DE4408564C2 - Verfahren zur Herstellung einer Mehrschicht-Leitungsstruktur in einer Halbleitereinrichtung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Mehrschicht-Leitungsstruktur in einer HalbleitereinrichtungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Mehr
schicht-Leitungsstruktur in einer Halbleitereinrichtung.
Halbleitereinrichtungen werden heutzutage mehr und mehr miniaturi
siert, um einerseits zu einem höheren Integrationsgrad zu kommen und
um sie andererseits mit einer höheren Arbeitsgeschwindigkeit betreiben
zu können. Wird insbesondere bei der Bildung einer Mehrschicht-Lei
tungsstruktur in einer Halbleitereinrichtung die Ausdehnung bzw. Breite
der Leitungsschichten geringer und wird ferner der Abstand zwischen den
Schichten kürzer, so verringert sich dabei auch die Größe der Kontaktöff
nungen.
Zur Bildung einer Kontaktöffnung wurde vorgeschlagen, ein reaktives Io
nenätzverfahren einzusetzen, das nachfolgend als "RIE"-Verfahren be
zeichnet werden soll. Zwar läßt sich hierbei der Ätzvorgang sehr genau
steuern, jedoch ist das Seitenätzverhalten schlecht.
Konventionelle Verfahren zur Bildung einer Zweischicht-Leitungsstruk
tur sowie zur Bildung einer Kontaktöffnung durch Anwendung des RIE-
Verfahrens werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung be
schrieben.
Dabei zeigt die Fig. 1 Querschnitte durch eine Mehrschicht-Leitungs
struktur in einer Halbleitereinrichtung in unterschiedlichen Herstel
lungsstufen.
Gemäß Fig. 1A wird zunächst ein Substrat 1 einem thermischen Oxida
tionsprozeß unterworfen, um auf der Oberfläche des Substrats 1 einen Si
liciumoxidfilm 12 zu erhalten. Sodann wird auf der Oberfläche des Silici
umoxidfilms 12 Aluminium-Silicium (Al-Si) niedergeschlagen und struktu
riert, und zwar zur Bildung einer ersten Leitungsschicht 13 mit einer Mehr
zahl von parallel zueinander verlaufenden und voneinander beabstandeten
Leitungen. Auf die Oberfläche der so erhaltenen Struktur wird dann ein Ni
tridfilm 14 als Isolationsfilm
aufgebracht, und zwar unter Anwendung eines Plasmaprozes
ses.
Um die Oberfläche des Nitridfilms 14 einzuebnen, wird auf diese eine Sili
calösung aufgebracht, die anschließend getempert wird, um einen Silica-
Isolationsfilm 15 zu erhalten, wie in Fig. 1B zu erkennen ist.
Auf den Silica-Isolationsfilm 15 wird sodann gemäß Fig. 1C ein Photore
sist aufgebracht, der anschließend belichtet und entwickelt wird, und
zwar unter Anwendung eines konventionellen Photoätzprozesses. Auf die
se Weise wird ein Photoresistmuster 16 erhalten. Unter Verwendung des
Photoresistmusters 16 als Maske erfolgt die Durchführung eines RIE-Pro
zesses zwecks selektiver Ätzung des Silica-Isolationsfilms 15 und des Ni
tridfilms 14. Im Ergebnis entsteht eine Kontaktöffnung 17, durch die eine
ausgewählte erste Leitung freigelegt wird.
Nachdem das Photoresistmuster 16 entfernt worden ist, wird gemäß Fig.
1D auf den Silica-Isolationsfilm 15 mit der Kontaktöffnung 17, also auf die
gesamte Oberfläche der resultierenden Struktur Al-Si niedergeschlagen,
und zwar durch einen konventionellen Sputterprozeß. Diese Al-Si Schicht
wird dann strukturiert, um eine zweite Leitungsschicht 18 zu erhalten. Im
Ergebnis liegt somit eine Halbleitereinrichtung mit einer Zweischicht-Lei
tungsstruktur vor.
