DE60127053T2 - Halbleiterbauelement mit einer abstrahlenden Platte und Harzwänden - Google Patents

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Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement und ein Herstellungsverfahren dafür und insbesondere ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip, der an eine abstrahlende Platte gebunden und mit Harz versiegelt ist [harzversiegeltes Gehäuse, das mit einer abstrahlendes Platte ausgestattet ist (Kunststoffgehäuse)], und ein Herstellungsverfahren dafür.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • In einem Transistor für hohe Leistung wird im allgemeinen eine aus Kupfer oder ähnlichem gefertigte abstrahlende Platte verwendet, um die Wärmeableitungs- bzw. abstrahlungseigenschaft zu verbessern, weil der Transistor einen hohen Heizwert erzeugt. Ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip, der an eine derartige abstrahlende Platte gebunden ist und mit Harz versiegelt ist, oder ein harzversiegeltes Gehäuse, das mit der abstrahlenden Platte (Kunststoffgehäuse) ausgestattet ist, hat eine Struktur wie zum Beispiel in 1 gezeigt. 1 ist eine teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht eines herkömmlichen harzversiegelten Gehäuses, das mit einer abstrahlenden Platte ausgestattet ist.
  • Ein in 1 gezeigtes Halbleiterbauelement 10 ist ein harzversiegeltes Gehäuse, das mit einer abstrahlenden Platte 2 ausgestattet ist, das einen Halbleiterchip 1, die abstrahlende Platte 2, einen Anschluß 3 und ein Versiegelungsharz 5 aufweist. Die abstrahlende Platte 2 wird aus einer Metallplatte, wie etwa Kupfer und seinen Legierungen, ausgebildet, die mit Silber oder ähnlichem plattiert wird. Der Anschluß 3 wird ausschließlich durch einen Anschlußrahmen ausgebildet. Das Versiegelungsharz 5 ist ein wärmehärtendes Harz, wie etwa Epoxidharz oder ähnliches. Der Halbleiterchip 1 ist ein Transistor für hohe Leistung.
  • Das Halbleiterbauelement 10 wird im allgemeinen wie folgt hergestellt. Der Halbleiterchip 1 wird auf die abstrahlende Platte 2 gesetzt und gebunden, und die auf seiner Bindungsoberflächenseite ausgebildete (nicht gezeigte) Elektrode des Halbleiterchips 1 wird mit der abstrahlenden Platte 2 elektrisch verbunden. Auf der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 1 vorgesehene Elektroden 6 werden durch Kontaktdrähte 7 mit dem inneren Anschlußteil 3a des Anschlusses 3 verbunden. Danach werden diese in eine Metallform gegeben, wobei die mit dem Halbleiterchip 1 versehene Fläche der abstrahlenden Platte 2 und deren Umfang in dem Hohlraum der Metallform aufgenommen werden, und das Versiegelungsharz 5 hineingefüllt und geschmolzen wird.
  • Das Halbleiterbauelement 10 hat auf diese Weise eine Struktur, in der das Versiegelungsharz 5 in das Gehäuse gefüllt ist, und der Halbleiterchip 1, die Kontaktdrähte 7 und der innere Anschlußteil 3a dicht in das Versiegelungsharz 5 eingepaßt sind und mit dem Versiegelungsharz 5 bedeckt sind. Der äußere Anschlußteil 3b des Anschlusses 3 steht aus dem Gehäuse vor, um einen äußeren Anschluß zu bilden.
  • Die abstrahlende Platte 2 weist häufig Schraublöcher 4 zum Befestigen des Halbleiterbauelements 10 an einem Aluminiumbaugruppenträger bei der Montage des Halbleiterbauelements auf.
  • Ein herkömmliches Keramikgehäuse wird unter Bezug auf 2 beschrieben. 2 ist eine teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht eines herkömmlichen Keramikgehäuses, das mit einer abstrahlenden Platte versehen ist.
  • Ein in 2 gezeigtes Halbleiterbauelement 11 hat ein Keramikgehäuse, das mit einer abstrahlenden Platte 2 ausgestattet ist, die einen Halbleiterchip 1, die abstrahlende Platte 2, einen Anschluß 3, einen Keramikrahmen 8 und einen Keramikdeckel 9 aufweist.
  • Der Keramikrahmen 8 wird, wie in 2 gezeigt, an die Mitte der Hauptoberfläche der abstrahlenden Platte 2 gelötet. Zwei Anschlüsse 3 werden einander gegenüberliegend an die obere Oberfläche des Keramikrahmens 8 gelötet. Die Anschlüsse 3 werden derart an den Keramikrahmen 8 gelötet, daß einseitige Enden (innere Anschlußteile 3a) der Anschlüsse 3 und die anderen Enden (äußere Anschlußteile 3b) jeweils ins Innere und Äußere des Keramikrahmens 8 vorstehen. Der Halbleiterchip 1 wird auf die von dem Keramikrahmen 8 umgebene Fläche der abstrahlenden Platte 2 gesetzt und gebunden, und die auf seiner Bindeoberflächenseite (nicht gezeigte) Elektrode des Halbleiterchips 1 wird elektrisch mit der abstrahlenden Platte 2 verbunden. Elektroden 6 auf der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 1 werden durch Kontaktdrähte 7 mit den inneren Anschlußteilen 3a der Anschlüsse 3 verbunden. Der Keramikdeckel 9 wird an dem oberen Ende des Keramikrahmens 8 befestigt, um den Halbleiterchip 1, die Kontaktdrähte 7 und die inneren Anschlüsse 3a luftdicht zu versiegeln. Nämlich werden der Halbleiterchip 1, die Kontaktdrähte 7 und die inneren Anschlüsse 3a luftdicht in der hohlen Struktur, die durch die abstrahlende Platte 2, den Keramikrahmen 8 und den Keramikdeckel 9 gebildet wird, versiegelt.
  • Das herkömmliche harzversiegelte Gehäuse, das mit der abstrahlenden Platte ausgestattet ist, hat jedoch die folgenden Probleme.
