DE8810867U1

DE8810867U1 - Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen

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Publication number: DE8810867U1
Application number: DE8810867U
Authority: DE
Original assignee: Westdeutsche Quarzschmelze & Co Kg 2054 Geesthacht De GmbH
Current assignee: Westdeutsche Quarzschmelze & Co Kg 2054 Geesthacht De GmbH
Priority date: 1988-08-27
Filing date: 1988-08-27
Publication date: 1988-11-24

Description

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JESSENSTRASSE 4 · D-2000 HAMBURG 50 · TEL (040) 3893501 · FAX 3B935O2 · TELEX 2166426 pahn d

DIPL-PHYS. OLE NIEDMERS
DIPL-INC. HANS W. SCHÖNING EUROPEAN PATENT ATTORNEY

Westdeutsche Quarzschmelze GmoH, Borsigstraße 1-7, 2054 Geesthacht

Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen
Beschreibung

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen (Wafer) während einer thermischen Behandlung, beispielsweise in einem Quarzglasrohr, umfassend einen sich 1 m Wesentlicher; auf einem Untergrund am Behandlungsort über Stützen abstützenden Tragerkörper, •uf dem im wesentlichen flachenparallel voneinander beabstandet die Halbleiterscheiben aufnehmbar sind, wobei die Stützen im wesentlichen zwischen zwei den Trägerkörper in Längsrichtung begrenzenden Endpiatten verlaufend angeordnet sind.

Halbleiterscheibchen bzw.Wafer, aus denen Halbleiterbauelemente wie Integrierte Schaltkreise in späteren Herstellungsvorgängen gefertigt werden, müssen vor bzw. zwischen einzelnen Fertigungsschritten einer thermischen Behandlung unterzogen werden, bei der Temperaturen bis zu 1.200 ° C auf die Hafer einwirken. Die thermische Behandlung muß zudem 1n einer fremdstoffreien, hochreinen Atmosphäre stattfinden, um jeglichen unkontrollierten Einbau

COMMERZBANK AG, BLZ 2004AtOOi NJl Ä/WOJft ·'pEuJrSCHE BANK AG, BLZ 20070000, NR. 6565675 PO5TGIRÖ HÄMBURG/bLZ 20010020, NR. 13048-205

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von Fremdatomen und FremdmoiektHen 1n die zu behandelnden Wafer zu vermelden. Aus diesem Grund eignen sich 1n asr Regel keine anderen Materlallen zum Aufbau der Vorrichtungen zur Aufnahme von Wafern der hler beschriebenen Art als Quarzglas.

Es 1st bekannt, daß Quarzglas mit zunehmender Temperatur seine Viskosität verändert und das sich Infolge des beträchtlichen Gewichtes, den beispielsweise eine Vielzahl von Wafern auf eine Vorrichtung zur Aufnahme dieser Wafer aus Quarzglas ausüben, die Vorrichtung erheblich verformen kann, wenn beispielsweise eine zur Behandlung der Wafer bestimmungsgemäß erreichte Temperatur von 1.200 &ogr; C erreicht worden 1st.

Eine Vorrichtung der eingangs beschriebenen Art zur Aufnahme von Wafern, die aus Quarzglas besteht, weist zwischen zwei den eigentlichen Trägerkörper der Vorrichtung in Längsrichtung begrenzenden Endflächen zwei U-Profile auf, wobei diese beiden U-Prof1le 1m wesentlichen stumpf »1t den dazu jeweils quer angeordneten Endplatten durch Schweißen verbunden sind. Die zwischen beiden Endp'iatten längs verlaufenden U-Profile sind jeweils an ihren beiden Schenkeln mit Schlitzen versehen, die im wesentlichen vertikal und im wesentlichen parallel zu den Endplatten ausgerichtet eine bestimmte Zahl von Wafern aufnehmen können. Die vorstehend beschriebene bekannte Vorrichtung «eist den Nachteil auf, daß bei hohen Behandlungstemperaturen infolge der Zunahme der Viskosität des Quarzglases, aus de« die Vorrichtung besteht, die Wafer durch Verformung der U-Profile in den Schlitzen klemmen» so daß bei der thermischen Behandlung die Wafer beschädigt werden können, was zu erheblichen Ausschußraten während der thermischen Behandlung führen kann. Ein weiterer konstruktionsbedingter Nachteil der bekannten Vorrichtung liegt darin, daß aufgrünt* der Ausgestaltung 4er Halte= streben in Form der beschriebenen U-Profile ebenfalls

