DE3117266A1

DE3117266A1 - Vorspannungsschaltung fuer einen leistungsverstaerker

Info

Publication number: DE3117266A1
Application number: DE19813117266
Authority: DE
Inventors: Tadashi Tokyo Higuchi; Manfred 7064 Weinstadt-Beutelsbach Schwarz
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1980-04-30
Filing date: 1981-04-30
Publication date: 1982-05-19
Also published as: US4439743A; GB2076246A; NL8102134A; ATA193981A; JPS56160112A; FR2481862A1; AU6976981A; CA1176322A; AU537639B2; FR2481862B1; GB2076246B; AT383918B

Description

Dipl.-Ing. H. MITSCHERLICH ·,. S>-ßiTOO Ν10ΉΟΗΕΜ'·2·2

Dipl.-Ing. K. GUNSCHMANN Steinsdorfstraße

Dr. re,, η at." W. KÖRBER ^ ⁽⁰⁸⁹⁾ * ^{29 66}

Dipi.-I ng. J. SCHMIDT-EVERS
PATENTANWÄLTE

30. April 1981.

SONY CORPORATION

7-35, Kitashinagawa 6-chome

Shinagawa-ku

T ο k ν ο / JAPAN

•Vorspannungsschaltung für einen Leistungsverstärker

Die Erfindung bezieht sich generell auf eine Vorspannungsschaltung für einen Leistungsverstärker und insbesondere auf eine Vorspannungsschaltung für einen nichtschalteriden Leistungsverstärker.

Bisher sind als Vorspannungsschaltung für einen AB-Leistungsverstärker verschiedene Schaltungsanordnungen vorgeschlagen worden, um die Erzeugung einer Umschalt- bzw. Schaltverzerrung herabzusetzen. Dabei wird eine Vorspannung in Übereinstimmung mit der Amplitude eines Ausgangssignals verändert oder moduliert, um die Schaltungsanordnung zu einer nichtschaltenden Schaltungsanordnung zu machen.

Bei der bisher bekannten Vorspannungsschaltung ist jedoch in dem Fall, daß die Vorspannung in Übereinstimmung mit der Amplitude des Ausgangssignals moduliert wird, angesichts des Vorhandenseins eines nichtlinearen Elementes, wie eines Transistors oder dgl., in dem Signalübertragungsweg eine Gefahr dafür vorhanden, daß eine nichtlineare Verzerrung in der Vorspannungsschaltung hervorgerufen wird.

ό I I /1 b b

Bei einer bekannten Vorspannungsschaltung für einen AB-Leistungsverstärker wird dann, wenn ein MOS-FET-(Feldeffekttransistor) -Element als Verstärkungselement in einer Leistungsvers tärkungs stufe verwendet wird, eine nichtlineare . Verzerrung in dem Bereich hervorgerufen, in welchem die Steilheit des MOS-Feldeffekttransistors relativ gering ist. Bis jetzt ist jedoch keine Vorspannungsschaltung für den oben erwähnten Leistungsverstärker vorgeschlagen worden, bei der die'Erzeugung der nichtlinearen Verzerrung beseitigt ist..

"Der Erfindung liegt demgemäß die Aufgabe zugrunde, eine Vorspannungsschaltung für einen Leistungsverstärker 2U schaffen, wobei diese Vorspannungsschaltung frei sein soll von den den bisher bekannten Vorspannungsschaltungen anhaftenden Mängeln.

Darüber hinaus soll eine Vorspannungsschaltung für einen Leistungsverstärker geschaffen werden, bei der kein nichtlineares Element in dem Signalübertragungsweg der betreffenden Vorspannungsschaltung vorhanden ist.

Außerdem soll eine Vorspannungsschaltung für einen Leistungsverstärker geschaffen werden, die wirksam ist, wenn ein MOS-Feldeffekttransistor als Ausgangstransistor verwendet wird.

Gelöst wird die vorstehend angegebene Aufgabe durch die in den Patentansprüchen erfaßte Erfindung.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfaßt eine Vorspannungsschaltung für einen Leistungsverstärker folgende Einrichtungen:

a) erste und zweite Gleichspannungsklemmen,

b) erste und zweite Ausgangstransistoren, die jeweils eine Eingangselektrode aufweisen, wobei die Eingangselektroden dieser Transistoren an einem ersten Widerstand angeschlossen sind und wobei die Hauptstromwege der betreffenden Transistoren zwischen den genannten Gleichspannungsklemmen über zweite bzw. dritte Widerstände in Reihe geschaltet sind, wobei der Verbindungspunkt des zweiten Widerstands und eines dritten Widerstands als Signalaus-.gangsanschluß dient,

c) eine Signaleingabeeinrichtung zur Abgabe eines zu ver- . stärkenden Eingangssignals, welches den Eingangselektroden der beiden Ausgangstransistoren zugeführt wird,

d) dritte und vierte Gleichspannungsanschlüsse,

e) eine Reihenschaltung, bestehend aus einer ersten variablen Stromquelle, dem ersten Widerstand und einerzweitenvariablen Stromquelle zwischen den dritten und vierten Gleichspannungsklemmen,

f) eine Spannungsdetektoreinrichtung, die entweder eine der Spannungen am zweiten Widerstand und dritten Widerstand oder eine der Spannungen feststellt, welche den' Eingangselektroden der beiden Ausgangstransistoren zugeführt werden,

g) eine Steuereinrichtung, welche die erste variable Stromquelle oder die zweite variable Stromquelle in überein-. Stimmung mit dem Ausgangssignal der Spannungsdetektoreinrichtung steuert.

Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend bei-

Γ/Zbb"

»«ft» * β V

- 18 -

spielsweise naher erläutert.

Fig. 1 ■ zeigt in einem Schaltplan ein Ausführungsbeispiel einer bekannten Vorspannungs- . schaltung für einen Leistungsverstärker;

Fig. 2 zeigt in einem Diagramm einen Signalverlauf,

der zur Erläuterung der Arbeitsweise der in Fig. 1 dargestellten Schaltungsanordnung herangezogen wird;

Fig. 3 zeigt in einem Schaltplan einen grundsätzlichen Schaltungsaufbau gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 4A und 4B zeigen in Diagrammen den Verlauf von Signalen, die zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung herangezogen werden;

Fig. 5 zeigt in einem Schaltplan ein Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 6 bis 8 zeigen in Schaltplänen weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung.

Um das Verständnis der vorliegenden Erfindung zu erleichtern, wird zunächst unter Bezugnahme auf Fig. leine bekannte nichtschaltende Vorspannungsschaltung für einen Leistungsverstärker beschrieben.

In Fig. 1 ist ein Tonsignal-Eingangsanschluß 1 gezeigt, über den ein Tonsignal der Basis eines npn-Transistors 2 geführt " wird, dessen Emitter an einer eine negative Spannung führenden Spannungsklemme -V- angeschlossen ist, der eine negative

Gleichspannung zugeführt wird. Der Kollektor des Transistors 2 ist mit der Basis eines pnp-Transistors 3a verbunden, der zusammen mit anderen in einer Darlington-Schaltung vorgesehenen pnp-Transistoren 3b und 3c sowie mit weiteren drei in einer Darlington-Schaltung liegenden npn-Transistoren 4a, 4b und 4c eine Gegentaktstufe mit Eintaktausgang bzw. eine . tränsformatorlose Gegentaktstufe bildet. Dies bedeutet, daß die Kollektoren der Transistoren 3a, 3b und 3c gemeinsam an einer Spannungsklemme -V„p angeschlossen sind, der eine negative Gleichspannung zugeführt wird, und daß die KoIlektoren der Transistoren 4a, 4b und 4c gemeinsam an einer Spannungsklemme +V--, angeschlossen sind, der eine positive Gleichspannung zugeführt wird. Der Emitter des Transistors 3a ist mit der Basis des Transistors 3b und außerdem über einen Widerstand 5 mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des Transistors 4a und der Basis des Transistors 4b verbunden. Der Emitter des Transistors 3b ist mit der Basis des Transistors 3c und außerdem über einen Widerstand 6 mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des Transistors 4b und der Basis des Transistors 4c verbunden, dessen Emitter mit dem Emitter des Transistors 3c über eine Reihenschaltung verbunden ist, die aus den Widerständen 7 und 8 besteht. Der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 7 und 9 ist über eine Last 9, wie einen Lautsprecher, geerdet.