  • Das harzversiegelte Gehäuse, das mit der abstrahlenden Platte ausgestattet ist, wird für ein Halbleiterelement mit einem hohen Heizwert, wie etwa einen in einem analogen Verstärker verwendeten Leistungs-MOSFET oder ähnliches, verwendet. Die Temperatur der Chipoberfläche wird häufig durch die Wärme erhöht, die in dem Hochleistungsbetrieb des Halbleiterelements erzeugt wird, so daß das dicht an die Chipoberfläche angepaßte Versiegelungsharz sich verschlechtert oder abgelöst wird, was das Problem hervorruft, daß die Zuverlässigkeit des Halbleiterbauelements durch eine Änderung seiner wesentlichen Eigenschaften verschlechtert wird.
  • Da die Halbleiterchipoberfläche und die Kontaktdrähte mit dem Versiegelungsharz bedeckt sind, wird auf der Grundlage des Versiegelungsharzes als eine dielektrische Schicht eine parasitäre Kapazität erzeugt. Die Störung der parasitären Kapazität verursacht häufig die Verschlechterung der wesentlichen Eigenschaften, zum Beispiel in dem Hochfrequenzband von 1 GHz oder mehr. Folglich entsteht das Problem der Verschlechterung von Hochfrequenzeigenschaften in der Verwendung für Mikrowellen.
  • Die Verwendung des Keramikgehäuses ist frei von derartigen Problemen, erfreut sich jedoch nicht dem charakteristischen Vorteil des harzversiegelten Gehäuses wie weiter unten beschrieben.
  • Herkömmlicherweise wurde vom Gesichtspunkt der Zuverlässigkeit aus ein Metallgehäuse, ein Keramikgehäuse und ähnliches für den Transistor für hohe Leistungen verwendet, aber es ist erwünscht, unter Verwendung eines harzversiegelten Gehäuses (Kunststoffgehäuses), das aus einem kostengünstigen und äußerst ergiebigen Gießharz gefertigt ist, ein Gehäuse zu realisieren, das für den Transistor für hohe Leistungen hinreichend zuverlässig ist.
  • Das Keramikgehäuse kann im Vergleich mit dem harzversiegelten Gehäuse sicherlich eine hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistung realisieren. Jedoch erfordert das Keramikgehäuse einschließlich Materialien hohe Herstellungskosten im Vergleich zu dem harzversiegelten Gehäuse.
  • Der anpaßbare oder auswählbare Bereich für den Wärmeausdehnungskoeffizienten ist bei Keramikmaterialien im Vergleich zu Harzmaterialien schmal. Daher sind die Materialien anderer das Halbleiterbauelement bildenden Elemente (Metall, Halbleiter und ähnliche), die verwendet werden können, auf einen schmalen Bereich beschränkt, oder die Verbesserung der Zuverlässigkeit durch das Abstimmen des Wärmeausdehnungskoeffizienten ist schwer zu erreichen.
  • Teure Materialien, wie etwa Wolframkupfer, Molybdänkupfer und ähnliche, neigen dazu, den Materialien zu entsprechen, deren Wärmeausdehnungskoeffizient auf die Keramik materialien abgestimmt ist, und der auswählbare Bereich an Materialien ist zu schmal, um ein kostengünstiges Material auszuwählen. Die Materialkosten steigen auch in diesem Punkt.
  • Gegenwärtig, wenn das harzversiegelte Gehäuse die hauptsächliche Keilverbindung wird, sind Hersteller mit Keramikgehäuseverfahren und Einrichtungen dafür wenige und spezialisiert im Vergleich zu Herstellern mit Harzgießverfahren und Einrichtungen dafür. Wenn das harzversiegelte Gehäuse daher in Bezug auf das Halbleiterbauelement, in dem herkömmlicherweise das Keramikgehäuse angepaßt wurde, eingewechselt werden kann, kann eine Kostenreduzierung in großem Maßstab erwartet werden.
  • Es ist erwünscht, die Anwendung des harzversiegelten Gehäuses auf die Verwendung für den Transistor für hohe Leistung oder ähnliche auszudehnen, was der Schwachpunkt des harzversiegelten Gehäuses war, um ein Halbleiterbauelement, wie etwa einen Transistor für hohe Leistung, für den eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich ist, unter Verwendung von kostengünstigen und äußerst ergiebigen Harzgußgehäuseverfahren kostengünstig zur Verfügung zu stellen.
  • US-A-4 649 460 offenbart ein Halbleiterbauelement gemäß dem ersten Teil von Patentanspruch 1, der ein Isoliergehäuse betrifft, das auf einem Metallrahmen mit elektrischen Kontakten vorgeformt ist, das einen Innenraum mit einem Halbleiterchip enthält, der auf einem Wärmeableiter lagert und mit den elektrischen Kontakten verbunden ist. Der Innenraum des Gehäuses ist oben mit einem Deckel verschlossen, der mit einer seitlichen Verlängerung mit einem gebogenen Ende versehen ist, der nicht nur als ein Deckel, sondern auch als eine Einrichtung zum Befestigen und Schieben des Gehäuses in Richtung einer Halteoberfläche arbeitet.
  • JP 06021303 betrifft einen Anschlußrahmen für ein Halbleiterbauelement, und dessen Herstellung offenbart Maßnahmen, um das Abfallen einer Anschlußelektrode von einer Harzform zu verhindern, indem durch Ätzen oder Drücken min destens ein Lochteil in der Nähe einer Stichkontaktierung eines Anschlußrahmens ausgebildet wird.
  • US-4 510 677 betrifft ein Gehäuse, das hergestellt und möglicherweise in einem halbfertigen Zustand gelagert wird, das Verbindungsansätze aufweist, die flach angeordnet sind, nachdem sie in einem Block aus Kunststoffmaterial verschlossen wurden. US-4 510 677 offenbart ferner, daß nur dann, wenn notwendig, Ansätze in eine gewünschte Form ausgeschnitten und gebohrt werden und dann, wenn notwendig, nach oben gebogen werden. Um dieses Biegen zu erleichtern, wird dafür gesorgt, daß der Block Seiten aufweist, die relativ zu der vertikalen Linie der Ränder einer Grundplatte vertieft sind.
