DE3829159C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Aufnahme von
Halbleiterscheibchen während einer thermischen Behandlung,
beispielsweise in einem Quarzglasrohr, umfassend
einen sich im wesentlichen auf einem Untergrund am Be
handlungsort über Stützen abstützenden, beidseitig durch
Endplatten in Längsrichtung begrenzten Trägerkörper, auf
dem im wesentlichen flächenparallel voneinander beabstandet
die Halbleiterscheibchen aufnehmbar sind, wobei
die Stützen von der einen zur anderen Endplatte verlaufend
angeordnet sind, mit einer Mehrzahl im wesentlichen
zueinander paralleler Schlitze zur stützenden
Aufnahme der Halbleiterscheibchen versehen sind und
zwischen den Endplatten wenigstens ein stangenförmiges
Verbindungselement vorgesehen ist, das mit einer Mehrzahl
im wesentlichen zueinander beabstandeter paralleler
Schlitze zur stützenden Aufnahme der Halbleiterscheibchen
versehen ist.
Eine Vorrichtung dieser Art ist bekannt (CH-PS 5 70 700).
Halbleiterscheibchen bzw. Wafer, aus denen Halbleiter
bauelemente wie integrierte Schaltkreise in späteren
Herstellungsvorgängen gefertigt werden, müssen vor bzw.
zwischen einzelnen Fertigungsschritten einer thermischen
Behandlung unterzogen werden, bei der Temperaturen bis
zu 1200°C auf die Wafer einwirken. Die thermische Be
handlung muß zudem in einer fremdstofffreien, hochreinen
Atmosphäre stattfinden, um jeglichen unkontrollierten
Einbau von Fremdatomen und Fremdmolekülen in die zu be
handelnden Wafer zu vermeiden. Aus diesem Grund eignen
sich in der Regel keine anderen Materialien zum Aufbau
der Vorrichtungen zur Aufnahme von Wafern der hier be
schriebenen Art als Quarzglas.
Nachteilig bei der bekannten Vorrichtung ist, daß diese
sich infolge des beträchtlichen Eigengewichts einerseits
und einer Vielzahl von Wafern auf der Vorrichtung ande
rerseits infolge der thermischen Behandlung wegen der
Zunahme der Viskosität erheblich verformen. Es ist an
sich bekannt, daß Quarzglas mit zunehmender Temperatur
seine Viskosität verändert und daß sich infolge des be
trächtlichen Gewichtes, den beispielsweise eine Vielzahl
von Wafern auf eine Vorrichtung zur Aufnahme dieser
Wafer aus Quarzglas ausüben, die Vorrichtung erheblich
verformen kann, insbesondere dann, wenn beispielsweise
eine zur Behandlung der Wafer bestimmungsgemäß zu er
reichende Temperatur von 1200°C erreicht worden ist.
Bei der bekannten Vorrichtung ist neben zwei unteren
parallelen stangenförmigen Verbindungselementen ein
weiteres paralleles stangenförmiges Verbindungselement
paar vorgesehen, das in etwa auf der gleichen Radiuslinie
eines in die Vorrichtung eingestellten Wafers liegt,
d. h. vom Mittelpunkt des in der Regel kreisförmigen
Wafers jeweils gleichen Abstand hat. Die stangenförmigen
Verbindungselemente zwischen den beiden Endplatten der
bekannten Vorrichtung weisen einen identischen Aufbau
mit kreisförmigem Querschnitt auf.
Im Falle einer thermischen Behandlung der mit Wafern
beladenen bekannten Vorrichtung kann praktisch die Vor
richtung um den Betrag der Dicke eines dortigen Rohr
abschnitts infolge der thermisch bedingten Viskositäts
erhöhung einknicken, was schon genügt, um eine beträchtliche
Zahl von Wafern, die in der Vorrichtung aufgenommen
werden, zu beschädigen. Dieses bedeutet aber ein auf
keinen Fall hinzunehmendes Ausschußpotential.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vor
richtung aus Quarzglas zur Aufnahme von Wafern zu
schaffen, die eine zuverlässige Positionierbarkeit der
Wafer ohne gegenseitige Berührung und Beschädigung während
der thermischen Behandlung gestattet, die es darüber
hinaus ermöglicht, daß die Wafer nach Abschluß der
thermischen Behandlung ohne jede Schwierigkeit und Be
schädigung entfernt werden können, so daß eine weitgehend
ausschußfreie thermische Behandlung möglich ist,
und die leicht und kostengünstig herstellbar ist.
