DE8810867U1 - Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen - Google Patents
Vorrichtung zur Aufnahme von HalbleiterscheibchenInfo
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims description 15
- 244000309464 bull Species 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 241000209761 Avena Species 0.000 claims description 4
- 235000007319 Avena orientalis Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007524 flame polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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Description
""niedmersIscHöMinc
JESSENSTRASSE 4 · D-2000 HAMBURG 50 · TEL (040) 3893501 · FAX 3B935O2 · TELEX 2166426 pahn d
DIPL-PHYS. OLE NIEDMERS
DIPL-INC. HANS W. SCHÖNING EUROPEAN PATENT ATTORNEY
DIPL-INC. HANS W. SCHÖNING EUROPEAN PATENT ATTORNEY
Westdeutsche Quarzschmelze GmoH, Borsigstraße 1-7, 2054
Geesthacht
Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen
Beschreibung
Beschreibung
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Aufnahme von
Halbleiterscheibchen (Wafer) während einer thermischen Behandlung, beispielsweise in einem Quarzglasrohr, umfassend
einen sich 1 m Wesentlicher; auf einem Untergrund am
Behandlungsort über Stützen abstützenden Tragerkörper, •uf dem im wesentlichen flachenparallel voneinander beabstandet
die Halbleiterscheiben aufnehmbar sind, wobei die Stützen im wesentlichen zwischen zwei den Trägerkörper in
Längsrichtung begrenzenden Endpiatten verlaufend angeordnet sind.
Halbleiterscheibchen bzw.Wafer, aus denen Halbleiterbauelemente
wie Integrierte Schaltkreise in späteren Herstellungsvorgängen
gefertigt werden, müssen vor bzw. zwischen einzelnen Fertigungsschritten einer thermischen
Behandlung unterzogen werden, bei der Temperaturen bis zu
1.200 ° C auf die Hafer einwirken. Die thermische Behandlung
muß zudem 1n einer fremdstoffreien, hochreinen Atmosphäre
stattfinden, um jeglichen unkontrollierten Einbau
COMMERZBANK AG, BLZ 2004AtOOi NJl Ä/WOJft ·'pEuJrSCHE BANK AG, BLZ 20070000, NR. 6565675
PO5TGIRÖ HÄMBURG/bLZ 20010020, NR. 13048-205
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von Fremdatomen und FremdmoiektHen 1n die zu behandelnden
Wafer zu vermelden. Aus diesem Grund eignen sich 1n asr
Regel keine anderen Materlallen zum Aufbau der Vorrichtungen zur Aufnahme von Wafern der hler beschriebenen Art
als Quarzglas.
Es 1st bekannt, daß Quarzglas mit zunehmender Temperatur
seine Viskosität verändert und das sich Infolge des beträchtlichen
Gewichtes, den beispielsweise eine Vielzahl von Wafern auf eine Vorrichtung zur Aufnahme dieser Wafer
aus Quarzglas ausüben, die Vorrichtung erheblich verformen
kann, wenn beispielsweise eine zur Behandlung der Wafer bestimmungsgemäß erreichte Temperatur von 1.200 &ogr; C
erreicht worden 1st.
