스로서, 다양한 작업 공정, 플라즈마 코팅 공정 또는 패널 형태 엘리먼트의 이동 중에 마찰이 발생하는 경우에 의해, 패널 형태 엘리먼트는 정전기 충전될 수 있다. 이러한 패널 형태 엘리먼트(4)의 충전은 도 6에 개략적으로 도시되어 있으며, 참조부호 8로 나타내져 있다. 패널 형태 엘리먼트의 전위는, 예를 들어 충전된 패널 형태 엘리먼트의 리프팅 중에 그라운드 전위와 다른 전위를 가질 수 있게 되는데, 만약 충전된 패널 엘리먼트의 전위가 그라운드 전위와 다르게 되면, 전위차가 패널 형태 엘리먼트(4)에 발생하며, 이는 도 6에 V1 및 V2로 도시되어 있다. 이러한 패널 형태 엘리먼트 표면의 전위차로 인해 표면에 적용된 회로 또는 박막 트랜지스터에 정전기 방전이 발생할 수 있다. 이는 도 6에서 도면 중간의 프레임 내부에 개략적으로 도시되어 있다. 그러나, 정전기 방전은 컴포넌트의 파괴를 초래할 수 있으며, 따라서, 의심이 되는 경우 패널 형태 엘리먼트 전부와 엘리먼트의 복수의 회로 또는 박막 트랜지스터까지 거부하여야 한다.
이러한 문제에 대해, 예를 들어 주변 공기를 이온화시키는 등 패널 형태 엘리먼트의 충전을 억제시킴으로써 해결하려는 시도가 있었다. 그러나, 현실적으로 정전기 충전을 완벽하게 억제시키는 것이 불가능하다는 것이 밝혀졌다. 이와 같이 원하지 않은 정전기 충전에 대한 문제를 해결하기 위한 또 다른 시도로, 소위 버스 바(bus bar)라고 불리는 부가적인 도전체들을 사용함으로써, 제조 공정 중 반도체 또는 유전체에 결합된 모든 회로들을 단락시키는 방법이 있었다. 그러나, 이러한 방법은 버스 바를 사용하고 후에 이를 제거하는데 많은 비용이 소요되는 단점이 있었다. 더욱이, 버스 바는 제조 공정의 잔류물로서 장해물로 남게 된다.
특히, 플라즈마 처리의 경우, 패널 형태 엘리먼트의 취급(handling)과 관련한 또 다른 문제는 플라즈마 챔버(Chamber)들 내에서 리프팅 및 지지 장치의 존재가 플라즈마 이상을 초래하고 이로 인해 플라즈마 처리될 엘리먼트의 특성에 영향을 준다는 것이다. 플라즈마 처리 설비에서, 플라즈마 처리되는 엘리먼트, 즉, 예를 들어 실리콘 웨이퍼 또는 유리판과 같은 패널 형태 엘리먼트는 플라즈마 처리를 위해 일반적으로 금속 베이스 판 위에 놓여진다. 이를 위해, 핀이 베이스 판의 모서리에 구비되는데, 핀은 패널 형태 엘리먼트를 올리고 내릴 수 있도록 베이스 판 안으로 내려질 수 있다, 따라서, 손잡이 장치, 예를 들어 포크 형태의 홀더(Holder)를 구비한 로봇의 팔이 패널 형태 엘리먼트들 아래로 삽입될 수 있고 이들을 한 공정 스테이션에서 다른 공정 스테이션으로 이동할 수 있다. 알려진 리프팅 및 지지 장치의 핀들은 베이스 판의 모서리에 정렬되는데, 이는 핀들이 움직이는 핀 홀(Hole)이 금속 베이스 판에서 불균등을 초래하여 이러한 영역 위에서 플라즈마의 변형을 가져오기 때문이다. 이러한 영역 위에서의 플라즈마의 변형은 예를 들어, 이 영역에서 코팅의 증착 또는 플라즈마에 의한 에칭에 문제가 발생하는 결과를 가져올 수 있다. 그러나, 회로 또는 박막 트랜지스터 즉, 능동 엘리먼트가 패널 형태 엘리먼트의 모서리에 일반적으로 결합되지 않기 때문에, 이러한 영역에서 핀 및 핀 홀의 정렬이 어떠한 손상을 주는 것은 아니다. 