Bei dem oben beschriebenen konventionellen Verfahren treten jedoch ei
nige Probleme auf. So ist es z. B. erforderlich, die Seitenwand der Kontakt
öffnung 17 im Zwischenschicht-Isolationsfilm, der aus dem Nitridfilm 14
und dem Silica-Isolationsfilm 15 besteht, zu neigen, beispielsweise im
Winkel von etwa 45 bis etwa 55°, um zu verhindern, daß Unterbrechungen
der zweiten Leitungsschicht 18 innerhalb der Kontaktöffnung 17 auftre
ten. In Abhängigkeit von dem Flächenverhältnis von Photoresistmuster 16 zu
Nitridfilm 14, der Ätzgeschwindigkeit sowie der Stabilität des Ätzverfahrens
bildet sich an der Seitenwand der Kontaktöffnung 17 nur eine sehr dünne
zweite Leitungsschicht 18 aus, da die Seitenwand der Kontaktöffnung
17 sehr steil ist, wie die Fig. 1C zeigt. In einem derart dünnen
Bereich der zweiten Leitungsschicht 18 kann es leicht zu Leitungsunter
brechungen kommen, da hier die Stromdichte sehr hoch ist.
Ist darüber hinaus der aus dem Nitridfilm 14 und dem Silica-Isolations
film 15 bestehende Zwischenschicht-Isolationsfilm dick, so kann es infol
ge der Ausnehmung im Photoresist 16 zu starken Schwankungen der Ätz
parameter kommen so daß es schwierig ist, die Kontaktöffnung über ihren
gesamten Verlauf klein auszubilden.
Um hier Abhilfe zu schaffen, wurde bereits in der koreanischen Patentpu
blikation Nr. 90-1834, einem Familienmitglied der US 47 28 627, ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrschicht-
Leitungsstruktur von Mase Yaskaz et al. vorgeschlagen, das nachfolgend
unter Bezugnahme auf die Fig. 2A bis 2E näher erläutert werden soll.
Nach diesem Verfahren wird zunächst auf einem Substrat 1 gemäß Fig.
2A ein Siliciumoxidfilm 2 gebildet, auf den dann eine Al-Si Legierung auf
gebracht wird. Diese Al-Si Legierung wird anschließend durch einen Pho
toätzprozeß strukturiert, und zwar unter Verwendung eines photoemp
findlichen Films 4 als Maske, um eine erste Leitungsschicht 3 zu erhalten.
Nachdem gemäß Fig. 2B der photoempfindliche Film entfernt worden ist,
wird mehrere Male ein Plasma-CVD-Prozeß bei einer Temperatur von nicht
mehr als 300°C ausgeführt, um relativ dick Nitridfilme 5 und 6 zu bilden,
die keine Vorsprünge aufweisen. Dabei ist der zuerst gebildete Nitridfilm 5
dünner als der auf ihm liegende Nitridfilm 6. Anschließend wird ein Silica-
Isolationsfilm 7 auf dem Nitridfilm 6 gebildet, um die gesamte Oberfläche
der so erhaltenen Struktur einzuebnen, also insbesondere die stufenför
migen Bereiche, die durch Bildung der ersten Leitungsschicht 3 entstan
den sind.
Danach wird gemäß Fig. 2C der Silica-Isolationsfilm 7 mit einem photo
empfindlichen Film abgedeckt, der anschließend in einem Photoätzprozeß
belichtet und entwickelt wird, um ein Filmmuster 8 zu erhalten. Unter Verwendung
des Filmmusters 8 als Maske werden danach der Silica-Isola
tionsfilm 7 und die Nitridfilme 6 und 5 in dieser Reihenfolge geätzt, um ei
ne Kontaktöffnung 9 zu erhalten, die die erste Leitungsschicht 3 freilegt.
