DE4337849C2 - Signalleitungsstruktur für eine Dünnfilmtransistor-Flüssigkristallanzeige und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Signalleitungsstruktur für eine Dünnfilmtransistor-Flüssigkristallanzeige und Verfahren zur Herstellung derselben

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Description

Die Erfindung befaßt sich allgemein mit einer Dünnfilmtransi­ stor-Flüssigkristallanzeige (nachstehend bezeichnet mit "TFT- LCD"), und insbesondere mit einer Signalleitungsstruktur für eine TFT-LCD und ein Verfahren zur Herstellung derselben, welche den Widerstand der Signalleitung reduzieren können und sich die Herstellungsausbeute steigern läßt.
Nachstehend wird eine übliche TFT-LCD und ein Herstellungsver­ fahren in Verbindung mit den hierbei auftretenden Schwierig­ keiten unter Bezugnahme auf einige Figuren der Zeichnung näher beschrieben.
Unter Bezugnahme auf Fig. 5 ist eine Signalleitungsstruktur für eine TFT-LCD gezeigt, welche in "Japan display (89), Kyoto", Seiten 498 von Ikeda angegeben ist.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist, wird die TFT-LCD Struktur von einem Glassubstrat 1 gebildet, welche ein erstes Metall (Tantalfilm) 2, ein zweites Metall (Kupferfilm) 3 und ein drittes Metall (Tantalfilm) 4 aufweist, welche zur Bildung der Signalleitungen, d. h. einer Gate-Elektrode 13a und einer Datenleitung 13b über­ einandergeschichtet sind, sowie ein Isolierfilm 5, welcher die Signalleitungen bedeckt, eine amorphe Siliziumschicht 6, eine n⁺ amorphe Siliziumschicht 7 und eine Source/Drain-Elektrode 8 umfaßt, welche in der geeigneten Reihenfolge über der Gate-Elek­ trode 13a ausgebildet sind.
Nunmehr bezieht sich das Anwendungsgebiet der Erfindung auf die Signalleitungen. Von den Komponenten, welche die Signalleitungen bilden, spielt der erste Metallfilm 2 eine Rolle bei der Verbes­ serung des Haftvermögens am Glassubstrat 1. Der zweite Metall­ film 3 als weitere Komponente ermöglicht die Herabsetzung des Widerstandes auf beispielsweise etwa 3 µΩ · cm, während der dritte Metallfilm 4 als weitere Komponente ausgebildet ist, um die Oxidation des zweiten Metallfilms zu verhindern, welcher oxida­ tionsempfindlich ist.
Nunmehr unter Bezugnahme auf Fig. 6 a-d ist ein übliches Verfahren zum Herstellen der Signalleitung für die TFT-LCD verdeutlicht. Zuerst wird auf einem Glassubstrat 1 ein erster Metall(Tantal)- Film 2 mit einer Dicke von etwa 500 Å mittels Beschichten durch Vakuumzerstäubung aufgetragen, anschließend wird durch Ablage­ rung ein zweiter Metall(Kupfer)Film 3 sowie ein dritter Metall- (Tantal)Film 4, welche etwa 2.000 bis 500 Å dick sind, jeweils auf den ersten Metallfilm 2 in der angegebenen Reihenfolge abgelagert, wie dies in Fig. 6a gezeigt ist.
Anschließend wird auf dem dritten Metallfilm 4 ein Fotolack 9 aufgebracht, welcher dann einem Fotoätzen aus­ gesetzt wird, um die Breite der Signalleitung zu bestimmen. Der dritte Metallfilm 4 wird einer Behandlung durch Trockenätzen und einer Beaufschlagung mit CF₄/O₂ Gas ausgesetzt, um den zweiten Metallfilm 3 freizulegen, wie dies in Fig. 6b gezeigt ist.
Dann wird das freigelegte zweite Metall 3 einem Naßätzverfahren in einer Lösung des Essigsäuretyps unterworfen, und das erste Metall wird auf eine ähnliche Weise wie das dritte Metall 4 unter Anwendung von CF₄/O₂ Gas behandelt, wie dies in Fig. 6c gezeigt ist.