  • Die vorliegende Erfindung hat eine Aufgabe, ein in der Zuverlässigkeit und Leistung verbessertes Halbleiterbauelement aus einem harzversiegelten Gehäuse, das mit einer abstrahlenden Platte ausgestattet ist, und ein Herstellungsverfahren dafür zur Verfügung zu stellen. Ferner hat die vorliegende eine andere Aufgabe, das harzversiegelte Gehäuse auf einen Transistor für hohe Leistung anzuwenden, um diesen kostengünstig bereitzustellen.
  • Insbesondere hat die vorliegende Erfindung die folgenden Aufgaben:
    die Zuverlässigkeit im Hochleistungsbetrieb zu verbessern;
    die wesentlichen Eigenschaften im Hochfrequenzbetrieb zu verbessern;
    die Haftung eines Harzelements an einer abstrahlenden Platte zu verbessern;
    die Haftung des Harzelements an einem Anschluß zu verbessern;
    die Luftdichtigkeit und die Widerstandsfähigkeit gegen Feuchtigkeit zu verbessern, insbesondere das Eindringen von Feuchtigkeit, Flußmittel, geschmolzenem Lot, ätzendem Gas oder ähnlichem von der Grenzfläche des Anschlusses und des Harzelements zu verhindern;
    die von einem äußeren Anschluß an einen Harzgehäusekörper weitergeleitete Spannung in dem Ausschnitt eines Anschlußrahmens oder beim Montieren des Halbleiterbauelements zu mildern, um die Bindekraft zwischen dem Anschluß und dem Harzelement zu erhalten;
    die für äußeres Plattieren erforderlichen Kosten zu verringern, während die äußere Korrosionsbeständigkeit des Halbleiterbauelements durch die Plattierung erhalten bleibt;
    das Montieren im Gehäuse zu erleichtern und die Montagegenauigkeit zu verbessern; und
    die Wölbung des Harzelements durch eine Temperaturänderung zu verringern.
  • Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der Vorrichtung von Anspruch 1 und das Verfahren von Anspruch 10 gelöst.
  • Das Halbleiterbauelement gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß Vertiefungen auf entgegengesetzten seitlichen Oberflächen der abstrahlenden Platte bereitgestellt werden, wobei auf den inneren Oberflächen der Vertiefungen vorstehende Teile bereitgestellt werden und ein unterer Endteil der Harzwand in den Vertiefungen vergraben ist.
  • Ein Halbleiterbauelement gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß in einem Halbleiterbauelement gemäß der ersten oder zweiten Erfindung Löcher in den äußeren Positionen der Harzwand auf dem leitenden Element bereitgestellt werden.
  • Da die Löcher gemäß dem Halbleiterbauelement dieser Ausführungsform der Erfindung in den äußeren Positionen der Harzwand auf dem leitenden Element bereitgestellt werden, wird die Steifheit des leitenden Elements in den Positionen mit derartigen Löchern verringert, so daß die sich von dem äußeren Anschluß zu dem Harzgehäusekörper ausbreitende Spannung in dem Ausschnitt des Anschlußrahmens oder bei der Montage des Halbleiterbauelements gemildert werden kann. Folg lich kann die Bindekraft des leitenden Elements an dem Harzelement vorteilhafterweise erhalten werden.
  • Ein Flußmittel oder geschmolzenes Lot dringen häufig an die Bindegrenzfläche des Harzes und des leitenden Elements und ferner durch die Bindegrenzfläche in das Gehäuse ein. Gemäß dieser Ausführungsform der Erfindung kann der Fluß des Flußmittels oder des geschmolzenen Lots, die über das leitende Element außerhalb des Gehäuses auf die äußere Oberfläche des Gehäuses (die äußere Oberfläche der Harzwand) laufen, durch die in den äußeren Positionen der Harzwand auf dem leitenden Element bereitgestellten Löcher vollständig oder teilweise unterbunden werden. Nämlich kann im Vergleich zu dem Gehäuse ohne Loch vorteilhafterweise verringert werden, daß das Flußmittel oder das geschmolzene Lot, das auf dem leitenden Element außerhalb des Gehäuses fließt, den Bindeteil des leitenden Elements an der Harzwand erreicht. Folglich kann das Eindringen des Flußmittels oder des geschmolzenen Lots in die Bindegrenzfläche des Harzes und des leitenden Elements und durch die Bindegrenzfläche weiter in das Gehäuse vorteilhafterweise verringert werden.
  • Ein Halbleiterbauelement gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß in einem Halbleiterbauelement gemäß des ersten oder zweiten Aspekts der Erfindung erste Löcher in den äußeren Positionen der Harzwand auf dem leitenden Element bereitgestellt werden und zweite Löcher oder Ausschnitte in dem Bereich, der sich durch die Harzwand des leitenden Elements erstreckt, bereitgestellt werden.
  • Gemäß dem Halbleiterbauelement der zweiten Ausführungsform der Erfindung kann durch die ersten Löcher der gleiche Vorteil wie in der ersten Ausführungsform bereitgestellt werden. Da das Harz, das die Harzwand bildet, teilweise in die zweiten Löcher oder Ausschnitte, die auf dem leitenden Element bereitgestellt werden, gefüllt und darin gehärtet wird, kann ferner das Abfallen des leitenden Elements durch die Verankerungswirkung verhindert werden, um die Haftstärke und die Bindestärke der Harzwand an dem leitenden Element vorteilhaft zu verbessern.
  • Da ferner die Bindegrenzfläche des Harzes und des leitenden Elements gemäß dem Halbleiterbauelement der zweiten Ausführungsform der Erfindung im Vergleich zu dem Fall ohne zweites Loch oder Ausschnitt verringert werden kann, so daß der Eindringweg der Feuchtigkeit, des Flußmittels, des geschmolzenen Lots, von korrosivem Gas oder ähnlichem von außen in das Gehäuse verschmälert oder verlängert werden kann, kann das Eindringen der Feuchtigkeit, des Flußmittels, des geschmolzenen Lots, von korrosivem Gas oder ähnlichem in die Bindegrenzfläche des Harzes und des leitenden Elements und weiter über die Bindegrenzfläche in das Gehäuse vorteilhaft verringert werden.