Nach Entfernen des Filmmusters 8 gemäß Fig. 2D erfolgt ein Tempe
rungsprozeß bei etwa 500°C für etwa 15 Minuten, um auf der ersten Lei
tungsschicht 3 im Bereich der freigelegten Kontaktöffnung 9 einen Vor
sprung 10 zu erzeugen, also eine in die Kontaktöffnung 9 hineinragende
Auswölbung. Die Bildung des Vorsprungs 10 erfolgt aufgrund des soge
nannten "Hillock Phänomens", das bei Aluminium Al zu beobachten ist,
welches sich in der ersten Leitungsschicht 3 befindet.
Schließlich wird gemäß Fig. 2E eine weitere Al-Si Legierung auf die ge
samte Oberfläche der so erhaltenen Struktur aufgebracht, und zwar zur
Bildung einer zweiten Leitungsschicht 11, die durch die Kontaktöffnung 9
hindurch mit der ersten Leitungsschicht 3 elektrisch in Kontakt steht.
Beim Verfahren von Mase et al. wird vom Al Hillock Phänomen Gebrauch
gemacht, das bei der Temperung von Al auftritt, um die Kontaktöffnung
auszufüllen, und um dadurch eine Verbindung zwischen der unteren Lei
tung und der oberen Leitung zu schaffen.
Bei der Bildung des Vorsprungs infolge des Al Hillock Phänomens werden
jedoch in der ersten Leitungsschicht aufgrund der Bewegung von Al im Be
reich benachbart zum Vorsprung Leerstellen bzw. Hohlräume oder Lücken
erzeugt, was zu einer Leitungsbeschädigung führt. Darüber hinaus läßt
sich die Größe bzw. Form des Vorsprungs nicht genau einstellen, so daß
das von Mase et al. vorgeschlagene Verfahren zu einer inhomogenen Lei
tungsstruktur führt und darüber hinaus nicht reproduzierbar ist.
Bei dem bekannten Verfahren
wird zur Ausbildung
einer sich durch einen Zwischenschichtisolator erstreckenden Verbindung ein sich
in eine Kontaktöffnung im Zwischenschichtisolator erstreckender kleiner Hügel
dadurch gebildet wird, daß nach Ausbildung des Zwischenschichtisolators über ei
ner ersten Leiterstruktur und Herstellen der Kontaktöffnung ein Temperungsschritt
ausgeführt wird, durch den Leitermaterial der ersten Leiterstruktur in die Kon
taktöffnung fließt, so daß die Kontaktöffnung teilweise von unten her ausgefüllt
wird, bevor die zweite Leiterstruktur auf den Zwischenschichtisolator aufgebracht
wird, wobei der verbleibende Freiraum der Kontaktöffnung von oben mit Leiter
material gefüllt wird.
Diese Vorgehensweise hat den Nachteil, daß die erste Leiterstruktur geschwächt
wird und daß zur vollständigen Ausbildung des Verbindungsleiters die Kontaktöff
nung auch noch von oben aufgefüllt werden muß.
Bei einem weiteren bekannten Verfahren (DE 41 30 535 A1) zur Herstellung einer
Mehrschicht-Leitungsstruktur in einer Halbleitereinrichtung wird auf ein Halblei
tersubstrat zunächst eine Siliziumoxidschicht und daran anschließend eine erste
Aluminiumschicht aufgebracht, die nachfolgend mit einem dünnen Zwischenschich
tisolierfilm bedeckt wird. Dann wird in dem Zwischenschichtisolierfilm ein Kon
taktloch gebildet, so daß anschließend eine Aluminiumschicht aufgebracht werden
kann, die unter Zuhilfenahme einer Maske geätzt wird, um einen leitenden Me
tallstopfen zu bilden.