Der Kollektor des Transistors 2 ist außerdem mit dem Emitter eines npn-Transistors 10 verbunden, der eine aktive Vorspannungsschaltung bildet. Der Kollektor des Transistors 10 ist über einen Widerstand 10a mit der Basis dieses Transistors und außerdem über eine Temperaturkompensationsdiode 11 mit dem Kollektor eines pnp-Transistors 12 verbunden, der eine aktive Vorspannungsschaltung bildet. Der Kollektor des Transistors 12 ist über, einen Widerstand 12a mit der Basis dieses Transistors verbunden, und der Emitter des Transistors 12 ist mit der Basis des Transistors 4a ver-

«J I i / L- \J \J

bunden, der zu der transformatorlosen Gegentaktschaltung gehört. Außerdem ist der Emitter des Transistors 12 über eine Konstantstromschaltung 13 an einer Speisespannungsklemme +V_D angeschlossen, der eine positive Gleichspannung züge- ■ führt wird.

Der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 7 und 8 ist mit den Basen des pnp-Transistors 14 und des npn-Transistors 15 verbunden. Diese beiden Transistoren 14 und 15 bilden jeweils eine Stromdetektorschaltung. Der Emitter des Transistors

14 ist über eine Reihenschaltung, bestehend aus einer in Durchlaßrichtung beanspruchten Diode 16 und einem Widerstand 17, mit dem Verbindungspunkt zwischen der Basis und dem Kollektor eines pnp-Transistors 18 verbunden, der eine Stromspiegelschaltμng zusammen mit einem pnp-Transistor 19 bildet. Der Emitter des Transistors 18 ist mit der Basis des Transistors 4a verbunden. Der Verbindungspunkt der Basis und des Kollektors des Transistors 18 ist mit der Basis des Transsistors 19 verbunden, dessen Emitter mit der Basis des Transistors 4a verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 19.ist mit der Basis des Transistors 12 verbunden. Der Kollektors des Transistors 14 ist mit der Basis des Transistors 3a verbunden. . In diesem Falle fließt derselbe Strom, der durch den Hauptstromweg des Transistors 18 fließt,· durch den Hauptstromweg 'des Transistors 19. Indessen ist der Emitter des Transistors

15 über eine Reihenschaltung, bestehend aus einer in Durchlaßrichtung beanspruchten Diode 20 und einem Widerstand 21,· an dem Verbindungspunkt zwischen der Basis und dem Kollektor eines npn-Transistors 22 angeschlossen, der zusammen mit einem npn-Transis.tor 23 eine Stromspiegelschaltung bildet. Der Emitter des Transistors 22 ist mit der Basis des Tran- · sistors 3a verbunden. Der Verbindungspunkt der Basis und des Kollektors des Transistors 22 ist mit der Basis des Transistors 23 verbunden, dessen Emitter mit der Basis des Transistors 3a verbunden ist und dessen Kollektor mit der Basis des Transistors 10 verbunden ist. Der Kollektor des

Transistors 15 ist mit der Basis des Transistors 4a verbunden. In diesem Falle fließt derselbe Strom, der den Hauptstromweg des Transistors 22 durchfließt, durch den Hauptstromweg des Transistors 23.

Wenn bei der in Fig. 1 dargestellten bekannten Schaltungsanordnung ein Eingangssignal in der positiven Richtung zugeführt wird, dann steigen die die npn-Transistoren 4a, 4b und 4c durchfließenden Ströme an, und eine Spannung V zwischen

der Basis des Transistors 4a und dem Ausgangsanschluß,.d.h. yK · dem Verbindungspunkt der Widerstände 7 und 8 steigt an. Zu diesem Zeitpunkt ist die Stromdetektorschaltung durch die Reihenschaltung des Transistors 18, des Widerstands 17, der Diode 16 und des Transistors 14 gebildet. Dabei tritt die ermittelte SpannungsSchwankung, so wie sie ist, nicht an den beiden Enden der Widerstände 12a bzw. 17 auf. Dies bedeutet · folgendes: Nimmt man an, daß die Spannungsschwankungen an der Basis und am Emitter der Transistoren 14 und 18 und an der Anoden-Kathoden-Strecke der Diode 16 als Λν__Ε vorliegen, dann tritt eine Spannungsschwankung /4v ,, die durch Subtrak-

■ tion von 3 A V~„ von einer Spannungs Schwankung /[V zwischen Ha a

der Basis des Transistors 4 a und dem Verbindungspunkt der Widerstände 7 und 8 auftritt, an j^dem der Widerstände 12a und 17 auf und damit am Kollektor and Emitter des Transistors 12. Infolgedessen ist die Vorspannung zwischen der Basis des Transistors 3a und dem Ausgangsanschluß, d.h. dem Verbindun gspunktder Widerstände 7 und 8 um 3AV· „ vermindert. Domgegenüber werden dann, wenn ein Eingangssignal in der negativen Richtung der Schaltungsanordnung zugeführt wird, die die pnp-Transistoren 3a, 3b und 3c durchfließenden Ströme ansteigen, und eine Spannung V, zwischen der Basis des Transistors 3a und dem Ausgangsanschluß, d.h. dem Verbindungspunkt der Widerstände 7 und 8 wird ansteigen. Zu diesem Zeitpunkt arbeitet die Stromdetektorschaltung, die aus der Reihenschal-' tung des Transistors 22, des Widerstands 21, der Diode 20

und des Transistors 15 gebildet ist, in ähnlicher Weise wie in dem obigen Falle. Eine Spannungsänderung bzw. Spannungsschwankung, die durch Subtraktion der Größe 3AV von einer Spannungsänderung & V, zwischen der Basis des Transistors 3a und dem Verbindungspunkt der Widerstände 7 und 8 hervorgerufen wird, tritt an dem Widerstand 10a und damit am Kollektor, und Emitter des Transistors 10 auf. Infolgedessen wird die Vorspannung zwischen der Basis des Transistors 4a und dem Ausgangsanschluß, d.h. dem Verbindungspunkt der Widerstände 7 und 8 um. 3 ΔV„_ vermindert. Demgemäß werden die Emitterströme Ia und Ib der Transistoren 4c bzw. 3c den aus Fig. 2 ersichtlichen Verlauf zeigen, wodurch ein zusammengesetzter Ausgangssignalverlauf der nichtschaltenden Verzerrung hervorgerufen wird. In Fig. 2 sind mit Ic bzw. Ic¹ die Ruheströme der Transistoren 4c bzw. 3c bezeichnet.

Da bei der in Fig. 1 dargestellten Schaltungsanordnung die Transistoren 10 und 12, die beide nichtlineare Elemente darstellen, in den Signalübertragungsweg eingefügt sind, wird ein Problem der nichtlinearen Verzerrung hervorgerufen, überdies kann ein gpannungsgesteuertes. Element, wie ein MOS-Feldeffekttransistor nicht als Ausgangstransistor verwendet werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die zuvor erwähnte nichtlineäre Verzerrung beseitigt, und außerdem kann ein spannungsgesteuerter Transistor, wie ein MOS-Feldeffekttransistor als Leistungsverstärker verwendet werden.

Ein grundsätzliches Ausführungsbeispiel der Vorspannungsschaltung für einen Leistungsverstärker gemäß der Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 3 beschrieben werden, in der die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 verwendet sind, um dieselben Elemente zu bezeichnen. Eine detaillierte Beschreibung der betreffenden Elemente wird _:daher weggelassen.

