DE3803088A1 - Polyimid-siloxane, verfahren zu deren herstellung und ihre verwendung - Google Patents
Polyimid-siloxane, verfahren zu deren herstellung und ihre verwendungInfo
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Description
Vor der vorliegenden Erfindung wurden verschiedene Verfahren benutzt,
Polyimid-Siloxane herzustellen, die im wesentlichen aus
chemisch verbundenen Blöcken von Polydiorganosiloxan mit Polyimid
bestehen. In der US-PS 33 25 450 ist die Interkondensation
von Polydiorganosiloxan mit endständigen Diorganoorganoamino
siloxy-Einheiten mit Benzophenondianhydrid beschrieben, wobei
man Polyimid-Siloxan erhält. Ein anderes Verfahren, das die Interkondensation
von Polydiorganosiloxan mit endständigen Alkylamino-
Gruppen mit aromatischen Bis(ätheranhydrid) einschließt, ist in
der US-PS 38 47 867 beschrieben. Ein weiteres Beispiel von Poly
imid-Siloxanen ist in der US-PS 44 04 350 gezeigt, bei dem Nor
bonananhydrid-Endgruppen aufweisendes Organopolysiloxan mit organischem
Diamin und gegebenenfalls anderem aromatischen Bisanhydrid
interkondensiert ist.
Die Synthese von 1,3-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetrame
thyldisiloxan-dianhydrid ist von J. R. Pratt et. al. in "Journal
of Organic Chemistry", Band 38, No. 25, Seiten 4271 bis 4274
(1973) beschrieben. Eine Synthese des "Siloxananhydrids" nach
Pratt et al und das Siloxananhydrid der Formel
worin R und n die nachfolgende Bedeutung haben, ist in der US-
Patentanmeldung, Serial No. 7 65 089 vom 13. August 1985 beschrieben,
auf die hiermit ausdrücklich Bezug genommen wird. Diese
Siloxananhydride können hergestellt werden, indem man eine Umsetzung
zwischen einem funktionelle Gruppen aufweisenden Disilan
und einem aromatischen Acylhalogenid in Gegenwart einer wirksamen
Menge eines Übergangsmetall-Katalysators bewirkt und dann
das erhaltene aromatische Halogensilylanhydrid hydrolysiert.
Die vorliegende Erfindung beruht auf der Feststellung, daß Siloxananhydrid
der Formel (1), aromatische Anhydrid-Endgruppen aufweisendes
Organopolysiloxan der Formel
oder äquilibrierte Mischungen davon, benutzt werden können, um
Polyimid-Siloxan durch Interkondensation mit organischem Diamin
der Formel
NH₂R²NH₂ (3)
herzustellen, worin R ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest
oder ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest ist, der
substituiert ist mit gleichen oder verschiedenen Resten, die wäh
rend der Interkondensation neutral sind, R¹ ist ein dreiwertiger
C(6-14)-aromatischer organischer Rest, R² ist ein zweiwertiger
C(2-20)-organischer Rest und n ist eine ganze Zahl von 1 bis
einschließlich etwa 2000. In Formel (2) kann n einen Wert von
2 bis einschließlich etwa 2000 haben.
Die Siloxananhydride der Formeln (1) und (2) sowie deren Mischungen
können auch mit Cyclopolydiorganosiloxan der Formel
äquilibriert werden, wobei R die obige Bedeutung hat und p eine
ganze Zahl von 3 bis einschließlich 8 ist oder das Siloxananhydrid
der Formel (1) kann mit einer Mischung des Cyclopolydiorganosiloxans
der Formel (4) und Triorganosiloxan-Kettenabbruchsmittel,
wie Hexamethyldisiloxan, äquilibriert werden. Weitere
Kettenabbruchsmittel, wie Tetramethyldiphenyldisiloxan, 1,3-Di
vinyltetramethyldisiloxan oder deren Mischungen können ebenfalls
benutzt werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird Polyimid-Siloxan geschaffen,
das wiederkehrende chemisch gebundene Imidsiloxan-Gruppen
aufweist, die das Interkondensations-Reaktionsprodukt umfassen
von
- (A) Siloxananhydrid mit chemisch verbundenen Einheiten der For mel oder einer Mischung solcher Siloxananhydrid-Einheiten, die chemisch gebunden sind mit Siloxan-Einheiten der Formel und
- (B) organischem Diamin der Formel (3), wobei R und R¹ die oben genannte Bedeutung haben, a eine ganze Zahl von 0 bis einschließlich 2 und b eine Zahl von 0 bis einschließlich 3 ist.
Vorzugsweise werden die Polyimid-Siloxane der vorliegenden Erfindung
hergestellt durch Interkondensation von organischem Diamin
der Formel (3) und Siloxananhydrid der Formel
worin R die oben genannte Bedeutung hat und m eine ganze Zahl
von 1 bis einschließlich 3 und am bevorzugtesten 1 ist.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird Poly
imid-Siloxan geschaffen, das wiederkehrende, chemisch gebundene
Siloxan-Imid-Gruppen der Formel
oder eine wiederkehrende Mischung mit etwa 5 bis 95 Gew.% der
Mischung solcher Siloxan-Imid-Gruppen und von 95 bis 5 Gew.-%
der Mischung von Imid-Gruppen der Formel
aufweist, worin R, R¹, R² und m die vorgenannte Bedeutung haben,
R³ ein vierwertiger C(6-14)-aromatischer organischer Rest ist,
der die unten angegebene Bedeutung hat und c ist eine ganze Zahl
von 1 bis einschließlich 200.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird Poly
imid-Siloxan mit wiederkehrenden, chemisch gebundenen Gruppen
der Formel
geschaffen, wobei R, R¹ und R² die obengenannte Bedeutung haben.
Reste für R in den Formeln 1, 2, 4-8 und 10 sind z. B. C(1-8)-
Alkylreste und halogensubstituierte Alkylreste, wie Methyl,
Äthyl, Propyl, Butyl, Octyl, Trifluorpropyl usw.; Alkenylreste,
wie Vinyl, Allyl, Cyclohexenyl usw.; Arylreste; Alkarylreste;
Alkoxyarylreste und Halogenarylreste, wie Phenyl, Chlorphenyl,
Methoxyphenyl, Tolyl, Xylyl, Biphenyl, Naphthyl usw.;
Reste für R¹ z. B. sind
worin R⁴ einwertige neutrale Reste wie R, Halogen und C(1-8)-
Alkoxy sind und b eine Zahl mit einem Wert von 1 bis einschließlich
3 ist.