Danach wird dann ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm und ein Photoresist auf
gebracht und zurückgeätzt, um den Kopf der leitenden Säule freizulegen. Nach
dem Entfernen von Resten der Photoresistschicht wird dann eine weitere Alumini
umschicht aufgebracht, um eine zweite Leiterstruktur zu erhalten, die über den
Metallstopfen mit der ersten Leiterstruktur verbunden ist
Dieses bekannte Verfahren kann nur auf Mehrschicht-Leitungsstrukturen ange
wandt werden, bei denen der Zwischenschichtisolator aus einzelnen Zwischen
schichtisolierfilmen aufgebaut ist, wobei insbesondere der erste, also der auf der
ersten Leitungsstruktur aufgebrachte Zwischenschichtisolationsfilm relativ dünn
ausgebildet sein muß, also so, daß das Kontaktloch verglichen mit seiner Tiefe ei
ne große Breite aufweist, um sicherzustellen, daß das Kontaktloch beim Aufbrin
gen der Aluminiumschicht genügend ausgefüllt wird.
Bei einem anderen bekannten Verfahren (DE 43 11 509 A1) zur Herstellung einer
Mehrschicht-Leitungsstruktur in einer Halbleitereinrichtung wird auf einem auf ei
nem Halbleitersubstrat liegenden Isolationsfilm eine erste Leitungsschicht gebildet,
auf die ein erster dünner Zwischenschicht-Isolationsfilm aufgebracht wird. Im er
sten Zwischenschicht-Isolationsfilm wird dann eine die erste Leitungsschicht frei
legenden Kontaktöffnung ausgebildet. Anschließend wird auf den ersten Zwischen
schicht-Isolationsfilm und die Kontaktöffnung ein Metallfilm aufgebracht, der ei
ner thermischen Behandlung unterzogen wird, die es erlaubt, die Oberfäche des
Metallfilms zu glätten.
Danach wird der Metallfilm derart selektiv geätzt, daß er nur oberhalb der Kon
taktöffnung und um diese herum verbleibt. Anschließend wird ein zweiter Zwi
schenschicht-Isolationsfilm auf den stehengebliebenen Metallfilm und den ersten
Zwischenschicht-Isolationsfilm aufgebracht, der dann von einem dritten Isolation
film mit ebener Oberfläche überdeckt wird. Der zweite und der dritte Zwischen
schicht-Isolationsfilm werden dann zurückgeätzt, bis die Oberfläche des verbliebe
nen Metallfilms freiliegt. Abschließend wird dann eine zweiten Leitungsschicht auf
dem Zwischenschicht-Isolator und dem Metallstopfen ausgebildet.
Ferner ist es bekannt (S. Wolf, "Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 2:
Process Integration", Lattice Press, Sunset Beach (Ca), 1990, Seiten 194 bis 204),
Zwischenschichtisolationsfilme von Mehrschicht-Leitungsstrukturen zu glätten und
Kontaktöffnungen in geglätteten Zwischenschichtisolationsfilmen mit Leitermateri
al zu füllen. Dies kann jedoch problematisch sein, da die Tiefe der Kontaktöffnun
gen über einem Bereich von 0,3 bis 1.3 µm variiert.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein weiteres Verfahren zur Herstellung
einer Mehrschicht-Leitungsstruktur in einer Halbleitereinrichtung bereitzustellen,
das es insbesondere ermöglicht, abgestufte Bereiche besser abzudecken, und zu ei
ner Verringerung des Leitungswiderstandes führt.