Bei dem in Fig. 3 dargestellten- Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der Tonsignal-Eingangsanschluß 1 über einen eine Vorspannung festlegenden Widerstand 24 mit der Torelektrode bzw. dem Gate eines n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors 4 verbunden, der zusammen mit einem p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor 3 die transformatorlose Gegentaktschaltung bezw. Gegentaktendstufe bildet. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 24 und dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors ist über eine veränderbare bzw. einstellbare Stromquelle an der Speisespannungsklemme +V_n angeschlossen, der die positive Gleichspannung zugeführt wird. Der Tonsignal-Eingangsanschluß 1 ist außerdem über einen eine Vorspannung festlegenden Widerstand 26 an der Torelektrode bzw. dem-Gate des MOS-Feldeffekttransistors 3 angeschlossen. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 26 und dem Gate des MOS-Feldef fekttransistors 3/übeir eine veränderbare bzw. einstellbare Stromquelle 27 an der Speisespannungsklemme -V angeschlossen, der die negative Gleichspannung zugeführt wird. Die Senke bzw. Drain des MOS-Feldeffekttransistors 4 ist an der Plus-Speisespannungsklemme +V,,,, ·. angeschlossen, der die positive Gleichspannung zugeführt wird. Die Senke bzw. Drain des MOS-Feldeffekttransistors 3 ■ ist an der Minus-Speisespannungsklemme -V„, angeschlossen, der die negative Gleichspannung zugeführt wird. Eine Reihenschaltung aus den Widerständen 7 und 8 ist zwischen den Quellen-bzw. Source-Elektroden der betreffenden MOS-Feldef fekttransistoren 4 und 3 eingefügt. Der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 7 und 8 ist über eine Last 9, wie einen Lautsprecher oder dgl., geerdet und außerdem mit einem gemeinsamen Anschluß einer Spannungsdetektorschaltung 28 verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen der Source-Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors 4 und dem Widerstand 7 sowie der Verbindungspunkt zwischen der Source-Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors 3 und dem Widerstand 8 sind mit der Eingangsseite der Spannungsdetektorschaltung 28 verbunden. Das auf der Ausgangsseite der Spannungsdetektor-

ό I I

schaltung 28 erhaltene festgestellte Signal wird den variablen Stromquellen 25 und 27 zugeführt, um gleichzeitig oder gesondert, deren Ströme zu steuern. Wenn in diesem Falle angenommen wird, daß die Widerstandswerte der Widerstände 7 .und 8 jeweils R₀ betragen, daß außerdem der den Widerstand 7 durchfließende Strom I_T gegeben ist, daß der den Widerstand 8 durchfließende Strom mit -I_T gegeben ist, daß außerdem die Ströme der variablen Stromquellen 25 und 27 jeweils I betragen und daß die Widerstandswerte der Widerstände 24 und 26 jeweils R betragen, dann wird durch die Spannungsdetektorschaltung 28 die Spannung I₁. -R_c ermittelt. Dieses ermittelte Ausgangssignal wird zur Steuerung des Stromes I der betreffenden variablen Stromquellen 25 und 27 ausgenutzt. Zu diesem Zeitpunkt ist die Vorspannung der MOS-Feldeffekttransistoren 3 und 4 durch I«R festgelegt. Der Strom 'ist so eingestellt, daß ohne Signal folgende .Gleichung erfüllt ist:

^VGS-

Dabei bedeutet ν_Γς+ die Spannung zwischen dem Gate und der Quelle-Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors 4, und V_r„_ bedeutet die Spannung zwischen dem Gate und der Quellebzw. Source-Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors 3.

Wenne eine positive Halbwelle eines Eingangssignals dem Tonsignal-Eingangsanschluß 1 zugeführt wird und angenommen wird, daß der den MOS-Feldeffekttransistor 4 durchfließende Strom von I_T zu L + ΔI_T variiert wird und daß der Strom der

Jj Jj Jj

variablen Stromquellen 25 und 27 von I bis I + 4l geändert wird, dann läßt sich die Summe der Gate-Source-Spannung der MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 wie folgt ausdrücken:

^VGS+ ^{+ V}GS- ^{= 2I}"^R

In diesem Falle ändert sich in Verbindung mit dem Anstieg von Zl I_T der Wert V,,-,, wie folgt:

Ij tab+

ΔI₁-

gm

Da jedoch der Wert gm des .MOS-Feldeffekttransistors 4 hin- ■ reichend hoch ist, wird /!V.. vernachlässigt. Um. zu Vermeiden-, daß der MQS-Feldeffekttransistor 3 abgeschaltet bzw. .<<*»». ausgeschaltet wird, wenn der MOS-Feldeffekttransistor 4 eingeschaltet ist, genügt es demgemäß, nach der Gleichung (1), die folgende Gleichung (2) zu erfüllen:

^Δ V^Rs
k__§_ .... (2)

2R

Wenn Δ I so gewählt wird, daß die obige Gleichung (2) erfüllt ist, dann werden V„_o, und V_,_c, etwa konstant, und der

VjO+ Cji.3 —

MOS-Feldeffekttransistor 3 wird nicht abgeschaltet bzw. gesperrt.

Wenn indessen die negative Halbwelle des Eingangssignals dem Eingangsanschluß 1 zugeführt wird und die Gleichung (2) erfüllt ist, dann wird der MOS-Feldeffekttransistor 4 nicht abgeschaltet bzw. gesperrt, wenn der MOS-Feldeffekttransistor 3 eingeschaltet wird, und zwar ähnlich dem obigen Fall.

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Schaltungsanordnung so aufgebaut, daß die Beziehung des ermittelten Aus-' gangssignals von der Spannungsdetektorschaltung 28 zu dem Strom der variablen Stromquellen 25 und 27 die Gleichung (2) erfüllt.

Bei Aufbau der vorliegenden Erfindung in der oben erläuter-

Ol I / Z.O U

ten Weise werden eine Spannung V4 zwischen dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors 4 und dem Verbindungspunkt der Widerstände 7 und 8, d.h. dem Ausgangsanschlüß, und eine Spannung V3 zwischen dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors

3 und dem Ausgangsanschluß in der aus Fig. 4A_ ersichtlichen Weise variiert. Infolgedessen ändern sich die die MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 durchfließenden Ströme Ia und Ib in der aus Fig. 4B ersichtlichen Weise, aus der hervorgeht, daß die MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 nicht abgeschaltet bzw. gesperrt werden. Da die variablen Stromquellen 25 und 27 stets durch das Ausgangssignal der Spannungsdetektorschaltung 28 gesteuert werden und da somit die Vorspannungen für die MOS-Feldeffekttransistoren

4 und 3 gesteuert werden, wird überdies der Übergang zwischen den oberen-und unteren Wellen.des die Last 9 durchfließenden Stromes glatt, und im übrigen kann der zusammengesetzte Ausgangssignalverlauf erhalten werden, in welchem die Erzeugung der Umschaltverzerrung und der übergangsverzerrung unterdrückt ist und bei der die Verzerrung gering ist.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird das dem Tonsignal-Eingangsanschluß 1 zugeführte Tonsignal den Gate-Elektroden der MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 zugeführt, die die Ausgangstransistoren bilden. Das betreffende Tonsignal wird dabei über die Widerstände 24 und 26 zugeführt, die jeweils ein lineares Element darstellen, nicht aber ein nichtlineares Element, wie ein Transistor, so daß eine durch ein "nichtlineares Element sonst hervorgerufene nichtlineare Verzerrung nicht hervorgerufen wird. Mit Hilfe der Erfindung kann ferner die Schaltungsanordnung durch eine Spannung gesteuert werden, so daß die MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 verwendet werden können, die jeweils ein mit hoher Geschwindigkeit arbeitendes Schaltelement darstellen.

Darüber hinaus wird gemäß der vorliegenden Erfindung der Änderungswert, des aus der variablen Stromquelle 25 fließenden Stromes gleich dem Wert des in die variable Stromquelle 27 fließenden Stromes gesetzt, wodurch die Vorspannungsschaltung keine Belastung für die vorgehende Stufe darstellt. · ·

In Fig. 5 bzw. 6 sind weitere praktische Ausführungsbei-·. spiele der Erfindung gezeigt, in denen diejenigen Teile und Elemente, die jenen gemäß Fig. 3 entsprechen, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet sind. Außerdem wird eine detaillierte Beschreibung dieser Teile und Elemente weggelassen.

Bei dem in Fig. 5 gezeigten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der Tonsignal-Eingangsanschluß 1 über eine.Reihenschaltung aus einer Temperaturkompensationsdiode 11a und einem eine Vorspannung festlegenden Widerstand 24 an dem Gate des n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors 4 angeschlossen, der zusammen mit dem p-Kanal-MOS-FeldeEfekttransistor' 3 die transformatorlose Gegentaktschaltung bildet. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 24 und dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors 4 ist mit dem Kollektor oder der Steuerausgangselektrode eines pnp-Transistors 25ä verbunden, .der die variable Stromquelle 25 bildet. Der Emitter desTransistors 25a ist über einen Widerstand 25b an der Plus-Speisespannungsklemme +V₀ angeschlossen, welcher die positive Gleichspannung zugeführt wird. Die Basis des Transistors 25a ist über eine Reihenschaltung aus einer Diode 25c und einem Widerstand 25d an der Plus-Speisespannungsklemme +V angeschlossen und über eine einen Vorspannung festlegende Konstantstromschaltung 29 geerdet. In diesem Falle ist die Konstantstromschaltung 29 so aufgebaut, daß ihr Strom eingestellt werden kann. Der Transistor 25a und die Diode 25c bilden eine Stromspiegelschaltung.