Schließlich wird der Fotolack 9 entfernt, und ein Isolierfilm 5 wird mit einer Dicke von etwa 5.500 Å mittels eines chemischen Plasmadampfauftragsverfahrens ausgebildet, um eine Signalleitung für die TFT-LCD herzustellen, wie dies in Fig. 6d gezeigt ist.
Bei der Durchführung des vorstehend genannten, üblichen Verfah­ rens treten jedoch einige Schwierigkeiten auf. Insbesondere wenn das Naßätzen für das zweite Metall 3 im Anschluß an das Trocken­ ätzen für das dritte Metall 4 eingesetzt wird, wie dies in Fig. 6c gezeigt ist, wird die Seitenfläche des zweiten Metalls 3 wie in Fig. 7a gezeigt, geätzt, welche eine teilweise vergrößerte Teilansicht zeigt, da das Naßätzen im Prinzip die gleiche Ätz­ geschwindigkeit in einer vertikalen und einer horizontalen Rich­ tung hat. Da zusätzlich der Signalleitungs-Isolierfilm 5 von einem Siliziumoxidfilm in einer oxidierenden Atmosphäre ge­ bildet wird, wird das zweite Metall 3 oxidiert, so daß das Volu­ men des zweiten Metalls größer wird, wodurch verursacht wird, daß das dritte Metall 4 gebogen wird, wie dies in Fig. 7b ge­ zeigt ist, welche eine weitere vergrößerte Detailansicht des Teils A in Fig. 6c zeigt.
Die deformierte Struktur führt dazu, daß ein Lecken zwischen der Gate-Elektrode und der Source/Drain-Elektrode beim hergestellten Dünnfilmtransistor erzeugt wird. Im schlechtesten Falle tritt eine Mangelerscheinung zwischen der Gate-Elektrode und der Sour­ ce-Drain-Elektrode auf, so daß die Qualität der TFT-LCD beein­ trächtigt wird.
Um die Mangelerscheinung zwischen der Gate-Elektrode und der Source/Drain-Elektrode zu verhindern, wird die Gate-Elektrode einer Behandlung einer anodischen Oxidation ausgesetzt, um einen anodischen Oxidfilm oder einen Isolierfilm zu bilden, welcher derart strukturiert ist, daß er zwei Komponenten aus einem Sili­ ziumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm aufweist, welche ge­ bildet werden können. Der Einsatz einer Anodenoxidation bei der Signalleitung jedoch, die derart strukturiert ist, daß sie drei Komponenten, das erste Metall 2, das zweite Metall 3 und das dritte Metall 4 aufweist, wie dies bei der üblichen Struktur gezeigt ist, ist damit begleitet, daß die anodische Oxidation auch bei dem oberen, dritten Metall 4 auftritt. Zu diesem Zeit­ punkt wird das Seitenteil des zweiten Metalls 3 nicht oxidiert. Zusätzlich ist dies unter der Gefahr angeordnet, daß es durch eine Lösung für die anodische Oxidation korrodiert werden kann. Folglich reicht selbst dieses Verfahren nicht aus, um einen Leckstrom zwischen der Gate-Elektrode und der Source/Drain-Elek­ trode bei der Herstellung einer TFT-LCD zu verhindern, und die Herstellungsausbeute läßt sich nicht steigern.
Die DE-AS-39 29 847 betrifft ein Verfahren zur Her­ stellung eines elektronischen Schaltelements, insbeson­ dere zur Ansteuerung von Bildpunkten in Flüssigkri­ stallanzeigen. Es wird eine Tantalgrundelektrode 12 strukturiert, wobei auf einem Substrat 10 eine Ätz­ stoppschicht 11 aufgebracht wird und darüber die Tantal­ schicht 12 gebildet wird. Mittels einer Photoresist­ schicht 13 als Maske wird die Tantalschicht 12 seitlich geätzt. Nach dem Ätzen wird die Oberfläche der Tantal­ schicht 12 durch anodische Oxidation zu einem Tantal­ pentoxid 14 als Dielektrikum oxidiert.
Die JP-A-276720 (A) betrifft die Ausbildung einer Elektrode. Nach Ausbildung einer Doppelschicht von Ti und Al für die Source-Elektrode (erste Elektrode auf dem Substrat) wird die Oberseite der Aluminiumschicht mit­ tels selektivem Ätzen entfernt.
