DE60141796D1 - Verfahren und Vorrichtung zur Ladungsträgerstrahlbelichtung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur LadungsträgerstrahlbelichtungInfo
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DE10241433B4 (de) * | 2002-09-04 | 2008-04-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Steuerschaltung zum Steuern einer Elektronenemissionsvorrichtung |
JP4614696B2 (ja) * | 2004-06-24 | 2011-01-19 | Hoya株式会社 | グレートーンマスクの製造方法 |
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US6498349B1 (en) * | 1997-02-05 | 2002-12-24 | Ut-Battelle | Electrostatically focused addressable field emission array chips (AFEA's) for high-speed massively parallel maskless digital E-beam direct write lithography and scanning electron microscopy |
WO1998048443A1 (en) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Etec Systems, Inc. | Multi-beam array electron optics |
JP4077933B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2008-04-23 | キヤノン株式会社 | マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 |
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