Diese Aufgabe wird durch das Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung nä
her beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1A bis 1D Querschnitte durch eine Mehrschicht-Leitungsstruk
tur einer Halbleitereinrichtung in unterschiedlichen Herstellungsstufen
zur Erläuterung eines konventionellen Herstellungsverfahrens;
Fig. 2A bis 2E Querschnitte durch eine Mehrschicht-Leitungsstruk
tur einer Halbleitereinrichtung in unterschiedlichen Herstellungsstufen
zur Erläuterung eines anderen konventionellen Herstellungsverfahrens;
Fig. 3A bis 3H Querschnitte durch eine Mehrschicht-Leitungsstruk
tur einer Halbleitereinrichtung in unterschiedlichen Herstellungsstufen
zur Erläuterung eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsge
mäßen Verfahrens; und
Fig. 4A und 4B Mehrschicht-Leitungsstrukturen einer Halbleiterein
richtung, hergestellt nach einem zweiten Ausführungsbeispiel des erfin
dungsgemäßen Verfahrens.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung wird eine Zwischen
schichtstopfen-Metallschicht in einer Kontaktöffnung begraben, und
zwar u. a. durch thermische Erhitzung und damit verbundener mechani
scher Ausdehnung oder Schmelzung der Metallschicht, wodurch die Kon
taktöffnung vollständig mit der Metallschicht ausgefüllt wird und dort ein
Metallstopfen entsteht, der im oberen Bereich plan bzw. planarisiert ist
und durch den verhindert wird, daß Beschädigungen im Leitungsbereich
auftreten.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend un
ter Bezugnahme auf die Zeichnung im einzelnen beschrieben, wobei glei
che Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen sind.
Die Fig. 3A bis 3H zeigen ein Verfahren zur Bildung von Leitungen in
einer Halbleitereinrichtung in Übereinstimmung mit einem ersten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Zunächst wird gemäß Fig. 3A auf einen zu einer Einrichtung gehörenden
und nicht dargestellten Halbleiter ein Isolationsfilm 20 aufgebracht, bei
spielsweise ein Oxidfilm. Danach wird der Oxidfilm bereichsweise mit ei
nem leitenden Film abgedeckt, um eine Leitungsschicht zu erhalten. Als
leitender Film kann vorzugsweise ein Al-Legierungsfilm zum Einsatz kom
men. Der Al-Legierungsfilm kann durch einen allgemeinen Sputterprozeß
aufgebracht werden, und zwar mit einer Dicke im Bereich von etwa 0,5 µm
bis etwa 1,0 µm. Dieser leitende Film wird durch einen Photoätzprozeß
strukturiert, um eine erste Leitungsschicht 21 zu erhalten. Die Form der
strukturierten ersten Leitungsschicht ist in den Figuren nicht im einzel
nen dargestellt. Als Ätzgas für die Al-Legierung kann vorzugsweise ein Cl2
enthaltendes Gas verwendet werden.
Die erste Leitungsschicht kann nicht nur der leitende Film sein, der durch
Niederschlagung eines Metalls und Strukturierung desselben erhalten
worden ist, wie oben beschrieben, sondern kann auch ein Verunreini
gungsdiffusionsbereich in einem Halbleitersubstrat sein, also ein Source
bereich oder ein Drainbereich. Im zuletzt genannten Fall wird eine im An
schluß daran gebildete zweite Leitungsschicht als primäre Leitungs
schicht angesehen, die mit dem Verunreinigungsdiffusionsbereich ver
bunden ist.
Unter Anwendung eines Chemical Vapor Deposition Verfahrens (CVD-Ver
fahren) oder eines plasmaverstärkten Chemical Vapor Deposition Verfah
rens (PECVD-Verfahren) wird anschließend ein Zwischenschicht-Isola
tionsfilm 22 auf die gesamte Oberfläche der so erhaltenen Struktur aufge
bracht, beispielsweise ein Oxidfilm, ein Nitridfilm oder ein geschichteter
Film aus einem Oxidfilm und einem Nitridfilm, und zwar mit einer Gesamt
dicke von etwa 1 µm. Sodann wird der Zwischenschicht-Isolationsfilm 22
mit einem photoempfindlichen Film 23 bedeckt, der anschließend durch
einen Photoätzprozeß belichtet und entwickelt wird, um ein gewünschtes
Kontaktöffnungsmuster zu erhalten.
Entsprechend der Fig. 3B wird dann der Zwischenschicht-Isolationsfilm
22 unter Verwendung des strukturierten photoempfindlichen Films 23 als
Maske anisotrop und isotrop geätzt, um im Zwischenschicht-Isolations
film 22 eine Kontaktöffnung zu erhalten, durch die ein vorbestimmter Be
reich der ersten Leitungsschicht freigelegt wird.