Eine Vorrichtung der eingangs beschriebenen Art zur Aufnahme
von Wafern, die aus Quarzglas besteht, weist zwischen zwei den eigentlichen Trägerkörper der Vorrichtung
in Längsrichtung begrenzenden Endflächen zwei U-Profile
auf, wobei diese beiden U-Prof1le 1m wesentlichen stumpf »1t den dazu jeweils quer angeordneten Endplatten durch
Schweißen verbunden sind. Die zwischen beiden Endp'iatten
längs verlaufenden U-Profile sind jeweils an ihren beiden Schenkeln mit Schlitzen versehen, die im wesentlichen
vertikal und im wesentlichen parallel zu den Endplatten ausgerichtet eine bestimmte Zahl von Wafern aufnehmen
können. Die vorstehend beschriebene bekannte Vorrichtung «eist den Nachteil auf, daß bei hohen Behandlungstemperaturen
infolge der Zunahme der Viskosität des Quarzglases, aus de« die Vorrichtung besteht, die Wafer durch Verformung
der U-Profile in den Schlitzen klemmen» so daß bei der thermischen Behandlung die Wafer beschädigt werden
können, was zu erheblichen Ausschußraten während der thermischen Behandlung führen kann. Ein weiterer konstruktionsbedingter
Nachteil der bekannten Vorrichtung liegt darin, daß aufgrünt* der Ausgestaltung 4er Halte=
streben in Form der beschriebenen U-Profile ebenfalls
Infolg« der Viskositätsänderung des Quarzglases t:»1 Temperaturerhöhung
die Positionierung der Wafer untereinander unexakt wird, so daß sieh die Wafer ggf. wlhrend der
thermischen Behandlung berühren können. Schließlich 1st
es bei der bekannten Vorrichtung nachteilig, daß nach Abschluß der thermischen Behandlung infolge der thermisch
bedingten Verformung der U-Prof1le die darin aufgenommenen Wafer festgeklemmt sind, so daß es auch zu Beschädigungen
der Wafer knmmpn kann, wenn rHcto aye Hen Sghl**-
zen der U-Profi>e entfernt werden.
Es 1st Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung
aus Quarzglas zur Aufnahme von Wafern zu schaffen, die eine zuverlässige Positionierbarkeit der Wafer ohne
gegenseitige Berührung und Beschädigung während der thermischen Behandlung gestattet, die es darüber hinaus ermöglicht,
daß die Wafer nach Abschluß der thermischen Behandlung ohne jede Schwierigkeit und Beschädigung entfernt
werden können, so daß eine weitgehend ausschußfreie thermische Behandlung möglich ist, und die leicht und
kostengünstig herstellbar ist.
Gelöst wird die Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch, daß zwischen den beiden Endplatten wenigstens ein stangenförmiges
Verbindungselement vorgesehen ist, das ebenso wie die Stützen mit einer Mehrzahl im wesentlichen zueinander
paralleler S'^Uze zur stützenden Aufnahme der Halbleiterscheibchen
versehen ist.
Der Vorteil der erfindungSgemäßen Ausbildung der Verrichtung
liegt im wesentlichen darin, daß neben den Stutzen wenigstens ein stangenförmiges Verbindungseiemer*
vorgesehen ist, das zwar über seine auf 1hm aus«? „eten
Schlitze zur Aufnahme der Hafer dient, das jedoch selbst nicht, wie bei der bekannten Vorrichtung, Teil der Stütze
1st. Bei der bekannten Vorrichtung stützt sich 4er untere Steg der Ü-Profile über eine Stütze auf einem Untergrund,
beispielsweise auf der Innenfläche eines Quarzglasrohres, ab. Infolge des Gewichts der Vorrichtung wird somit bei
Temperaturerhöhung und gleichzeitiger Zunahme dev Viskosität der mit den Stutzen direkt verbundenen U-Profile
aus Quarzglas eine plastische Verformung des U-Profils selbst, das als einzige Stütze bei der bekannten Vorrichtung
vorgesehen 1st, einhergehen. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung hingegen kann Infolge des mit den Stützen
nicht unmittelbar verbundenen stangenförmigen Verbindungselements von diesem die von den Wafern ausgeübte
Kraft aufgenommen werden, so daß es nicht zu einer Verklemmung der Hafer in den Schlitzen der erfindungsgemäß jj
gesondert ausgebildeten Stützen kommt. Die in den Stützen j der Erfindung ausgebildeten Schlitzen haben lediglich '
eine die eingestellten Wafer abfangende Aufgabe, so daß
eine geringfügige plastische Verformung der Stützen in- !