그러나, 패널 형태 엘리먼트의 사이즈가 증가함에 따라 이들의 두께는 줄어들며, 패널 형태 엘리먼트가 올려지고 내려질 때 적절한 지지를 보장하기 위해 핀들이 베이스 판의 중앙에 정렬되어야 하므로, 이는 문제가 될 수 있다. 그러나, 이와 같은 경우 핀 홀은 리프팅 및 지지 장치의 중앙 영역에서 불균등을 초래할 것이며, 따라서 패널 형태 엘리먼트의 능동 영역을 제공할 가능성이 있는 것이 바람직할 것이다. 이러한 문제점은 몇 개의 완료 컴포넌트들을 공정 종료 시 패널 형태 엘리먼트들을 커팅함으로써 서로 분리되는 하나의 패널 형태 엘리먼트에 생성함으로써 해결될 수 있다. 따라서, 커팅 영역에 상응하는 위치에 적절한 핀을 제공하는 것이 가능하며, 이로 인해 이 영역에 정렬된 핀 및/또는 핀 홀에 의한 플라즈마의 이상은 손상을 미치지 않는다. 그러나, 예를 들어 평면 텔레비전 스크린의 제조의 경우, 패널 형태 엘리먼트의 두께가 감소하는 반면 개개의 패널 형태 엘리먼트의 능동 영역이 증가하고, 이러한 개선책은 한계가 있다.
나아가, 일례로 미국특허 제6,228,438 B1으로부터, 플라즈마에서 처리되는 엘리먼트가 처리될 엘리먼트 하부에 유전체 층을 형성하기 위해 핀 상에 지지될 수 있다는 것을 알 수 있다. 이 경우, 핀은 핀의 주변 플라즈마에 다시 이상을 일으킬 수 있다. 이는 베이스 판 내의 핀 주변에 오목한 곳을 부가함으로써 감소될 수 있다.
따라서, 상술한 문제점들을 극복하기 위해, 본 발명의 목적은 패널 형태 엘리먼트, 특히 대면적 영역을 가진 패널 형태 엘리먼트를 지지하고 취급(handling)하기 위한 복수의 공정에서 사용될 수 있는 리프팅 및 지지 장치를 제공하는 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 부가적이지 않고 비용이 들지 않는 방법으로 원하지 않는 정전기 방전으로 인한 손해를 방지할 적절한 엘리먼트를 위한 리프팅 및 지지 장치를 제공하는 것이다. 나아가, 상기 리프팅 및 지지 장치는 패널 형태 엘리먼트 처리를 위한 플라즈마의 이상을 가능한 최소한으로 발생시키고, 따라서 패널 형태 엘리먼트의 특성 및 생산에 대한 부정적인 효과를 방지할 수 있다.
이러한 목적은 청구항 제1항 또는 청구항 제4항에 따른 리프팅 및 지지 장치 및/또는 청구항 제18항 및 청구항 제19항에 따른 패널 형태 기판을 처리하는 장치 및 방법에 의해 달성될 수 있다. 바람직한 변형 사항들은 종속항들에 기재되어 있다.
전술한 과제 및 이의 부분적인 관점에 대한 해결책의 본질적인 특징은 패널 형태 엘리먼트를 이동시키기 위한 복수의 핀이 표면에 제공되는 베이스 엘리먼트를 구비한 리프팅 및 지지 장치가 주어지고, 핀 및/또는 핀이 안으로 내려질 수 있는 핀 홀의 지름은 상술한 문제점들이 더 이상 발생하지 않거나 및/또는 실질적으로 회피될 수 있도록 충분히 작게 선택된다는 것이다. 후에 더욱 상세히 설명되는 바와 같이, 얇은(thin) 및/또는 가느다란(slender) 핀의 형태는 상술한 공지의 리프팅 및 지지 장치와 관련된 다양한 문제들을 해결한다.