Infolg« der Viskositätsänderung des Quarzglases t:»1 Temperaturerhöhung die Positionierung der Wafer untereinander unexakt wird, so daß sieh die Wafer ggf. wlhrend der thermischen Behandlung berühren können. Schließlich 1st es bei der bekannten Vorrichtung nachteilig, daß nach Abschluß der thermischen Behandlung infolge der thermisch bedingten Verformung der U-Prof1le die darin aufgenommenen Wafer festgeklemmt sind, so daß es auch zu Beschädigungen der Wafer knmmpn kann, wenn rHcto aye Hen Sghl**- zen der U-Profi>e entfernt werden.

Es 1st Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung aus Quarzglas zur Aufnahme von Wafern zu schaffen, die eine zuverlässige Positionierbarkeit der Wafer ohne gegenseitige Berührung und Beschädigung während der thermischen Behandlung gestattet, die es darüber hinaus ermöglicht, daß die Wafer nach Abschluß der thermischen Behandlung ohne jede Schwierigkeit und Beschädigung entfernt werden können, so daß eine weitgehend ausschußfreie thermische Behandlung möglich ist, und die leicht und kostengünstig herstellbar ist.

Gelöst wird die Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch, daß zwischen den beiden Endplatten wenigstens ein stangenförmiges Verbindungselement vorgesehen ist, das ebenso wie die Stützen mit einer Mehrzahl im wesentlichen zueinander paralleler S'^Uze zur stützenden Aufnahme der Halbleiterscheibchen versehen ist.

Der Vorteil der erfindungSgemäßen Ausbildung der Verrichtung liegt im wesentlichen darin, daß neben den Stutzen wenigstens ein stangenförmiges Verbindungseiemer* vorgesehen ist, das zwar über seine auf 1hm aus«? &ldquor;eten Schlitze zur Aufnahme der Hafer dient, das jedoch selbst nicht, wie bei der bekannten Vorrichtung, Teil der Stütze 1st. Bei der bekannten Vorrichtung stützt sich 4er untere Steg der Ü-Profile über eine Stütze auf einem Untergrund,

beispielsweise auf der Innenfläche eines Quarzglasrohres, ab. Infolge des Gewichts der Vorrichtung wird somit bei Temperaturerhöhung und gleichzeitiger Zunahme dev Viskosität der mit den Stutzen direkt verbundenen U-Profile aus Quarzglas eine plastische Verformung des U-Profils selbst, das als einzige Stütze bei der bekannten Vorrichtung vorgesehen 1st, einhergehen. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung hingegen kann Infolge des mit den Stützen nicht unmittelbar verbundenen stangenförmigen Verbindungselements von diesem die von den Wafern ausgeübte Kraft aufgenommen werden, so daß es nicht zu einer Verklemmung der Hafer in den Schlitzen der erfindungsgemäß jj gesondert ausgebildeten Stützen kommt. Die in den Stützen j der Erfindung ausgebildeten Schlitzen haben lediglich ' eine die eingestellten Wafer abfangende Aufgabe, so daß eine geringfügige plastische Verformung der Stützen in- ! folge der thermischen Behandlung der Wafer nicht zu einem Festklemmen der Wafer In den Schlitzen der Stützen führt.

Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weisen die 1» stangenförmigen Verbindungselement und an den beiden beidseitig dazu verlaufenden Stutzen ausgebildeten Schlitze eine Im wesentlichen gleiche Schl1tzt1efe, gerechnet vom Mittelpunkt eines darin aufgenommenen kreisförmig ausgebildeten Halbleiterscheibchens auf. Bei dieser Ausgestaltung der Vorrichtung wird die von den Wafern Infolge Ihres Gewichts auf die Vorrichtung ausgeübte Kraft nicht nur 1n das Verbindungselement eingeleitet, sondern auch In die beiden Stutzen. Diese Ausgestaltung der Vorrichtung gestattet aber eine sichere Aufnahm· kreisförmig ausgebildeter Wafer.