folge der thermischen Behandlung der Wafer nicht zu einem Festklemmen der Wafer In den Schlitzen der Stützen führt.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weisen die 1» stangenförmigen Verbindungselement und an
den beiden beidseitig dazu verlaufenden Stutzen ausgebildeten Schlitze eine Im wesentlichen gleiche Schl1tzt1efe,
gerechnet vom Mittelpunkt eines darin aufgenommenen kreisförmig ausgebildeten Halbleiterscheibchens auf. Bei
dieser Ausgestaltung der Vorrichtung wird die von den
Wafern Infolge Ihres Gewichts auf die Vorrichtung ausgeübte
Kraft nicht nur 1n das Verbindungselement eingeleitet, sondern auch In die beiden Stutzen. Diese Ausgestaltung
der Vorrichtung gestattet aber eine sichere Aufnahm·
kreisförmig ausgebildeter Wafer.
Vorteilhafterwelse weist das Verbindungselement einen Im
wesentlichen kr«1iförm1g«n Querschnitt auf, et sei aber
darauf hingewiesen, daß grundelkzMch jede beliebige andtr·
QuerichnUtflform« falls ·&igr; beispielsweise konstruktiombttHngt
nötig 1st· verwandet werden kann,
it KXtIIiIi H
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Um der Infolge der Erhöhung der Viskosität bei hohen Temperatur
zunehmenden Labilität der Vorrichtung noch stärker entgegenwirken zu können und auch dabei eine hinreichend
stabile Konstruktion zu erhalten, 1st vorteilhafterweise zwischen den beiden Endplatten eine Mehrzahl von
die Stützen und das Verbindungselement 1m wesentlichen quer verbindenden Querriegeln vorgesehen. Die Querriegel
können dabei, das oder die Verbindungselemente zwi?chen sich 1n einem Abstand einschließend, im wesentlichen in
Richtung eines Kreisumfanges 1m wesentlichen parallel zu einem durch die Vorrichtung aufgenommenen Hafer gebogen
sein. Es 1st aber auch möglich, die einzelnen Abschnitte des Querriegels zwischen der Stütze und einem Verbindungselement,
zwischen zwei benachbarten Verbindungselementen und dem auf der anderen Seite anschließenden Abschnitt
des Querriegels zwischen einem Verbindungselement und einer Stütze jeweils durch 1m wesentlichen ebene
Flächen aufweisende Querriegelabschnitte zu bilden.
Der Querriegel selbst 1st gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung aus einer Flachmaterialstrebe
ausgebildet, wobei eine beliebige, geeignet wählbare Mehrzahl an Querriegeln, je nach Abhängigkeit
von der Länge der Vorrichtung Insgesamt, zwischen den Stützen und dem Verbindungselement bzw. den Verbindungseiementen
angeordnet sein kann.
Vorzugswelse weisen die Stutzen ein 1m Querschnitt 1m
wesentlichen rechteckiges Profil auf, wobei die zu einem Abstütz-Untergrund welsenden Selten der Stützen Im Querschnitt
abgerundet sein können, was beispielsweise dann sinnvoll 1st, wenn die Vorrichtung 1n ein Quarzglasrohr
eingeschoben sich auf der konvexen Innenfläche des Quarzdiasrohres
abstützt und diese nicht beschädigt werden soll. Es sei auch darauf hingewiesen, daß es grundsätzlich
möglich 1st, die Stützen In einer beliebigen Form auszubilden« die 1m Querschnitt rechteckige Ausbildung
• ♦ ·
• &igr; ·
mit den schmalen Querschnittseiten auf einem Untergrund
abgestützt schafft jedoch verhältnismäßig hohe Stabilität
auch bei einer hohen Behandlungstemperatur der Hafer.