Besteht der Zwischenschicht-Isolationsfilm 22 aus einem oder mehreren
Oxidfilmen, so wird beim anisotropen Ätzprozeß ein Gas
verwendet, das CHF3 oder CF4 enthält. Beim isotropen Ätzprozeß kommt
dagegen eine Naßätzlösung zum Einsatz, beispielsweise eine HF enthal
tende Lösung. Besteht dagegen der Zwischenschicht-Isolationsfilm 22 aus
Nitridfilmen, so wird beim anisotropen Ätzprozeß ein
Gas verwendet, das CHF3 oder CF4 enthält, während beim isotropen Ätz
prozeß eine Naßätzlösung zum Einsatz kommt, beispielsweise eine Phos
phorsäure enthaltende Lösung. Die Ätzprozesse für die geschichtete
Struktur aus dem Oxidfilm und dem Nitridfilm verwenden ein Ätzgas und
eine Ätzlösung, die jeweils für die entsprechenden Filme geeignet sind.
Infolge des anisotropen und des isotropen Ätzens des Zwischenschicht-
Isolationsfilms wird somit eine Kontaktöffnung erhalten, die in ihrem obe
ren Bereich breiter ist als in ihrem unteren Bereich.
In Übereinstimmung mit Fig. 3C wird nach Entfernen des photoempfind
lichen Filmmusters 23 mittels eines Sputterverfahrens auf die gesamte
Oberfläche des Zwischenschicht-Isolationsfilms 22, der die Kontaktöff
nung 24 enthält, eine Metallschicht 25 aufgebracht, und zwar mit einer
Dicke von etwa 300 bis 1000 nm. Diese Metallschicht
25 dient später zur Bildung eines Zwischenschichtstopfens. Das Material
zur Bildung der Metallschicht 25 enthält vorzugsweise Al oder eine Al-Le
gierung.
In einem weiteren Schritt wird gemäß Fig. 3D ein photoempfindlicher
Film auf die Zwischenschichtstopfen-Metallschicht 25 aufgebracht, der
anschließend durch einen Photoätzprozeß belichtet und entwickelt wird,
um ein Filmmuster 26 zu erhalten. Dieses Filmmuster 26 liegt also auf der
Zwischenschichtstopfen-Metallschicht 25 in einem vorbestimmten Be
reich, in welchem sich auch die Kontaktöffnung 24 befindet. Dabei dient
das Filmmuster 26 als Maske, wenn die Zwischenschichtstopfen-Metall
schicht 25 geätzt wird. Dieser Ätzprozeß wird so ausgeführt, daß das Volu
men der Zwischenschichtstopfen-Metallschicht 25, die um den Kontakt
öffnungsbereich herum verbleibt, dasselbe oder größer ist als dasjenige
des Innenraums der Kontaktöffnung 24.
Nach Entfernen des photoempfindlichen Filmmusters 26 wird gemäß
Fig. 3E auf die gesamte Oberfläche der so erhaltenen Struktur ein Zwi
schenisolationsfilm 27 aufgebracht, und zwar mit einer Dicke von etwa
500 bis 1000 nm und unter Anwendung eines CVD-
oder PECVD-Verfahrens. Bevorzugte Materialien zur Bildung des Zwi
schenisolationsfilms 27 enthalten Oxide bzw. Nitride, wobei der Zwischen
isolationsfilm 27 durch einen Oxidfilm und/oder einen Nitridfilm gebildet
ist. Beispielsweise kann also nur ein Nitridfilm zur Bildung des Zwischen
isolationsfilms 27 dienen.
Unter einer Inertgasatmosphäre, beispielsweise einer N2- oder Ar-
Atmosphäre, oder unter einer reduzierenden Gasatmosphäre, beispielsweise
unter einer H2-Atmosphäre, erfolgt ein Temperungsprozeß bei Tempera
turen im Bereich von etwa 350 bis etwa 600°C sowie in einem Zeitraum von
1 bis 30 Minuten, um dabei die Zwischenschichtstopfen-Metallschicht 25
in einen fließfähigen Zustand zu bringen bzw. zu schmelzen, um auf diese
Weise die Kontaktöffnung zu füllen, wie in Fig. 3F zu erkennen ist.