따라서, 발명자들이 설명한 바와 같이, 원하지 않는 정전기 방전 문제는 유전체 핀을 얇게 디자인할 경우 패널 형태 엘리먼트 표면의 전위차가 확실히 줄어들 수 있다는 사실에 의해 방지될 수 있다. 패널 형태 엘리먼트의 특성에 따라, 예를 들어 반도체 또는 유전체와 같은 패널 형태 엘리먼트의 두께 및 모양에 따라, 또한 예를 들어 트랜지스터와 같은 전기적 컴포넌트의 모양 및 개수에 따라, 핀의 두께를 줄이면 정전기 방전을 억제할 수 있으며, 따라서 취급(handling)되어야 할 패널 형태 엘리먼트의 회손을 줄일 수 있다. 바람직하게는, 금속으로 이루어진 베이스 엘리먼트가 주어지기 때문에 여기서 핀은 유전체 물질로 만들어지는 것이 바람직하며, 예를 들어 플라즈마 처리 설비의 경우, 핀이 도전체라면 핀이 얇게 디자인된다고 하더라도 패널 형태 엘리먼트에 상당한 전위차가 형성되는 것을 피할 수 없을 것이다.
핀에 의해 지지되는 패널 형태 엘리먼트의 위치가 베이스 엘리먼트에 대하여 바뀌는 것을 가능하게 하기 위해, 핀은 베이스 엘리먼트 안으로 내려질 수 있는 것이 바람직하며, 이를 위해 핀 홀이 뒤에 제공된다. 베이스 엘리먼트는 판, 그리드(Grid), 이동 포크 등일 수 있다.
본 발명에 따른 리프팅 및 지지 장치가 플라즈마 처리 설비-예를 들어 처리될 패널 형태 엘리먼트를 위치시키는 설비-에 이용될 경우, 플라즈마 공정 중, 일반적으로 패널 형태 엘리먼트는 플라즈마의 생산이 용이하도록 금속으로 이루어진 베이스 판 위에 놓여진다. 이러한 사용 목적을 위해, 리프팅 및 지지 장치의 핀은 패널 형태 엘리먼트를 올리거나 내리는 기능만을 하므로, 리프팅 및 지지 장치의 핀은 베이스 판 안쪽으로 내려질 수 있도록 구현된다. 그러나, 이러한 목적으로 제공되는 핀 홀은 베이스 엘리먼트 불균등을 생성하고 이는 핀 홀 위의 플라즈마에 이상을 초래하는데, 이는 본 발명에 의해 극복된다. 그러므로, 이러한 특별한 응용 케이스를 위해, 핀 홀의 지름 및 이에 따라 그 내부에서 움직이는 핀의 지름 역시 충분히 작게 선택되어야 하며 따라서 플라즈마의 이상 및 그에 따른 패널 형태 엘리먼트의 회손을 실질적으로 억제한다. 베이스 엘리먼트의 불균등으로 인해 가능한 플라즈마의 이상은 플라즈마 자체와 처리되는 엘리먼트에 달려있으므로, 핀 홀 및/ 또는 핀의 지름은 특정 응용 케이스에 따라 선택되어야 한다.
그러나, 원하지 않는 정전기 방전 및 플라즈마 이상에 대한 문제를 회피하기 위해서는, 일반적으로 리프팅 및 지지 장치의 핀의 지름이 가능한 작게 선택되어야 한다는 것이 강조되어야 한다. 핀 및/또는 핀 홀 지름의 정확한 한계는 개개의 케이스에 따라 결정되어야 하나, 이는 당업자에게 문제가 되지는 않는다. 당업자의 지식 및 현재 개시되어 있는 기술에 근거하여 한계치는 적절한 테스트 또는 수치 시뮬레이션을 통해 개개의 케이스에 따라 결정될 수 있다.