Reste für R² sind z. B. zweiwertige C(2-20)-organische Reste,
ausgewählt aus aromatischen C(6-20)-Kohlenwasserstoffresten,
halogensubstituierten aromatischen C(6-20)-Kohlenwasserstoffresten,
Alkylenresten und Cycloalkylenresten, mit endständigen
C(2-8)-organischen Gruppen versehenes Polydiorganosiloxan und
zweiwertige Reste der Formel
worin Q′ ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus
und x eine ganze Zahl von 1 bis einschließlich 5 ist.
Reste für R³ der Formel (9) sind z. B.
und
worin D eine Gruppierung ist ausgewählt aus
worin R² die vorgenannte Bedeutung hat, R⁵ ausgewählt ist aus
Wasserstoff und R, R⁶ eine Gruppierung ist, ausgewählt aus
und zweiwertigen organischen Resten der allgemeinen Formel
worin X eine Gruppierung ist ausgewählt aus der Gruppe bestehend
aus zweiwertigen Resten der Formeln
worin m 0 oder 1 und y eine ganze Zahl von 1 bis 5 ist.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt,
in deren einziger Figur ein elektronisches Element
gezeigt ist, das gemäß der Erfindung hergestellt ist.
Mehr im besonderen ist in der Zeichnung ein Halbleiterelement
aus Halbleitermaterial, wie Silicium, Siliciumkarbid, Germanium
und Galliumarsenid gezeigt. Das Halbleiterelement hat zwei
Hauptbereiche 20 und 30 aus Halbleitermaterial sowie einen
P-N-Übergang bei 22.
Es ist weiter ein elektrischer Kontakt bei 35 gezeigt, der
leitend mit dem Bereich 30 mittels eines Leiters 29, wie
einem Lot, verbunden ist. Ein zweiter elektrischer Kontakt ist
bei 25 gezeigt, der durch ein leitendes Material 21, wie ein
Lot, mit dem Bereich 20 verbunden ist. Ein isolierender Überzug,
wie aus Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid, ist bei 28
gezeigt. Ein sich anpassender Überzug, eine solche dielektrische,
isolierende oder passivierende Schicht ist bei 38 gezeigt
und umfaßt das Polyimidsiloxan der vorliegenden Erfin
dung.
Zusätzlich zu Halbleiterelementen mit dielektrischen Schichten
aus Polyimidsiloxan werden durch die vorliegende Erfindung
auch Verbundstoffe aus Polyimiden, wie Kapton-Polyimid und
ein Metall- oder Nichtmetallsubstrat geschaffen, die eine
Zwischenschicht aus Polyimid-Siloxan als Klebstoff aufweisen.
So kann z. B. ein Verbundstoff aus Kapton-Polyimid und ein
Metall- oder Nichtmetall, wie Aluminium, Silicium, Germanium,
hergestellt werden durch Behandeln entweder eines Kapton-
Polyimidsubstrats oder des Metallsubstrats mit einer Lösung
von Polyimid-Polysiloxan in einem organischen Lösungsmittel,
wobei das Siloxan chemisch miteinander verbundene Einheiten
der Formel (8) umfaßt und man das Substrat trocknen läßt, um
einen Polyimid-Siloxanrückstand darauf zu hinterlassen. Das
erhaltene behandelte Substrat kann nachher mit dem anderen Substrat
laminiert werden, um einen Polyimid-Metall- oder -Nicht
metall-Verbundstoff herzustellen, der das Polyimid-Siloxan
als Zwischenschicht aufweist. Ein Laminierungsdruck von etwa
0,7 bis 70,3 N/mm² (entsprechend 100 bis 10 000 US-Pfund/
Zoll²) kann bei einer Temperatur von 150 bis 450°C benutzt
werden. Brauchbare Lösungsmittel sind z. B. Anisol, p-Methylanisol,
Xylol oder Diglym.
In gewissen Fällen kann der Verbundstoff vorteilhafter hergestellt
werden, indem man anfänglich das geeignete Polyimid-
oder Metallsubstrat mit Polyimid-Siloxan behandelt, das in
Form einer Polyamidsäure-Lösung in einem dipolaren, aprotischen
organischen Lösungsmittel, wie N-Methylpyrrolidon,
aufgebracht werden kann. Das Verdampfen des Lösungsmittels
und das nachfolgende Erhitzen auf Temperaturen von 200 bis
500°C kann die Polyamidsäure in den Polyimid-Zustand umwan
deln.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung werden Verbundstoffe
umfaßt, die aus Polyimid bestehen, wie Kapton-Polyimid, das
mit Polyimid verbunden ist unter Verwendung von Polyimid-Siloxan
der vorliegenden Erfindung als Klebstoff sowie solche Poly
imid-Siloxane als isolierenden oder Klebstoff-Überzug auf Silicium
auf mehrschichtigen mikroelektronischen Strukturen.
Organische Dianhydride, die in Kombination mit den Siloxananhydriden
der Formel (1) und (2) oder deren Mischungen bei der
Durchführung der vorliegenden Erfindung benutzt werden können,
sind z. B. aromatisches organisches Dianhydrid, wie Pyromellit
säuredianhydrid, Benzophenondianhydrid, 3,3′,4,4′-Biphenyl
tetracarbonsäureanhydrid, Sulfonyl-bis-(4-phthalsäureanhydrid),
3,3′,4,4′-Diphenylsulfidtetracarbonsäureanhydrid und 2,2′-Bis-
(4-phthalsäureanhydrid)-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropan,
aromatisches Bis(ätheranhydrid) nach der US-
PS 38 47 867 sowie Oxy-bis-(4-phthalsäureanhydrid). Zusätzlich
kann auch Silylnorbornananhydrid, wie in der US-PS 43 81 396
gezeigt, benutzt werden.