Gelöst wird die Aufgabe gemäß der Erfindung durch die
kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1.
Der wesentliche Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung
besteht darin, daß eine geringfügige Verformung der
Stützen infolge der thermischen Behandlung der Wafer
nicht zu einem Festklemmen der Wafer in den Schlitzen
der Stützen führt, da bei einer Hochtemperaturbehandlung
von bis zu 1200°C ein Einknicken nicht mehr befürchtet
zu werden braucht und es somit auch nicht zu einer Ver
klemmung der Wafer in den Schlitzen der Stützen kommt.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
weisen die im stangenförmigen Verbindungselement und an
den beiden beidseitig dazu verlaufenden Stützen aus
gebildeten Schlitze eine im wesentlichen gleiche
Schlitztiefe, gerechnet vom Mittelpunkt eines darin auf
genommenen kreisförmig ausgebildeten Halbleiterscheibchens
auf. Bei dieser Ausgestaltung der Vorrichtung wird
die von den Wafern infolge ihres Gewichts auf die Vor
richtung ausgeübte Kraft nicht nur in das Verbindungs
element eingeleitet, sondern auch in die beiden Stützen.
Diese Ausgestaltung der Vorrichtung gestattet aber eine
sichere Aufnahme kreisförmig ausgebildeter Wafer.
Vorteilhafterweise weist das Verbindungselement einen im
wesentlichen kreisförmigen Querschnitt auf; es sei aber
darauf hingewiesen, daß grundsätzlich jede beliebige
andere Querschnittsform, falls es beispielsweise kon
struktionsbedingt nötig ist, verwendet werden kann.
Um der infolge der Erhöhung der Viskosität bei hohen
Temperaturen zunehmenden Labilität der Vorrichtung noch
stärker entgegenwirken zu können und auch dabei eine
hinreichend stabile Konstruktion zu erhalten, ist vor
teilhafterweise zwischen den beiden Endplatten eine
Mehrzahl von die Stützen und das Verbindungselement im
wesentlichen quer verbindenden Querriegeln vorgesehen.
Die Querriegel können dabei, das oder die Verbindungs
elemente zwischen sich in einem Abstand einschließend,
im wesentlichen parallel zu einem durch die Vorrichtung
aufgenommenen Wafer gebogen sein. Es ist aber auch möglich,
die einzelnen Abschnitte des Querriegels zwischen
der Stütze und einem Verbindungselement, zwischen zwei
benachbarten Verbindungselementen und dem auf der anderen
Seite anschließenden Abschnitt des Querriegels zwischen
einem Verbindungselement und einer Stütze jeweils
durch im wesentlichen ebene Flächen aufweisende Quer
riegelabschnitte zu bilden.
Der Querriegel selbst ist gemäß einer weiteren vorteil
haften Ausgestaltung der Erfindung aus einer
Flachmaterialstrebe ausgebildet, wobei eine beliebige,
geeignet wählbare Mehrzahl an Querriegeln, je nach Ab
hängigkeit von der Länge der Vorrichtung insgesamt,
zwischen den Stützen und dem Verbindungselement bzw. den
Verbindungselementen angeordnet sein kann.
Vorzugsweise sind die zu einem Abstütz-Untergrund wei
senden Seiten der Stützen im Querschnitt abgerundet, was
beispielsweise dann sinnvoll ist, wenn die Vorrichtung
in ein Quarzglasrohr eingeschoben sich auf der konvexen
Innenfläche des Quarzglasrohres abstützt und dies nicht
beschädigt werden soll. Es sei auch darauf hingewiesen,
daß es grundsätzlich möglich ist, die Stützen in einer
beliebigen Form auszubilden, die im Querschnitt rechteckige
Ausbildung mit den schmalen Querschnittseiten auf
einem Untergrund abgestützt schafft jedoch verhältnismäßig
hohe Stabilität auch bei einer hohen Behandlungstemperatur
der Wafer.