그러나, 일반적으로, 특히 플라즈마 처리 설비에 사용되는 리프팅 및 지지 장치의 경우, 핀의 지름이 플라즈마를 둘러싸는 플라즈마 쉬스의 두께보다 작아야 한다는 점을 밝혀냈다.
특히, 원하지 않는 정전기 방전을 피하기 위해, 핀의 지름이 베이스 엘리먼트 특히 금속의 베이스 엘리먼트 위로 돌출되는 길이의 1/15 이하가 되는 것이 유리하다는 것을 밝혀냈다. 핀의 지름이 이득이 되는 사이즈가 되려면, 핀의 지름이 3mm 이하 바람직하게는 2mm 이하 특히 1.8mm인 것이 바람직하다는 것을 밝혀냈다.
이동될 패널 형태 엘리먼트의 적절한 지지를 보장하고 핀에 과도한 부담을 주는 것을 피하기 위해, 베이스 엘리먼트 영역의 제곱미터 당 적절한 수의 핀을 제공하는 것이 유리하다. 바람직하게는, 베이스 엘리먼트 영역의 제곱 미터당 핀의 개수는 5개 이상이며, 더욱 바람직하게는 10개 이상, 특히 15개 이상인 것이 바람직하다. 특히, 예를 들어 평면 텔레비전 스크린을 위한 유리 기판과 같이 패널 형태 엘리먼트가 대단히 얇을 경우, 핀 사이의 평균 거리는 300mm를 넘지 말아야 하 며, 모든 경우에 있어서, 베이스 엘리먼트에 핀들이 균일하게 분포되는 것이 유리하다.
원하지 않는 정전기 방전을 방지하기 위한 리프팅 및 지지 장치가 유전체 핀들을 포함하는 경우에 있어서, 패널 형태 엘리먼트 표면의 전위차로 인한 위험을 줄이기 위해, 핀들은 낮은 유전 상수를 가진 유전체로 만들어지는 것이 바람직하다.
그러나, 핀이 적절한 기계적 특성을 가져야 한다는 점에 주의하여야 할 것이다. 이를 위해, 핀이 적절한 탄성-즉, 핀이 적절한 탄성 물질로 만들어짐-을 가지는 것이 유리하며, 이를 통해 횡력(Transverse Force)이 핀에 가해질 때 핀이 파손되는 것을 방지할 수 있다. 횡력(Transverse Force)은 예를 들어 처리 공정 중 지지되는 패널 형태 엘리먼트의 열 팽창 또는 핀들이 올려지거나 내려질 때 핀들의 부정확한 정렬로 인해 발생할 수 있다. 장치가 사용되는 특정 지역에 따라, 핀들이 폴리머 또는 세라믹 물질로 만들이지는 것이 유리하다는 것을 밝혀냈다. 이와 관련하여 특히 유익한 물질은 석영, 근청석(cordierite), 산화 알루미늄 또는 지르코늄(zirconium) 뿐만 아니라 폴리테트라플루오르에틸렌(polytetrafluorethylene), 폴리이소부틸렌(polyisobutylene), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에틸렌(polyethylene)이다.
핀에 작용하는 횡력을 줄이기 위해, 패널 형태 엘리먼트를 지지하는 핀들의 말단과 패널 형태 엘리먼트 사이가 맞닿는 것을 방지하는 것 역시 유리하다. 달라 붙는 것을 방지하는 것이 특히 중요하다. 이는 예를 들어 핀들이 세로축을 따라 회전할 수 있는 방식으로 핀들을 정렬함으로써 달성될 수 있다. 핀들의 회전은 핀들의 말단과 패널 형태 엘리먼트 사이의 과도한 부착을 방지할 수 있도록 하며, 따라서 횡력을 전달하는 마찰력이 발생되지 않는다. 핀들이 세로축을 따라 회전하는 다른 대안으로, 핀들이 세로축을 따라 진동 병진 모션을 수행하도록 만들어질 수 있다. 이를 위해, 병진 모션을 생성할 수 있는 피어스(Pierce) 발진기를 제공하는 것이 유리할 것이다.