Zu den organischen Diaminen der Formel (3) gehören Verbindungen
oder deren Mischungen wie die folgenden:
3,3′-Diaminobenzophenon;
4,4′-Diaminobenzophenon;
4,4′-Diaminodiphenyläther;
m-Phenylendiamin;
p-Phenylendiamin;
4,4′-Diaminodiphenylpropan;
4,4′-Diaminodiphenylmethan;
Benzidin;
4,4′-Diaminodiphenylsulfid;
4,4′-Diaminodiphenylsulfon;
1,5-Diaminonaphthalin;
3,3′-Dimethylbenzidin;
3,3′-Dimethoxybenzidin;
2,4-Diaminotoluol;
2,6-Diaminotoluol;
2,4-Bis(p-amino-t-butyl)toluol;
1,3-Diamino-4-isopropylbenzol;
1,2-Bis(3-aminopropoxy)ethan;
m-Xylylendiamin;
p-Xylylendiamin;
Bis(4-aminocyclohexyl)methan;
Decamethylendiamin;
3-Methylheptamethylendiamin;
4,4-Dimethylheptamethylendiamin;
2,11-Dodecandiamin;
2,2-Dimethylpropylendiamin;
Octamethylendiamin;
3-Methoxyhexamethylendiamin;
2,5-Dimethylhexamethylendiamin;
2,5-Dimethylheptamethylendiamin;
3-Methylheptamethylendiamin;
5-Methylnonamethylendiamin;
1,4-Cyclohexandiamin;
1,15-Octadecandiamin;
Bis(3-aminopropyl)sulfid;
N-Methyl-bis-(3-aminopropyl)amin;
Hexamethylendiamin;
Heptamethylendiamin;
Nonamethylendiamin;
3,3′-Diaminodiphenylether;
3,4-Diaminodiphenylether;
Bis-(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxan; etc.
4,4′-Diaminobenzophenon;
4,4′-Diaminodiphenyläther;
m-Phenylendiamin;
p-Phenylendiamin;
4,4′-Diaminodiphenylpropan;
4,4′-Diaminodiphenylmethan;
Benzidin;
4,4′-Diaminodiphenylsulfid;
4,4′-Diaminodiphenylsulfon;
1,5-Diaminonaphthalin;
3,3′-Dimethylbenzidin;
3,3′-Dimethoxybenzidin;
2,4-Diaminotoluol;
2,6-Diaminotoluol;
2,4-Bis(p-amino-t-butyl)toluol;
1,3-Diamino-4-isopropylbenzol;
1,2-Bis(3-aminopropoxy)ethan;
m-Xylylendiamin;
p-Xylylendiamin;
Bis(4-aminocyclohexyl)methan;
Decamethylendiamin;
3-Methylheptamethylendiamin;
4,4-Dimethylheptamethylendiamin;
2,11-Dodecandiamin;
2,2-Dimethylpropylendiamin;
Octamethylendiamin;
3-Methoxyhexamethylendiamin;
2,5-Dimethylhexamethylendiamin;
2,5-Dimethylheptamethylendiamin;
3-Methylheptamethylendiamin;
5-Methylnonamethylendiamin;
1,4-Cyclohexandiamin;
1,15-Octadecandiamin;
Bis(3-aminopropyl)sulfid;
N-Methyl-bis-(3-aminopropyl)amin;
Hexamethylendiamin;
Heptamethylendiamin;
Nonamethylendiamin;
3,3′-Diaminodiphenylether;
3,4-Diaminodiphenylether;
Bis-(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxan; etc.
Die Polyimid-Siloxane der vorliegenden Erfindung können synthetisiert
werden durch Umsetzen von im wesentlichen gleichen molaren
Mengen des Siloxananhydrids oder einer Mischung von Siloxanan
hydrid und organischen Dianhydrid mit dem organischen Diamin in
Gegenwart eines inerten organischen Lösungsmittels bei einer
Temperatur im Bereich von 150 bis 350°C.
Inerte organische Lösungsmittel, die benutzt werden können,
sind z. B. o-Dichlorbenzol, Xylol und dipolares aprotisches Lösungsmittel,
z. B. Dimethylformamid, Dimethylacetamid, N-methylpyrrolidon.
Das Siloxandianhydrid der Formel (2), in dem n
größer als 1 ist, z. B. einen Wert von etwa 5 bis etwa 2000 hat,
kann hergestellt werden, indem man das Siloxandianhydrid der
Formel (2), in dem n gleich 1 ist, mit Cyclopolysiloxanen äquilibriert,
wie Hexaorganocyclotrisiloxan oder Octaorganocyclotetrasiloxan
in Gegenwart eines üblichen Äquilibrierungskatalysators.
Einige der Polyimid-Siloxane können Blockpolymere sein und man
kann sie als Isolation für elektrische Leiter, Klebstoffe, Formmassen,
Filme, Überzüge, Schichtstoffe, zähe Elastomere und Matrixmaterial
für Verbundstoffe, wie Glasfaser-, Kohlenstoffaser-
oder Polyaramidfaser-, wie Kevlar-Polyamidfaser-Verbundstoffe be
nutzen.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung folgen Beispiele, die nur
der Veranschaulichung, nicht aber der Beschränkung dienen sollen.
Alle angegebenen Teile sind Gewichtsteile.
Eine Mischung aus 20 g 1,3-Bis(4′-phthalsäureanhydrid) Tetrame
thyldisiloxan, 5,1 g m-Phenylendiamin und 71 ml o-Dichlorbenzol
wurde auf Rückflußtemperatur erhitzt. Die Mischung wurde für
2 Stunden am Rückfluß gekocht, wobei das wasserhaltige azeotrope
Gemisch laufend entfernt wurde. Das Material begann aus der
Lösung auszufallen und das Erhitzen wurde beendet. Nachdem die
Lösung abgekühlt war, gab man zu der Mischung 100 ml Methylenchlorid
hinzu und goß die erhaltene homogene Produktmischung
in 500 ml rasch gerührtes Methanol. Ein weißes Produkt fiel aus.
Das Verfahren wurde wiederholt und weiteres Produkt erhalten und
das sich ergebende Produkt trocknete man im Vakuum. Man erhielt
23,4 g oder eine 100%ige Ausbeute an Material. Nach dem Herstellungsverfahren
war das Produkt ein Polyimid-Siloxan, das
im wesentlichen aus chemisch verbundenen Einheiten der Formel
besteht. Analyse durch Gelpermeationschromatographie zeigt, daß
das Produkt ein Molekulargewicht von etwa 75 000 g/mol aufweist.
Das Polyimid-Siloxan hat ein Tg von 169°C und eine grundmolare
Viskositätzahl (intrinsic viscosity) in Chloroform von
0,76 dl/g. Ein wertvoller Isolationsüberzug wird auf Kupferdraht
gebildet, wenn der Draht in eine 10%ige Lösung des Polymers
in Chloroform getaucht wird und man ihn an der Luft trocknet.