Vorteilhafterwelse weist das Verbindungselement einen Im wesentlichen kr«1iförm1g«n Querschnitt auf, et sei aber darauf hingewiesen, daß grundelkzMch jede beliebige andtr· QuerichnUtflform« falls ·&igr; beispielsweise konstruktiombttHngt nötig 1st· verwandet werden kann,

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Um der Infolge der Erhöhung der Viskosität bei hohen Temperatur zunehmenden Labilität der Vorrichtung noch stärker entgegenwirken zu können und auch dabei eine hinreichend stabile Konstruktion zu erhalten, 1st vorteilhafterweise zwischen den beiden Endplatten eine Mehrzahl von die Stützen und das Verbindungselement 1m wesentlichen quer verbindenden Querriegeln vorgesehen. Die Querriegel können dabei, das oder die Verbindungselemente zwi?chen sich 1n einem Abstand einschließend, im wesentlichen in Richtung eines Kreisumfanges 1m wesentlichen parallel zu einem durch die Vorrichtung aufgenommenen Hafer gebogen sein. Es 1st aber auch möglich, die einzelnen Abschnitte des Querriegels zwischen der Stütze und einem Verbindungselement, zwischen zwei benachbarten Verbindungselementen und dem auf der anderen Seite anschließenden Abschnitt des Querriegels zwischen einem Verbindungselement und einer Stütze jeweils durch 1m wesentlichen ebene Flächen aufweisende Querriegelabschnitte zu bilden.

Der Querriegel selbst 1st gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung aus einer Flachmaterialstrebe ausgebildet, wobei eine beliebige, geeignet wählbare Mehrzahl an Querriegeln, je nach Abhängigkeit von der Länge der Vorrichtung Insgesamt, zwischen den Stützen und dem Verbindungselement bzw. den Verbindungseiementen angeordnet sein kann.

Vorzugswelse weisen die Stutzen ein 1m Querschnitt 1m wesentlichen rechteckiges Profil auf, wobei die zu einem Abstütz-Untergrund welsenden Selten der Stützen Im Querschnitt abgerundet sein können, was beispielsweise dann sinnvoll 1st, wenn die Vorrichtung 1n ein Quarzglasrohr eingeschoben sich auf der konvexen Innenfläche des Quarzdiasrohres abstützt und diese nicht beschädigt werden soll. Es sei auch darauf hingewiesen, daß es grundsätzlich möglich 1st, die Stützen In einer beliebigen Form auszubilden« die 1m Querschnitt rechteckige Ausbildung

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mit den schmalen Querschnittseiten auf einem Untergrund abgestützt schafft jedoch verhältnismäßig hohe Stabilität auch bei einer hohen Behandlungstemperatur der Hafer.

Die Schlitze in den Verbindungselementen und in den Stützen werden nach Ihrer Fertigstellung mittels spanabhebender Bearbeitung eingebracht, z.B. durch Fräsen oder Schleifen. Zwangsweise bildet sich dabei ein gewisser Grat an den Kanten der Schlitze. Einher mit dem Schleifen «ser Schlitze geht eine verhältnismäßig rauhe Ausbildung der Oberfläche der Schlitze nach ihrer Fertigstellung. Um den Grat und die rauhe Oberfläche, die infolge der Beschädigungsmöglichkeit sehr nachteilig fUr die Halterung der Wafer In den Schlitzen wäre, zu beseitigen, weisen die Schlitze im Verbindungselement bzw. in den Verbindungselementen und In den Stützen eine flammenpolierte Oberfläche auf, wobei Im Zuge des Flammenpolierverfahrens die scharfen Kanten der Schlitze zur Oberfläche des Verbindungselements bzw. zur Stütze und der sich daran ursprünglich befindliche Grat gebrochen bzw. entfernt werden. Gleichzeitig wird auch die Oberfläche der Schlitze durch geringfügiges Anschmelzen des Glases poliert.

In typischen thermischen Behandlungsöfen für Wafer 1st zur Schaffung einer hochreinen Quarzglasatmosphäre 1n der Regel ein Quarzglasrohr mit kreisförmigem Durchmesser vorhanden, In das die hler beschriebenen Vorrichtung zusammen mit den darauf angeordneten Wafern hinzugesetzt wird. FUr das Hineinsetzen der Vorrichtung sind unterschiedliche Einfahrsysteme vorhanden, die 1n vertikaler Richtung zum Anheben und Absenken der Vorrichtung 1m Quarzglasrohr geeignet sind. Zu diesem Zweck dient bei einer weiteren Ausgestaltung der Vorrichtung zu Ihrer Unterstützung für die überführung an einen Behandlungsort die Unterseite von wenigstens zwei voneinander beabstandeten Verbindungselemente^ an die sieh bei-

spielsweise eine vertikal bewegbare Trägereinrichtung eines Einfahrsystems anschmiegen kann.

