DE3624391A1

DE3624391A1 - Verstaerkungseinstellschaltung

Info

Publication number: DE3624391A1
Application number: DE19863624391
Authority: DE
Inventors: Yoshio Sasaki
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1985-07-18
Filing date: 1986-07-18
Publication date: 1987-02-05
Also published as: GB8617337D0; JPH0444844B2; US4754232A; GB2179513B; DE3624391C2; JPS6220405A; GB2179513A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine Verstärkungseinstellschaltung und insbesondere eine Verstärkungseinstellschaltung, die die Verstärkung eines Verstärkers einstellt, der von einer Signalleistungsversorgung betrieben wird, in dem ein Spannungsteilerverhältnis eines Spannungsteilers vom Widerstandstyp durch die schaltende Betriebsweise eines Transistors verändert wird.

Fig. 7 zeigt eine bekannte Verstärkungseinstellschaltung der eingangs genannten Art, die beispielhaft dargestellt ist. Die Schaltung findet bei einem Verstärker Anwendung, der in einer Audioausrüstung eines Kraftfahrzeuges verwendet wird. Eine Audiosignaleingangsklemme 1 ist mit einer nicht-invertierenden Eingangsklemme eines Operationsverstärkers 2 verbunden. Allgemein wird in dem Fall, in dem die Verstärkungseinstellschaltung für einen Verstärker in einer Kraftfahrzeugaudioausrüstung verwendet wird, eine Vorspannung (+B/2) erzeugt, die die Hälfte der Versorgungserzeugungsschaltung (+B) beträgt, indem von einer Vorspannungserzeugungsschaltung 3 Gebrauch gemacht wird, wobei diese Vorspannung zu der nicht-invertierenden Eingangsklemme des Operationsverstärkers 2 über einen Widerstand R ₁ zugeführt wird. Dieser zusätzliche Eingang wird verwendet, da der Verstärker allgemein mit einer einzigen Leistungsversorgung (einer Batterie) betrieben wird und da der Ausgang des Verstärkers 2 eine Schwingung um eine Gleichspannung des Pegels +B/2 darstellt. Eine Ausgangsklemme des Operationsverstärkers 2 ist mit einer Signaleingangsklemme 4 sowie mit einer invertierenden Eingangsklemme des Operationsverstärkers 2 über einen Widerstand R ₂ verbunden.

Ein Kondensator C ₁ zum Abtrennen der Vorspannung und Widerstände R ₃ sowie R ₄ liegen in Reihe zwischen der invertierenden Eingangsklemme des Operationsverstärkers 2 und Masse (dem Null-Potential), während ein Schalttransistor Q ₁ parallel zum Widerstand R ₄ angeschlossen ist. Die Versorgungsspannung (+B) wird wahlweise an die Basis des Transistors Q ₁ über einen Schalter S zum Steuern des Einschaltens oder Ausschaltens des Transistors Q ₁ angelegt. Diese geschaltete Versorgungsspannung (+B) wird über einen Widerstand R ₅ zu der Basis des Transistors Q ₁ zugeführt, um den Basisstrom des Transistors Q ₁ zu steuern. Ein Widerstand R ₆ und ein Kondensator C ₂ liegen in Parallelschaltung zwischen der Basis des Transistors Q ₁ und Masse. Diese parallele RC-Schaltung ergibt eine Zeitkonstante der Schwankung der Gleichspannung der Batterie an der Signalausgangsklemme 4, wenn der Transistor Q ₁ eingeschaltet oder ausgeschaltet wird, um das Rauschen zu vermindern. Der Widerstand R ₆ bewirkt ebenfalls, daß das Basispotential des Transistors Q ₁ auf dem Massepegel gehalten wird, um dadurch eine Fehlbetätigung des Transistors Q ₁ in dem geöffneten Zustand des Schalters S zu verhindern.

Nachfolgend wird der Betrieb der derart angeordneten Verstärkungseinstellschaltung erläutert.