  • Ein Halbleiterbauelement gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Löcher in dem Halbleiterbauelement der zweiten Ausführungsform derart angeordnet werden, daß sie den Raumbereich der zweiten Löcher oder Ausschnitte überlappen, wenn das leitende Element von außerhalb der Harzwand in der Harzwandrichtung nach unten betrachtet wird.
  • Gemäß dem Halbleiterbauelement der dritten Ausführungsform der Erfindung kann der Eindringweg des Flußmittels oder des geschmolzenen Lots von außen in das Gehäuse weiter verschmälert oder verbreitert werden. Der Fluß des Fluids aus dem Flußmittel oder dem geschmolzenen Lot, der auf dem leitenden Element außerhalb des Gehäuses auf die äußere Oberfläche des Gehäuses (äußere Oberfläche der Harzwand) fließt, kann von den ersten Löchern aufgehalten werden, und selbst wenn das Flußmittel oder das geschmolzene Lot teilweise in den Raumbereich der ersten Löcher fließt und die äußere Oberfläche des Gehäuses (äußere Oberfläche der Harzwand) erreicht, kann das Eindringen des Flußmittels oder des geschmolzenen Lots auf die Bindegrenzfläche des Harzes und des leitenden Elements und über die Bindegrenzfläche weiter in das Gehäuse durch die zweiten Löcher oder Ausschnitte vorteilhaft verhindert werden.
  • Ein Halbleiterbauelement gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß es einen gestuften Teil bereitstellt, der in den Innenumfang der Harzwand auf dem Harzdeckel eingepaßt werden soll.
  • Das Halbleiterbauelement des vierten Aspekts der Erfindung hat den Vorteil, daß der Harzdeckel leicht und exakt auf die Harzwand gesetzt werden kann.
  • Ein Halbleiterbauelement gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Harzdeckel derart ausgebildet wird, daß er eine zu einer vertikalen Ebene symmetrische Form hat.
  • Gemäß dem Halbleiterbauelement des fünften Aspekts der Erfindung wird der gestufte Teil, der ebenensymmetrisch zu dem gestuften Teil ist, der in den Innenumfang der auf der unteren Oberfläche des Harzdeckels (innere Oberfläche des Gehäuses) bereitgestellten Harzwand eingepaßt werden soll, auf der oberen Oberfläche (äußere Oberfläche des Gehäuses) des Harzdeckels bereitgestellt. Daher hat der Schnitt vertikal zu der Ebenenrichtung des Harzdeckels eine gleiche Form, so daß die Wölbung des Harzdeckels durch eine Temperaturänderung vorteilhaft verringert werden kann.
  • Ein Halbleiterbauelement gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der von der Harzwand umgebenen abstrahlenden Platte durch Versilbern endbearbeitet wird, und die andere Oberfläche der abstrahlenden Platte, abgesehen von dem Teil zum Binden der Harzwand, und der innere Anschlußteil und der äußere Anschlußteil des leitenden Elements durch Vergolden oberflächenendbearbeitet wird.
  • Gemäß dem Halbleiterbauelement des sechsten Aspekts der Erfindung sind das Grundplattenmetall und die Grundplattenmetallisierung gegen Feuchtigkeit oder ähnliches durch die auf das Äußere aufgebrachte Goldmetallisierung geschützt, und die äußere Korrosionswiderstandsfähigkeit des Halbleiterbauteils kann vorteilhafterweise verbessert werden. Da die Oberfläche der von der Harzwand umgebenen ab strahlenden Platte nicht durch Vergolden, sondern durch Versilbern endbearbeitet wird, können die Kosten für die Metallisierung vorteilhafterweise verringert werden. Da der innere Anschlußteil und der äußere Anschlußteil des leitenden Elements durch Vergolden oberflächenendbearbeitet werden, kann die Widerstandsfähigkeit gegen Migration vorteilhaft verbessert werden. Als Ganzes kann die Zuverlässigkeit verbessert werden, während die Kosten verringert werden.
  • Da der Bereich, der das Innere der Harzwand der abstrahlenden Platte bildet, gemäß dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung durch die obere Preßform und die untere Preßform der Metallform eingespannt wird, kann die abstrahlende Platte durch die Einspannkraft vorteilhafterweise abgeflacht werden. Wenn der Endteil der abstrahlenden Platte in den Bereich vorsteht, der daß Äußere der Harzwand bildet, wird ein derartiger Endteil ebenfalls von der oberen Preßform und der unteren Preßform der Metallform eingespannt. Da die abstrahlende Platte, selbst wenn der Endteil der abstrahlenden Platte nicht in den Bereich vorsteht, der das Äußere der Harzwand bildet, in der Metallform zurückgehalten werden kann, kann in dem Herstellungsverfahren für das Halbleiterbauelement der Erfindung ein Verhalten, wie etwa das Gleiten der abstrahlenden Platte oder von etwas ähnlichem in der Metallform unterdrückt werden, und die abstrahlende Platte kann vorteilhafterweise durch die Einspannkraft abgeflacht werden.
  • Ein Herstellungsverfahren des Halbleiterbauelements gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist ferner die Schritte des Ausbildens einer abstrahlenden Platte durch eine andere Metallplatte als dem Anschlußrahmen und das Plattieren der abstrahlenden Platte und des leitenden Elements auf.
  • Ein Herstellungsverfahren des Halbleiterbauelements gemäß der achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist ferner die folgenden Schritte auf: als den Plattierungsschritt in dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbau elements des siebten Aspekts der Erfindung Galvanisieren der abstrahlenden Platte mit Silber; Galvanisieren des leitenden Elements mit Gold; und Galvanisieren des Bereichs, der das Äußere der Harzwand der abstrahlenden Platte bildet, mit Gold.
  • Gemäß den obigen Herstellungsverfahren kann das Halbleiterbauelement wirksam hergestellt werden. Da die abstrahlende aus einer anderen Metallplatte als dem verwendeten Anschlußrahmen ausgebildet wird, können der Anschluß und die abstrahlende Platte in dem elektrisch isolierten Zustand erzeugt werden, und der Anschlußrahmen und die abstrahlende Platte können unabhängig voneinander galvanisiert werden, insbesondere ohne in dem Metallisierungsverfahren eine Maske zu verwenden.
