AT205558B - Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen

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AT205558B AT720857A AT720857A AT205558B AT 205558 B AT205558 B AT 205558B AT 720857 A AT720857 A AT 720857A AT 720857 A AT720857 A AT 720857A AT 205558 B AT205558 B AT 205558B
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  Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen 
Es ist bekannt, dass die photoelektrische Wirkung einer Photozelle durch die Sperrschichte bestimmt ist. Die Theorie der Halbleitergleichrichtung lieferte aber bisher noch keine vollständige Erklärung der Sperrschichtwirkung. Es ist lediglich zu erkennen, dass eine dichte,   flaschenartige   Berührung zweier Schichten unterschiedlicher elektrischer Leitfähigkeiten vorhanden sein muss. Eines der bekannten Verfahren zur Ausbildung geeigneter Verhältnisse an der   Oberflächenzone   besteht beispielsweise darin, dass eine Kadmiumelektrode auf einer hexagonal auskristallisierten Selenschichte aufgebracht wird.

   Es ist aber nicht nachgewiesen, ob die Oberflächenzone bereits durch Berührung des reinen Selens und des rei-   nen     Kadmium ? entsteht   oder infolge der dort entstehenden   Kadmiumselenidschichie.   



   Aus Versuchen und dem Studium der Photozelle wurde jedenfalls erkannt, dass bei einer Oberflächenbehandlung des Selens in dem Sinne, dass sich an der Oberfläche eine dünne Schichte geringer Leitfähigkeit ausbildet, die Entstehung einer wirksamen Oberflächenzone unterstützt wird und eine wesentliche Erhöhung des inneren Widerstandes der Photozelle resultiert. 



   Erfindungsgemäss wird diese Zone auf physikalischem Wege ausgebildet. Gekennzeichnet ist dieses Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen dadurch, dass die   Oberfläche   der hexagonal auskristallisierten Sperrschichte vor dem Bedecken mit der Gegenelektrode durch Eintauchen in Benzol oder in eine Mischung von Alkohol mit Azeton umkristallisiert und sodann mit einer Gegenelektrode versehen wird. 



   Bei Verwendung von Benzol zur   Oberflächen-Umkristallisierung   der Selenschichte ist es erfindungsgemäss erforderlich, die Photozelle vor dem Aufdampfen der Kadmiumschichte 15 Minuten bis 24 Stunden darin einzutauchen und sodann trocknen zu lassen. 



   Nach einer andern Variante der Erfindung wird die gleiche Wirkung erzielt, wenn die Photozelle 10 Minuten bis 24 Stunden in eine Mischung von Azeton mit Alkohol getaucht wird, in welcher sich die Azetonmenge zwischen   10 - 80go   bewegen kann. 



   Durch die Wirkung des Benzols oder der Mischung von Azeton mit Alkohol entsteht eine Schichte monoklinen Selens aus den Anteilen des unkristallisierten Selens bei der ersten thermischen Umwandlung. 



   Die derart hergestellten Photozellen zeichnen sich durch einen erhöhten inneren Widerstand und durch Gleichmässigkeit ihrer Eigenschaften aus. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der hexagonal auskristallisierten Sperrschichte vor dem Bedecken mit der Gegenelektrode durch Eintauchen in Benzol oder in eine Mischung von Alkohol mit Azeton umkristallisiert und sodann mit der Gegenelektrode versehen wird. 

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Claims (1)

  1. 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der mit Selen bedeckten Platte auf die Dauer von 15 Minuten bis 24 Stunden in Benzol eingetaucht wird. <Desc/Clms Page number 2> 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der mit Selen bedeck- EMI2.1 lumenprozente) auf die Dauer von 10 Minuten bis 24 Stunden eingetaucht ode mit dieser Mischung während der angeführter. Daue angefeuchtet wird.
AT720857A 1956-11-14 1957-11-07 Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen AT205558B (de)

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