Es sei angenommen, daß ein Wechselstromeingangssignal (E _i=Ae ^jωt) an die nicht-invertierende Eingangsklemme des Operationsverstärkers 2 über die Signaleingangsklemme 1 angelegt wird. Wenn der Schalter S in dem geöffneten Zustand ist, kann das Wechselstromausgangssignal E _oo (zusätzlich zu der Vorspannung von +B/2 an der Signalausgangsklemme 4 durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden, wenn der Transistor Q ₁ in seinem ausgeschalteten Zustand ist:

Wenn der Schalter S in seinem geschlossenen Zustand ist, kann andererseits das Ausgangsignal E _OS, das an der Signalausgangsklemme 4 erzeugt wird, durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden, da der Transistor Q ₁ in seinem eingeschalteten Zustand ist, so daß der Widerstand R ₄ kurz geschlossen ist:

Daher kann das Signalverhältnis (E _OS/E _OO) durch folgende Gleichung ausgedrückt werden:

Bei der derart angeordneten bekannten Verstärkungseinstellschaltung ist das Gleichspannungs-Kollektorpotential des Schalttransistors Q ₁ auf Masse gelegt. Wenn daher eine plötzliche Basis-Kollektor-Vorwärtsspannung V _F über Kollektor und Basis des Transistors Q ₁ in dem geöffneten Zustand des Schalters S angelegt wird, beginnt ein Strom durch die Basis zu fließen. Das bedeutet, daß ein Strom von Masse in den Kollektor über den Basis-Kollektor-Weg des Transistors Q ₁ und die Parallelschaltung des Widerstandes R ₆ und des Kondensators C ₂ fließen kann, wenn die Gleichstromkomponente am Kollektor des Transistors Q ₁ kleiner ist als -V _F. Dies entspricht einer Verminderung des Widerstandswertes R _CE des Kollektor-Emitter-Weges des Transistors Q ₁ in dessen ausgeschalteten Zustand, so daß die an der Signalausgangsklemme 4 erscheinende Ausgangssignalform in vertikaler Richtung asymmetrisch wird, wie dies in Fig. 9 zu sehen ist.

Um diese Nachteile zu vermeiden, wurde bereits eine Verstärkungseinstellschaltung gemäß Fig. 10 vorgeschlagen, die eine Pufferschaltung aus einem Transistor Q ₂, Widerständen R ₆ und R ₇ und einem Kondensator C ₂ aufweist. In einer derartigen Verstärkungseinstellschaltung entsteht jedoch ein anderer Nachteil, der in dem Anstieg der Anzahl der Bauelemente sowie in der Erzeugung von Pop-Rauschen bei Einschalten des Schalters S liegt, da zu diesem Zeitpunkt keine Zeitkonstante wirksam ist.

Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden.

Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung liegt darin, eine Verstärkungseinstellschaltung zu schaffen, bei der es möglich ist, die Signalverzerrung des Verstärkerausgangssignales zu vermindern, ohne die Anzahl der benötigten Bauelemente zu erhöhen.

Um diese Ziele zu erreichen, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß die Verstärkungseinstellschaltung den Verstärkungsfaktor des Verstärkers, der durch eine einzige Leistungsversorgung betrieben wird, durch Änderung des Spannungsteilerverhältnisses eines Spannungsteilers vom Widerstands-Typ einstellt. Diese Änderung wird durch eine Schaltbetriebsweise eines Transistors durchgeführt. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Gleichstrom-Kollektorpotential des Transistors im wesentlichen auf das Gleichstrompotential einer Ausgangsklemme des Verstärkers eingestellt.

Gleichfalls wird vorzugsweise ein Emitterpotential des Schalttransistors im wesentlichen auf das Gleichstrompotential der Ausgangsklemme des Verstärkers eingestellt.

Vorzugsweise wird ein Vorspannungspotential des Transistors in dessen ausgeschalteten Zustand auf einen Wert eingestellt, der ausreichend niedriger gegenüber dem Kollektorpotential liegt.

Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen bevorzugte Ausführungsbeispiele näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm eines Ausführungsbeispieles der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispieles gemäß der vorliegenden Erfindung in Anwendung auf eine Verstärkerschaltung, die einen Operationsverstärker verwendet;

Fig. 3 ein Schaltungsdiagramm eines Ausführungsbeispieles nach dem Stand der Technik in Anwendung auf einen Transistorverstärker;

Fig. 4 ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispieles gemäß der vorliegenden Erfindung in Anwendung auf eine Transistorverstärkerschaltung;

Fig. 5 ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispieles nach dem Stand der Technik in Anwendung auf eine Transistorverstärkerschaltung;

Fig. 6 ein Schaltungsdiagramm wiederum eines weiteren Ausführungsbeispieles gemäß der vorliegenden Erfindung in Anwendung auf eine Transistorverstärkerschaltung;

Fig. 7 ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispieles nach dem Stand der Technik in Anwendung auf eine Verstärkerschaltung mit einem Operationsverstärker;

Fig. 8 einen Signalverlauf zum erläutern der Betriebsweise der Schaltung gemäß Fig. 7;

Fig. 9 eine Ausgangssignalform der Schaltung gemäß Fig. 7;

Fig. 10 ein Schaltungsdiagramm einer weiteren Verstärkerschaltung nach dem Stand der Technik mit einem Operationsverstärker.

Fig. 1 zeigt ein Schaltungsdiagramm eines Ausführungsbeispieles gemäß der vorliegenden Erfindung. In der Zeichnung sind ein Kondensator C ₁ und Widerstände R ₃ und R ₄ in Reihe zwischen einer invertierenden Eingangsklemme eines Operationsverstärkers 2 und einer Ausgangsklemme einer Vorspannungs-Erzeugungs- Schaltung 3 an geschlossen. Der Emitter eines Transistors Q ₁ ist an die Ausgangsklemme der Vorspannungs-Erzeugungs- Schaltung 3 angeschlossen, die bei dem Potential +B/2 liegt. Mit Ausnahme der oben beschriebenen Verbindung des Emitters des Transistors Q an +B/2 ist die Schaltung in Fig. 1 im wesentlichen dieselbe wie diejenige gemäß Fig. 7.

Die Verbindung zwischen dem Widerstand R ₄ und dem Emitter des Transistors Q ₁ ist an die Ausgangsklemme der Vorspannungs-Erzeugungs- Schaltung 3 derart angeschlossen, daß das Gleichspannungspotential an dem Verbindungspunkt oder Knotenpunkt bei der Spannung +B/2 liegt, so daß die Spannung des Gleichstrom- Kollektorpotentials des Transistors Q ₁ bei +B/2 liegt.

Wenn daher ein Schalter S in seinem geöffneten Zustand ist, so daß der Transistor Q ₁ in seinem ausgeschalteten Zustand bleibt, ermöglicht der Pegel der Signalamplitude (Ap-p/2) an dem Kollektor des Transistors Q ₁ einen beginnenden Stromfluß von Masse (Null-Potential) zum Kollektor über den Basis-Kollektor-Weg und eine parallele Schaltung eines Widerstandes R ₆ und eines Kondensators C ₂, wenn die Wechselspannung an dem Kollektor weniger als -(+B/2+V _F) beträgt. Diese Spannung -(+B/2+V _F), an der das Leiten der Basis beginnt, ist gleich oder größer als der halbe Spitzenwert des maximalen Ausgangspegels (d. h. des Abschneidepunktes) des üblichen Operationsverstärkers 2. Daher ist es möglich, ein Eingangssignal verzerrungsfrei von einem niedrigen Ausgangspegel auf den maximalen Pegel des Operationsverstärkers 2 wiederzugeben.