Eine Mischung von 5 g 1,3-Bis(4′-phthalsäureanhydrid)tetramethyldisiloxan
und 20,84 g Octamethylcyclotetrasiloxan in 50 ml
o-Dichlorbenzol, das 0,5 ml rauchende Schwefelsäure und 1 ml
konzentrierte Schwefelsäure enthält, wurde 18 Stunden auf 110°C
erhitzt. Man ließ sich die Mischung auf Zimmertemperatur abkühlen
und gab 100 ml Methylenchlorid hinzu und neutralisierte die
Säure mit einem Überschuß an Natriumbicarbonat. Die Lösung wurde
mit entfärbendem Kohlenstoff filtriert und das Lösungsmittel im
Vakuum entfernt. Man erhitzte das Produkt auf 80°C unter einem
Hochvakuum von etwa einem Pa (0,01 torr), um flüchtige Produkte
zu entfernen. Man erhielt ein klares viskoses Öl, das ein Polydimethylsiloxan
mit einem Durchschnitt von etwa 16 chemisch miteinander
verbundenen Dimethylsiloxyeinheiten mit endständigen
Dimethylsilizium-anhydridsiloxyeinheiten war. Nach dem Herstellungsverfahren
und der Protonen-NMR- und IR-Analyse hatte das
Produkt die folgende Formel
Eine Mischung von 50 ml Toluol, 7 g Bis(phthalsäureanhydrid)te
tramethyldisiloxan, 29 g Octamethylcyclotetrasiloxan und 75 µl
eines Fluormethansulfonsäureanhydrids und 26 µl wurde auf 67°C
erhitzt. Nach 48 Stunden wurde die erhaltene homogene Lösung auf
Raumtemperatur abgekühlt und die Säure mit 300 mg wasserfreiem
Magnesiumoxid neutralisiert. Etwa 100 ml Methylenchlorid wurden
in die Mischung eingeführt, und die Lösung unter Verwendung entfärbenden
Kohlenstoffes filtriert. Das Lösungsmittel wurde durch
Strippen im Vakuum entfernt und das erhaltene viskose Öl unter
einem Vakuum von etwa 1 Pa (0,01 torr) auf 80°C erhitzt, um
flüchtige Cyclosiloxane zu entfernen. Es wurde keine Sublimation
von Phthalsäureanhydrid beobachtet, was zeigt, daß die Äquilibrierung
ohne Abspalten von Endgruppen stattgefunden hatte. Man
erhielt 21,4 g eines klaren viskosen Öls, das 59% der isolierten
Ausbeute darstellte. Nach dem Herstellungsverfahren, der
Protonen-NMR- und der IR-Analyse war das Produkt ein Polydimethylsiloxan
mit einem Durchschnitt von 27 chemisch verbundenen Dimethylsiloxyeinheiten
und endständigen Dimethylsiloxy-Phthal
säureanhydridsiloxy-Einheiten.
Eine Mischung von 5 g des obigen äquilibrierten Siloxandianhydrids,
4 g 1,3-Bis(4′-phthalsäureanhydrid)-tetramethyldisiloxan
und 1,24 g m-Phenylendiamin wurde in 30 ml o-Dichlorbenzol in
Gegenwart einer katalytischen Menge von 4-Dimethylaminopyridin
am Rückfluß erhitzt. Das während der Umsetzung gebildete Wasser
wurde während der 2-stündigen Heizperiode kontinuierlich entfernt.
Nach dem Abkühlen gab man weitere 75 ml Methylenchlorid
zu der Mischung hinzu, um das ausgefällte Produkt wieder aufzulösen.
Dann goß man die Mischung in Methanol und fällte das
Produkt zweimal aus, trennte es ab und trocknete es. Man erhielt
2 g eines Produktes, das in 10 ml Chloroform aufgelöst wurde. Goß
man das Produkt, dann erhielt man einen etwa 0,25 mm (entsprechend
10/1000 Zoll) dicken transparenten thermoplastischen elastomeren
Film. Nach dem Herstellungsverfahren war das Produkt ein Poly
imid-Siloxan, das im wesentlichen aus chemisch miteinander verbundenen
Einheiten der Formel
bestand, bei dem r und s ganze positive Zahlen innerhalb der
oben angegebenen Definition von n sind. Die gelpermeationschromatographische
Analyse zeigte, daß das Polyimid-Siloxan ein
Molekulargewicht von etwa 173 000 g/mol und eine grundmolare
Viskositätszahl von 1,2 dl/g in Chloroform hatte. Es wurde festgestellt,
daß das Polyimid-Siloxan leicht auf Kupferdraht stranggepreßt
werden konnte und wertvolle isolierende und dielektrische
Eigenschaften aufwies.
Eine Mischung, die 5 g des äquilibrierten Siloxandianhydrids,
das in Beispiel 3 beschrieben ist, 1,7 g Benzophenondianhydrid
und 1,24 g m-Phenylendiamin enthielt, wurde am Rückfluß in 30 ml
o-Dichlorbenzol in Gegenwart einer katalytischen Menge 4-Dimethyl
aminopyridin am Rückfluß erhitzt. Wasser wurde während der 2-stündigen
Heizperiode kontinuierlich entfernt. Ein Produkt wurde in
einer Weise isoliert, die ähnlich der in Beispiel 3 beschriebenen
war. Nach dem Herstellungsverfahren war das Produkt ein
Polyimid-Siloxan, das im wesentlichen aus chemisch miteinander
verbundenen Einheiten der Formel
besteht, worin t und u die für r und s in Beispiel 3 angegebenen
Bedeutungen haben.
Zu 25 ml einer Methylenchloridlösung, die 0,5 g 4-Dichlormethyl-
Silylphthalsäureanhydrid enthielt, wurde der 5fache molare Überschuß
an Wasser hinzugegeben. Nach dem Trocknen und Entfernen
des Lösungsmittels im Vakuum erhielt man eine quantitative Ausbeute
eines Methylsiloxans mit Silylphthalsäureanhydridgruppen
im Rahmen der Formel 1, wie die NMR- und IR-Analyse zeigte. Das
Methylsiloxan wurde zu 5 g einer Polydimethylsiloxanflüssigkeit
mit endständigen Dimethylsiloxy-Phthalsäureanhydrid-Einheiten
und im Durchschnitt 27 chemisch verbundenen Dimethylsiloxy-Einheiten
hinzugegeben. Die Mischung wurde in 50 ml Toluol gelöst
und dann gab man 2 Tropfen konzentrierter Schwefelsäure hinzu.
Die erhaltene Lösung wurde für 4 Stunden bei 80°C erhitzt. Nach
dem Abkühlen gab man 50 ml Methylenchlorid hinzu und neutralisierte
die Lösung mit Natriumbicarbonat, gefolgt vom Trocknen
und der Entfernung des Lösungsmittels im Vakuum. Zu der erhaltenen
Silikonflüssigkeit gab man 0,5 g m-Phenylendiamin und erhitzte
die Mischung, um Wasser zu entfernen. Das erhaltene vernetzte
Polymer war ein zäher Kautschuk mit wertvollen isolierenden
und dielektrischen Eigenschaften.