Aus der JP-A-219732 (A) ist ein Flüssigkristallan­ zeigebauelement bekannt. Es liegt die Aufgabe zu­ grunde, einen größeren Ausrichtungsspielraum zwischen der Displayelektrode und einer Hilfselektrode zur Verfü­ gung zu stellen. Dabei ist ein ITO-Film auf ein Glassub­ strat ausgebildet und darüber werden nacheinander ein Chrom- und ein Nickelfilm abgeschieden. Auf dem Nickel­ film wurde Photolack aufgetragen und entsprechend einer Maske für die Hilfselektrode belichtet. Der Anteil des Nickelfilms, der für die Hilfselektrode nicht erforder­ lich ist, wird entfernt.
Die JP 4-213427 (A) betrifft die Herstellung einer Elektrode aus mehreren Metallschichten. Dabei wird der Überhang einer oberen Metallschicht, der beim Ätzen der unteren Metallschicht entsteht, durch Zurückätzen ent­ fernt und die Seiten der oberen und unteren Metall­ schicht werden miteinander ausgerichtet.
Nach der Erfindung wird zur Überwindung der vorstehend genannten Schwierigkeiten ein Bedürfnis nach einer neuartigen Signal­ leitungsstruktur für die TFT-LCD befriedigt, bei der ein Lecken und ein Mangel zwischen der Gate-Elektrode und der Source/Drain- Elektrode des Transistors nicht auftreten. Ferner wird ein Ver­ fahren zur Herstellung einer derartigen Signalleitungsstruktur bereitgestellt. Nach der Erfindung wird somit eine Signal­ leitungsstruktur für eine TFT-LCD bereitgestellt, welche einen beträchtlich verminderten Widerstand hat.
Gemäß einem weiteren Aspekt nach der Erfindung wird eine Signal­ leitungsstruktur für eine TFT-LCD bereitgestellt, bei der einer Signalverzögerungserscheinung vorgebeugt wird.
Gemäß einem weiteren Gedanken nach der Erfindung wird ein Ver­ fahren zum Herstellen einer Signalleitungsstruktur für die TFT- LCD bereitgestellt, mittels welchem sich die Herstellungsaus­ beute erhöhen bzw. die Herstellungsausstoßleistung verbessern läßt.
Nach der Erfindung wird hierzu ein Verfahren zum Herstellen einer Signalleitungsstruktur für eine TFT-LCD bereitgestellt, welches die folgenden Schritte aufweist: Ausbilden eines ersten Metalls und eines zweiten Metalls in der geeigneten Reihenfolge auf einem Glassubstrat; Definieren der Breite (W₁) des zweiten Metalls und anschließendes Anwenden eines Ätzverfahrens auf das zweite Metall; und Aufbringen eines dritten Metalls auf der gesamten erhaltenen Struktur und Definieren der Breite (W₂) der Signalleitung derart, daß zugleich überflüssige Teile des ersten Metalls und des dritten Metalls entfernt werden.
Die Signalleitung, die man beim erfindungsgemäßen Verfahren erhält, ist somit derart strukturiert, daß sie ein isolierendes Substrat, ein erstes Metall, welches auf dem isolierenden Subs­ trat ausgebildet ist, wobei das erste Metall ein gutes Haftungs­ vermögen an dem isolierenden Substrat hat, ein zweites Metall, welches auf dem ersten Metall ausgebildet ist, wobei das zweite Metall einen geringen Widerstand hat, und ein drittes Metall aufweist, welches von dem gleichen Material wie das erste Metall gebildet wird, wobei das dritte Metall zusammen mit dem ersten Metall das zweite Metall umgibt, um die Oxidation des zweiten Metalls zu verhindern.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung er­ geben sich aus der nachstehenden Beschreibung.