Wenn der Schalter S geschlossen ist , um den Transistor Q ₁ einzuschalten, wird andererseits die gleiche Schaltungsbetriebsweise wie diejenige gemäß Fig. 7 ausgeführt. Das Gleichstrom-Emitterpotential des Transistors Q ₁ beträgt +B/2 (Volt) zu dem vorliegenden Zeitpunkt. Eine RC- Zeitkonstantenschaltung liegt zwischen der Basis des Transistors Q ₁ und Masse in ähnlicher Weise. wie dies bei der bekannten Schaltung der Fall ist. Daher ist es möglich, eine Zeitkonstante in der Schwankung der Gleichspannung an der Signalausgangsklemme 4 festzulegen, wenn der Transistor Q ₁ ein- oder ausgeschaltet wird, so daß ein Pop-Rauschen vermieden werden kann.

Die obige Beschreibung bezieht sich auf eine Verstärkungseinstellschaltung zum Einstellen des Ausgangspegels des Operationsverstärker 2 durch eine Einstellung des Pegels der invertierenden Eingangsklemme des Operationsverstärkers 2 bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel. Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung auch auf eine sogenannte Stummtastschaltung angewendet werden, die ebenfalls eine Art der Verstärkungseinstellschaltung darstellt. Wie in Fig. 2 gezeigt ist, schaltet eine Stummtastschaltung den Ausgangspegel eines Operationsverstärkers 2 dadurch stumm, daß sie wahlweise eine Signalausgangsklemme 4 durch die Schaltbetriebsweise des Transistors Q ₁ gegen Masse legt, um die gleiche Wirkung wie diejenige des obigen Ausführungsbeispieles zu erzielen. In der Fig. 2 liegt ein Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R ₄ und dem Emitter des Transistors Q ₁ an der Ausgangsklemme der Vorspannungs-Erzeugungs-Schaltung 3, so daß ein Gleichstrom-Kollektorpotential des Transistors Q ₁ an der Ausgangsklemme des Operationsverstärkers 2 wahlweise an ein Gleichspannungspotential angeglichen werden kann. Daher ist es ohne Erhöhung der Anzahl der Bauteile möglich, die oben genannten Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden, die darin bestehen, daß eine Signalform in vertikaler Richtung asymmetrisch wird, wenn ein Signal mit der Hälfte des Spitze- Spitze-Wertes des Ausgangspegels des Operationsverstärkers 2 die Basis-Kollektor-Vorwärtsspannung V _F des Stummstasttransistors Q ₁ übersteigt und am Kollektor des Transistors Q ₁ im ausgeschalteten Zustand der Stummtastung anliegt.

Obwohl die Beschreibung einen Fall betrifft, bei der die Erfindung auf eine Verstärkungsschaltung angewendet wird, die von einem Operationsverstärker bei dem obigen Ausführungsbeispiel Gebrauch macht, ist es möglich, die Erfindung auf eine übliche Verstärkerschaltung unter Verwendung eines Transistors anzuwenden. Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform nach dem Stand der Technik, bei der eine übliche Verstärkungseinstellschaltung bei einem Transistorverstärker angewendet wird. In der Zeichnung ist eine Signaleingangsklemme 1 mit einer Basis eines Signaltransistors Q ₃ verbunden, der den Verstärker bildet. Eine Vorspannung wird an die Basis des Signaltransistors Q ₃ über Widerstände R ₁₁ und R ₁₂ zugeführt, die in Reihe zwischen einer Leistungsversorgung +B und der Masse liegen, um auf diese Weise einen Spannungsteiler zu bilden. Der Emitter des Signaltransistors Q ₃ liegt über einen Widerstand R ₁₄ an Masse, währenddessen Kollektor mit der Leistungsversorgung +B über einen Widerstand R ₁₃ verbunden ist und direkt an eine Signalausgangsklemme 4 angeschlossen ist. Ein die Vorspannung abschneidender Kondensator C ₁ sowie Widerstände R ₃ und R ₄ liegen in Reihe zwischen dem Emitter des Signaltransistors Q ₃ und Masse. Der Widerstand R ₄ liegt parallel zu einem Schalttransistor Q ₁. Die Schaltungsanordnung entspricht im wesentlichen derjenigen gemäß Fig. 1.