Niedrige Temperaturen beider Temperung, beispielsweise Temperaturen
im Bereich von 350 bis 450°C führen dazu, daß die Isolationsfilme 22 und
27, die die Zwischenschichtstopfen-Metallschicht 25 umgeben, in der Zwi
schenschichtstopfen-Metallschicht 25 Druckspannungen bzw. kompres
sive Spannungen erzeugen, wodurch die Zwischenschichtstopfen-Metall
schicht 25 mechanisch in den Zentralbereich der Kontaktöffnung ge
drückt wird, also sich in diesen Zentralbereich hineinbewegt, der bezüg
lich dieser Strömung den schwächsten Teil bildet.
Erfolgt die Temperung bei höheren Temperaturen, beispielsweise im Be
reich von 500 bis 600°C, so ist der mechanische Strom der Zwischen
schichtstopfen-Metallschicht 25 mehr oder weniger ein Flüssigkeits
strom, der infolge des Schmelzens der Al-Legierung entsteht, die Bestand
teil der Zwischenschichtstopfen-Metallschicht 25 ist. Durch diesen flüssi
gen Metallstrom wird ebenfalls der Zentralraum der Kontaktöffnung und
evtl. in ihr noch vorhandene Resträume gefüllt.
Wie in Fig. 3G gezeigt ist, wird anschließend der Zwischenisolationsfilm
27 durch ein Naßätzverfahren entfernt, so daß nur noch ein Metallstopfen
25A zur Verbindung der Leitungsschichten vorhanden ist.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird gemäß Fig. 3H ein leitender
Film zur Bildung einer Leitungsschicht mit einer Dicke von etwa 500 bis
1000 nm auf die gesamte Oberfläche der so erhaltenen
Struktur aufgebracht, also auf den Metallstopfen 25A und den Zwischen
schicht-Isolationsfilm 22. Dabei wird der leitende Film unter Anwendung
eines Sputterprozesses erzeugt und anschließend strukturiert, um eine
zweite Leitungsschicht 28 zu erhalten, die mit der ersten Leitungsschicht
21 über den Metallstopfen 25A verbunden ist, der sich in der Kontaktöff
nung 24 befindet. Dabei kann auch der leitende Film zur Bildung der zwei
ten Leitungsschicht 28 eine Al-Legierung enthalten. Danach wird die zwei
te Leitungsschicht 28 durch einen Isolationsschutzfilm 29 abgedeckt.
Die Fig. 4A und 4B dienen zur Erläuterung eines weiteren Ausfüh
rungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
Gemäß Fig. 4A wird vor der Bildung des Zwischenschicht-Isolationsfilms
22 in Fig. 3A ein Isolationsfilm 30 zur Einebnung von Stufen enthalten
den Bereichen aufgebracht, und zwar durch Aufschleudern (Spin-on-
Glass-Verfahren). Dabei kann der Isolationsfilm 30 ein Polyimid sein. Al
ternativ dazu ist es gemäß Fig. 4B auch möglich, den Isolationsfilm 30
zurückzuätzen, und zwar so weit, daß nur noch Seitenwände 30A an der
ersten Leitungsschicht 21 verbleiben. Natürlich läßt sich der Isolations
film 30 auch in anderer geeigneter Weise aufbringen, und zwar auf die
Strukturen 20 und 21.
Wie oben beschrieben, werden nach der Erfindung die Vorteile der Zwi
schenschichtstopfen-Metallschicht und des Zwischenisolationsfilms aus
genutzt, um einen Metallstopfen in der Kontaktöffnung zu erhalten. Dies
führt zu einer erheblich verbesserten Reproduzierbarkeit und Homogenität
der erfindungsgemäß hergestellten Halbleitereinrichtung.