Die Schlitze in den Verbindungselementen und in den Stützen werden nach Ihrer Fertigstellung mittels spanabhebender
Bearbeitung eingebracht, z.B. durch Fräsen oder Schleifen. Zwangsweise bildet sich dabei ein gewisser
Grat an den Kanten der Schlitze. Einher mit dem Schleifen «ser Schlitze geht eine verhältnismäßig rauhe Ausbildung
der Oberfläche der Schlitze nach ihrer Fertigstellung. Um den Grat und die rauhe Oberfläche, die infolge der Beschädigungsmöglichkeit
sehr nachteilig fUr die Halterung der Wafer In den Schlitzen wäre, zu beseitigen, weisen
die Schlitze im Verbindungselement bzw. in den Verbindungselementen und In den Stützen eine flammenpolierte
Oberfläche auf, wobei Im Zuge des Flammenpolierverfahrens
die scharfen Kanten der Schlitze zur Oberfläche des Verbindungselements
bzw. zur Stütze und der sich daran ursprünglich befindliche Grat gebrochen bzw. entfernt werden.
Gleichzeitig wird auch die Oberfläche der Schlitze durch geringfügiges Anschmelzen des Glases poliert.
In typischen thermischen Behandlungsöfen für Wafer 1st zur Schaffung einer hochreinen Quarzglasatmosphäre 1n der
Regel ein Quarzglasrohr mit kreisförmigem Durchmesser
vorhanden, In das die hler beschriebenen Vorrichtung zusammen
mit den darauf angeordneten Wafern hinzugesetzt wird. FUr das Hineinsetzen der Vorrichtung sind unterschiedliche
Einfahrsysteme vorhanden, die 1n vertikaler Richtung zum Anheben und Absenken der Vorrichtung 1m
Quarzglasrohr geeignet sind. Zu diesem Zweck dient bei
einer weiteren Ausgestaltung der Vorrichtung zu Ihrer Unterstützung für die überführung an einen Behandlungsort
die Unterseite von wenigstens zwei voneinander beabstandeten
Verbindungselemente^ an die sieh bei-
spielsweise eine vertikal bewegbare Trägereinrichtung eines Einfahrsystems anschmiegen kann.
Bei einer weiteren anderen Ausgestaltung der Vorrichtung
weisen zu Ihrer Unterstützung für die Oberführung an einen Rehandlungsort die Endplatten an Ihrer unteren Stirnseite
zwei seitliche Vorsprünge auf, zwischen denen sich eine Trägereinrichtung, die auch in diesem Fall im wesentHchen
vertikal hin und her bewegbar ist, abstützen
kann.
Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die nachfolgenden
schematischen Zeichnungen anhand eines Ausführungsbeispieles beschrieben. Darin zeigen:
F1g. 1 einen Schnitt entlang der Linie A-A durch eine sich In einem kreisförmigen Quarzglasrohr
befindliche Vorrichtung In der Ansicht auf eine Endplatte der Vorrichtung,
Flg. 2 eine Darstellung wie 1n Flg. 1 1m Ausschnitt
mit einer gegenüber der Darstellung von F1g. 1 unterschiedlich ausgebildeten Trägereinrichtung
eines Einfahrsystems,
Fig. 3 eine Draufsicht auf die Vorrichtung in einem
gegenüber der Darstellung von F1g. 1 und 2 verkleinerten Haßstab,
Flg. 4 einen Teilschnitt entlang der Linie B - B von
Flg. 1 und
Flg. S 1m Schnitt eine Detail ansicht der Schlitze zur
Aufnahme der Wafer.
Öle Vorrichtung 10, vgl. Insbesondere dazu Fig. 3, besteht
1m wesentlichen aus zwei voneinander parallel
1 U0 &Oacgr; \
beabstandeten Endplatten 16, 17 und, bei der hler beschriebenen
AuöfUhrungiform, aus zwei stangenförnHgen
Verbindungselemente»! 18, 19, die Im wesentlichen voneinander
beabstandet und 1m wesentlichen rechtwinklig mit
Ihren Stirnselten mit den Endplatten 16 und 17 verbunden
sind. Darüber hinaus besteht die Vorrichtung 10 aus zwei
jeweils dem einen und dem anderen Verbindungselement 18, 19 benachbarten Stützen 14, 15, die ebenfalls stangenförssig
ausgebildet sind und, ebenso wie nie Verbindungselemente
18, 19, 1m wesentlichen rechtwinklig mit Ihren
Stirnflächen an die Endplatten 16, 17 angeschlossen sind.