과도한 횡력을 방지하는 또 다른 가능성 있는 대안으로 패널 형태 엘리먼트의 지지, 상승 또는 하강을 수행하는데 있어 번갈아 작용하는 두 세트의 상호 독립적인 핀들을 제공하는 것이다.
과도한 횡력을 방지하기 위해, 패널 형태 엘리먼트를 지지하는 핀들의 말단에 큰 마찰력이 전달하지 않도록 디자인되는 것 역시 유리할 것이다. 이를 위해, 이들의 표면을 매끄럽게 연마하거나 마찰 계수가 작은 물질로 코팅하는 것이 가능할 것이다.
전술한 바와 같이, 패널 형태 기판이 처리되어야 할 때, 특히 유리 또는 반도체물질을 사용하거나 적당한 장치에 이들을 제공하기 위하여 바람직하게는 PECVD로 패널 형태 기판을 코팅할 때, 또는 특히 드라이 에칭 또는 플라즈마 에칭으로 유전체 기판을 에칭하여야 할 때, 리프팅 및 지지 장치가 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 이점, 특징 및 특성은 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명되는 특정 실시예에 의해 더욱 명확해질 것이다.
도 1은 플라즈마 처리 중 및 유리판을 올릴 때 다시 표면에 유리판이 정렬되는 리프팅 및 지지 장치의 단면도.
도 2는 상승된 유리판을 구비한 리프팅 및 지지 장치의 단면도.
도 3은 회전가능하게 핀들이 정렬되어 있는 상승된 유리판을 구비한 리프팅 및 지지 장치의 단면도.
도 4는 핀들이 피어스(Pierce) 발진기에 의해 세로축을 따라 진동할 수 있도록 구현된 핀들이 있는 상승된 유리판을 구비한 리프팅 및 지지 장치의 단면도.
도 5는 유리판을 하강시킬 때의 리프팅 및 지지 장치의 몇 개의 단면도와 두 세트의 핀의 시간에 따른 경로 및 시간에 따른 유리판의 경로를 나타낸 다이어그램을 도시한 것으로서, 리프팅 및 지지 장치는 두 세트의 핀들을 구비하고, 유리판을 교대로 지지한다.
도 6은 유리판의 원하지 않는 불균등 전압 분포를 개략적으로 나타낸 것으로서, 유리판에 베이스 판과 다른 전위의 정전기가 충전되며, 전위차는 유리판 및 그 위의 회로들에 대해 원하지 않는 정전기 방전을 발생시킨다.
도 1은 두 개의 대표적인 부분에 대한 단면도로서, 본 발명에 따른 리프팅 및 지지 장치의 실시예의 일부가 도시되어 있는 데, 첫 번째 도면에서 핀(2)이 베이스 판(1) 안쪽으로 하강되고 처리될 패널 형태 엘리먼트(4), 일례로 유리판은 베 이스 판(1) 위에 놓여지며, 두 번째 도면에서 핀(2)은 상승되어 베이스 판(1)위로 돌출되고 유리판(4)을 핀들의 말단들(9) 중 하나로 이동시킨다. 도 1의 개략적인 대표 도면에는 핀 홀(3)이 상부 영역에만 도시되어 있다. 그러나, 핀 홀(3)은 길이 전체에 대해 같은 지름을 가지는 방식으로 디자인될 수 있을 것이다. 그러나, 보다 이해를 돕기 위해 여기 도시된 핀 홀(3)은 상부 영역의 핀(2)보다 확실히 더 큰 지름을 가지고 있다. 비록 이것이 가능한 실시예이기는 하나, 바람직한 실시예는 핀 홀(3)이 핀(2) 보다 최소한도로 큰 지름을 가지는 것이며, 더욱 정확하게는 핀(2)이 핀 홀(3) 내에서 자유롭게 움직일 수 있을 정도의 지름을 가지는 것이다. 이 경우, 핀 홀(3)의 지름을 길이에 대해 바꾸는 것이 필요하지는 않을 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 리프팅 및 지지 장치는 유리판(4)의 플라즈마 공정 시에 사용된다. 이를 위해, 플라즈마(5)는 유리판(4)이 금속 베이스 판(1)위에 올려진 후 유리판(4) 위에서 발화된다. 플라즈마가 없는 공간이 플라즈마(5)와 유리판(4) 사이에 형성되는데, 이를 플라즈마 쉬스(6)라 명명하기로 한다. 플라즈마 쉬스(6)는 일반적으로 약 2­3mm의 두께를 가질 수 있다. 이와 관련하여, 도 1에 따른 바람직한 실시예는 핀 홀(3)의 지름 및 이에 상응하는 핀(2)의 지름이 플라즈마 쉬스(6)의 두께보다 작도록 디자인된다. 결론적으로, 핀 홀(3)의 반지름은 상응하는 핀(2)의 반지름에 비해 도시된 실시예에서 약 1mm 작다.