Infolge des beschriebenen Metallflusses, der beim Verfahren nach der Er
findung auftritt, ist es darüber hinaus möglich, die Leitungsschichten vor
Beschädigungen zu schützen, was zu einer verbesserten Betriebszuver
lässigkeit der Halbleitereinrichtung führt.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung einer Mehrschicht-Leitungsstruktur in einer
Halbleitereinrichtung mit folgenden Schritten:
- a) Bildung einer ersten Leitungsschicht (21) auf einem Isolationsfilm (20), der auf einem Halbleitersubstrat liegt;
- b) Aufbringen eines Zwischenschicht-Isolationsfilms (22) auf die gesamte erste Leitungsschicht (21);
- c) selektives Ätzen des Zwischenschicht-Isolationsfilms (22) zur Bildung ei ner die erste Leitungsschicht (21) freilegenden Kontaktöffnung (24);
- d) Aufbringen eines Metallfilms (25) auf den Zwischenschicht-Isolationsfilm (22) sowie auf die Kontaktöffnung (24);
- e) selektives Ätzen des Metallfilms (25), derart, daß der Metallfilm (25) nur oberhalb der Kontaktöffnung (24) und um diese herum verbleibt;
- f) Aufbringen eines Zwischenisolationsfilms (27) auf den stehengebliebenen Metallfilm (25) und den Zwischenschicht-Isolationsfilm (22);
- g) Tempern des vom Zwischenisolationsfilm (27) bedeckten Metallfilms (25), so daß der Metallfilm (25) in den Innenraum der Kontaktöffnung (24) hinein fließt und dort einen Metallstopfen (25A) bildet der die Kontaktöffnung (24) ausfüllt;
- h) Entfernen des Zwischenisolationsfilms (27); und
- i) Bildung einer zweiten Leitungsschicht (28) auf dem Zwischenschicht- Isolationsfilm (22) und dem Metallstopfen (25A).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kon
taktöffnung (24) so hergestellt wird, daß sie in ihrem oberen Bereich weiter
ist als in ihrem unteren Bereich.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schritt
c) des selektiven Ätzens des Zwischenschicht-Isolationsfilms (22) folgende
Schritte ausgeführt werden:
- - Bildung eines photoempfindlichen Films (23) auf dem Zwischenschicht- Isolationsfilm (22);
- - selektives Belichten und Entwickeln des photoempfindlichen Films, um ein Filmmuster (23) zu erhalten; und
- - anisotropes und isotropes Ätzen des Zwischenschicht-Isolationsfilms (22) unter Verwendung des Filmmusters (23) als Maske.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Metall
film (25) durch einen Aluminium-Film oder durch einen Aluminium-Legie
rungsfilm gebildet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ober
halb der Kontaktöffnung (24) und um dieser herum verbleibende Metallfilm
(25) mit einer solchen Dicke und lateralen Ausdehnung hergestellt wird, daß
dessen Volumen gleich oder größer ist als dasjenige des Innenraums der Kon
taktöffnung (24).
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwi
schenisolationsfilm (27) ein Nitridfilm ist.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Tem
pern in einer Inertgasumgebung oder einer reduktiven Gasumgebung bei
Temperaturen im Bereich von etwa 350 bis 600°C sowie über einen Zeitraum
von 1 bis 30 Minuten ausgeführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem
Schritt b) des Aufbringens des Zwischenschicht-Isolationsfilms (22) ein
Schritt a2) der Bildung eines planarisierenden Isolationsfilms (30) zur Eineb
nung von Stufen enthaltenden Bereichen, die durch Bildung der ersten Lei
tungsschicht (21) erhalten werden, erfolgt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Isola
tionsfilm (30) ein Spin-on-Glass-Film oder ein Polyimidfilm ist.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, gekennzeichnet durch einen weite
ren Schritt a3) des Zurückätzens des planarisierenden Isolationsfilms (30).
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