Man erhitzte auf 75°C 50 ml einer Toluol-Lösung von 3,0 g
4-Phthalsäureanhydrid-Methylsiloxan des Beispiels 5, 3,0 g Octa
methylcyclotetrasiloxan und 6 mg Hexamethyldisiloxan als Kettenabbruchsmittel.
Eine katalytische Menge des sauren Nafionharzes
wurde hinzugegeben und die Mischung für 15 Stunden auf 75°C erhitzt.
Die Filtration des Katalysators und die Entfernung des
Toluol-Lösungsmittels im Vakuum ergaben ein Trimethylsiloxyendgruppen
aufweisendes Copolymer, das Dimethylsiloxy- und 4-Phthal
säureanhydrid-Methylsiloxy-Einheiten enthielt. Die NMR- und
IR-Analyse ergab mit der Copolymerstruktur übereinstimmende Ergebnisse.
Das Polymer wurde leicht mit einem Polyamin, wie Gamma
aminopropyltetramethyldisiloxan, vernetzt und ergab ein zähes,
vernetztes thermoplastisches Silikonelastomer.
Eine Mischung von 30 g (0,11 Mol) Hexachlordisilan und 23 g
(0,11 Mol) Trimellitsäureanhydrid-Säurechlorid wurde bei 145°C
unter einer Stickstoffatmosphäre in Gegenwart von 1 Mol Palladium
(11) auf Silicagel umgesetzt. Kohlenmonoxid wurde entwickelt
und Tetrachlorsilan kontinuierlich in dem Maße entfernt, in dem
es sich entwickelte. Die Vakuumdestillation der erhaltenen Mischung
ergab 4-Trichlorsilylphthalsäureanhydrid.
Die Hydrolyse von 4-Trichlorsilylphthalsäureanhydrid ergibt ein
vernetztes Harz der Formel
Eine Mischung von 4-Trichlorsilylphthalsäureanhydrid und Di
methyldichlorsilan wurde in Wasser cohydrolysiert, um eine Silikonflüssigkeit
zu ergeben. Die Silikonflüssigkeit besteht im
wesentlichen aus chemisch verbundenen Siloxyphthalsäureanhydrid-
Einheiten, die chemisch mit Dimethylsiloxy-Einheiten verbunden
sind. Durch Interkondensation der Silikonflüssigkeit mit Gamma-
Aminopropyltetramethyldisiloxan wurde ein gehärtetes Polyimidsiloxan
gebildet.
Eine Reihe von Polyimidsiloxanen wurde aus verschiedenen organischen
Dianhydriden, Siloxandianhydriden und deren Mischungen
mit verschiedenen aromatischen organischen Diaminen, Siloxandiaminen
und deren Mischungen zubereitet, um die thermische Stabilität
und die grundierungsfreie Haftung der Siloxanimide an Silizium
zu bestimmen. Die Dianhydride, die bei der Zubereitung der
Imidsiloxane benutzt wurden, waren Pyromellitsäuredianhydrid
(PMDA), Oxy-bis(4-phthalsäureanhydrid) (ODAN), 1,2-Bis(4-phthal
säureanhydrid)-1,1,2,2-tetramathyldisiloxan (PADS) und 2,2-Bis-
[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propandianhydrid (BPADA). Die
aromatischen organischen Diamine, die bei der Herstellung der
Imidsiloxane benutzt wurden, waren 4,4′-Oxydianilin (ODA), Methy
lendianilin (MDA) und ein Polydimethylsiloxan mit im Durchschnitt
etwa 8 chemisch gebundenen Polydimethylsiloxy-Einheiten und endständigen
Gamma-Aminopropyldimethylsiloxy-Einheiten (GAP). Eine
Mischung von Toluoldiamin (TDA) und G₉GAP, eines Aminopropyl-
Endgruppen aufweisenden Siloxans mit 9 chemisch gebundenen Di
methylsiloxy-Einheiten, wurde ebenfalls als Quelle des organischen
Diamins benutzt.
Die Imidsiloxane wurden hergestellt durch Rühren gleicher molarer
Mengen von Dianhydrid und Diaminen mit ausreichend Dimethylacetamid
oder N-Methylpyrrolidon unter einer Stickstoffatmosphäre,
um eine Lösung mit einer Feststoffkonzentration zwischen 15 und
30 Gew.-% zu schaffen. Die erhaltene Polyamidsäure wurde für
mindestens 2 bis 3 Stunden bei Zimmertemperatur gerührt.
Bei der Bestimmung der thermischen Stabilität wurde die Poly
amidsäurelösung auf eine Pyrexglasplatte gegossen. Den erhaltenen
Film erhitzte man auf 70°C unter Teilvakuum mit einer Stickstoffentnahme
für etwa 12 Stunden. Dann erhitzte man den Film auf
einer heißen Platte in einer Stickstoffatmosphäre von 100°C für
2 Stunden, 150°C für 2 Stunden, 200°C für 1,5 Stunden, 300°C
für 1 Stunde und 450°C für 30 Minuten. Die thermische Stabilität
wurde bestimmt durch Errechnen des prozentualen Gewichtsverlustes
des Polyimidfilms, der von der Glasplatte abgekratzt
wurde, und zwar auf der Grundlage seines anfänglichen Gewichtes
nach dem Erhitzen auf 450°C für 30 Minuten zu seinem Endgewicht
nach einem zweiten Erhitzen auf 450°C für 30 Minuten.
Die Klebstoffqualitäten des Imidsiloxans wurden durch Filtrieren
einer 1 1/2 ml Amidsäurelösung durch einen 0,5-µm-Filter bestimmt.
Bei der Anwendung der erhaltenen filtrierten Lösung auf eine
saubere Siliziumscheibe mit einem Durchmesser von etwa 10 cm
wurde die behandelte Scheibe 25 Sekunden mit 5000 U/min gedreht
und dann über Nacht auf 100°C, 2 Stunden auf 250°C und 1 Stunde
auf 300°C erhitzt. Die gehärteten Scheiben wurden geritzt, um
ein Gittermuster von 1 mm × 1 mm zu erzeugen. Der benutzte Adhäsionstest
bestand im raschen Abziehen eines 3M710-Klebebandes
in einem Winkel von 90°C von der geritzten Scheibenoberfläche.
Das Versagen beim Test bedeutet, daß die behandelten Quadrate
oder ein Teil davon mit dem Klebeband entfernt wurden. Die folgenden
Ergebnisse wurden erhalten:
Die obigen Ergebnisse zeigen, daß das gemäß der vorliegenden
Erfindung hergestellte Imidsiloxan, bei dem man (PADS)-Siloxandianhydrid
der Formel (7) oder Mischungen davon mit anderen
organischen Dianhydriden benutzte, sowohl beträchtlich verbesserte
Stabilität als auch grundierungsfreie Adhäsion ergeben, verglichen
mit dem Imidsiloxan, das ein solches Siloxandianhydrid
nicht enthält.