Sowohl die Verbindungselemente 18, 19 als auch die Stutzen
14, 15 sind mit einer Mehrzahl von Schlitzen 20, 21
versehen, wobei jeweils ein zueinander gehöriges Schlitzquartett, bestehend aus zwei Schlitzen 20 1n den beiden
Stützen 14, 15 und Schlitzen 21 In den beiden Verbindungselementen
18, 19, zu den Endplatten 16, 17 einen gleichen Abstand haben, vgl. dazu auch die Darstellung
von Fig. 4. Auf diese Welse wird eine jeweils aus dem
vorbezeichneten Schlitzquartett bestehende Mehrzahl von Aufnahmen für Halbleiterscheibchsn 11 {Wafer} geschaffer.,
die im wesentlichen parallel zueinander beabstandet dann auf der Vorrichtung 10 angeordnet werden können. Die Anzahl
der Schlitzquartette pro Vorrichtung 10 wird im wesentlichen durch die Länge des thermischen Behandlungsofens bzw. durch die Länge des darin aufgenommenen Quarzglasrohres
12 bestimmt und kann auf geeignete Weise beliebig lang festgelegt «erden.
Die Wafer 11 sind In der Regel in Form von Kreisscheiben
ausgebildet, wie es in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist. Bei kreisförmig ausgebildeten Wafern 11 weisen die beiden
stangenförmigen Verbindungselemente 18, 19 eine im wesentlichen gleiche Schlitztiefe, gerechnet vom Kittel*
punkt 22 eines darin aufgenommenen kreisförmig ausgebildeten Hafers 11 auf. Ebenso sind die beiden den
• ·
* · «ill Ii &igr;)
stangenförmigen Verbindungselementen 18, 19 außen benachbarten Stutzen 14, IS mit Schlitzen einer Sch11tzt1efe
versehen, die gerechnet vom Mittelpunkt 22 des kreisförmig ausgebildeten Wafers 11 eine gleiche Seh11tzt1efe
aufweisen. Bei dem 1n den Figuren dargestellten Ausflihrungsbeispiel
1st die Sch11tzt1efe der Stutzen 14, 15 dabei geringfügig größer als die Schlitztiefe der stangenförmigen
Verbindungselemente 18, 19. Dadurch wird erreicht,
daß ein in die Schlitze 21 der Verbindungselemente
18, 19 eingestellter Hafer 11 sich mit seinem Gewicht voll auf den Verbindungselementen 18, 19 abstutzen
kann, während die in den beiden benachbarten Stutzen 14, 15 ausgebildeten Schlitz den Wafer Il lediglich seitlich
stabilisieren, ohne daß in die Stutzen 14, 15 eine vom Gewicht des Wafers 11 herrührende relevante Kraft eingeleitet
wird. Bei einer plastischen Verformung Infolge der
hohen Behandlungstemperatur dient die geringere Schlitzeindringtiefe
des Wafers 11 in die Schlitze 20 der Stutzen 14, 15 zudem als Toleranzpuffer.
Zwischen den beiden Endplatten 16, 17 1st eine Mehrzahl
von die Stutzen 14, 15 und die Verbindungselemente 18, 19 1m wesentlichen quer verbindenden Querriegeln 23 vorgesehen.