Bei der bekannten Verstärkungseinstellschaltung mit dem oben beschriebenen Aufbau ist die wesentliche Betriebsweise diejenige, daß die Impedanz des Emitters des Transistors Q ₃ eingestellt wird, um dadurch den Pegel am Kollektor des Transistors einzustellen. Jedoch tritt hierbei der gleiche Nachteil auf wie bei der oben erwähnten üblichen Schaltung unter Verwendung eines Operationsverstärkers. Das bedeutet, daß bei Anlegen eines Signales mit einer Amplitude (Ap-p/2≦λτV _F) an den Kollektor des Transistors Q ₁, welche die Basis-Kollektor- Vorwärtsspannung V _F übersteigt, während der Schalter S in seinem geöffneten Zustand ist, ein Strom von Masse über den Basis-Kollektor-Weg des Schalttransistors Q ₁ und die Parallelschaltung des Widerstandes R ₆ und des Kondensators C ₂ fließt, so daß der Signalverlauf des Ausgangssignales am Kollektor des Transistors Q ₃ in der vertikalen Richtung asymmetrisch wird.

Daher wird bei einem weiteren Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Erfindung, das in Fig. 4 gezeigt ist, ein Gleichstrom- Abtrenn-Kondensator C ₁ zwischen Masse und einem Knotenpunkt zwischen einem Widerstand R ₄ und einem Emitter des Transistors Q ₁ angeordnet, um dadurch das Gleichstrom-Emitterpotential des Signales Q ₃ an das Kollektorpotential des Schalttransistors Q ₁ anzugleichen.

Wenn als Ergebnis hiervon ein Schalter S in seinem geöffneten Zustand ist, kann das Emitterpotential V _E des Transistors Q ₃ durch folgende Gleichung ausgedrückt werden:

Hieraus folgt, daß das Kollektorpotential des Transistors Q ₁ höher ist als dessen Basispotential. Demgemäß ermöglicht der Signalamplitudenpegel (Ap-p/2) am Kollektor des Schalttransistors Q ₁ einen beginnenden Stromfluß von Masse zum Kollektor über den Basis-Kollektor-Weg des Transistors Q ₁ und eine Parallelschaltung eines Widerstandes R ₆ und eines Kondensators C ₂ in dem Fall, daß die Signalamplitude (Ap-p/2) kleiner als folgender Wert ist:

Die Spannung, bei der die Basis zu leiten beginnt, ist gleich oder größer als eine Hälfte des Spitze-Spitze-Wertes des maximalen Ausgangspegels (d. h. des Abschneidepunktes) des üblichen Transistorverstärkers, so daß es möglich ist, das Signal verzerrungsfrei zu verstärken.

Wenn der Schalter S geschlossen ist, um den Signaltransistor Q 1 einzuschalten, fließt ein Steuerstrom von dem Schalttransistor Q ₃ durch die Widerstände R ₃ und R ₁₄, um den Emitter sowie die Imdedanz des Transistors Q ₃ in der gleichen Art wie beim Ausführungsbeispiel nach dem Stand der Technik einzustellen.