Claims (24)
1. Polyimid-Siloxan mit wiederkehrenden, chemisch verbundenen
Imid-Siloxan-Gruppen, umfassend das Interkondensa
tions-Reaktionsprodukt aus:
- (A) Siloxananhydrid mit chemisch verbundenen Einheiten der Formel oder einer Mischung solcher Siloxananhydrideinheiten, die chemisch mit Siloxaneinheiten der folgenden Formel verbunden sind und
- (B) organischem Diamin der Formel NH₂R²NH₂,worin R ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest oder ein solcher mit gleichen oder verschiedenen Resten, die sich während der Interkondensation neutral verhalten, substituierter Rest ist, R¹ ein dreiwertiger C(6-14)- aromatischer organischer Rest ist, R² ein zweiwertiger C(2-14) organischer Rest ist, a eine ganze Zahl von 0 bis einschließlich 2 und b eine ganze Zahl von 0 bis einschließlich 3 ist.
2. Polyimid-Siloxan mit wiederkehrenden Gruppen, ausgewählt
aus der Klasse bestehend aus:
einer Mischung davon sowie Mischungen solcher Gruppen
mit Imid-Gruppen der Formel
worin R ausgewählt ist aus der Klasse bestehend aus
einwertigen C(1-14)-Kohlenwasserstoffresten und einwertigen
C(1-14)-Kohlenwasserstoffresten, die mit Resten
substituiert sind, die sich während der Interkondensation
neutral verhalten, R¹ ein dreiwertiger C(6-14)-aromatischer
organischer Rest ist, R² ein zweiwertiger
C(2-24)-organischer Rest ist, R³ ein vierwertiger
C(6-14)-aromatischer organischer Rest ist und n eine
ganze Zahl von 1 bis einschließlich etwa 2000 ist.
3. Polyimid-Siloxan nach Anspruch 2, umfassend chemisch
verbundene, wiederkehrende Siloxan-Imid-Gruppen der
Formel
oder einer Mischung aus 5 bis 95 Gew.-%, bezogen auf das
Gewicht der Mischung, solcher Siloxan-Imid-Gruppen und
95 bis 5 Gew.-%, bezogen auf das Mischungsgewicht, von
Imid-Gruppen der Formel
worin R ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest
oder ein substituierter einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest
ist, R¹ ein dreiwertiger C(6-14)-aromatischer
organischer Rest ist, R² ein zweiwertiger C(2-13)-organischer
Rest ist, R³ ein vierwertiger C(6-13)-aromatischer
organischer Rest ist, c eine ganze Zahl von 1 bis
einschließlich 200 und m eine ganze Zahl von 1 bis einschließlich
etwa 3 ist.
4. Polyimid-Siloxan nach Anspruch 1, umfassend das Inter
kondensationsprodukt der Umsetzung von Siloxananhydrid
der Formel
worin R ein einwertiger C(1-4)-Kohlenwasserstoffrest oder
ein solcher Rest, substituiert mit gleichen oder verschiedenen
Resten, die sich während der Interkondensation
neutral verhalten, ist.
5. Polyimid-Siloxan nach Anspruch 2, umfassend chemisch verbundene
Gruppen der Formel
worin R ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest
oder ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest, substituiert
mit gleichen oder verschiedenen Resten, die
sich während der Interkondensation neutral verhalten,
ist, R¹ ein dreiwertiger C(6-14)-aromatischer organischer
Rest ist und R² ein zweiwertiger C(2-14)-organischer
Rest ist.
6. Polyimid-Siloxan nach Anspruch 1, worin R Methyl,
R¹
und R²
ist.
7. Polyimid-Siloxan der Formel
worin r und s positive ganze Zahlen sind.
8. Polyimid-Siloxane der Formel
worin t und u positive ganze Zahlen sind.
9. Verfahren zum Herstellen von Polyimid-Siloxan, umfas
send:
- (1) Bewirken einer Umsetzung bei einer Temperatur im Bereich
von 150 bis 350°C in Gegenwart eines inerten
organischen Lösungsmittels zwischen
- (A) Siloxananhydrid, umfassend chemisch verbundene Einheiten der Formel oder eine Mischung solcher Siloxananhydrid-Einheiten und chemisch verbundener Siloxan-Einheiten der Formel und
- (B) organischem Diamin der Formel NH₂R²NH₂,und
- (2) Gewinnen des Polyimid-Siloxans aus der Mischung von (1), wobei R ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest oder ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest, substituiert mit gleichen oder verschiedenen Resten, die während der Interkondensation neutral sind, ist, R¹ ein dreiwertiger C(6-14)-aromatischer organischer Rest ist, R² ein zweiwertiger C(2-14)-organischer Rest ist, a eine ganze Zahl von 0 bis einschließlich 2 und b eine ganze Zahl von 0 bis einschließlich 3 ist.
10. Verfahren nach Anspruch 9, worin das Siloxananhydrid
1,3-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan-
dianhydrid ist.
11. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Umsetzung zwischen
einer Mischung, die das Siloxananhydrid und aromatisches
organisches Dianhydrid und das organische Diamin umfaßt,
bewirkt wird.
12. Verfahren zum Herstellen von Polyimid-Siloxan, umfassend:
- (1) Bewirken einer Umsetzung bei einer Temperatur von 150 bis 350°C in Gegenwart eines dipolaren, aprotischen Lösungsmittels zwischen einer Mischung von 1,3-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan und aromatischem organischem Dianhydrid und 4,4′-Diaminodiphenyläther, und
- (2) Gewinnen eines Polyimid-Siloxans aus der Mischung von (1).
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das aromatische organische
Dianhydrid Pyromellitsäure-dianhydrid ist.
14. Verfahren nach Anspruch 12, worin das aromatische organische
Dianhydrid Oxy-bis(4-phthalsäureanhydrid) ist.