  • In der Vorrichtung und dem Verfahren der Erfindung wird das hohle Gehäuse aus der abstrahlenden Platte, der Harzwand und dem Harzdeckel gebildet, und die Formen der abstrahlenden Platte, des Anschlusses und des Harzdeckels, das Metallisierungsverfahren und ähnliches sind wie weiter oben beschrieben konzipiert, wobei das Montieren im Gehäuse vereinfacht wird und die Montagegenauigkeit verbessert wird. Das harzversiegelte Gehäuse wird auf einen Transistor für hohe Leistung oder ähnliches angewendet, wobei es kostengünstig aufgestellt werden kann.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht eines herkömmlichen harzversiegelten Gehäuses, das mit einer abstrahlenden Platte ausgestattet ist.
  • 2 ist eine teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht eines herkömmlichen Keramikgehäuses, das mit einer abstrahlenden Platte ausgestattet ist.
  • 3 ist eine teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauelements 12 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht einer abstrahlenden Platte 20, die das Halbleiterbauelement 12 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bildet.
  • 5 ist eine teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht des Halbleiterbauelements 12 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung von der Unterseite aus gesehen.
  • 6 ist ein Grundriß eines Anschlußrahmens 39, der für die Herstellung des Halbleiterbauelements 12 gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung verwendet wird.
  • 7A ist ein Grundriß eines Harzdeckels 50, der das Halbleiterbauelement 12 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bildet; 7B ist eine Seitenansicht davon, und 7C ist eine Vorderansicht davon.
  • 8A ist ein Grundriß des Halbleiterbauelements 12 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in dem Zustand, in dem der Harzdeckel 50 entfernt ist, 8B ist eine entlang der Linie A-A in 8A genommene Schnittansicht, die den Harzdeckel 50 zeigt, und 8C ist eine entlang der Linie B-B in 8A genommene Schnittansicht, die den Harzdeckel 50 zeigt.
  • 9A ist eine Schnittansicht einer Druckgießmetallform, die dem entlang der Linie A-A in 8A genommenen Schnitt entspricht, und 9B ist eine Schnittansicht der Druckgießmetallform, die dem entlang der Linie B-B in 8B genommenen Schnitt entspricht.
  • 10 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterbauelements 12 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Verlauf der Herstellung nach dem Freigeben aus der Form.
  • 11A bis 11D sind typische Ansichten, die das Beschichtungsverfahren für die Plattierung in der Herstellung des Halbleiterbauelements 12 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in der Reihenfolge der Schritte zeigen.
  • 12 ist ein Grundriß, der einen Anschlußrahmen in der zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • Das Halbleiterbauelement gemäß bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und sein Herstellungsverfahren werden unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen detaillierter beschrieben. Das Folgende zeigt lediglich ein Beispiel für die Erfindung und schränkt die Erfindung niemals ein.
  • Erste Ausführungsform
  • Die Struktur des Halbleiterbauelements 12 gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung wird unter Bezug auf 3–8 beschrieben. 3 ist eine teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht des Halbleiterbauelements 12 gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung.
  • Wie in 3 gezeigt, ist das Halbleiterbauelement 12 der Ausführungsform ein harzversiegeltes Gehäuse, das mit einer abstrahlenden Platte ausgestattet ist, das einen Halbleiterchip 1, eine abstrahlende Platte 20, einen Anschluß 30, eine Harzwand 40 und einen Harzdeckel 50 aufweist. Die Harzwand 40 und der Harzdeckel 50 werden aus einem wärmehärtenden Harz, wie etwa Epoxidharz oder ähnlichem ausgebildet. In der Ausführungsform ist der Halbleiterchip 1 ein Transistor für hohe Leistung.
  • Die abstrahlende Platte 20 besteht aus einer Kupferplatte, die mit Nickel, Silber und Gold beschichtet bzw. plattiert ist. Der Teil zum Kleben der Harzwand 40 auf die abstrahlende Platte 20 ist nicht plattiert, und das Harz wird direkt an die Kupferplatte gebunden. Die Oberfläche des äußeren Teils des Gehäuses (das Äußere der Harzwand 40) der abstrahlenden Platte 20 wird durch die Beschichtung mit einer Nickelmetallisierung und einer Silbermetallisierung auf die Kupfergrundplatte in dieser Reihenfolge und Vergolden der äußersten Oberfläche oberflächenbearbeitet. Die Oberfläche des Gehäuseinnenteils (die Innenseite der Harzwand 40) der abstrahlenden Platte 20 wird durch Plattieren der Kupfergrundplatte mit Nickel und Plattieren der Nickelmetallisierung mit Silber (äußerste Oberfläche) oberflächenendbearbeitet. Die abstrahlende Platte 20 hat Schraublöcher 4, die in beide dem Äußeren des Gehäuses entsprechende Endteile gebohrt sind. Die Schraublöcher 4 sind zum Befestigen des Halbleiterbauelements 12 an einem Grundplattenmaterial, wie etwa einem Aluminiumbaugruppenträger, durch Schrauben bei der Montage des Halbleiterbauelements 12.
  • 4 zeigt eine perspektivische Ansicht der abstrahlenden Platte 20. Die abstrahlende Platte 20 hat einen Endteil 21, einen Mittelteil 22 und einen Endteil 23 und vorstehende Teile 24. Der Mittelteil 22 hat im wesentlichen eine schichtartige rechteckige Form. In der Zeichnung wird die seitliche Richtung als Länge genommen, die vertikale Richtung wird als Breite genommen und die Tiefenrichtung wird als Dicke genommen. Die Endteile 21 und 23 sind integral und zusammenhängend auf beiden Längsenden des Mittelteils 22 ausgebildet. Die Endteile 21 und 23 sind breiter als der Mittelteil 22 und stehen von den seitlichen Oberflächen 22a des Mittelteils 22 auf beide seitlichen Seiten vor, um gestufte Oberflächen 21a und 23a zu bilden. Durch die gegenüberliegende gestufte Oberfläche 21a und die gestufte Oberfläche 23a und die seitliche Oberfläche 22a des Mittelteils 22 wird auf jedem der gegenseitig gegenüberliegenden Seitenteile der abstrahlenden Platte 20 ein vertiefter Teil ausgebildet. Drei vorstehende Teile 24, sechs insgesamt, stehen jeweils auf den seitlichen Oberflächen 22a, welche die inneren Oberflächen der vertieften Teile bilden, vor und werden dort bereitgestellt. Die vorstehenden Teile 24 stehen in die Breitenrichtung vor, aber ihre Spitzen sind in dem vertieften Teil untergebracht, ohne über die Endoberflächen der Endteile 21 und 23 in Querrichtung (vertikal zur Breitenrichtung) vorzustehen. Wie in 5 gezeigt, ist das untere Ende der Harzwand 40 in den vertieften Teilen vergraben, und die Harzwand 40 ist an die vertieften Teile und die vorstehenden Teile 24 angepaßt. 5 ist eine teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht des Halbleiterbauelements 12 gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung von der Unterseite aus gesehen.