도 2는 리프팅 및 지지 장치 실시예의 단면도의 일부를 도시한 것으로서, 핀(2)이 베이스 판(여기서 핀 홀(3)은 도시되지 않았다)으로부터 완전히 상승된다. 본 발명에 따르면 이 실시예는 개략적으로 핀의 디자인에 대해 더 많은 가능성을 도시하고 있는데, 즉 핀의 반지름은 핀이 완전히 확장된 상태에서의 길이 h1의 1/13보다 작다. 이는 특히 원하지 않는 정전기 방전의 결과로 회손되기 쉬운 회로들을 구비한 유리판의 취급(handling)을 위한 것이다.
도 3 내지 도 5 각각은 본 발명에 따른 리프팅 및 지지 장치의 단면도의 일부를 도시한 것으로서, 패널 형태 엘리먼트(4)가 상승되거나 하강될 때 원하지 않는 횡력으로 인해 핀에 과도한 부하가 걸리는 것을 방지하기 위한 방안이 도시되어 있다.
특히, 도 3 내지 도 5에 도시된 실시예는 한편으로 핀들(2)의 말단들(9)과 다른 한편으로 패널 형태 엘리먼트들 사이의 과도한 부착, 즉 마찰력을 최소화할 수 있도록 디자인되어 있다.
도 3에 따른 실시예에서, 핀들(2)은 회전 가능하게 지지되고, 따라서 핀들은 세로축에 대해 회전 가능하다. 핀들(2)이 상승되거나 하강될 때 또는 패널 형태 엘리먼트(4)의 처리 공정 중, 핀들은 회전되고 따라서 핀들(2)의 말단(9)들이 패널 형태 엘리먼트들에 달라붙거나 맞닿는 것이 방지될 수 있다. 이러한 조치로 인해 과도하게 강한 횡력-예를 들어, 핀들(2)의 부정확한 방위(Orientation)에 의해 생길 수 있음-이 핀들에 가해지는 것을 방지할 수 있다.
도 4에 따른 실시예에서, 부착 및/또는 횡력에 대한 문제는 예를 들어, 피어스(Pierce) 발진기에 의해 핀들(2)이 세로 축을 따라 진동 병진을 하도록 함으로써 해결된다, 따라서 핀들(2)은 주기적으로 패널 형태 엘리먼트(4)로 인한 부하로부터 벗어나게 될 것이다. 이 경우, 이러한 조치로 인해 핀들(2)에 과도하게 강한 횡력을 전달할 수 있는 핀들(2)의 말단들(9)과 패널 형태 엘리먼트(4) 사이의 강한 속박을 억제시킬 수 있게 된다.
이 문제에 대한 또 다른 해결책이 도 5에 따른 실시예에 도시되어 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 리프팅 및 지지 장치에 두 세트의 핀들(2, 2')이 제공되고, 상승 또는 하강 또는 이와 유사한 동작 중 패널 형태 엘리먼트를 이동시키는 동작을 두 세트의 핀들(2, 2')이 교대로 수행한다. 이러한 결과는 예를 들어 경로-시간 다이아그램의 스텝 패턴에 따라 핀(2)들을 움직임으로써 달성될 수 있는데, 따라서 패널 형태 엘리먼트(4)는 처음에는 한 세트의 핀들(2)에 의해 다음에는 다른 세트의 핀들(2')에 의해 교대로 지지될 것이다.