Fig. 5 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel einer Stummtastschaltung nach dem Stand der Technik in Anwendung auf einen Transistorverstärker, bei der ein Widerstand R ₄ durch eine Schaltbetriebsweise eines Schalttransistors Q ₁ kurzgeschlossen wird, um einen Ausgangspegel des Stummtasttransistors Q ₃ stumm zu schalten. Bei dieser Anordnung tritt ähnlich wie beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel nach dem Stand der Technik der Nachteil auf, daß die Signalform des Ausgangssignales in vertikaler Richtung asymmetrisch wird, wenn ein Signal, das dem halben Spitze-Spitze-Wert des Ausgangspegels des Transistors Q ₁ entspricht, eine Basis-Kollektor- Vorwärtsspannung V _F des Stummtasttransistors Q ₁ überschreitet und an den Kollektor des Schalttransistors Q ₁ in dem ausgeschalteten Zustand der Stummtastschaltung angelegt wird. Um diese Nachteile zu vermeiden, ist bei einem weiteren Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Erfindung nach Fig. 6 ein Gleichspannungs-Abtrenn-Kondensator C _1′ zwischen Masse und einem Verbindungspunkt zwischen einem Widerstand R ₄ und dem Emitter des Stummtasttransistors Q ₁ angeschhlossen, um dadurch das Gleichspannungs-Emitterpotential des Stummtasttransistors Q ₃ an das Gleichspannungs-Kollektorpotential des Schalttransistors Q ₁ anzugleichen. Dieselben vorteilhaften Wirkungen, wie sie das oben beschriebene Ausführungsbeispiel aufweist, werden durch diese Maßnahme erzielt.

Bei den Ausführungsbeispielen nach den Fig. 1 und 2 kann der Gleichspannungs-Abtrenn-Kondensator C ₁ fortgelassen werden, falls es unnötig ist, ein Abschneiden des niederfrequenten Bandes durch Verwenden eines Kondensators C ₁ durchzuführen.

Gemäß der obigen Beschreibung wird erfindungsgemäß das Gleichspannungs- Kollektorpotential des Schalttransistors im wesentlichen an das Gleichspannungspotential der Ausgangsklemme des Verstärkers angeglichen, so daß es möglich ist, ein Ausgangssignal mit einer unverzerrten Signalform über einen breiten Bereich, beginnend von einem niedrigen Ausgangspegel bis zu einem maximalen Ausgangspegel (d. h. bis zu einem Abschneidepunkt) des Verstärkers, ohne Erhöhen der Anzahl der verwendeten Bauteile zu erzeugen.

Claims

1. Verstärkungseinstellschaltung, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
eine einzige Leistungsversorgung (+B);
einen Verstärker (2; Q ₃), der von der einzigen Leistungsversorgung (+B) versorgt wird;
einen Spannungsteiler vom Widerstands-Typ (R ₂, R ₄), der an den Verstärker angeschlossen ist, um den Verstärkungsfaktor des Verstärkers zu steuern;
einen Schalttransistor (Q ₁) zum Ändern des Spannungsteilerverhältnisses des Spannungsteilers, um dadurch den Verstärkungsfaktor zu ändern; und
eine Einrichtung zum Beibehalten eines Gleichstrompotentials an einem Kollektor des Transistors (Q ₁) im wesentlichen auf dem Gleichspannungspotential eines Ausganges des Verstärkers (2; Q ₃).

2. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch eine Einrichtung (3) zum Einstellen des Gleichspannungspotentials am Ausgang des Verstärkers (2, Q ₃) auf das Mittenpotential der einzigen Leistungsversorgung (+B).

3. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die das Gleichspannungspotential aufrechterhaltende Einrichtung ferner das Gleichspannungspotential an einem Emitter des Schalttransistors (Q ₁) im wesentlichen gleich dem Gleichspannungspotential des Ausganges dieses Verstärkers (2, Q ₃) hält.

4. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die das Potential aufrechterhaltende Einrichtung das Gleichspannungspotential am Kollektor des Schalttransistors (Q ₁) an einem Wert hält, der höher ist als der Wert, bei dem ein Stromfluß durch die Basis des Schalttransistors (Q ₁) ermöglicht wird.

5. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Aufrechterhalten des Potentials ein Gleichspannungspotential, das von der einzigen Leistungsversorgung (+B) abgeleitet wird, zum Schalttransistor (Q ₁) zuführt.

6. Verstärkungseinstellschaltung nach Ansprüche 1 bis 5, ferner gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
eine Zeitkonstanteneinrichtung (R ₆, C ₂), die zwischen einer Basis des Schalttransistors (Q ₁) und einem festen Potential geschaltet ist; und
eine Schalteinrichtung (S), die an ein festes Potential angeschlossen ist, um die Basis des Schalttransistors (Q ₁) zu steuern.