  • Die Schraublöcher 4 sind im wesentlichen in die Mitten der Endteile 21 und 23 in die Dickenrichtung gebohrt.
  • Wieder Bezug nehmend auf 3 wird der Anschluß 30 aus einer dünnen Kupferplatte mit einer daran angebrachten Nickelmetallisierung und einer auf der Nickelmetallisierung angebrachten Vergoldung (äußerste Oberfläche) zur Oberflächenendbehandlung gebildet. Der mit der Harzwand 40 bedeckte Teil wird nicht plattiert bzw. metallisiert, und das Harz wird direkt an das Material (Kupferplatte) geklebt. Der Anschluß 30 hat erste Löcher 31 in den äußeren Positionen der Harzwand 40.
  • 6 zeigt einen Grundriß des Anschlußrahmens 39. In der Ausführungsform wird der Anschluß 30 durch den Anschlußrahmen 39 gebildet. Der Anschlußrahmen 39 wird aus einem Metallblech aus Kupfer mit dem damit verbundenen Muster des Anschlusses 30 gebildet. Wie in 6 gezeigt, sind die ersten Löcher 31, die zweiten Löcher 32 und die Ausschnitte 33 in den Anschluß 30 eingearbeitet.
  • 7A ist ein Grundriß des Harzdeckels 50, der das Halbleiterbauelement 12 gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung bildet, 7B ist eine Seitenansicht davon, und 7C ist eine Vorderansicht davon. Wie aus 7B und 7C offensichtlich ist, hat der Harzdeckel 50 eine vertikalebenensymmetrische Form. Vorstehende Teile 52 sind auf beiden Oberflächen eines Grundplattenteils 51 ausgebildet. Gestufte Teile 53, die in den Innenumfang der Harzwand 40 eingepaßt werden sollen, sind um die vorstehenden Teile 52 beider Oberflächen ausgebildet. Nämlich entsprechen die äußeren Umfänge der vorstehenden Teile 52 im wesentlichen dem Innenumfang der Harzwand 40 sowohl in der Abmessung als auch der Form, um wechselseitig eingepaßt zu werden. Der Außenumfang des Grundplattenteils 51 hat eine Abmessung und eine Form, die dem Außenumfang der Harzwand 40 entspricht.
  • Die Darstellung wird weiter unter Bezug auf 8A bis 8C ausgeführt. 8A ist ein Grundriß des Halbleiterbauelements 12 in dem Zustand, in dem der Harzdeckel 50 entfernt ist. 8B ist eine entlang der Linie A-A in 8A genommene Schnittansicht, die den Harzdeckel 50 zeigt. 8C ist eine entlang der Linie B-B in 8A genommene Schnittansicht, die den Harzdeckel 50 zeigt.
  • Wie in 8A bis 8C gezeigt, ist der Halbleiterchip 1 an die Mitte der abstrahlenden Platte 20 geklebt. Die Harzwand 40 umgibt den Umfang des Halbleiterchips 1 und ist an dem unteren Ende an die abstrahlende Platte 20 gebunden. Der Anschluß 30 erstreckt sich durch die Harzwand 40 und wird von der Harzwand 40 zurückgehalten (eingezwickt). Die zweiten Löcher 32 und Ausschnitte 33 des Anschlusses 30 sind in dem Bereich des Anschlusses 30 ausgebildet, der sich durch die Harzwand 40 erstreckt. Nämlich sind die zweiten Löcher 32 und Ausschnitte 33 in der Harzwand 40 vergraben. Das die Harzwand 40 bildende Harz ist teilweise in die zweiten Löcher 32 und Ausschnitte 33 gefüllt und gehärtet.
  • Der äußere Anschlußteil 30b des Anschlusses 30 steht von der äußeren Wandoberfläche der Harzwand 40 in das Äußere der Harzwand 40 vor. Der innere Anschlußteil 30a des Anschlusses 30 erstreckt sich parallel zu der inneren Wandoberfläche der Harzwand 40 und der abstrahlenden Platte 20 auf der Innenseite der Harzwand 40 und ist breiter als der äußere Anschlußteil 30b ausgebildet, um die Bindefläche sicherzustellen. Der innere Anschlußteil 30a wird in dem Zustand gehalten, in dem er auf einen Grundplattenauflageteil 41 geladen wurde, der als ein Teil der Harzwand 40 ausgebildet ist. Dementsprechend wird die Haltefestigkeit des inneren Anschlußteils 30a verbessert.
  • Der innere Anschlußteil 30a ist durch Kontaktdrähte 7 mit den Elektroden 6 des Halbleiterchips 1 verbunden und elektrisch angeschlossen.
  • Der Harzdeckel 50 ist an das obere Ende der Harzwand 40 gebunden. Der vorstehende Teil des Harzdeckels 50 fällt in die Harzwand, und die Harzwand 40 ist in den Harzdeckel 50 eingepaßt. Die Harzwand 40 ist durch einen harzbasierten Klebstoff an den Harzdeckel 50 gebunden. Als Ganzes sind der Halbleiterchip 1, der Kontaktdraht 7 und der innere Anschlußteil 30a in dem Raum (Gehäuse) versiegelt, der durch die abstrahlende Platte 20, die Harzwand 40 und den Harzdeckel 50 gebildet wird. Wie in 8B und C gezeigt, sind der Halbleiterchip 1 und die Kontaktdrähte 7 in der hohlen Struktur fixiert, die durch die abstrahlende Platte 20, die Harzwand 40 und den Harzdeckel 50 gebildet wird, ohne mit dem Harz in Berührung zu kommen.