Bei einer weiteren anderen Ausgestaltung der Vorrichtung weisen zu Ihrer Unterstützung für die Oberführung an einen Rehandlungsort die Endplatten an Ihrer unteren Stirnseite zwei seitliche Vorsprünge auf, zwischen denen sich eine Trägereinrichtung, die auch in diesem Fall im wesentHchen vertikal hin und her bewegbar ist, abstützen

kann.

Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die nachfolgenden schematischen Zeichnungen anhand eines Ausführungsbeispieles beschrieben. Darin zeigen:

F1g. 1 einen Schnitt entlang der Linie A-A durch eine sich In einem kreisförmigen Quarzglasrohr befindliche Vorrichtung In der Ansicht auf eine Endplatte der Vorrichtung,

Flg. 2 eine Darstellung wie 1n Flg. 1 1m Ausschnitt mit einer gegenüber der Darstellung von F1g. 1 unterschiedlich ausgebildeten Trägereinrichtung eines Einfahrsystems,

Fig. 3 eine Draufsicht auf die Vorrichtung in einem gegenüber der Darstellung von F1g. 1 und 2 verkleinerten Haßstab,

Flg. 4 einen Teilschnitt entlang der Linie B - B von Flg. 1 und

Flg. S 1m Schnitt eine Detail ansicht der Schlitze zur Aufnahme der Wafer.

Öle Vorrichtung 10, vgl. Insbesondere dazu Fig. 3, besteht 1m wesentlichen aus zwei voneinander parallel

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beabstandeten Endplatten 16, 17 und, bei der hler beschriebenen AuöfUhrungiform, aus zwei stangenförnHgen Verbindungselemente»! 18, 19, die Im wesentlichen voneinander beabstandet und 1m wesentlichen rechtwinklig mit Ihren Stirnselten mit den Endplatten 16 und 17 verbunden sind. Darüber hinaus besteht die Vorrichtung 10 aus zwei jeweils dem einen und dem anderen Verbindungselement 18, 19 benachbarten Stützen 14, 15, die ebenfalls stangenförssig ausgebildet sind und, ebenso wie nie Verbindungselemente 18, 19, 1m wesentlichen rechtwinklig mit Ihren Stirnflächen an die Endplatten 16, 17 angeschlossen sind.

Sowohl die Verbindungselemente 18, 19 als auch die Stutzen 14, 15 sind mit einer Mehrzahl von Schlitzen 20, 21 versehen, wobei jeweils ein zueinander gehöriges Schlitzquartett, bestehend aus zwei Schlitzen 20 1n den beiden Stützen 14, 15 und Schlitzen 21 In den beiden Verbindungselementen 18, 19, zu den Endplatten 16, 17 einen gleichen Abstand haben, vgl. dazu auch die Darstellung von Fig. 4. Auf diese Welse wird eine jeweils aus dem vorbezeichneten Schlitzquartett bestehende Mehrzahl von Aufnahmen für Halbleiterscheibchsn 11 {Wafer} geschaffer., die im wesentlichen parallel zueinander beabstandet dann auf der Vorrichtung 10 angeordnet werden können. Die Anzahl der Schlitzquartette pro Vorrichtung 10 wird im wesentlichen durch die Länge des thermischen Behandlungsofens bzw. durch die Länge des darin aufgenommenen Quarzglasrohres 12 bestimmt und kann auf geeignete Weise beliebig lang festgelegt «erden.

Die Wafer 11 sind In der Regel in Form von Kreisscheiben ausgebildet, wie es in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist. Bei kreisförmig ausgebildeten Wafern 11 weisen die beiden stangenförmigen Verbindungselemente 18, 19 eine im wesentlichen gleiche Schlitztiefe, gerechnet vom Kittel* punkt 22 eines darin aufgenommenen kreisförmig ausgebildeten Hafers 11 auf. Ebenso sind die beiden den