Claims (19)

  1. 플라즈마 처리 설비에서 패널 형태 엘리먼트(4)를 취급하고 지지하는 리프팅 및 지지 장치로서,
    베이스 판(1) 및 상기 베이스 판(1) 위에 정렬되는 복수의 유전체 핀들(2)을 구비하고, 상기 핀들(2)의 말단들(9) 위에 상기 패널 형태 엘리먼트(4)가 취급을 위해 지지되며, 상기 패널 형태 엘리먼트(4)는 정전기 충전을 수행할 수 있으며,
    상기 핀들(2)의 지름이 상기 패널 형태 엘리먼트(4) 상에서 원하지 않는 정전기 방전이 발생하는 것을 방지하도록 선택되는 리프팅 및 지지 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 핀들(2)은 상기 베이스 판(1) 위에 구비되는 핀 홀들(3) 안으로 하강될 수 있는 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 베이스 판(1)은 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  4. 플라즈마 처리 설비(1)에서 패널 형태 엘리먼트(4)를 취급하고 지지하는 리프팅 및 지지 장치로서,
    금속 베이스 판(1) 및 상기 금속 베이스 판(1) 위에 정렬되는 복수의 핀들(2)을 구비하고, 상기 핀들(2)은 상기 베이스 판(1) 위에 구비된 핀 홀들(3) 안으로 하강될 수 있으며, 취급을 위해 또는 플라즈마 처리 중 상기 핀들(2)의 말단들(9) 위에 상기 패널 형태 엘리먼트(4)가 지지되며,
    핀 홀들(3) 또는 핀들(2)의 영역에서 플라즈마의 이상을 방지할 수 있도록 상기 핀 홀들(3)의 지름 또는 상기 핀들(2)의 지름이 선택되고,
    상기 핀들(2)은 유전체 물질로 만들어지며,
    상기 핀들(2)의 지름은 플라즈마 쉬스의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서,
    상기 핀들(2)의 지름은 상기 베이스 판 위로 올려질 수 있는 이들의 길이(h1)의 1/15보다 작은 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 핀들(2)의 지름은 3mm 이하인 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 베이스 판의 표면 영역의 제곱 미터당 핀들(2)의 개수는 5개 이상인 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 핀들(2) 사이의 평균 거리는 300mm보다 크지 않으며, 상기 핀들(2)은 상기 베이스 판(1) 위에 균일하게 분포되는 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 핀들(2)은 탄성 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  11. 제4항에 있어서,
    상기 핀들은 폴리머 또는 세라믹 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  12. 제4항에 있어서,
    상기 핀들은 이들의 세로 축에 대해 회전 가능하도록 정렬되는 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  13. 제4항에 있어서,
    상기 핀들은 이들의 세로축에 대해 진동 병진 모션을 수행할 수 있는 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  14. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 핀들(2)은 상호 독립적인 2 세트의 핀들을 포함하고, 상기 2 세트의 핀들은 서로 독립적으로 상승 및 하강 모션이 가능한 것을 특징으로 하는 리프팅 및 지지 장치.
  15. 유전체 기판의 PECVD 또는 에칭에 의해 패널 형태 기판을 처리하는 방법으로서,
    제4항에 따른 리프팅 및 지지 장치 위에 상기 패널 형태 엘리먼트가 이동하는 방법.
  16. 유전체 기판의 PECVD 또는 에칭에 의한 패널 형태 기판 처리용 설비로서,
    상기 기판의 취급(handling) 및 지지를 위해 제4항에 따른 리프팅 및 지지 장치를 포함하되,
    상기 기판은 상기 리프팅 및 지지 장치에 의해 이동되는 패널 형태 기판 처리를 위한 설비.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
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