  • Das Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements 12 der Ausführungsform wird dann beschrieben. Das Halbleiterbauelement 12 wird wie folgt hergestellt.
  • Bezug nehmend auf 9A und 9B ist 9A eine Schnittansicht einer Druckgießmetallform, die dem entlang der Linie A-A in 8A genommenen Schnitt entspricht. 9B ist eine Schnittansicht der Druckgießmetallform, die dem entlang der Linie B-B in 8B genommenen Schnitt entspricht.
  • Wie in 9A und 9B gezeigt, wird die Druckgießmetallform verwendet, die aus einer oberen Preßform 61 und einer unteren Preßform 62 besteht. Ein der Harzwand 40 entsprechender Hohlraum 63 wird durch die obere Preßform 61 und die untere Preßform 62 gebildet.
  • Wie in 9A und 9B gezeigt, werden die abstrahlende Platte 20 und der Anschlußrahmen 39 in eine vorgeschriebene Position der unteren Preßform 62 gelegt. Danach wird die obere Preßform 61 darauf gesetzt, um die Form zu schließen. Zu diesem Zeitpunkt werden die abstrahlende Platte 20 und der Anschlußrahmen 39 von der oberen Preßform 61 und der unteren Preßform 62 eingespannt. Die abstrahlende Platte 20 wird nicht nur in dem Äußeren der Harzwand-Ausbildungsposition, sondern auch in ihrem Inneren eingespannt. Die abstrahlende Platte 20 wird auf diese Weise abgeflacht.
  • Nach dem Schließen der Form wird das geschmolzene Harz eingespritzt und in den Hohlraum 63 gefüllt. Das Harz wird auch in die nicht gezeigten zweiten Löcher 32 und Ausschnitte 33 des Anschlusses 30 gefüllt. Das Harz wird dann gehärtet, und die Form wird geöffnet, um das Formprodukt herauszunehmen. Folglich wird, wie in 10 gezeigt, eine Struktur, die aus dem Anschlußrahmen 39, der abstrahlenden Platte 20 und der Harzwand 40 besteht, herausgenommen.
  • Dann wird das Plattierungs- bzw. Metallisierungsverfahren durchgeführt. 11A bis 11D sind typische Ansichten, die das Beschichtungsverfahren zur Metallisierung in der Reihenfolge der Schritte zeigen. Wie durch den schraffierten Teil von 11A gezeigt, werden die freiliegenden Oberflächen des Anschlußrahmens 39, einschließlich des Anschlusses 30, und die abstrahlende Platte 20 vernickelt.
  • Eine Silbermetallisierung wird, wie durch den schraffierten Teil von 11B gezeigt, durch Galvanisieren auf die Nickelmetallisierung der abstrahlenden Platte 20 beschichtet. Konkret wird die abstrahlende Platte 20 in eine Lösung eingetaucht, die Silberionen enthält, und auf der Oberfläche der vernickelten Oberfläche der abstrahlenden Platte 20 wird mit der abstrahlenden Platte 20 als negative Elektrode eine Silberschicht galvanisch abgeschieden.
  • Die Vergoldung wird dann, wie durch den schraffierten Teil von 11C gezeigt, durch Galvanisieren auf die Nickelmetallisierung des Anschlußrahmens 39, einschließlich des Anschlusses 30, beschichtet. Konkret wird der Anschluß 30 in eine Lösung, die Goldionen enthält, eingetaucht, und auf der vernickelten Oberfläche des Anschlusses 30 wird mit dem Anschluß 30 als negative Elektrode eine Metallschicht galvanisch abgeschieden.
  • Ferner wird die Goldmetallisierung, wie durch den schraffierten Teil von 11D gezeigt, durch Galvanisieren auf den Bereich der abstrahlenden Platte 20, den Bereich, der das Äußere der Harzwand 40 (den Bereich, der das Äußere des Gehäuses bildet) bildet, beschichtet. Die Goldmetallisierung wird auf diese Weise auf die Silbermetallisierung beschichtet. Konkret wird das Innere (der Bereich, der das Gehäuseinnere bildet) der Harzwand 40 mit einem Fotolack oder ähnlichem maskiert, die abstrahlende Platte 20 wird in eine Lösung getaucht, die Goldionen enthält, und eine Goldschicht wird mit der abstrahlenden Platte 20 als negative Elektrode auf der versilberten Oberfläche der abstrahlenden Platte 20 galvanisch abgeschieden.
  • Der Halbleiterchip 1 wird dann gebunden. Konkret wird der Halbleiterchip 1 auf die versilberte Oberfläche der von der Harzwand 40 umgebenen abstrahlenden Platte 20 gesetzt und durch ein leitendes Druckklebematerial daran geklebt, und die (nicht gezeigte) Elektrode des Halbleiterchips 1, die auf seiner Klebeoberflächenseite bereitgestellt ist, wird mit der abstrahlenden Platte 20 elektrisch verbunden.
  • Die auf der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 1 bereitgestellten Elektroden 6 werden durch die Kontaktdrähte 7 mit dem inneren Anschlußteil 30a des Anschlusses 30 verbunden.
  • Ein Klebstoff wird auf das obere Ende der Harzwand 40 aufgetragen, und der Harzdeckel 50 wird darauf gesetzt und gebunden.
  • Auf diese Weise werden fortlaufend mehrere Halbleiterbauelemente 12 auf dem Anschlußrahmen 39 montiert.
  • Ferner wird der Anschlußrahmen 39 geschnitten.
  • Gemäß den obigen Verfahren wird das Halbleiterbauelement 12, wie in 3 gezeigt, erhalten.