15. Halbleiterelement mit einer Schicht aus einem Polyimid-
Siloxan mit wiederkehrenden chemisch gebundenen Imid-
Siloxan-Gruppen, umfassend das Interkondensationsprodukt
von
- (A) Siloxananhydrid mit chemisch verbundenen Einheiten der Formel oder einer Mischung solcher Siloxananhydrid-Einheiten, die chemisch mit Siloxan-Einheiten der folgenden Formel verbunden sind und
- (B) organischem Diamin der Formel NH₂R²NH₂,worin R ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest oder ein solcher mit gleichen oder verschiedenen Resten, die sich während der Interkondensation neutral verhalten, substituierter Rest ist, R¹ ein dreiwertiger C(6-14)-aromatischer organischer Rest ist, R² ein zweiwertiger C(2-14)-organischer Rest ist, a eine ganze Zahl von 0 bis einschließlich 2 und b eine ganze Zahl von 0 bis einschließlich 3 ist.
16. Halbleiterelement, das als dielektrische Schicht ein
Polyimid-Siloxan aufweist, umfassend chemisch verbundene,
wiederkehrende Siloxan-Imid-Gruppen der Formel
oder eine Mischung solcher Siloxan-Imid-Gruppen und von
Imid-Gruppen der Formel
worin R ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest
oder ein substituierter einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest
ist, R¹ ein dreiwertiger C(6-14)-aromatischer
organischer Rest ist, R² ein zweiwertiger C(2-13)-organischer
Rest ist, R³ ein vierwertiger C(6-13)-aromatischer
organischer Rest ist, a eine ganze Zahl von 1 bis
einschließlich 200 und m eine ganze Zahl von 1 bis einschließlich
etwa 3 ist.
17. Halbleiterelement nach Anspruch 15, wobei die Polyimid-
Siloxanschicht das Interkondensations-Reaktionsprodukt
von 1,3-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldi
siloxan-dianhydrid und 4,4′-Diaminodiphenyläther umfaßt.
18. Halbleiterelement nach Anspruch 16, das erhalten wird
bei der Interkondensation einer Mischung von 1,3-Bis-
(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan-dianhydrid
und Oxy-bis(4-phthalsäureanhydrid) und 4,4-Diami
nodiphenyläther.
19. Halbleiterelement nach Anspruch 16, erhalten aus dem
Interkondensationsprodukt einer Mischung von 1,3-Bis-
(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan-dianhydrid,
Pyromellitsäuredianhydrid und einer Mischung von
p- und m-Phenylendiamin.
20. Halbleiterelement nach Anspruch 16, erhalten aus dem
Interkondensationsprodukt von 1,3-Bis(3,4-dicarboxyphe
nyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan-dianhydrid, Benzophenon
tetracarbonsäureanhydrid und einer Mischung von p- und
m-Phenylendiamin.
21. Halbleiterelement nach Anspruch 16, erhalten vom Inter
kondensationsprodukt von 1,3-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)-
1,1,3,3-tetramethyldisiloxan-dianhydrid, Oxy-bis (4-phthal
säureanhydrid) und einer Mischung von p- und m-Phenylen
diamin.
22. Verbundkörper, umfassend eine Polyimidschicht und eine
Metallschicht sowie eine Zwischenschicht aus Polyimid-
Siloxan, umfassend das Interkondensations-Reaktionsprodukt
von
- (A) Siloxananhydrid mit chemisch verbundenen Einheiten der Formel oder einer Mischung solcher Siloxananhydrid-Einheiten, die chemisch mit Siloxan-Einheiten der folgenden Formel verbunden sind und
- (B) organischem Diamin der Formel NH₂R²NH₂,worin R ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest oder ein solcher mit gleichen oder verschiedenen Resten, die sich während der Interkondensation neutral verhalten, substituierter Rest ist, R¹ ein dreiwertiger C(6-14)- aromatischer organischer Rest ist, R² ein zweiwertiger C(2-14)-organischer Rest ist, a eine ganze Zahl von 0 bis einschließlich 2 und b eine ganze Zahl von 0 bis einschließlich 3 ist.
23. Verbundkörper, umfassend Glasfasern, Kohlenstoffasern
oder Polyaramidfasern und das Polyimid-Siloxan nach
Anspruch 3.
24. Polyimid-Siloxanfilm aus dem Produkt nach Anspruch 3.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/011,185 US4795680A (en) | 1986-05-09 | 1987-02-05 | Polyimide-siloxanes, method of making and use |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3803088A1 true DE3803088A1 (de) | 1988-08-18 |
Family
ID=21749225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883803088 Withdrawn DE3803088A1 (de) | 1987-02-05 | 1988-02-03 | Polyimid-siloxane, verfahren zu deren herstellung und ihre verwendung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4795680A (de) |
JP (1) | JPS63234031A (de) |
KR (1) | KR960015451B1 (de) |
DE (1) | DE3803088A1 (de) |
FR (1) | FR2610634B1 (de) |
GB (1) | GB2200647A (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006031434A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Dow Corning Corporation | Anhydride-functional silsesquioxane resins |
US7727595B2 (en) | 2004-10-25 | 2010-06-01 | Dow Corning Corporation | Coating compositions containing a carbinol functional silicone resin or an anhydride functional silicone resin |
US7807012B2 (en) | 2004-10-25 | 2010-10-05 | Dow Corning Corporation | Moldable compositions containing carbinol functional silicone resins or anhydride functional silicone resins |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE34431E (en) * | 1986-07-21 | 1993-11-02 | General Electric Company | Macrocyclic oligomers containing spiro(bis)indane moieties |
US4980453A (en) * | 1986-07-21 | 1990-12-25 | General Electric Company | Macrocyclic oligomers containing spiro(bis)indane moietes |
US4923948A (en) * | 1987-09-24 | 1990-05-08 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Curable composition |
JPS6485220A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | Protective coating material composition for semiconductor device |
US4950727A (en) * | 1988-01-20 | 1990-08-21 | General Electric Company | Spiro(bis)indane polyamide and polyimide copolysiloxanes and method of preparation |
US5243009A (en) * | 1989-03-06 | 1993-09-07 | General Electric Company | Hydroxyarylestersiloxanes |
US5141817A (en) * | 1989-06-13 | 1992-08-25 | International Business Machines Corporation | Dielectric structures having embedded gap filling RIE etch stop polymeric materials of high thermal stability |
DE3925099A1 (de) * | 1989-07-28 | 1991-01-31 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zur herstellung von poly(imid-siloxanen) |
US5032279A (en) * | 1989-09-21 | 1991-07-16 | Occidental Chemical Corporation | Separation of fluids using polyimidesiloxane membrane |
JP2606402B2 (ja) * | 1990-03-23 | 1997-05-07 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性樹脂及びその製造方法 |