Für die Erfindung werden nachstehend in der Beschreibung noch nähere Einzelheiten angegeben, welche die Grundprinzipien der Erfindung verdeutlichen.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden nachstehend an Hand von bevorzugten Ausführungsform unter Bezug­ nahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert. Darin zeigt:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht zur Verdeutlichung der Struktur der TFT-LCD nach der Erfindung,
Fig. 2a bis 2d schematische Schnittansichten zur Verdeut­ lichung der Herstellungsschritte einer Signalleitung für die TFT-LCD gemäß einer ersten bevorzugten Ausfüh­ rungsform nach der Erfindung,
Fig. 3a und 3b schematische Schnittansichten zur Verdeut­ lichung der Schritte zur Herstellung eines kissen­ förmigen Teils für die TFT-LCD gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform nach der Erfindung,
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht zur Verdeutlichung eines Anwendungsfalles, bei dem ein IC(integrierter Schaltungs-)Chip mit dem kissenförmige Teil nach der Erfindung verbunden ist,
Fig. 5 eine schematische Schnittansicht zur Verdeutlichung der Struktur einer üblichen TFT-LCD,
Fig. 6a bis 6d schematische Schnittansichten zur Verdeut­ lichung der Schritte zur Herstellung einer Signal­ leitung bei der üblichen TFT-LCD, und
Fig. 7a und 7b schematische, vergrößerte Detailansichten eines Teils A von Fig. 6 zur Verdeutlichung der Schwierig­ keiten, welche jeweils bei dem üblichen Verfahren auftreten.
Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert, in welcher gleiche oder ähnliche Teile mit denselben Bezugszeichen versehen sind. Fig. 1 ist eine schematische Schnittansicht zur Verdeutlichung der Struktur einer TFT-LCD nach der Erfindung. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, wird diese TFT- LCD von einem Glassubstrat 1 gebildet, welches ein erstes Metall 2 aufweist, welches ein gutes Haftungsvermögen, wie Tantal und Niob, hat, welches ferner ein zweites Metall 3 aufweist, das hinsichtlich der Leitungsfähigkeit ausgezeichnet ist, wie bei­ spielsweise Kupfer, und es ist ein drittes Metall 4 vorgesehen, wobei das erste Metall 2 und das dritte Metall 4 das zweite Metall 3 zur Bildung einer Signalleitung, d. h. einer Gate-Elek­ trode 13a und einer Datenleitung 13b, zusammen mit einem ersten Isolierfilm 5a aus Ta₂O₅ oder Nb₂O₂ umgeben, welcher auf der Oberfläche der Signalleitung durch Anwenden einer anodischen Oxidation auf das erste Metall 2 und das zweite Metall 3 ausge­ bildet ist. Ein zweiter Isolierfilm 5 wird insgesamt wie bei einer üblichen Struktur ausgebildet, und es ist ein amorphes Silizium 6, ein n⁺ amorphes Silizium 7 und eine Source- und Drain-Elektrode 8 vorgesehen.
Das erste Metall und das dritte Metall können aus einer Gruppe gewählt werden, welche Titan (Ti), Vanadium (V) und Metalle der Gruppe III des Periodensystems an Stelle von Tantal (Ta) und Niob (Nb) umfaßt. Aluminium oder Aluminiumlegierungen können für das zweite Metall an Stelle von Kupfer eingesetzt werden.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung des Verfahrens zum Herstel­ lung einer TFT-LCD-Signalleitung unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 4.
Zuerst werden unter Bezugnahme auf Fig. 2 Schnittansichten zur Verdeutlichung der Schritte zur Herstellung einer Signalleitung für die TFT-LCD beschrieben, welche zu einer ersten bevorzugten Ausführungsform nach der Erfindung gehören.
Zuerst wird auf einem Glassubstrat 1 ein erstes Metall 2, wie Tantal oder Niob, mit einer Dicke von etwa 200 bis 1.000 Å auf­ gebracht, und es wird ein zweites Metall 3, wie Kupfer, welches einen niedrigen Widerstand hat, mit einer Dicke von etwa 500 bis 1.000 Å aufgebracht, wobei diese in der geeigneten Reihenfolge beispielsweise mittels Beschichten durch Vakuumzerstäuben auf­ gebracht werden. Anschließend wird ein Überzug aus einem Foto­ lack über dem zweiten Metall 9 vorgesehen. Ein Fotoätzverfahren wird bei dem Fotolack 3 derart eingesetzt, daß die vorbestimmt Breite (W₁) des Fotolacks 9 definiert wird. An­ schließend wird das zweite Metall 3 einem Naßätzverfahren in einer Essigsäurelösung (CH₃COOH) ausgesetzt. Das Naßätzverfahren führt zu einer Ätzbehandlung des zweiten Metalls 3 sowohl in vertikaler als auch in horizontaler Richtung, so daß das zweite Metall 3 derart strukturiert werden kann, daß er das gleiche Muster wie in Fig. 2a gezeigt hat.