I I / C U

Der Tonsignal-Eingangsanschluß 1 ist ferner über eine Reihenschaltung· aus einer Temperaturkompensationsdiode 11b und einem eine Vorspannung festlegenden Widerstand 26 an dem Gate des p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors 3 angeschlossen. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 26 und dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors 3 ist mit dem Kollektor eines npn-Transistors 27a verbunden. Der Emitter des Transistors 27a ist über einen Widerstand 27b an derMinus-Speisespannungskleitime -V_ angeschlossen, der die negative Gleichspannung zugeführt wird. Die Basis des Transistors 27a ist über eine Reihenschaltung .aus einer Diode 27c und einem Widerstand 27d an der Minus-Speisespahnungsklemme -V-. angeschlossen. Der Transistor 27a und die Diode 27c bilden eine Stromspiegelschaltung. Der Verbindungspunkt zwischen der Diode 25c und der Konstantstromschaltung 29 ist mit der Basis eines pnp-Transistors 30a verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand 30b an der Plus-Speisespannungsklemme +V_n angeschlossen ist. Der Kollektor dieses Transistors dient als Ausgangselektrode, die mit dem Verbindungspunkt der Basis des Transistors 27a und der Diode 27c verbunden ist.'In diesem Falle bilden die Diode 25c und der Transistor 25a die Stromspiegelschaltung, und die Diode 25c und der Transistor 30a bilden ebenfalls eine Stromspiegelschaltung. Darüber hinaus bilden die Diode 27c, der der Ausgangsstrom von dem Transistor 30a her zugeführt, und der Transistor 27a eine Stromspiegelschaltung. Demgemäß werden die die Transistoren 25a, 30a und 27a durchfließenden Ströme gleich.

Der Verbindungspunkt zwischen der Quelle- bzw. Source-Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors 4 und dem Widerstand 7 ist über einen Widerstand 28b an einem negativen Eingangsanschluß einer Operationsverstärkerschaltung 28a angeschlossen, welche die Spannungsdetektorschaltung 28 bildet. Der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 7 und 8 ist über einen Widerstand 28c mit dem positiven Eingangsanschluß (·£> der Operations-

verstärkerschaltung 28a verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen der. Source*-Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors 3 und dem Widerstand 8 ist über einen Widerstand 28d mit dem positiven Eingangsanschluß Φ der Operationsverstärker- · schaltung 28a verbunden, deren Ausgangsanschluß über einen Rückkopplungswiderstand 28e mit dem zugehörigen negativen Eingangsanschluß G verbunden ist. In diesem Falle wird am Ausgangsanschluß der Operationsverstärkerschaltung 28a eine Spannung auf den Spannungsabfall an den Widerständen 7 und 8 hin erhalten. Der Ausgangsanschluß der Operationsver-Stärkerschaltung 28a ist über einen Widerstand 31 mit dem Emitter eines npn-Transistors 32 verbunden, der eine Spannungs-Strom-Umsetzschaltung bildet. Der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 7 und 8 ist mit der Basis · des Transistors 32 verbunden, dessen Kollektor mit dem Verbindungspunkt der Diode 25c und der Konstantstromschaltung 29 verbunden ist. In diesem Falle wird am Kollektor des Transistors 32 ein Strom auf den Spannungsabfall an den Widerständen 7 und 8 hin erhalten. Dieser Strom wird der Diode 25c zugeführt, die, wie oben ausgeführt, eine Stromspiegelschaltung bildet. Dadurch wird der die betreffende Diode durchfließende Strom gesteuert. Demgemäß können die Transistoren 25a, 30a und 27a durchfließende Ströme durch den Strom von dem Transistor 32 her gesteuert' werden.

Bei dem in Fig. 5 dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung werden außerdem die Spannung .V4 zwischen dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors 4 und dem Verbindungspunkt der Widerstände 7 und 8, d. h. dem Ausgangsanschluß, sowie die Spannung V3 zwischen dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors 3 und dem Ausgangsanschluß in der aus Fig. 4A ersichtlichen Weise geändert. Demgemäß werden die durch die MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 fließenden Ströme Ia bzw. Ib in der aus Fig. 4B ersichtlichen Weise geändert, so daß die MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 nicht abgeschaltet bzw. gesperrt werden. Da die betreffenden Ströme der Tran-

J I I /Zbb

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sistoren 25a und 27a der die variable Stromquelle bildenden Stromspiegelschaltungen durch den Steuerstrom von der die Spannungsdetektorschaltung 28 bildenden Operationsverstärkerschaltung 28a und von dem die Spannungs-Strom-Umsetzschaltung bildenden Transistor 32 her gesteuert werden, um dadurch die Vorspannung für die MOS-Feldeffektransistoren 4 und 3 zu steuern, wird der Übergang der oberen und unteren Signalwellen des die Last 9 durchfließenden Stromes glatt. · Demgemäß kann eine solche zusammengesetzte Ausgangssignalwelle hervorgerufen werden, in der die Erzeugung der. Umschaltverzerrung und der Übergangsverzerrung unterdrückt ist.

Es dürfte ohne weiteres einzusehen sein, daß das in Fig. 5 dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung dieselbe Wirkung bzw. denselben Effekt hervorrufen kann wie das in Fig'. 3 dargestellte. Ausführungsbeispiel.

Nunmehr wird eine weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf Fig. 6 beschrieben werden, in der diejenigen Teile und Elemente, die jenen der in Fig. 5 dargestellten Schaltungsanordnung entsprechen, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet sind. Eine detaillierte Beschreibung der betreffenden Teile und Elemente wird weggelassen.

Bei dem in Fig. 6 dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung werden die Steuersignale für die variablen Stromquellen 25 und 27, die jeweils durch eine Stromspiegel- · schaltung gebildet sind, gesondert ermittelt. Dies bedeu- . tet, daß der Verbindungspunkt der Basis des Transistors 25amit der Diode 25c über eine Konstantstromschaltung 29a geerdet ist und daß der Verbindungspunkt der Basis des Transistors 27a mit der Diode"27c über eine Konstantstromschaltung 29b geerdet ist. Der Verbindungspunkt zwischen der Source-Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors 4 und dem Widerstand 7 ist über eine' Parallelschaltung aus einer Diode 33 und einem Kondensator .34 für eine Vorspannungsl'ieferung mit der Basis

eines npn-Transistors 35 verbunden, der die Spannungsdetektor- und Spannungs-Strom-Umsetzschaltung bildet. Die Basis des.Transistors 35 ist ferner über eine. Konstantstromschaltung 36 mit der Plus-Speisespannungsklemme +V_ß verbunden. Der Emitter des betreffenden Transistors ist über einc?n Widerstand 37 mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 7 und 8 verbunden. Der Kollektor des Transistors 35 ist mit dem Verbindungspunkt der Diode 25c und der Konstantstromschaltung 29a verbunden. In diesem Falle tritt auf den Spannungsabfall an dem Widerstand 7 hin ein Strom am Kollektor des Transistors 35 auf; dieser Strom wird an die Diode'■ 25c abgegeben. Demgemäß wird der Strom, welcher durch die · die Stromspiegelschaltung bildende Diode 25c- fließt, durch den Strom gesteuert, der am Kollektor des Transistors 35 auftritt. Damit wird der den Transistor 25a durchfließende . Strom gesteuert. Der Verbindungspunkt zwischen der Source- · Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors 3 und dem Widerstand ist über eine Parallelschaltung aus einer Diode .38 und einem Kondensator 39 für die Vorspannungslieferung mit der Basis eines pnp-Transistors■40 verbunden, der eine Spannungsdetektor- und Spannungs-Strom-Umsetzschaltung bildet. Die Basis des Transistors 40 ist ferner über eine Konstantstromschaltung 41 mit dem Minus-Speisespannungsanschluß -V_n verbunden. Der Emitter des Transistors 40 ist über einen Widerstand 42 mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 8 und 7 verbunden. Der Kollektor des Transistors 40 ist mit dem Verbindungspunkt der Diode 27c und der Konstant Btronuschaltung 29b verbunden. In diesem. · · Falle tritt auf den Spannungsabfall an dem Widerstand 8 hin ein Strom am Kollektor am Transistors 40 auf. Dieser Strom wird an die Diode 27c abgegeben. Demgemäß wird·der Strom, der die die Stromspiegelschaltung bildende Diode 27c durchfließt, durch den am Kollektor des Transistors 40 auftretenden Strom gesteuert. Damit wird der den Transistor 27a durchfließende Strom gesteuert.