  • Bei der Montage des Halbleiterbauelements 12 haftet das geschmolzene Lot oder das Flußmittel an dem Endteil des äußeren Anschlußteils 30b. Selbst wenn eine derartige Flüssigkeit auf dem Anschluß 30 in Richtung der äußeren Wandoberfläche der Harzwand 40 fließt, wird der Fluß von dem ersten Loch 31 teilweise oder ganz unterbunden. Selbst wenn die Flüssigkeit teilweise die äußere Wandoberfläche der Harzwand 40 erreicht, wird das Eindringen des Flußmittels oder des geschmolzenen Lots auf die Bindegrenzfläche der Harzwand 40 und des Anschlusses 30 und durch die Klebegrenzfläche weiter in das Gehäuse durch die zweiten Löcher 32 und Ausschnitte 33 verringert.
  • Zweite Ausführungsform
  • Ein Halbleiterbauelement gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung wird unter Bezug auf 12 beschrieben. 12 ist ein Grundriß, der den Anschlußrahmen der zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • In dem Halbleiterbauelement der Ausführungsform wird anstelle des Anschlusses 30 des Halbleiterbauelements 12 der weiter oben erwähnten ersten Ausführungsform ein Anschluß 70 verwendet.
  • Der Anschluß 70 unterscheidet sich im Vergleich zu dem Anschluß 30 in den ersten Löchern 71. Die ersten Löcher 71 sind derart angeordnet, daß sie den Raumteil zwischen einem zweiten Loch 72 und dem anderen dazu benachbarten zweiten Loch 72 und den Raumbereich zwischen dem zweiten Loch 72 und einem Ausschnitt 73 überlappen. Gemäß einer derartigen Struktur kann der Fluß der Flüssigkeit, die über den Anschluß 70 des äußeren Gehäuseteils fließt, wie etwa von Flußmittel, geschmolzenem Lot oder ähnlichem auf die äußere Wandoberfläche der Harzwand 40 durch die ersten Löcher 71 unterbunden werden, und selbst wenn das Flußmittel oder das geschmolzene Lot teilweise in den Raumbereich zwischen den ersten Löchern 71 fließt und die äußere Wandoberfläche der Harzwand 40 erreicht, kann das Eindringen des Flußmittels oder des geschmolzenen Lots in die Bindegrenzfläche des Harzes und des Anschlusses 70 und weiter durch die Klebegrenzfläche in das Gehäuse durch die zweiten Löcher 72 oder die Ausschnitte 73 verhindert werden.

Claims (12)

  1. Halbleiterbauelement, das aufweist: eine abstrahlende Platte (20), die erste und zweite Hauptoberflächen (22) und Seitenoberflächen (22a) aufweist; und einen Halbleiterchip (1), der an eine Hauptoberfläche der abstrahlenden Platte (20) gebunden ist; eine Harzwand (40), die an die abstrahlende Platte gebunden ist, um den Halbleiterchip zu umgeben; ein leitendes Element (30), das sich durch die Harzwand (40) erstreckt und von der Harzwand (40) gehalten wird, um den Halbleiterchip (1) mit dem Äußeren der Harzwand (40) elektrisch zu verbinden; einen Harzdeckel (50), der an das obere Ende der Harzwand (40) geklebt ist, um den Halbleiterchip in dem Raum, der durch die abstrahlende Platte (20), die Harzwand (40) und den Harzdeckel (50) gebildet wird, zu versiegeln, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner aufweist: Vertiefungen, die auf gegenüberliegenden Seitenoberflächen (22a) der abstrahlenden Platte bereitgestellt sind, wobei vorstehende Teile (24) auf den inneren Oberflächen der Vertiefungen bereitgestellt sind und ein unterer Endteil der Harzwand in den Vertiefungen vergraben ist.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, das ferner aufweist: das durch einen Anschlußrahmen gebildete leitende Element (30); die aus einer anderen Metallplatte als dem Anschlußrahmen gebildete abstrahlende Platte (20).
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Harzwand (40) an vorstehende Teile oder vertiefte Teile angepaßt ist, die auf der abstrahlenden Platte bereitgestellt sind.
  4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem leitenden Element an einer Position außerhalb der Harzwand Löcher ausgebildet sind.
  5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß erste Löcher auf dem leitenden Element in Abschnitten außerhalb der Harzwand ausgebildet sind, und zweite Löcher oder Ausschnitte auf dem leitenden Element in einem Bereich ausgebildet sind, der sich durch die Harzwand erstreckt.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Löcher derart angeordnet sind, daß sie den Bereich zwischen den zweiten Löchern oder Ausschnitten überlappen, wenn das leitende Element von außerhalb der Harzwand in Richtung der Harzwand betrachtet wird.
  7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Harzdeckel ein gestufter Teil, der in den Innenumfang der Harzwand eingepaßt werden soll, bereitgestellt wird.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Harzdeckel eine vertikalebenensymmetrische Form hat.
  9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der von der Harzwand umgebenen abstrahlenden Platte durch eine Silbermetallisierung oberflächenendbehandelt ist, und die andere Oberfläche der abstrahlenden Platte, abgesehen von dem Teil zum Ankleben der Harzwand, und der innere Drahtteil und äußere Drahtteil des leitenden Elements durch eine Goldmetallisierung oberflächenendbehandelt sind.
  10. Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, das die folgenden Schritte aufweist: Ausbilden des leitenden Elements durch einen Anschlußrahmen; Anordnen des Anschlußrahmens und der abstrahlenden Platte in einer Metallform mit einem der Harzwand entsprechenden Hohlraum; Einspannen des Bereichs der abstrahlenden Platte, wobei dieser Bereich von der Harzwand umgeben ist, durch eine obere Preßform und eine untere Preßform der Metallform; und Formen eines Harzes in der Metallform, um die Harzwand auszubilden.
  11. Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, das ferner die folgenden Schritte aufweist: Ausbilden einer abstrahlenden Platte unter Verwendung einer anderen Metallplatte als dem Anschlußrahmen; und Plattieren der abstrahlenden Platte und des leitenden Elements.
  12. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallisierungsschritt die folgenden Schritte aufweist: Galvanisieren der abstrahlenden Platte mit Silber; Galvanisieren des leitenden Elements mit Gold; und Galvanisieren des Bereichs der abstrahlenden Platte, der das Äußere der Harzwand bildet, mit Gold.
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