7. Verstärkungseinstellschaltung, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
eine einzige Spannungsversorgung (+B);
eine Spannungsreduktionseinrichtung (R ₃, R ₄), die an die Spannungsversorgung angeschlossen ist, um ein Ausgangssignal zu erzeugen, das einen festen Bruchteil der Spannung der Spannungsversorgung hat;
einen Operationsverstärker (2), der von der Spannungsversorgung (+B) versorgt wird und dem über seinen nicht-invertierenden Eingang ein Eingangssignal zugeführt wird und der ausgangsseitig über einen Widerstand (R ₂) an den Ausgang der Spannungsverminderungseinrichtung angeschlossen ist, wobei ein Ausgang des Operationsverstärkers (2) an einen invertierenden Eingang des Operationsverstärkers angeschlossen ist;
einen ersten und zweiten Widerstand (R ₃, R ₄), die in Reihe geschaltet sind und an den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers sowie den Ausgang der Spannungsverminderungseinrichtung (3) angeschlossen sind;
einen Schalttransistor (Q ₁) mit zwei Hauptstromelektroden, der parallel zu dem zweiten Widerstand (R ₄) geschaltet ist;
einen Kondensator (C ₂) und einen Widerstand (R ₆), die parallel zwischen einer Steuerelektrode des Schalttransistors (Q ₁) und einem festen Potential geschaltet sind; und
einen Schalter (S) und einen Widerstand (R ₅), die in Reihe zwischen der Spannungsversorgung (+B) und der Steuerelektrode des Schalttransistors (Q ₁) geschaltet sind

8. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 7, ferner gekennzeichnet durch einen Rückkopplungswiderstand (R ₂), der zwischen dem Ausgang und dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers (2) geschaltet ist, wobei die ersten und zweiten Widerstände (R ₃, R ₄) an den Verbindungspunkt des Rückkoppelungswiderstandes (R ₂) und dem invertierenden Eingang geschaltet sind und wobei der Ausgang des Operationsverstärkers (2) als Ausgang der Schaltung dient.

9. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang (4) und der invertierende Eingang des Operationsverstärkers (2) auf dem gleichen Potential liegen und daß der Verbindungspunkt des ersten und zweiten Widerstandes den Ausgang (4) der Schaltung bilden.

10. Verstärkungseinstellschaltung, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
einen Signaltransistor (Q ₃) mit einer ersten Hauptstromelektrode, die über einen ersten Widerstand (R ₁₃) an einer ersten festen Spannung liegt, mit einer zweiten Hauptstromelektrode, die über einen zweiten Widerstand (R ₁₄) an ein zweites festes Potential angeschlossen ist, und mit einer Steuerelektrode, die an eine Eingangsklemme (1) angeschlossen ist und über einen dritten Widerstand (R ₁₁) mit der ersten festen Spannung und über einen vierten Widerstand (R ₁₂) an das zweite feste Potential angeschlossen ist;
einen fünften Widerstand (R ₃) und einen sechsten Widerstand (R ₄), die in Reihe zwischen der ersten Stromelektrode und dem zweiten festen Potential liegen;
einen Kondensator (C ₁), der zwischen dem sechsten Widerstand und dem zweiten festen Potential liegt;
einen Schalttransistor (Q ₁) mit zwei Hauptstromelektroden, die parallel zum sechsten Widerstand (R ₄) geschaltet sind;
einen Kondensator (C ₂) und einen Widerstand (R ₆), die parallel zwischen einer Steuerelektrode des Schalttransistors (Q ₁) und dem zweiten festen Potential geschaltet sind; und
einen Widerstand (R ₃) sowie einen Schalter (S), die in Reihe zwischen der Steuerelektrode des Schalttransistors (Q ₁) und dem ersten festen Potential liegen.