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Bei dem in Fig. 6 dargestellen Äusführungsbeispiel der Erfindung werden in ähnlicher Weise wie bei dem in Fig. 5 dargestellten Ausführungsbeispiel.die Spannungsabfälle an den Widerständen 7 und 8 ermittelt, und die durch die Transistoren 25a und 27a, welche die variablen Stromquellen 25 bzw. 27 bilden, fließenden Ströme werden· durch die ermittelten-Signale gesteuert, so daß es ohne weiteres einzusehen sein dürfte, daß mit demÄusführungsbeispiel· gemäß Fig. 6 derselbe Betrieb und dieselbe Wirkung erzielt werden wie mittels des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 5.

In Fig. 7 und 8 sind weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung gezeigt. Bei den in Fig. 3, 5 und 6 gezeigten Ausführungsbeispielen der Erfindung werden die Spannungsabfälle an den Widerständen 7 und 8 ermittelt. Bei den in Fig. 7 und 8 dargestellten Ausführungsbeispielen der Erfindung werden jedoch die an die Gate-Elektroden der MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 abgegebenen Spannungen ermittelt, um die· Vorspannungen dieser Transistoren zu steuern. In diesem Falle wird außerdem die Änderung von üV„_o durch den Anstieg von Al_T ermittelt.

Nunmehr werden die in Fig. 7 und 8 gezeigten Ausführungsbeispiele näher beschrieben, wozu anzumerken ist, daß in Fig. 7 und 8 diejenigen Teile und Elemente, die jenen der in Fig. 3, 5 und 6 gezeigten Ausführungsbeispiele entsprechen, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet sind, und daß eine detaillierte Beschreibung dieser Teile und Elemente weggelassen 'ist.

Bei dem in. Fig. 7 dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der Tonsignal-Eingangsanschluß 1 über eine Reihenschaltung aus einem eine Vorspannung festlegenden Widerstand 24 und einer Temperaturkompensationsdiode 11a an dem Gate des n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors-4 ange-

schlossen, der. zusammen mit dem p-Kanal~MOS-Fe.ldef fekttransistor 3 die transformatorlose Gegenschaltung bildet. Der Verbindungspunkt zwischen der Diode 11a und dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors 4 ist mit dem Kollektor oder der Steuerausgangselektrode des pnp-Transistors 25a verbunden, welcher die variable Stromquelle 25 bildet. Der Emitter des Transistors 25a ist über den Widerstand 25b an dem Plus-Speisespannungsanschluß +V- angeschlossen, dem die positive Gleichspannung zugeführt wird. Die Basis des Transistors 25a ist über eine Reihenschaltung aus der Diode >*"*' 25c und dem Widerstand 25d an der Plus-Speisespannungsklemme +Vt, angeschlossen und über die die Vorspannung festlegende Konstantstromschaltung 29 geerdet. In diesem Falle ist die Konstantstromschaltung 29 so aufgebaut, .daß ihr Strom eingestellt werden kann. Der Transistor 25a und die Diode 25c bilden, wie oben erläutert, die Stromspiegelschaltung.

Der Tonsignal- bzw. der Niederfrequenz-Eirigangsanschluß 1 ist ferner über die Reihenschaltung des eine Vorspannung festlegenden Widerstands 26 und der Temperaturkompensationsdiode 11b mit dem Gate des p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen der Diode 11b und dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors 3 ist mit dem Kollektor eines npn-Transistors 27a verbunden, welcher die variable Stromquelle 27 bildet. Der Emitter des Transistors 27a ist über den Widerstand 27b an der Minus-Speisespannungsklemme -V_ angeschlossen, welcher die negative Gleichspannung zugeführt wird. Die Basis des Transistors 27a ist über die Reihenschaltung der Diode 27c und des Widerstand 27d an • der Minus-Speisespannungsklemme -V- angeschlossen. Der Transistor 27a und die Diode 27c bilden die oben erwähnte Stromspiegelschaltung. Der Verbindungspunkt zwischen der Diode 25c und der Konstantstromschaltung 29 ist mit der Basis eines pnp-Transistors 30a verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand 30b an dem Plus-Speisespannungsanschluß +V_n

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angeschlossen ist. Der Kollektor des Transistors 30a dient als Ausgangselektrode, die mit dem Verbindungspunkt der Basis des Transistors 27a und der Diode 27c verbunden ist. In diesem Falle bilden die Diode 25c und der Transistor 30a eine Stromspiegelschaltung, und die Diode 25c und -der Transistor 25a bilden' ebenfalls eine Stromspiegelschaltung, wie dies oben bereits erläutert worden ist. Darüber hinaus bilden die Diode 25c, der der Ausgangsstrom von dem Transistor 30a zugeführt wird,und der Transistor 27a eine Stromspiegelschaltung, wie dies oben bereits erläutert worden ist. Demgemäß werden die die Transistoren 25a, 30a und 27a durchfließenden Ströme gleich.

Der Verbindungspunkt des Widerstands 24 mit der Diode 11a ist ferner mit der Basis -eines npn-Transistors 43 verbunden, .derjdie Spannungsdetektor- und Spannungs-Strom-Umsetzschaltpng bildet. Der Emitter des Transistors 43 ist über einen Widerstand 44 mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 7 und 8 verbunden. Der Kollektor des Tran-

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sistors 43. ist/dem Verbindungspunkt der Diode 25c und der Konstantstromschaltung 29 verbunden. Tn diesem Falle kann auf die Spannung am Verbindungspunkt des Widerstands 24 mit derDiode 11a hin ein· Strom am bzw. vom Kollektor des Transistors 43 erhalten werden. Der Verbindungspunkt des Widerstands 26 mit der Diode 11a ist ferner mit der Basis eines pnp-Transistors 45 verbunden, welche die Spannungsdetektor- und Spannungs-Strom-Umsetzschaltung bildet. Der Emitter des Transistors 45 ist über einen Widerstand 46 mit dem Verbindungspunkt zwischen' den Widerständen 7 und verbunden. Der Kollektor des Transistors 45 ist über eine Reihenschaltung aus einer Diode 47a und einem Widerstand 47b an der Minus-Speisespannungskleirane -V₁₃ angeschlossen. Außerdem ist der Kollektor des Transistors 45 mit der Basis eines npn-Transistors 47c verbunden, der zusammen mit der Diode 47a eine Stromspiegelschaltung 47 bildet. Der Emitter des Transistors 47c ist über einen Widerstand 47d

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an der Minus-Speisespannungskleinine -V_. angeschlossen. Der Kollektor des Transistors 47c ist mit dem Verbindungspunkt· der Diode 25c und der Konstantstromschaltung 29 verbunden. In ■ diesem Falle kann auf die Spannung an dem Verbindungspunkt des Widerstands 26 und der Diode 11b hin ein Strom am bzw. vom Kollektor des Transistors 45 erhalten werden. Die Stromspiegelschaltung 47 dient dabei als Phaseninvertierungsschaltung für den am Kollektor des Transistors 45 auftretenden Strom. In diesem Falle wird der Diode 25c ein Strom auf die Gate-Spannung des MOS-Feldeffekttransistors 4 oder 3 hin zugeführt, wodurch der Strom gesteuert wird, welcher die die Stromspiegelschaltung bildende Diode 25c durchfließt, so daß die die Transistoren-25a, 30a und 27a durchfließenden Ströme gesteuert werden können.