Die Schlitze in den Verbindungselementen und in den
Stützen werden nach ihrer Fertigstellung mittels span
abhebender Bearbeitung eingebracht, z. B. durch Fräsen
oder Schleifen. Zwangsweise bildet sich dabei ein gewisser
Grat an den Kanten der Schlitze. Einher mit dem
Schleifen der Schlitze geht eine verhältnismäßig rauhe
Ausbildung der Oberfläche der Schlitze nach ihrer Fertig
stellung. Um den Grat und die rauhe Oberfläche, die
infolge der Beschädigungsmöglichkeit sehr nachteilig für
die Halterung der Wafer in den Schlitzen wäre, zu be
seitigen, weisen die Schlitze im Verbindungselement bzw.
in den Verbindungselementen und in den Stützen eine
flammenpolierte Oberfläche auf, wobei im Zuge des
Flammenpolierverfahrens die scharfen Kanten der Schlitze
zur Oberfläche des Verbindungselements bzw. zur Stütze
und der sich daran ursprünglich befindliche Grat gebrochen
bzw. entfernt werden. Gleichzeitig wird auch die
Oberfläche der Schlitze durch geringfügiges Anschmelzen
des Glases poliert.
In typischen thermischen Behandlungsöfen für Wafer ist
zur Schaffung einer hochreinen Quarzglasatmosphäre in
der Regel ein Quarzglasrohr mit kreisförmigem Durchmesser
vorhanden, in das die hier beschriebene Vorrichtung
zusammen mit den darauf angeordneten Wafern hineingesetzt
wird. Für das Hineinsetzen der Vorrichtung sind
unterschiedliche Einfahrsysteme vorhanden, die in ver
tikaler Richtung zum Anheben und Absenken der Vorrichtung
im Quarzglasrohr geeignet sind. Zu diesem Zweck
dient bei einer weiteren Ausgestaltung der Vorrichtung
zu ihrer Unterstützung für die Überführung an einen Be
handlungsort die Unterseite von wenigstens zwei voneinander
beabstandeten Verbindungselementen, an die sich
beispielsweise eine vertikal bewegbare Trägereinrichtung
eines Einfahrsystems anschmiegen kann.
Bei einer weiteren Ausgestaltung der Vorrichtung weisen
schließlich die Endplatten an ihrer unteren Stirnseite
zwei seitliche Vorsprünge auf, zwischen denen sich eine
Trägereinrichtung, die auch in diesem Fall im wesentlichen
vertikal hin und her bewegbar ist, abstützen
kann.
Aus der DE-Gbm 80 21 868 ist eine Trägerhorde für Wafer
bekannt, die querverlaufende Traversen in Form zweier
Quarzglasrohre aufweist, die in den Endbereichen der
dort längsverlaufenden unteren Stäbe angeordnet sind.
Infolge der gleichen Ausbildung wie die längsverlaufenden
Streben weisen diese ein in etwa gleiches Viskositäts-
und damit gleiches Verformungsverhältnis auf wie
die längsverlaufenden Verbindungselemente mit der Folge
einer nachteiligen Verformung bei den hohen Behandlungs
temperaturen für Wafer.
Aus der US-PS 40 53 294 ist eine Vorrichtung bekannt,
die aus einer Mehrzahl von einzelnen stabförmigen Ver
bindungselementen mit quadratischem Querschnitt besteht.
Diese Vorrichtung weist weder Endplatten noch zwischen
den Endplatten verlaufende, im wesentlichen rechteckige
Stützen auf.
Aus der EP-A-00 56 326 ist schließlich eine Vorrichtung
bekannt, mit der Wafer beschichtet werden sollen, und
zwar in einem halb- oder vollzylindrischen Quarzglas
behälter, der an seinem oberen Ende bei halbzylindrisch
ausgeführter Form Führungen aufweist, die geeignet ge
schlitzt ausgebildet sind. Am Boden des halbkreisförmig
ausgebildeten Teils ist ebenfalls eine Schiene angeordnet,
die entsprechend ausgebildete Schlitze aufweist, so
daß ein in das halbkreisförmige Teil eingestellter Wafer
auf der Bodenschiene in dem dortigen Schlitz sitzt und
in den Schlitzen der beidseitigen Führungen abgestützt
wird. Das Vorrichtungsteil zur Beschichtung der Wafer
besteht somit aus einem Halbrohr, das im Falle des Be
schichtungsvorganges mit einem oberen Halbrohr abgedeckt
wird.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die nach
folgenden schematischen Zeichnungen näher erläutert.