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stangenförmigen Verbindungselementen 18, 19 außen benachbarten Stutzen 14, IS mit Schlitzen einer Sch11tzt1efe versehen, die gerechnet vom Mittelpunkt 22 des kreisförmig ausgebildeten Wafers 11 eine gleiche Seh11tzt1efe aufweisen. Bei dem 1n den Figuren dargestellten Ausflihrungsbeispiel 1st die Sch11tzt1efe der Stutzen 14, 15 dabei geringfügig größer als die Schlitztiefe der stangenförmigen Verbindungselemente 18, 19. Dadurch wird erreicht, daß ein in die Schlitze 21 der Verbindungselemente 18, 19 eingestellter Hafer 11 sich mit seinem Gewicht voll auf den Verbindungselementen 18, 19 abstutzen kann, während die in den beiden benachbarten Stutzen 14, 15 ausgebildeten Schlitz den Wafer Il lediglich seitlich stabilisieren, ohne daß in die Stutzen 14, 15 eine vom Gewicht des Wafers 11 herrührende relevante Kraft eingeleitet wird. Bei einer plastischen Verformung Infolge der hohen Behandlungstemperatur dient die geringere Schlitzeindringtiefe des Wafers 11 in die Schlitze 20 der Stutzen 14, 15 zudem als Toleranzpuffer.

Zwischen den beiden Endplatten 16, 17 1st eine Mehrzahl von die Stutzen 14, 15 und die Verbindungselemente 18, 19 1m wesentlichen quer verbindenden Querriegeln 23 vorgesehen. Die Querriegel sind dabei als Flachmaterialstreben ausgebildet und, vgl. Fig. 1, geringfügig in Ihrer Fläche um einen gedachten Mittelpunkt 22 eines von der Vorrichtung 10 aufgenommenen kreisförmigen Wafers gewölbt. Die Verbindungselemente 18, 19 sind dabei derart mit den Querriegeln 23 verbunden* daß ein bestimmter Bereich einer Unterseite 24, 25 der Verbindungselemente IS, 19 in vertikaler Richtung, vgl. Fig. 1, frei bleibt. Die Quer-Hegel 23 sind an die in wesentlichen mit rechteckigem Querschnitt ausgebildeten Stutzen 14, 15 seitlich angeschlossen, und zwar an die breite Seite des Querschnitts der jeweiligen Stütze. Die Stützen 14, 15 sind dabei mit ihrer im Querschnitt schmalen Seite, die einem Abstützuntergrund 13 gegenübersteht, abgerundet. Von einer

gedachten, Im wesentlichen durch den Mittelpunkt 22 eines In, die Vorrichtung 10 eingestellten kreisförmig ausgebildeten Wafers 11 durchgehenden Vert1ka111n1e sind die Stützen 14, IS mit Ihren breiten Längsseiten In einem spitzen Winkel nach unten auseinandergehend geneigt.

Es sei hervorgehoben, daß die Schütze 20, 21 auch darauf ausgebildet sein können, daß die Wafer 11 mit Ihren Flächen unter verschiedenen geeigneten Winkeln darin aufgenommen werden können, die von einem rechten Winkel relativ zur Stutze 14, 15 bzw. zum Verbindungselement 18, 19 abweichen.

In den Fig. 1 und 2 sind zwei unterschiedliche Möglichkelten der Abstützung der Vorrichtung 10 auf einem Einfahrsystem in einem Quarzglasrohr 12 kreisförmigen Querschnitts gezeigt. Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform stutzt sich eine 1m wesentlichen vertikal hin und her bewegbare, 1m Querschnitt gebogene piattenförmige Trägereinrichtung 30 auf der querriegelfreien Unterseite 24, 25 der Verbindungselemente 18, 19 ab, vgl. die gestrichelte Trägereinrichtung 30 in vertikal angehobener Stellung. In dieser angehobenen Stellung wird die Vorrichtung 10 In das Quarzglasrohr 12 hineintransportiert und dann abgesenkt, wenn sie an geeigneter Stelle im Quarzglasrohr 12 positioniert ist.

•ei der Ausfü'hrungsform gemäß Fig. 2 stützt sich die im Querschnitt gebogenen plattenförmige Trägereinrichtung 30 des Einfahr systems 30 an VorsprUngen 28, 29 ab* die an den Ia vertikaler Richtung unteren Stirnseiten 26, 27 der Endplatten ausgebildet sind.

Die Stützen 14, 15 und die Verbindungselemente IS, 19, können zwischen den sie beidseitig begrenzenden Endplatten 16, 17 zudem mit einer Hehrzahl querverlaufender Streben 31 zur Vergrößerung der Stabilität versehen sein.