Bei dem in Fig. 7 dargestellten Ausführungsbeispiel der · Erfindung werden außerdem die Spannung V4 zwischen dem Gate des MOS-Feldeffekttransistors 4 und dem Verbindungspunkt der Widerstände 7 und 8, d. h.·dem'Ausgangsanschluß, sowie die Spannung V3 zwischen dem Gate des MOS--Feldeffekttransistors 3 und dem Ausgangsanschluß in der aus. Fig. 4A ersichtlichen Weise geändert. Demgemäß werden die die MOS-FeldeffekttranSistoren 4 und 3 durchfließenden Ströme Ia bzw. Ib in der aus Fig. 4B ersichtlichen Weise geändert, so daß die MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 nicht abgeschaltet bzw. gesperrt werden. Da die entsprechenden Ströme der Transistoren 25a und 27a durch die Ausgangssignale der die Spannungsdetektor- und Spannungs-Strom-Umsetzschaltung bildenden Transistoren 43 und 45 gesteuert werden, wodurch die Vorspannung für MOS-Feldeffekttransistoren 4 und 3 gesteuert werden, wird außerdem der übergang der oberen und unteren Signalwellen des die Last 9 durchfließenden Stromes glatt bzw. gleichmäßig. Demgemäß kann ein solcher zusammengesetzter Ausgangssignalverlauf hervorgerufen werden, in welchem die Erzeugung der Umschaltverzerrung und der Übergangsverzerrung unterdrückt ist.

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Es dürfte ohne weiteres einzusehen sein, daß das in Fig. 7 dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung die gleiche Wirkung bzw. den gleichen Effekt hervorrufen kann wie das in Fig. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel.

In Fig. 8 ist nun noch ein weiteres Ausführungsbeispiel· der Erfindung gezeigt, welches dazu vorgesehen ist, das in Fig. dargestellte Ausführungsbeispiel noch weiter zu vereinfachen. Dabei sind in Fig. 8 diejenigen Elemente und Einzelteile, die jenen der Fig. 7 entsprechen, mit denselben Bezugszeichen versehen. Auch hier ist eine detaillierte Beschreibung der betreffenden Elemente und Einzelteile weggelassen.

Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 8 ist der Kollektor des Transistors 45 mit dem Verbindungspunkt zwischen der Diode 27c und der Basis des Transistors 27a verbunden. Dadurch fließt auf die Spannung am Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 26 und der Diode 11b hin ein Strom durch den Transistor 27a. Die Konstantstromschaltung 29 für die Einstellung des Vorstromes ist zwischen den Basen der Transistören 25a und 27a angeschlossen. Da bei dem Ausführungsbeispiel· gemäß Fig. 8 auf die Spannungen an den Widerständen 24 bzw. 26 hin die Ströme durch die Transistoren 25a und 27a fiießen, dürfe ohne weiteres einzusehen sein, daß "mit dem Ausführungsbeispiel· gemäß Fig. 8 der gleiche Betrieb und die gleiche Wirkung erzielt werden können wie mit dem in Fig.. 7 dargestellten Ausführungsbeisp.ie-1.

Bei den oben eriäuterten Ausführungsbeispielen der Erfindung sind zwei Widerstände 24 und 26 vorgesehen, und das Eingangssignal .wird dem Verbindungspunkt zwischen diesen Widerständen zugeführt. Es. ist jedoch möglich, anstehe der beiden Widerstände einen einzigen Widerstand zu'verwenden und das Eingangssignal· den beiden Enden dieses einzigen Widerstands mit derselben Wirkung zuzuführen.

Es ist außerdem möglich, anstelle der als Ausgangstransistoren dienenden MOS-Transistoren erforderlichenfalls andere Transistortyperi, wie Bipolar-Transistören usw., mit denselben Auswirkungen zu verwenden.

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Claims

Patentansprüche

(/μ. Vorspannungsschaltung mit ersten und zweiten Gleichspannungsversorgungsklemmen, mit ersten und zweiten' Ausgangstransistoren, die jeweils eine Eingangselektrodo aufweisen und deren Eingangselektroden an einem ersten Widerstand angeschlossen sind, wobei die Hauptstromwege der betreffenden Ausgangstransistoren in Reihe-zwischen den ersten und zweiten Gleichspannungsversorgungsklemmen über zweite bzw. dritte Widerstände angeschlossen sind, wobei der Verbindungspunkt zwischen den zweiten und dritten Widerständen als Signalausgangsanschluß dient, mit einer Signaleingabeeinrichtung, die ein zu verstärkendes Eingangssignal den Eingangselektroden der beiden Ausgangstransistoren zuführt, mit dritten und vierten Gleichspannungsversorgungsklemmen, mit einer Reihenschaltung, bestehend aus einer ersten variablen Stromquelle, dem ersten Widerstand und einer zweiten variablen Stromquelle, die zwischen den dritten und vierten Gleichspannungsversorgungsklemmen angeschlossen ist, und mit einer Spannungsdetektoreinrichtung, die entweder eine der Spannungen am zweiten Widerstand und dritten Widerstand oder eine der Spannungen fest-

stellt, welche den Eingangselek_±xoden der beiden Ausgangstransistoren zugeführt werden, dadurch gekennzeichnet, daß eine Steuereinrichtung (32) vorgesehen ist, welche eine der beiden variablen Stromquellen (25, 27) in Übereinstimmung mit dem Ausgangssignal der SpannungsdetektoreinEicshtung (28) steuert.
2. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektoreinrichtung (28) die Spannung an den zweiten und dritten Widerständen (7,8) feststellt und daß die beiden variablen Stromquellen (25, 27)" durch das Ausgangssignal der Spannungsdetektoreinrichtung (28) gleichzeitig gesteuert werden.
3. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektoreinrichtung (28) einenoperationsverstärker (28a) mit positiven und negativen Eingangsanschlüssen und einem Ausgangsanschluß aufweist, daß der negative Eingangsanschluß. (-) des Operationsverstärkers (28a) mit einem von dem Signalausgangsanschluß entfernt liegenden Anschluß des zweiten Widerstands (7) verbunden ist und daß der positive Eingangsanschluß (+) des Operationsverstärkers (28a) mit dem von dem Signalsausgangsanschluß entfernt liegenden einen Anschluß des dritten Widerstands (8) verbunden ist.
4. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (31) einen ersten Transistor (32) umfaßt, der mit einer Eingangselektrode am Ausgangsanschluß des Operationsverstärkers (28a) angeschlossen ist und der mit einer Ausgangselektrode mit den beiden variablen Stromquellen (25, 27) verbunden ist.
5. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet/ daß der betreffende erste Transistor vom npn-Leitfähigkeitstyp ist, daß die Basis dieses Transistors (32) mit dem Signalausgangsanschluß des Operationsverstärkers (28a) verbunden ist, daß der Emitter des betreffenden Transistors (32) ebenfalls mit dem Ausgangsanschluß des Operationsverstärkers (28a) verbunden ist und daß der Kollektor des betreffenden Transistors (32) die beiden variablen Stromquellen

(25, 27) gleichzeitig steuert.
6. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste variable Stromquelle (25) eine erste Stromspiegelschaltung aufweist, deren Eingangsanschluß mit dem Ausgang des Operationsverstärkers (28a) verbunden ist und deren Ausgangsanschluß mit dem Verbindungspunkt zwischen dem ersten Widerstand (24) und der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors

(4) verbunden ist.
7. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite variable Stromquelle (27) eine zweite Stromspiegelschaltung enthält, die der

*■*** ersten Stromspiegelschaltung parallel geschaltet ist

und die mit einem Eingangsanschluß am Ausgangsanschluß des Operationsverstärkers (28a) angeschlossen ist, und daß eine dritte Stromspiegelschaltung in Reihe mit der ersten Stromspiegelschaltung und der zweiten Strom^- spiegelschaltung liegt und mit einem Eingangsanschluß am Ausgangsanschluß der zweiten Stromspiegelschaltung angeschlossen ist, sowie mit einem Ausgangsanschluß an dem Verbindungspunkt des ersten Widerstands (24) und der Eingangselektrode des zweiten Ausgangstransistors (3) angeschlossen ist.