Darin zeigt:
Fig. 1 einen Schnitt entlang der Linie A-A von Fig. 3 durch
eine sich in einem kreisförmigen Quarzglasrohr
befindliche Vorrichtung in der Ansicht auf
eine Endplatte der Vorrichtung,
Fig. 2 eine Darstellung wie in Fig. 1 im Ausschnitt,
mit einer gegenüber der Darstellung von Fig. 1
unterschiedlich ausgebildeten Trägereinrichtung
eines Einfahrsystems,
Fig. 3 eine Draufsicht auf die Vorrichtung in einem
gegenüber der Darstellung von Fig. 1 und 2 ver
kleinerten Maßstab,
Fig. 4 einen Teilschnitt entlang der Linie B-B von
Fig. 1 und
Fig. 5 im Schnitt eine Detailansicht der Schlitze zur
Aufnahme der Wafer.
Die Vorrichtung 10, vgl. insbesondere dazu Fig. 3, be
steht im wesentlichen aus zwei voneinander parallel
beabstandeten Endplatten 16, 17 und, bei der hier be
schriebenen Ausführungsform, aus zwei stangenförmigen
Verbindungselementen 18, 19, die im wesentlichen vonein
ander beabstandet und im wesentlichen rechtwinklig mit
ihren Stirnseiten mit den Endplatten 16 und 17 verbunden
sind. Darüber hinaus besteht die Vorrichtung 10 aus zwei
jeweils dem einen und dem anderen Verbindungselement 18,
19 benachbarten Stützen 14, 15, die ebenfalls stangenför
mig ausgebildet sind und, ebenso wie die Verbindungsele
mente 18, 19, im wesentlichen rechtwinklig mit ihren
Stirnflächen an die Endplatten 16, 17 angeschlossen sind.
Sowohl die Verbindungselemente 18, 19 als auch die Stüt
zen 14, 15 sind mit einer Mehrzahl von Schlitzen 20, 21
versehen, wobei jeweils ein zueinander gehöriges Schlitz
quartett, bestehend aus zwei Schlitzen 20 in den beiden
Stützen 14, 15 und Schlitzen 21 in den beiden Verbin
dungselementen 18, 19, zu den Endplatten 16, 17 einen
gleichen Abstand haben, vgl. dazu auch die Darstellung
von Fig. 4. Auf diese Weise wird eine jeweils aus dem
vorbezeichneten Schlitzquartett bestehende Mehrzahl von
Aufnahmen für Halbleiterscheibchen 11 (Wafer) geschaffen,
die im wesentlichen parallel zueinander beabstandet dann
auf der Vorrichtung 10 angeordnet werden können. Die An
zahl der Schlitzquartette pro Vorrichtung 10 wird im we
sentlichen durch die Länge des thermischen Behandlungs
ofens bzw. durch die Länge des darin aufgenommenen Quarz
glasrohres 12 bestimmt und kann auf geeignete Weise be
liebig lang festgelegt werden.
Die Wafer 11 sind in der Regel in Form von Kreisscheiben
ausgebildet, wie es in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist.
Bei kreisförmig ausgebildeten Wafern 11 weisen die beiden
stangenförmigen Verbindungselemente 18, 19 eine im we
sentlichen gleiche Schlitztiefe, gerechnet vom Mittel
punkt 22 eines darin aufgenommenen kreisförmig ausgebil
deten Wafers 11 auf. Ebenso sind die beiden den
stangenförmigen Verbindungselementen 18, 19 außen benach
barten Stützen 14, 15 mit Schlitzen einer Schlitztiefe
versehen, die gerechnet vom Mittelpunkt 22 des kreisför
mig ausgebildeten Wafers 11 eine gleiche Schlitztiefe
aufweisen. Bei dem in den Figuren dargestellten Ausfüh
rungsbeispiel ist die Schlitztiefe der Stützen 14, 15
dabei geringfügig größer als die Schlitztiefe der stan
genförmigen Verbindungselemente 18, 19. Dadurch wird er
reicht, daß ein in die Schlitze 21 der Verbindungsele
mente 18, 19 eingestellter Wafer 11 sich mit seinem Ge
wicht voll auf den Verbindungselementen 18, 19 abstützen
kann, während die in den beiden benachbarten Stützen 14,
15 ausgebildeten Schlitze den Wafer 11 lediglich seitlich
stabilisieren, ohne daß in die Stützen 14, 15 eine vom
Gewicht des Wafers 11 herrührende relevante Kraft einge
leitet wird. Bei einer plastischen Verformung infolge der
hohen Behandlungstemperatur dient die geringere Schlitz
eindringtiefe des Wafers 11 in die Schlitze 20 der Stüt
zen 14, 15 zudem als Toleranzpuffer.