Anschließend wird der Fotolack 9 entfernt, und ein drittes Me­ tall 4 wird dann vollständig auf der erhaltenen Struktur mit einer Dicke von 500 bis 1.500 Å aufgebracht, wie dies in Fig. 2b gezeigt ist.
Anschließend wird ein Fotolack 9a über dem dritten Metall 4 aufgetragen, und dann erfolgt eine Musterbildung mit Hilfe eines Fotoätzverfahrens in einer solchen Weise, daß eine vorbestimmte Breite (W₂) hiervon definiert wird, welche um wenig­ stens 1 µm größer als die Breite (W₁) des zweiten Metalls 3 ist, wie dies in Fig. 2c gezeigt ist. Im Anschluß daran wird ein Ätz­ verfahren eingesetzt, um die überflüssigen Teile der ersten und der dritten Metalle 2 und 4 zu entfernen, wie dies in Fig. 2c gezeigt ist. Wenn das erste Metall 2 und das dritte Metall 4 von Tantal gebildet werden, erfolgt die Ätzbehandlung unter Einsatz CF₄/O₂ Gas.
Schließlich wird der Fotolack 9a entfernt, und es wird ein anod­ ischer Oxidationsprozeß für das erste Metall 2 und das dritte Metall 4 in einer wäßrigen Ammoniumstanatlösung eingesetzt, wel­ che eine Konzentration von etwa 0,1 bis 0,001 mol/l hat und bei dem eine Spannung von etwa 50 bis 100 V zur Anwendung kommt, so daß ein erster Isolierfilm 5a auf der freigelegten Fläche des ersten Metalls 2 und des dritten Metalls 4 mit einer Dicke von etwa 800 bis 1.600 Å gebildet wird, wie dies in Fig. 2d gezeigt ist. Unter den angegebenen Bedingungen wird der erste Isolier­ film 5a von TA₂O₅ oder Nb₂O₅ gebildet.
Im Anschluß daran werden dann die Schritte zur Herstellung einer TFT-LCD-Signalleitung und eines kissenförmigen Bereichs durchge­ führt, wie dies in Fig. 3 gezeigt ist. Hierzu wird eine Sili­ ziumnitridfilm oder ein Siliziumoxidfilm zu Beginn auf der er­ haltenen Struktur mit einer Dicke von etwa 3.000 Å derart auf­ gebracht, daß sich ein zweiter Isolierfilm 5 bildet, wie dies in Fig. 3a gezeigt ist. Anschließend wird ein Fotolack (Photore­ sist) 9b über dem zweiten Isolierfilm 5 aufgebracht, und dann wird ein Fotoätzverfahren auf den oberen Teil des kissenförmigen Teils angewandt, so daß dieses Teil derart gemustert ist, daß es offen ist. Zur Bildung eines kissenförmigen Bereichs erfolgt die Durchführung eines trockenen oder nassen Ätzverfahrens, um den ersten Film 5a, den zweiten Isolierfilm 5 und das dritte Metall 4 in der angegebenen Reihenfolge zu ätzen.
Unter Bezugnahme auf Fig. 4 wird nunmehr ein Verfahren zum Ver­ binden eines IC(integrierten Schaltungs-)Chips mit dem kissen­ förmigen Teil nach der Erfindung erläutert. Zum Anschluß wird Gold (Au) 10 elektrisch unter Einsatz eines Elektroplattierver­ fahrens auf oder über dem zweiten Metall 3 der kissenförmigen Struktur nach der Erfindung aufgebracht, und es wird unter Ver­ wendung eines Verbindungsmaterials 11 aus Pb/Sm in Legierungs­ form die Kupferschicht 12 eines IC-Chips, welcher über dem Ver­ bindungsteil der Verschaltung angeordnet ist, mit dem zweiten Metall 3 verbunden.