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8. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromspiegelschaltung einen zweiten Transistor (25a) enthält, dessen Kollektor und Emitter zwischen der dritten Gle'ichspannungsversorgungsklemme (+V_n) und dem Verbindungspunkt zwischen dem ersten Widerstand (24) und der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors (4) liegen, daß eine erste Diodeneinrichtung (25c) zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme (+V_) und der Basis des zweiten Transistors (25a) vorgesehen ist, daß der Verbindungspunkt zwischen der ersten Diodeneinrichtung (25c) und der Basis des zweiten Transistors (25a) als Eingangsanschluß der ersten Stromspiegelschaltung dient und daß der Kollektor des zweiten Transistors (25a) den Ausgangsanschluß, der ersten Stromspiegelschaltung bildet.
9. Vorspannungsschaltung nach Anspruch B, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Stromspiegelschaltung einen dritten Transistor (30a) aufweist, dessen Emitter und Kollektor zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme (+V₁₃) und dem Eingangsanschluß der dritten Stromspiegelschaltung liegen, und daß die erste Diodeneinrichtung (25c) zwischen dem Emitter und der Basis des dritten Transistors (30a) liegt.
10. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Stromspiegelschaltung einen vierten Transistor (27a) aufweist, dessen Kollektor und Emitter zwischen dem Verbindungspunkt des ersten Widerstands (24) und der Eingangselektrode des zweiten Ausgangstransistors (3) sowie der vierten Gleich¹-spanriungsversorgungsklemme (~V„) liegen, daß eine zweite Diodeneinrichtung (27c) zwischen der Basis und dem Emitter des vierten Transistors (27a) vorgesehen

ist, daß der Verbindungspunkt zwischen der zweiten Diodeneinrichtung(27c) und der Basis des vierten Transistors (27a) den Eingangsanschluß der dritten Stromspiegelschaltung darstellt und daß-der Kollektor des vierten Transistors (27a) den Ausgangsanschluß der dritten Stromspiegelschaltung bildet.
11. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Diodeneinrichtung (25c) eine . zwischen dem Emitter und der Basis des dritten Transistors (30a) liegende, in Durchlaßrichtung vorgespannte Diode umfaßt.
12. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekenn- ■ zeichnet, daß die zweite Diodeneinrichtung (25c) eine zwischen der Basis, und dem Emitter des vierten Transistors (27a) liegende Diode enthält, die in Durchlaßrichtung' vorgespannt ist.
13. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Verbindungspunkt der Basen des zweiten und dritten Transistors (25a, 30a) und einem Bezugspunkt (Erde) eine Konstantstromschaltung (29) vorgesehen ist, die Vorspannungsströme an den zweiten und dritten Transistor (25a, 30a) abgibt.
14. Vorspannungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Ausgangstransistoren (3, 4) jeweils einen MOS-Feldeffekttransistor umfassen.
15. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektoreinrichtung (35, 40) die Spannungen an den zweiten und dritten Widerständen (7, 8) unabhängig voneinander ermittelt und daß die beiden variablen Stromquellen (25, 27) durch die Aus-

Ί ϊ 7 Z b b

gangssignale der Spannungsdetektoreinrichtung (35, 40) unabhängig voneinander gesteuert werden.
16. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß "die Spannungsdetektoreinrichtung einen ersten Transistor (35) enthält, der mit seiner Basis und seinem Emitter mit dem zweiten Widerstand (7) verbunden, ist, und daß die Spannungsdetektoreinrichtung einen zweiten Transistor (40) aufweist, der mit der Basis und dem Emitter mit dem dritten Widerstand (8) verbunden ist.
17. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die erste variable Stromquelle (25) einen dritten Transistor (25a) aufweist, dessen Emitter und Kollektor zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme (+V_n) und dem Verbindungspunkt des ersten Wider-Stands (24) mit der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors (4) liegen, daß eine erste Diodenein-

"■ richtung (25c) zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme (+V-.) und der Basis des dritten Transistors (25a) vorgesehen ist, daß eine erste Konstantstromschaltung (29a) zwischen dem Verbindungspunkt der ersten Bodeneinrichtung (25c) und der Basis des dritten Transistors (25a) sowie einem Bezugspunkt (Erde) liegt, und daß die Steuereinrichtung eine Verbindungsschaltung ■ zwischen dem Kollektor des ersten Transistors (35) und dem Verbindungspunkt der ersten Diodeneinrichtung (25c) und der ersten Konstantstromschaltung (29a) aufweist.
18. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite variable Stromquelle (27) einen vierten Transistor (27a) aufweist, dessen Kollektor und Emitter zwischen dem Verbindungspunkt des ersten Wider-, stands (24) und der Eingangselektrode des zweiten Ausgangstransistors (3) sowie der vierten Gleichspannungs-

Versorgungsklemme (+V₀) liegen, daß eine zweite Diodeneinrichtung (27c) zwischen der vierten Gleichspannungsversorgungsklemme (-V_n) und der Basis des vierten Trän-

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sistors (27a) vorgesehen ist, daß eine zweite Konstantstromschaltung (29b) zwischen dem Verbindungspunkt der zweiten Diodeneinrichtung (27c) und der Basis des vier_T ten Transistors (27a) sowie einem Bezugspunkt (Erde) liegt und daß die Steuereinrichtung eine Verbindungsschaltung zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors (40) und dem Verbindungspunkt der zweiten Konstantstromschaltung (29b) und der zweiten Diodeneinrichtung (27c) umfaßt.
19. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß eine Reihenschaltung aus einer dritten Konstantstromschaltung (36) und einer'dritten Diodeneinrichtung (33) zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme (+V_n) und dem Verbindungspunkt des zweiten Widerstands (7) mit dem ersten Ausgangstransistor (4) vorgesehen ist und daß der Verbindungspunkt der dritten Konstantstromquelle (36) und der dritten Diodeneinrichtung (33) mit der Basis des ersten Tran- · sistors (35) unter Abgabe einer Vorspannung an diese Basis verbunden ist.
20. Vorspannungsschaltung.nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß eine Reihenschaltung aus einer vierten KonstantStromschaltung (41) und einer vierten'Diodeneinrichtung (38) vorgesehen ist, daß diese Reihenschaltung zwischen der vierten Gleichspannungsversorgungsklemme (-V-) und dem Verbindungspunkt des dritten Widerstands (8) mit dem zweiten Ausgangstransistor (3) vorgesehen ist und daß der Verbindungspunkt der vierten Konstantstromschaltung (41) mit der vierten Diodeneinrichtung (38) mit der Basis des zweiten Transistors (40) zur Abgabe einer Vorspannung an diese Basis verbunden ist.

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21. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektoreinrichtung (43, 45) die Spannung zwischen der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors (4) und dem Signalausgangsanschluß sowie die Spannung zwischen der Eingangselektrode des zweiten Ausgangstransistors (3) und dem Signalausgangsanschluß feststellt, und daß die beiden variablen Stromquellen (25, 27) durch das Ausgangssignal der Spannungsdetektoreinrichtung gleichzeitig gesteuert werden.
22. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektoreinrichtung einen ersten Transistor (43) enthält, dessen Basis mit der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors (4) verbunden ist und dessen Emitter mit dem Signalaus-, gangsanschluß verbunden ist^ und daß die Spannungsdetektoreinrichtung einen zweiten Transistor (45) enthält, dessen Basis mit der Eingangselektrode des zweiten Ausgangstransistors (3) verbunden ist und dessen Emitter mit den Signalausgangsanschluß verbunden ist.
23. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die erste variable Stromquelle (25) eine erste Stromspiegelschaltung aufweist, deren Eingangsanschluß mit dem Kollektor des ersten Transistors (43) verbunden ist und deren Ausgangsanschluß mit dem Verbindungspunkt des ersten Widerstands (24) und der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors (4) verbunden ist.
24. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 23,dadurch gekenn- · zeidhnet, daß die zweite variable Stromquelle (27) eine zweite Stromspiegelschaltung aufweist, die mit einem Eingangsanschluß und einem Ausgangsanschluß an dem Verbindungspunkt des ersten Widerstands (24) und der Ein-

gangselektrode des zweiten Ausgangstransistors (3) angeschlossen ist.
25. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung eine'dritte Stromspiegelschaltung aufweist, die mit einem Eingangsanschluß am Kollektor des ersten Transistors (43) und mit einem Ausgangsanschluß an dem Eingangsanschluß der zweiten Stromspiegelschaltung angeschlossen ist und daß eine vierte Stromspiegelschaltung vorgesehen ist, die mit einem Eingangsanschluß am Kollektor des zweiten Transistors (45) und mit einem Ausgangsan-' Schluß am Eingangsanschluß der dritten Stromspiegelschaltung angeschlossen ist.
26. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromspiegelschaltung einen dritten Transistor (25a) aufweist, dessen Emitter und· Kollektor zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme (+V_R) und dem Verbindungspunkt des ersten Widerstands (24) mit der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors (4) liegen, daß eine erste Diodeneinrichtung (25c) zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme (⁺V_R) und der Basis des dritten Transistors (25a) vorgesehen ist, daß der Verbindungspunkt zwischen der ersten Diodeneinrichtung (25c) und der Basis des dritten Transistors (25a) als Eingangsanschluß der ersten Stromspiegelschaltung dient und daß der Kollektor des dritten Transistors (25a) als.Ausgangsanschluß der ersten Stromspiegelschaltung dient.
27. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Stromspiegelschaltung einen vierten Transistor (27a) aufweist, dessen Kollektor und Emitter zwisehen dem Verbindungspunkt des ersten