US5534602A (en) * | 1990-07-02 | 1996-07-09 | General Electric Company | High temperature polyether imide compositions and method for making |
JPH06105836B2 (ja) * | 1990-10-05 | 1994-12-21 | 富士通株式会社 | 薄膜多層基板の製造方法 |
US5104958A (en) * | 1991-01-25 | 1992-04-14 | General Electric Company | Solvent resistant silicone polyimides |
DE59207318D1 (de) * | 1991-07-16 | 1996-11-14 | Siemens Ag | Siliconimide |
JPH0598234A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能なフイルム状接着剤 |
JP2740064B2 (ja) * | 1991-10-14 | 1998-04-15 | 住友ベークライト株式会社 | 熱圧着可能なフィルム状接着剤 |
JP2716609B2 (ja) * | 1991-10-14 | 1998-02-18 | 住友ベークライト株式会社 | 熱圧着可能なフィルム状接着剤 |
JPH0598235A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能なフイルム状接着剤 |
US5300627A (en) * | 1991-10-17 | 1994-04-05 | Chisso Corporation | Adhesive polyimide film |
JPH05117599A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な高熱伝導性フイルム状接着剤 |
JP2716612B2 (ja) * | 1991-10-29 | 1998-02-18 | 住友ベークライト株式会社 | 熱圧着可能な高熱伝導性フィルム状接着剤 |
JPH05117597A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な高熱伝導性フイルム状接着剤 |
JP2733157B2 (ja) * | 1991-11-01 | 1998-03-30 | 住友ベークライト株式会社 | 熱圧着可能な導電性フィルム状接着剤 |
JPH05125334A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な導電性フイルム状接着剤 |
JP2740590B2 (ja) * | 1991-11-01 | 1998-04-15 | 住友ベークライト株式会社 | 熱圧着可能な導電性フィルム状接着剤 |
DE4211256A1 (de) * | 1992-04-03 | 1993-10-07 | Wacker Chemie Gmbh | Vernetzbare Zusammensetzung auf Aminosiliconbasis |
GB2268327A (en) * | 1992-06-30 | 1994-01-05 | Texas Instruments Ltd | Passivated gallium arsenide device |
JP2764674B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1998-06-11 | 信越化学工業株式会社 | ポリイミドシリコ−ン樹脂前駆体組成物 |
GB2290299B (en) * | 1994-06-17 | 1998-01-14 | Ball Burnishing Mach Tools | Anti-lubricant compositions |
US6403882B1 (en) * | 1997-06-30 | 2002-06-11 | International Business Machines Corporation | Protective cover plate for flip chip assembly backside |
JP2007525560A (ja) * | 2003-07-16 | 2007-09-06 | ダウ・コーニング・コーポレイション | アミノ官能性シリコーン樹脂含有コーティング組成物 |
DE602004008646T2 (de) | 2003-07-16 | 2008-06-12 | Dow Corning Corp., Midland | Aminofunktionelle silikonharze und diese enthaltende emulsionen |
WO2005010115A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-03 | Dow Corning Corporation | Coating compositions comprising epoxy resins and aminofunctional silicone resins |
WO2005037891A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Dow Corning Corporation | Carbinol-function silicine resins |
US7452956B2 (en) * | 2003-10-10 | 2008-11-18 | Dow Corning Corporation | Urethane compositions containing carbinol-functional silicone resins |
US7264637B2 (en) * | 2004-08-31 | 2007-09-04 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Agriculture | Method of inhibiting the burning of natural fibers, synthetic fibers, or mixtures thereof, or fabric or yarn composed of natural fibers, synthetic fibers, or mixtures thereof, and products produced by such methods |
JP4771414B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2011-09-14 | 信越化学工業株式会社 | ポリイミドシリコーン樹脂及びそれを含む熱硬化性組成物 |
US7994254B2 (en) | 2008-06-20 | 2011-08-09 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Polysiloxane-polycarbonate compositions, and related methods and articles |
US8431444B2 (en) * | 2011-08-16 | 2013-04-30 | General Electric Company | Epoxy encapsulating and lamination adhesive and method of making same |
JP6387355B2 (ja) | 2012-12-21 | 2018-09-05 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | 層状ポリマー構造及び方法 |
US10092780B2 (en) | 2013-10-31 | 2018-10-09 | Dow Silicones Corporation | Cosmetic composition comprising a carboxy-functional elastomer |
US9822221B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-11-21 | Dow Corning Corporation | Cross-linked composition and method of forming the same |
WO2015066161A1 (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | Dow Corning Corporation | Cross-linked composition and method of forming the same |
CN104194618B (zh) * | 2014-08-13 | 2017-01-11 | 南京理工大学 | 一种高附着力的含硅聚酰亚胺涂层胶及其制备方法 |
US9926338B2 (en) | 2015-05-27 | 2018-03-27 | Wacker Chemical Corporation | Carboxylic acid functional siloxanes of defined structure |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4011198A (en) * | 1974-04-08 | 1977-03-08 | General Electric Company | Method for making polyetherimides |
US4051163A (en) * | 1975-07-21 | 1977-09-27 | Abe Berger | Polyimide containing silicones |
US4017340A (en) * | 1975-08-04 | 1977-04-12 | General Electric Company | Semiconductor element having a polymeric protective coating and glass coating overlay |
US4330666A (en) * | 1980-09-19 | 1982-05-18 | General Electric Company | Method for making polyetherimides |
US4404350A (en) * | 1982-07-07 | 1983-09-13 | General Electric Company | Silicone-imide copolymers and method for making |
US4381396A (en) * | 1982-07-07 | 1983-04-26 | General Electric Company | Silynorbornane anhydrides and method for making |
GB2168065B (en) * | 1984-12-05 | 1990-04-25 | Gen Electric | Polyanhydride-siloxanes and polyimide-siloxanes obtained therefrom |
JP2659534B2 (ja) * | 1986-05-09 | 1997-09-30 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | ポリ無水物−シロキサンおよびそれから得られるポリイミド−シロキサン |
-
1987
- 1987-02-05 US US07/011,185 patent/US4795680A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-28 GB GB8720411A patent/GB2200647A/en active Pending
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1988
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- 1988-02-04 KR KR1019880001002A patent/KR960015451B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-02-05 JP JP63024107A patent/JPS63234031A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006031434A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Dow Corning Corporation | Anhydride-functional silsesquioxane resins |
US7727595B2 (en) | 2004-10-25 | 2010-06-01 | Dow Corning Corporation | Coating compositions containing a carbinol functional silicone resin or an anhydride functional silicone resin |
US7807012B2 (en) | 2004-10-25 | 2010-10-05 | Dow Corning Corporation | Moldable compositions containing carbinol functional silicone resins or anhydride functional silicone resins |
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Publication number | Publication date |
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FR2610634B1 (fr) | 1994-07-29 |
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US4795680A (en) | 1989-01-03 |
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