Die Querriegel sind dabei als Flachmaterialstreben ausgebildet und, vgl. Fig. 1, geringfügig in Ihrer Fläche
um einen gedachten Mittelpunkt 22 eines von der Vorrichtung 10 aufgenommenen kreisförmigen Wafers gewölbt. Die
Verbindungselemente 18, 19 sind dabei derart mit den Querriegeln 23 verbunden* daß ein bestimmter Bereich einer
Unterseite 24, 25 der Verbindungselemente IS, 19 in
vertikaler Richtung, vgl. Fig. 1, frei bleibt. Die Quer-Hegel
23 sind an die in wesentlichen mit rechteckigem Querschnitt ausgebildeten Stutzen 14, 15 seitlich angeschlossen,
und zwar an die breite Seite des Querschnitts der jeweiligen Stütze. Die Stützen 14, 15 sind dabei mit
ihrer im Querschnitt schmalen Seite, die einem Abstützuntergrund 13 gegenübersteht, abgerundet. Von einer
gedachten, Im wesentlichen durch den Mittelpunkt 22 eines
In, die Vorrichtung 10 eingestellten kreisförmig ausgebildeten
Wafers 11 durchgehenden Vert1ka111n1e sind die Stützen 14, IS mit Ihren breiten Längsseiten In einem
spitzen Winkel nach unten auseinandergehend geneigt.
Es sei hervorgehoben, daß die Schütze 20, 21 auch darauf
ausgebildet sein können, daß die Wafer 11 mit Ihren
Flächen unter verschiedenen geeigneten Winkeln darin aufgenommen werden können, die von einem rechten Winkel relativ
zur Stutze 14, 15 bzw. zum Verbindungselement 18, 19 abweichen.
In den Fig. 1 und 2 sind zwei unterschiedliche Möglichkelten
der Abstützung der Vorrichtung 10 auf einem Einfahrsystem in einem Quarzglasrohr 12 kreisförmigen Querschnitts
gezeigt. Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform stutzt sich eine 1m wesentlichen vertikal hin
und her bewegbare, 1m Querschnitt gebogene piattenförmige Trägereinrichtung 30 auf der querriegelfreien Unterseite
24, 25 der Verbindungselemente 18, 19 ab, vgl. die gestrichelte Trägereinrichtung 30 in vertikal angehobener
Stellung. In dieser angehobenen Stellung wird die Vorrichtung 10 In das Quarzglasrohr 12 hineintransportiert
und dann abgesenkt, wenn sie an geeigneter Stelle im Quarzglasrohr 12 positioniert ist.
•ei der Ausfü'hrungsform gemäß Fig. 2 stützt sich die im
Querschnitt gebogenen plattenförmige Trägereinrichtung 30 des Einfahr systems 30 an VorsprUngen 28, 29 ab* die an
den Ia vertikaler Richtung unteren Stirnseiten 26, 27 der
Endplatten ausgebildet sind.
Die Stützen 14, 15 und die Verbindungselemente IS, 19,
können zwischen den sie beidseitig begrenzenden Endplatten 16, 17 zudem mit einer Hehrzahl querverlaufender
Streben 31 zur Vergrößerung der Stabilität versehen sein.
AIU Elemente der Vorrichtung 10 bestellen aus
Alle E1emente( die die Verrichtung 10 bilden, sind zudem durch Schweißverbindungen miteinander verbunden. Auf die« te Weite wird eine Vorrichtung 10 zur Aufnahme von Käfern 11 geschaffen, die selbst bezüglich Ihres dazu verwendeten Werkstoffs Halbleiterqualität aufweist. Auf diese Welse wird eine bei thermischen Behandlung von Wafern 11 geforderte hochreine Quarzglasatmosphäre sichergestellt.
Alle E1emente( die die Verrichtung 10 bilden, sind zudem durch Schweißverbindungen miteinander verbunden. Auf die« te Weite wird eine Vorrichtung 10 zur Aufnahme von Käfern 11 geschaffen, die selbst bezüglich Ihres dazu verwendeten Werkstoffs Halbleiterqualität aufweist. Auf diese Welse wird eine bei thermischen Behandlung von Wafern 11 geforderte hochreine Quarzglasatmosphäre sichergestellt.