Zwischen den beiden Endplatten 16, 17 ist eine Mehrzahl
von die Stützen 14, 15 und die Verbindungselemente 18, 19
im wesentlichen quer verbindenden Querriegeln 23 vorgese
hen. Die Querriegel sind dabei als Flachmaterialstreben
ausgebildet und, vgl. Fig. 1, geringfügig in ihrer Fläche
um einen gedachten Mittelpunkt 22 eines von der Vorrich
tung 10 aufgenommenen kreisförmigen Wafers gewölbt. Die
Verbindungselemente 18, 19 sind dabei derart mit den
Querriegeln 23 verbunden, daß ein bestimmter Bereich ei
ner Unterseite 24, 25 der Verbindungselemente 18, 19 in
vertikaler Richtung, vgl. Fig. 1, frei bleibt. Die Quer
riegel 23 sind an die im wesentlichen mit rechteckigem
Querschnitt ausgebildeten Stützen 14, 15 seitlich ange
schlossen, und zwar an die breite Seite des Querschnitts
der jeweiligen Stütze. Die Stützen 14, 15 sind dabei mit
ihrer im Querschnitt schmalen Seite, die einem Abstützun
tergrund 13 gegenübersteht, abgerundet. Von einer
gedachten, im wesentlichen durch den Mittelpunkt 22 eines
in die Vorrichtung 10 eingestellten kreisförmig ausgebil
deten Wafers 11 durchgehenden Vertikallinie sind die
Stützen 14, 15 mit ihren breiten Längsseiten in einem
spitzen Winkel nach unten auseinandergehend geneigt.
Es sei hervorgehoben, daß die Schlitze 20, 21 auch darauf
ausgebildet sein können, daß die Wafer 11 mit ihren
Flächen unter verschiedenen geeigneten Winkeln darin auf
genommen werden können, die von einem rechten Winkel re
lativ zur Stütze 14, 15 bzw. zum Verbindungselement 18,
19 abweichen.
1n den Fig. 1 und 2 sind zwei unterschiedliche Möglich
keiten der Abstützung der Vorrichtung 10 auf einem Ein
fahrsystem in einem Quarzglasrohr 12 kreisförmigen Quer
schnitts gezeigt. Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausfüh
rungsform stützt sich eine im wesentlichen vertikal hin
und her bewegbare, im Querschnitt gebogene plattenförmige
Trägereinrichtung 30 auf der querriegelfreien Unterseite
24, 25 der Verbindungselemente 18, 19 ab, vgl. die ge
strichelte Trägereinrichtung 30 in vertikal angehobener
Stellung. In dieser angehobenen Stellung wird die Vor
richtung 10 in das Quarzglasrohr 12 hineintransportiert
und dann abgesenkt, wenn sie an geeigneter Stelle im
Quarzglasrohr 12 positioniert ist.
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 stützt sich die im
Querschnitt gebogene plattenförmige Trägereinrichtung 30
des Einfahrsystems an Vorsprüngen 28, 29 ab, die an
den in vertikaler Richtung unteren Stirnseiten 26, 27 der
Endplatten ausgebildet sind.
Die Stützen 14, 15 und die Verbindungselemente 18, 19,
können zwischen den sie beidseitig begrenzenden Endplat
ten 16, 17 zudem mit einer Mehrzahl querverlaufender
Streben 31 zur Vergrößerung der Stabilität versehen sein.
Alle Elemente der Vorrichtung 10 bestehen aus Quarzglas.