Widerstands (24) und der Eingangselektrode des zweiten Ausgangstransistors (3) sowie der vierten Gleichspannungsversorgungsklemme (~V_) liegen, daß eine zweite .Diodeneinrichtung (27c) zwischen der Basis des vierten Transistors (27a) und der vierten Gleichspannungsversorgungskleinme (-V_ß) vorgesehen ist, daß der Verbindungspunkt der Basis des.vierten'Transistors (27a) und der zweiten Diodeneinrichtung (27c) als Eingangsanschluß der zweiten Stromspiegelschaltung dient und daß der Kollektor des vierten Transistors (27a) als Ausgangsanschluß der zweiten Stromspiegelschaltung " dient.
28. Vorspannungsschaltung nach Anspruch"27, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Stromspiegelschaltung einen fünften Transistor (30a) aufweist, dessen Emitter und Basis zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme C+V_) und dem Verbindungspunkt der zweiten Diodeneinrichtung (27c) mit der Basis des dritten Transistors (27a) liegen, daß die erste Diodeneinrichtung (25c) zwischen der dritten Gleichspannungsquelle (+V_n) und der Basis des fünften Transistors (30a) liegt, daß der Verbindungspunkt der ersten Diodeneinrichtung (25c) und der Basis des fünften Transistors (30a) als Eingangsanschluß der dritten Stromspiegelschaltung dient und daß "der Kollektor des fünften Transistors (30a) den Ausgangsanschluß der dritten Stromspiegelschaltung bildet.
29. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Stromspiegelschaltung einen

• sechsten Transistor (47c) enthält, dessen Kollektor und Emitter zwischen dem Verbindungspunkt der ersten Diodeneinrichtung (25c) und der Basis des fünften Transistors (30a) sowie der vierten Gleichspannungsversorgungsklemme (-V-) liegen, daß eine dritte Diodeneinrichtung (47a)

zwischen der Basis des sechsten Transistors (47c) und.' -. der vierten Gleichspannungsversorgungsklemme'(-Vg) vorgesehen ist, daß der Verbindungspunkt der dritten Diodeneinrichtung (47a) mit der Basis des sechsten Transistors (47c) den Eingangsanschluß der vierten Stromspiegelschaltung darstellt und daß der Kollektor des sechsten Transistors (47c) den Ausgangsanschluß der vierten Strom-, ■ spiegelschaltung (47) darstellt.
30. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß eine Konstantstromschaltung (29) zwischen den Eingangsanschlüssen der ersten und dritten Stromspiegelschaltungen und einem Bezugspunkt (Erde) derart vorgesehen ist, daß den betreffenden Eingangsanschlüssen ein Vorstrom zuführbar ist.
31. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Ausgangstransistoren jeweils einen MOS-Feldeffekttransistor umfassen.
32. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektoreinrichtung die ■ Spannungen zwischen den Eingangselektroden der beiden Ausgangstransistoren (4, 3) und dem Ausgangsanschluß unabhängig voneinander ermitteln und daß die beiden ersten und zweiten variablen Stromquellen (25, 27) durch das Ausgangssignal der Spannungsdetektoreinrichtung unabhängig voneinander gesteuert werden.
33. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektoreinrichtung einen ersten Transistor (43) enthält, dessen Basis mit der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors (4) verbunden ist und. dessen Emitter mit dem Signalausgangsanschluß verbunden ist, und daß die Spannungsdetektor-

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einrichtung einen zweiten Transistor (45) aufweist, dessen Basis mit der Eingangselektrode des zweiten Äusgangstransistors (3) verbunden ist und dessen Emitter mit dem.Signalausgangsanschluß verbunden ist.
34. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, variable Stromquelle (25) eine erste Stromspiegelschaltung aufweist, deren Eingangsanschluß mit dem Kollektor des ersten Transistors (43) verbunden ist und deren Ausgangsanschluß mit dem Verbindungspunkt des ersten Widerstands (24) mit der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors (4) verbunden ist.
35. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite variable Stromquelle (27) eine zweite Stromspiegelschaltung aufweist, deren Eingangsanschluß mit dem Kollektor des zweiten Transistors (45) verbunden ist und deren Ausgangsanschluß mit dem Verbindungspunkt einer zweiten Diodeneinrichtung (11b) und der Eingangselektrode des zweiten Ausgangstransistors

• (3) verbunden ist.
36. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 35, dadurch gekenn-■ .zeichnet, daß die Steuereinrichtung eine- Schaltungsverbindung zwischen dem Kollektor' des ersten Transistors (43) und dem Eingangsanschluß der· ersten Stromspiegelschaltung umfaßt und daß eine Schaltungsverbindung zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors (45) und dem Eingangsanschluß der zweiten Stromspiegelschaltung vorgesehen ist.
37. Vorspännungsschaltung nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromspiegelschaltung einen dritten .Transistor (25a) aufweist, dessen Emitter und

Kollektor zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme (+V-) und dem Verbindungspunkt des ersten Widerstands (24) und der Eingangselektrode des ersten Ausgangstransistors (4) liegen, daß eine erste Diodeneinrichtung (25c) zwischen der dritten Gleichspannungsversorgungsklemme (+V_n) und der Basis des dritten Transistors (25a) vorgesehen ist, daß der Verbindungspunkt der ersten Diodeneinrichtung (25c) mit der Basis des dritten Transistors (25a) den Eingangsanschluß der ersten Stromspiegelschaltung bildet und daß der Kollektor des dritten Transistors (25a) den Ausgangsanschluß der ersten Stromspiegelschaltung bildet.
38. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Stromspiegelschaltung einen vierten Transistor (27a) aufweist, dessen Kollektor und Emitter zwischen dem Verbindungspunkt des ersten Widerstands (24) mit der Eingangselektrode des zweiten Ausgangstransistors (3) und dem vierten Gleichspannungsversorgungsanschluß (-V-,) liegen, daß eine zweite Diodeneinrichtung (27c) zwischen der Basis des vierten Transistors (27a) und dem vierten Gleichspannungsversorgungsanschluß (-V„) liegt, daß der Verbindungspunkt der Basis des vierten Transistors (27a) und-der zweiten Diodeneinrichtung (27c) den Eingangsanschluß der zweiten Stromspiegelschaltung bildet und daß der Kollektor des vierten Transistors (27a) den Ausgangsanschluß der zweiten Stromspiegelschaltung bildet.
39. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, daß. eine Konstantstromquelle (29) zwischen den Eingangsanschlüssen der ersten Stromspiegelschaltung und der zweiten Stromspiegelschaltung zur Abgabe eines Vorstromes an diese Stromspiegelschaltungen vorgesehen ist.
40. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Ausgangstransistoren jeweils einen MOS-Feldeffekttransistor umfassen.
41. Vorspannungsschaltung nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, daß die MOS-Feldeffekttransistoren zwischen den ersten und zweiten Gleichspannungsversorgungsanschlüssen (+V_cc, -Vpp) in einer komplementären Gegentaktanordnung bzw. GegentaktbeZiehung liegen.
42. Vorspannungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Reihenschaltung ferner eine Diode (11a) für die Verwendung bei-einer Temperaturkompensation umfaßt und daß diese Diode (11a) in Reihe mit dem genannten ersten Widerstand (24) zwi- . sehen den Eingangselektroden.der beiden Ausgangstransistoren (4, 3) liegt.