Daher ist es nicht erforderlich, wiederum ein Metall für die Anbringung eines Chips auf dem Glassubstrat (COG) vorzusehen. Als Folge hiervon wird das Verfahren unter Einsatz des Verschal­ tungsmetalls in dem kissenförmigen Teil vereinfacht.
Wie vorstehend beschrieben worden ist, wird eine Unterbrechung in der Signalleitung durch die doppelten Ätzverfahren nach der Erfindung verhindert. Zusätzlich werden das Lecken und der Kurz­ schluß zwischen der Source/Drain-Elektrode und der Gate-Elek­ trode bei der erfindungsgemäßen TFT-LCD-Struktur verhindert. Ferner erhält man bei dem Verfahren zum Herstellen einer TFT- LCD-Signalleitung ein kissenförmiges Teil, bei dem COG einge­ setzt werden kann, wodurch man Vorteile hinsichtlich einer ver­ besserten Herstellungsausstoßleistung erhält.

Claims (9)

1. Verfahren zum Herstellen einer Signalleitung für eine TFT-LCD mit den folgenden Schritten:
  • a) Ausbilden einer ersten Metallschicht (2) und einer zweiten Metallschicht (3) in einer geeigneten Reihenfolge auf einem Glassubstrat;
  • b) Bedecken der zweiten Metallschicht (3) mit einem Photolack (9) und Ätzen des Photolacks auf eine erste vorbestimmte Breite (W₁);
  • c) Ätzen der zweiten Metallschicht (3);
  • d) Entfernen des Photolacks (9);
  • e) Ausbilden einer dritten Metallschicht (4) auf der gesamten erhaltenen Struktur;
  • f) Bedecken der dritten Metallschicht (4) mit einem Photolack (9a) und Ätzen des Photolacks auf eine zweite vorbestimmte Breite (W₂), die größer als die erste vorbestimmte Breite (W₁) ist; und
  • g) gleichzeitiges Ätzen der ersten und zweiten Metallschicht (2 bzw. 3), um überflüssige Teile dieser Schichten zu entfernen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Metallschicht die zweite Metallschicht (3) be­ deckt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, welches ferner den Schritt aufweist, gemäß dem ein anodisches Oxidationsverfahren auf die Oberflächen des ersten Metalls (2) und des dritten Metalls (4) derart angewandt wird, daß ein erster Isolierfilm (5a) gebildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Metall (2) und das dritte Metall (4) aus der Gruppe gewählt sind, welche Tantal, Niob, Titan, Vanadium und Metalle der Gruppe III des Periodensystems umfaßt.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das zweiten Metall (2) aus der Gruppe gewählt ist, welche Kupfer, Kupferlegierungen, Aluminium und Aluminiumlegierungen umfaßt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite (W₂) der Signalleitung wenigstens 1 µm größer als die Breite (W₁) des zweiten Metalls ist.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzverfahren für das zweite Metall (3) ein Naßätzverfahren ist, welches in einer Lösung des Essig­ säuretyps durchgeführt wird.
8. TFT-LCD-Signalleitungsstruktur, gekennzeichnet durch:
ein Isoliersubstrat (1);
ein erstes Metall (2), welches auf dem Isoliersubstrat (1) ausgebildet ist und ein gutes Haftungsvermögen mit dem Isoliersubstrat (1) hat;
ein zweites Metall (3), welches auf dem ersten Metall (2) ausgebildet ist und einen Widerstand von höchstens 20 µΩ · cm hat;
ein drittes Metall (4), welches von dem gleichen Me­ tall wie das erste Metall (2) gebildet wird, und das zusam­ men mit dem ersten Metall (2) das zweite Metall (3) umgibt; und
einen ersten Isolierfilm (5a), welcher durch Anwenden einer anodischen Oxidation auf das erste Metall (2) und das dritte Metall (4) gebildet wird.
9. TFT-LCD-Signalleitungsstruktur nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des zweiten Metalls (3) derart freigelegt ist, daß eine kissenförmige Signalleitung mit einer Peripherieschaltung elektrisch verbunden wird.
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