DE839233C - Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern, insbesondere Selentrockengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern, insbesondere SelentrockengleichrichternInfo
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Description
- Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern, insbesondere Selentrockengleichrichtern Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen %-ou Trockengleichrichtern, insbesondere Selentrockengleichrichtern, die sich von den bekannten Trockengleichrichtern .durch einen besonders kleinen Vorw,ä,rtswiderstand auszeichnen. Zur Erreichung dieses "Zieles wird gemäß der Lehre der Erfindung -zunächst auf eine Unterlage eine Halbleiterschicht aufgebracht und in ihren eine Sperrwirkung her, orrufenden kristallinen Zustand gebracht. Nach dem Aufbringen einer frei tragenden I?lektrode wird die ursprüngliche Unterlage ganz und die Halbleiterschicht bis auf einen geringen Bruchteil ihrer ursprünglichen Dicke, vorzugsweise durch :=\1>ätzen oder Abdampfen, abgetragen.. Man erhält auf diese Weise einen Trockengleichrichter, dessen Halbleiterschicht eine bedeutend geringere Dicke aufweist als die bekannten Trockengleichrichter.
- Es ist zweckmäßig, den an die Gegenelektrode angrenzenden Teil der Halbleiterschicht vor dem Entfernen der Unterlage einer thermischen und /oder elektrischen Behandlung bis zur Ausbildung einer. Sperrschicht zu unterwerfen.
- Damit sich nicht in der,Nähe der durch Abtragen freigelegten Fläche der Halbleiterschicht eine Sperrschicht ausbildet, ist es empfehlenswert, auf diese Fläche eine die Sperrschichtbildung verhindernde Schicht aufzubringen. Auf einer solchen Schicht kann im Bedarfsfalle eine besondere Abnahmeelektrocle angebracht werden. Als sperrschicht;verhindernde Schichten haben si&besonders Halbleiter mit gemischter elektronischer Leitung bewährt, wie z. B. Wismutselenid ,(Bi.-Se.) und Thalliumsulfid (T12 S).
Claims (4)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern,,insbesondere Selentrockengleiehrich@tern, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst auf eine Unterlage eine Halbleiterschicht aufgebracht und 4n ihren eine Sperrwirkung hervorrufenden kristallinen Zustand gebracht wird und daß anschließend, nach Aufbringen einer frei tragenden Gegenelektrode, die ursprüngliche Unterlage ganz und die Halbleiterschicht bis auf einen geringen Bruchteil ihrer ursprünglichen Dicke, z. B. durch Abätzen oder ". dampfen, abgetragen wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch, ge-' kennzeichnet, daß der an -die Gegenelektrode angrenzende Teil der Halbleiterschicht vor dem Entfernen der Unterlage einer thermischen utW oder elektrischen Behandlung bis zur Ausbildung einer Sperrechicht unterworfen wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf die durch Abtragen freigelegte Fläche eine die Sperrschichtbildung verhindernde Schicht aufgebracht wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,daß aufs iedie Sperrschichtbildung vexhind.#rnde Schicht eine Abnahmeelektrode aufgebracht wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP52038A DE839233C (de) | 1949-08-15 | 1949-08-15 | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern, insbesondere Selentrockengleichrichtern |
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| DE839233C true DE839233C (de) | 1952-05-19 |
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| DEP52038A Expired DE839233C (de) | 1949-08-15 | 1949-08-15 | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern, insbesondere Selentrockengleichrichtern |
Country Status (1)
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| DE (1) | DE839233C (de) |
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1949
- 1949-08-15 DE DEP52038A patent/DE839233C/de not_active Expired
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