AIU Elemente der Vorrichtung 10 bestellen aus
Alle E1emente₍ die die Verrichtung 10 bilden, sind zudem durch Schweißverbindungen miteinander verbunden. Auf die« te Weite wird eine Vorrichtung 10 zur Aufnahme von Käfern 11 geschaffen, die selbst bezüglich Ihres dazu verwendeten Werkstoffs Halbleiterqualität aufweist. Auf diese Welse wird eine bei thermischen Behandlung von Wafern 11 geforderte hochreine Quarzglasatmosphäre sichergestellt.

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Bezugszeichenl1ste

10 Vorrichtung

11 Halbleiterscheibchen (Hafer)

12 Quarzrohr

13 Untergrund

14 Stütze

15 Stütze

16 Endplatte

17 Endplatte

18 Verbindungselement

19 Verbindungselement

20 Schlitz (Stutze)

21 Schlitz (Verbindungselement)

22 Mittelpunkt (Halbleiterscheibchen)

23 Querriegei

24 Unterseite

25 Unterseite

26 Stirnseite der Endplatte

27 Stirnseite der Endplatte

28 Vorsprung

29 Vorsprung

30 Trägereinrichtung

31 Strebe

Claims

Westdeutsche Quarzschmelze GmbH, Borsigstraße 1-7, 2054 Geesthacht Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen w/sprtche

1. Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen (Hafer) während einer thermischen Behandlung, beispielsweise In einem Quarzglasrohr, umfassend einen sich im wesentlichen auf einem Untergrund am Behandlutrgsort Über Stutzen abstutzenden Trägerkörper, auf dem im wesentlichen flächenparallel voneinander beabstandet die Halbleiterscheibchen aufnehmbar sind, wobei die Stutzen 1m wesentlichen zwischen zwei den Trägerkörper in Längsrichtung begrenzenden Endplatten verlaufend angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Endplatten (16, 17) wenigstens ein stangenförmiges Verbindungselement (18; 19) vorgesehen 1st, das ebenso wie die Stutzen (14, 15) mit einer Mehrzahl 1m wesentlichen zueinander paralleler Schlitze (20, 21) zur stutzenden Aufnahme der Ha1b1e1tersche1bchen (11) versehen 1st.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die 1m stangenförnHgen Verbindungselement (21) und den beiden beidseitig dazu verlaufenden Stutzen (14, IS)

COMMERZBANK AC, BLZ 2^, j POSTCIRO HAM

^idOji ttf(ST$CHE BANK AC, BLZ 20070000, N(L 6S6S675 URG, BLZ 20010020, NR, 13048*205

ausgebildeten Schlitze (20, 21) eine Im wesentlichen gleiche Schlitztiefe, gerechnet vom Mittelpunkt (22) eines darin aufgenommenen kreisförmig ausgebildeten HaIbleiterscheibchens (11), aufweisen.

3. Vorrichtung nach einem oder beiden der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungselement (18) einen 1m wesentlichen kreisförmigen Querschnitt aufweist.

4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Endplatten (16, 17) eine Mehrzahl von die Stutzen (14, 15) und das Verbindungselement (18; 19) 1m wesentlichen quer verbindenden Querriegeln (23) vorgesehen sind.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Querriegel (23) aus einer Flachmaterialstrebe gebildet wird.

6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die stützen (!-*, 15) ein 1m Querschnitt 1m wesentlichen rechteckiges Profil aufweisen, wobei die zu einem AbstUtz-Untergrund (13) welsende Seite der Stützen (14, 15) 1m Querschnitt abgerundet, ist.

7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche \ bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schlitze (20, 21) Im Verbindungselement (18; 19) und 1n den Stützen (14, 15) eine flammenpol 1erte Oberfläche aufweisen.

8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Anspruch· 1 feie 7, dadurch gekennzeichnet, daß zu Ihrer UwumilMung für die Überführung an einen Bthandiungtort die Unterfeite (24, 25) von wenigstens zwei \wne1nander beabstantfetei Verbindungselementen (18, 19) dient.

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9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7i dadurch gekennzeichnet, daß zu ihrer Unterstützung für die überführung an einen Behandlungsort die Endplatten (16, 17) en Ihrer unteren Stirnseite (26, 27) 2we1 seitliche Vorsprllnge (28, 29), zwischen denen sich eine Trägereinrichtung (30) abstützen kann, aufweisen.