15
10 Vorrichtung
11 Halbleiterscheibchen (Hafer)
12 Quarzrohr
13 Untergrund
14 Stütze
15 Stütze
16 Endplatte
17 Endplatte
18 Verbindungselement
19 Verbindungselement
20 Schlitz (Stutze)
21 Schlitz (Verbindungselement)
22 Mittelpunkt (Halbleiterscheibchen)
23 Querriegei
24 Unterseite
25 Unterseite
26 Stirnseite der Endplatte
27 Stirnseite der Endplatte
28 Vorsprung
29 Vorsprung
30 Trägereinrichtung
31 Strebe
Claims (9)
1. Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen (Hafer) während einer thermischen Behandlung, beispielsweise
In einem Quarzglasrohr, umfassend einen sich im wesentlichen auf einem Untergrund am Behandlutrgsort Über
Stutzen abstutzenden Trägerkörper, auf dem im wesentlichen flächenparallel voneinander beabstandet die Halbleiterscheibchen
aufnehmbar sind, wobei die Stutzen 1m wesentlichen zwischen zwei den Trägerkörper in Längsrichtung
begrenzenden Endplatten verlaufend angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Endplatten
(16, 17) wenigstens ein stangenförmiges Verbindungselement
(18; 19) vorgesehen 1st, das ebenso wie die Stutzen
(14, 15) mit einer Mehrzahl 1m wesentlichen zueinander paralleler Schlitze (20, 21) zur stutzenden Aufnahme
der Ha1b1e1tersche1bchen (11) versehen 1st.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die 1m stangenförnHgen Verbindungselement (21) und den beiden beidseitig dazu verlaufenden Stutzen (14, IS)
COMMERZBANK AC, BLZ 2^, j
POSTCIRO HAM
^idOji ttf(ST$CHE BANK AC, BLZ 20070000, N(L 6S6S675
URG, BLZ 20010020, NR, 13048*205
ausgebildeten Schlitze (20, 21) eine Im wesentlichen
gleiche Schlitztiefe, gerechnet vom Mittelpunkt (22) eines
darin aufgenommenen kreisförmig ausgebildeten HaIbleiterscheibchens
(11), aufweisen.
3. Vorrichtung nach einem oder beiden der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungselement
(18) einen 1m wesentlichen kreisförmigen Querschnitt aufweist.
4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden
Endplatten (16, 17) eine Mehrzahl von die Stutzen (14,
15) und das Verbindungselement (18; 19) 1m wesentlichen
quer verbindenden Querriegeln (23) vorgesehen sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Querriegel (23) aus einer Flachmaterialstrebe
gebildet wird.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die stützen (!-*, 15)
ein 1m Querschnitt 1m wesentlichen rechteckiges Profil aufweisen, wobei die zu einem AbstUtz-Untergrund (13)
welsende Seite der Stützen (14, 15) 1m Querschnitt abgerundet,
ist.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche \
bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schlitze (20, 21)
Im Verbindungselement (18; 19) und 1n den Stützen (14,
15) eine flammenpol 1erte Oberfläche aufweisen.
8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Anspruch· 1
feie 7, dadurch gekennzeichnet, daß zu Ihrer UwumilMung
für die Überführung an einen Bthandiungtort die Unterfeite
(24, 25) von wenigstens zwei \wne1nander beabstantfetei
Verbindungselementen (18, 19) dient.
«
•«
•«
9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 7i dadurch gekennzeichnet, daß zu ihrer Unterstützung
für die überführung an einen Behandlungsort die Endplatten
(16, 17) en Ihrer unteren Stirnseite (26, 27) 2we1
seitliche Vorsprllnge (28, 29), zwischen denen sich eine
Trägereinrichtung (30) abstützen kann, aufweisen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE8810867U DE8810867U1 (de) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE8810867U DE8810867U1 (de) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE8810867U1 true DE8810867U1 (de) | 1988-11-24 |
Family
ID=6827327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8810867U Expired DE8810867U1 (de) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE8810867U1 (de) |
-
1988
- 1988-08-27 DE DE8810867U patent/DE8810867U1/de not_active Expired
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