Alle Elemente, die die Vorrichtung 10 bilden, sind zudem
durch Schweißverbindungen miteinander verbunden. Auf die
se Weise wird eine Vorrichtung 10 zur Aufnahme von Wafern
11 geschaffen, die selbst bezüglich ihres dazu verwende
ten Werkstoffs Halbleiterqualität aufweist. Auf diese
Weise wird eine bei der thermischen Behandlung von Wafern 11
geforderte hochreine Quarzglasatmosphäre sichergestellt.
Claims (8)
1. Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen
(11) während einer thermischen Behandlung, beispiels
weise in einem Quarzglasrohr, umfassend einen sich im
wesentlichen auf einem Untergrund am Behandlungsort über
Stützen (14, 15) abstützenden, beidseitig durch End
platten (16, 17) in Längsrichtung begrenzten Träger
körper, auf dem im wesentlichen flächenparallel voneinander
beabstandet die Halbleiterscheibchen (11) aufnehmbar
sind, wobei die Stützen (14, 15) von der einen zur anderen
Endplatte (16, 17) verlaufend angeordnet sind, mit
einer Mehrzahl im wesentlichen zueinander paralleler
Schlitze (20) zur stützenden Aufnahme der Halbleiter
scheibchen (11) versehen sind und zwischen den End
platten (16, 17) wenigstens ein stangenförmiges Verbin
dungselement (18, 19) vorgesehen ist, das mit einer Mehr
zahl im wesentlichen zueinander beabstandeter paralleler
Schlitze (21) zur stützenden Aufnahme der Halbleiter
scheibchen (11) versehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stützen (14, 15) in Längsrichtung und in Quer
richtung einen im wesentlichen rechteckigen Querschnitt
aufweisen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die im stangenförmigen Verbindungselement (18, 19)
und den beiden beidseitig dazu verlaufenden Stützen
(14, 15) ausgebildeten Schlitze (20, 21) eine im wesent
lichen gleiche Schlitztiefe, gerechnet vom Mittelpunkt
(22) eines darin aufgenommenen kreisförmig ausgebildeten
Halbleiterscheibchens (11), aufweisen.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Verbindungselement (18, 19) einen im
wesentlichen kreisförmigen Querschnitt aufweist.
4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden
Endplatten (16, 17) eine Mehrzahl von die Stützen (14, 15)
und das Verbindungselement (18, 19) im wesentlichen quer
verbindenden Querriegeln (23) vorgesehen sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Querriegel (23) aus einer Flachmaterialstrebe
gebildet wird.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zu einem Abstütz-
Untergrund (13) weisende Seite der Stützen (14, 15)
im Querschnitt abgerundet ist.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schlitze (20, 21)
im Verbindungselement (18, 19) und in den Stützen (14, 15)
eine flammenpolierte Oberfläche aufweisen.
8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Endplatten (16, 17)
an ihrer unteren Stirnseite (26, 27) zwei seitliche
Vorsprünge (28, 29) aufweisen, zwischen denen sich eine
Trägereinrichtung (30) abstützen kann.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883829159 DE3829159A1 (de) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | Vorrichtung zur aufnahme von halbleiterscheibchen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883829159 DE3829159A1 (de) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | Vorrichtung zur aufnahme von halbleiterscheibchen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3829159A1 DE3829159A1 (de) | 1990-03-08 |
DE3829159C2 true DE3829159C2 (de) | 1993-08-05 |
Family
ID=6361751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883829159 Granted DE3829159A1 (de) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | Vorrichtung zur aufnahme von halbleiterscheibchen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3829159A1 (de) |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
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US5582649A (en) * | 1996-02-29 | 1996-12-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Wafer transfer apparatus for use in a film deposition furnace |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5068775A (de) * | 1973-10-19 | 1975-06-09 | ||
US4053294A (en) * | 1976-05-19 | 1977-10-11 | California Quartzware Corporation | Low stress semiconductor wafer carrier and method of manufacture |
DE8021868U1 (de) * | 1980-08-16 | 1981-01-29 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Traegerhorde fuer halbleiterscheiben |
CA1158109A (en) * | 1981-01-14 | 1983-12-06 | George M. Jenkins | Coating of semiconductor wafers and apparatus therefor |
-
1988
- 1988-08-27 DE DE19883829159 patent/DE3829159A1/de active Granted
Also Published As
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DE3829159A1 (de) | 1990-03-08 |
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Legal Events
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D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |