DE3104082A1 - "lichtemittierende hetero-junction-diode" - Google Patents

"lichtemittierende hetero-junction-diode"

Info

Publication number
DE3104082A1
DE3104082A1 DE19813104082 DE3104082A DE3104082A1 DE 3104082 A1 DE3104082 A1 DE 3104082A1 DE 19813104082 DE19813104082 DE 19813104082 DE 3104082 A DE3104082 A DE 3104082A DE 3104082 A1 DE3104082 A1 DE 3104082A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
type
region
layer
light
diode according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813104082
Other languages
English (en)
Other versions
DE3104082C2 (de
Inventor
Jun-ichi Prof. Sendai Miyagi Nishizawa
Toru Yokohama Kanagawa Teshima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP1450580A external-priority patent/JPS56111276A/ja
Priority claimed from JP1450880A external-priority patent/JPS56111279A/ja
Priority claimed from JP1450680A external-priority patent/JPS56111277A/ja
Priority claimed from JP1450780A external-priority patent/JPS56111278A/ja
Priority claimed from JP1450480A external-priority patent/JPS56111275A/ja
Application filed by Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai, Stanley Electric Co Ltd filed Critical Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai
Publication of DE3104082A1 publication Critical patent/DE3104082A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3104082C2 publication Critical patent/DE3104082C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004Devices characterised by their operation
    • H01L33/002Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • H01L33/0025Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

  • Beschreibung
  • "Lichtemittierende HetercmJunction-Diodel Die Erfindung betrifft eine strahlungsfähige Halbleitereinri(htung und insbesondere eine lichtemittierende Diode mit einer Hetero-Junction oder Hetero-Grenzschicht zum Ausstrahlen von inkoherentem Licht.
  • Strahlungsfähige Halbleitereinrichtungen werden gewöhnlich aus Verbindungshalbleitern gegebenenfalls vom Mischkristalltyp gebildet.
  • Herstellungsverfahren führen zu verschiedenen Begrenzungen bezüglich der Struktur der Halbleitereinrichtungen. Die Bildung eines gedopten Bereichs wird gewöhnlich mittels Diffusion oder Epitaxialwachstum in flüssiger Phase vorgencumen.
  • Nachstehend werden einige typische Beispiele von lichtemittierenden Dioden beschrieben.
  • Eine Eine lichtemittierende Diode aus GaAsP wird aus einem n -leitenden GaAs-Substrat gebildet, wobei eine n-leitende GaAsP Epitaxialschicht auf dem n - leitenden GaAs-Substrat gebildet und ein p leitender Bereich selektiv in die n-leitende GaAsP-Schicht eindiffundiert wird.
  • Der p-leitende Diffusionsbereich besitzt eine typische Verunreinigungs konzentration von etwa 1 x 1018 cm-3 und wird dUnn ausgebildet, unterhalb von mehreren Mikrometern, um zu vermeiden, daß das sich ausbreitente Licht übermäßig in dem p-leitenden Bereich absorbiert wird. Das Ausgangslicht tritt auf der Seite des p-leitenden Bereichs aus, die dem Substrat gegenüberliegt.
  • Eine lichtemittiertende GaP-Diode wird aus einem n +-leitendem GaP-Substrat gebildet, aus dem sich eine n-leitende Epitaxialschicht aus GaP und eine p-leitende Epitaxialschicht aus GaP befindet, wobei die beiden letzteren Epitaxialschichten aufeinanderfolgen auf dem + n -leitenden GaP-Substrat aufgewachsen sind. Die p-leitende Schicht besitzt eine typische Verunreinigungskonzentration von etwa 1x1018 cm-3 Das Ausgangslicht tritt an der Seite der p-leitenden Schicht aus.
  • Eine lichtemittierende GaAs-Diode besitzt eine ähnliche Struktur wie die oben genannte GaP-Diode. Die pleitende Oberflächenschicht besitzt eine typische Verunreinigungskonzentration von etwa 2x10 3.
  • Das Ausgangslicht tritt entweder an der Seite der p-leitenden Oberflächenschicht oder an der Seite des n+-leitenden Substrats aus (im letzteren Falle ist das Substrat teilweise an den Stellen weggeätzt, wo das Ausgangslicht austreten soll).
  • Eine lichtemittierende GaAlAs-Diode wird aus einem p+-leitenden GaAs-Substrat, einer p-leitenden Ga1-xAlxAs-Epitaxialschicht, die auf dem GaAs-Substrat gebildet ist und einer n-leitenden Gal -yAlyAs-Epitaxialschicht gebildet, die auf der p-leitenden Epitaxialschicht ausgebildet ist. Die Größen (Mischungsverthaltnisse) x und y sind so gewählt, daß die Bedingung x<y erfüllt ist, um wirksam das Ausgangslicht an der n-leitenden Epitaxialschicht austreten zu lassen. Die n-leitende Epitaxialschicht besitzt eine typische Verunreinigungskonzentration von etwa 1x1017 cm-3.
  • Es ist verständlich, daß verschiedene Strukturtypen für lichtemittierende Dioden existieren und daß unterschiedliche Betrachtungen bezüglich der unterschiedlichen Strukuren notwendig sind.
  • Gewöhnlich ist es bei lichtemittierenden Dioden aus Verbindungshalbleitern der Gruppe III bis V leichter, eine bessere Lichtemissionseffizienz in p-leitenden Bereichen als in n-leitenden Bereichen zu erhalten.
  • Lichtemittierende Dioden verwenden die spontane Strahlungsemission im Gegensatz zur erzwungenen Strahlungsemission in Halbleiterlasern.
  • Daher ist die Minoritätsträträgerlebensdauer in einer lichtemittierenden Diode relativ lang. Minoritätsträger, die in einen strahlungsfähigen Bereich über ein pn-Grenzschicht injiziert sind, besitzen eine große Möglichkeit, daß sie von nicht strzfilenden Rekombinationszentren ehgefangen und mit Majoritätsträgern dort ohne Lichtausstrahlung rekombiniert werden. Es ist daher sehr wichtig, die nicht strahlenden Rekcnbinationszentren in dem strahlenden Bereich der lichtemittierenden Diode zu reduzieren.
  • Gitterfehlstellen sind weitgehend fUr die Erzeugung von nicht strahlenden Rekombinationszentren verantwortlich. Gewöhnlich besitzt einer der pleitenden und n-leitenden Bereiche,die ein pn-Grenzschicht bilden, eine geringere Dichte von nicht strahlenden Pekombinationszentre und bildet daher einen Hauptstrahlungsbereich. Im GaAs und GaxAl1-xAs werden Fehlstellen eher in einem n-leitenden Bereich als in einem p-leitenden Bereich gebildet. In n-leitenden Bereich, der mit einer Donatorverunreinigung wie Te, Se oder S gedopt ist, können Leerstellen gebildet werden, die elektrisch die Dcnaboratome kompensieren. Die Dichte dieser Leerstellen wird als proportional zu der gedopten Konzentration betrachtet. Derartige Leerstellen und/oder die Kombinationen von Leerstelle und Donatorvenmreinigung werden als sehr effektive nichtstrahlende Zentren betrachtet.
  • In einer hcitemittierenden Diode, die eine eindiffundierte pn-Homojunction oder pn-Homo-Grenzschicht besitzt, wird gewöhnlich Zn als Akzeptorverunreinigung in einem n-leitenden Kristall eindiffuniert. Es ist sehr schwierig, eine Donatorverunreinigung in einem p-leitenden Kristall einzudiffundieren, da dort keine Donatorverunreinigung vorhanden ist, die eine große Diffusionskcnstante wie diejenige von Zink besitzt. Das Eindiffundieren von Zink vergrößert die Iadungträgerkonzentration in dem p-leitenden Bereich gegenüber derjenigen im n-leitenden Bereich. Die Konzentration von eindiffundierten Zink sollte nicht zu groß werden, um die guten Kristalleigenschaften des diffundierten p-leitenden Bereichs zu behalten. Der n-leitende Bereich, in dem Zink eindiffundiert ist, sollte eine niedrigere Verunreinigungskonzentration als diejenige in dem p-leitenden Diffusionsbereich besitzen. Daher ist es schwierig, das Injizieren von Minoritätsträger in dem Strahlungsbereich durch die pn-Grenzschicht anzuheben.
  • Lichtemittierende Dioden, die durch Epitalwachstum in flüssiger Phase hergestelltwerden, zeigen allgemein eine höhere Lichtemissionsleistung als durch Diffusion hergestellte lichtemittierende Dioden.
  • Epitaxialschichten haben geringere Fehistelleddichten als durch Diffusion gebildete Bereiche. Weiterhin kann eine Rombination von Verunreinigungskonzentrationen für eine durch Epitaxialwachstum entstandene pn-Grenzschicht ausgewählt werden. Daher werden in einer durch Epitaxial-Wachstum hergestellten pn-Homo-Junction-Dioden Ladungsträgerkanzentrationen der entsprechenden Bereiche so ausgewählt, daß die Injektionseffizienz der Minoritätsträger in dem strahlenden Bereich maximal ist. In einer lichtemittierenden Diode beispielsweise, die einen p-leitenden Strahlungsbereich aufweist, wird die Ladungsträgerkonzentration des pleitenden Bereichs genügend niedrig im Vergleich mit derjenigen des nleitenden Bereichs gewählt, so daß die Elektroneninjektion in den pleitenden Bereich verglichen mit der Lochinjektion in den n-leitenden Bereich angehcben ist. In jedem Fall wird der strahlenden Bereich mit einer niedrigen Verunreinigungskcnzentration zum Anheben der Injektionseffizienz und der Lichtemissionseffizienz versehen.
  • Die lichtemittierende HeteromJunction-Diode besitzt den Vorteil, daß sie einen Fenstereffekt, wie oben beschrieben, liefert und einen höheren nußenwirkungsgrad als Homo-Junction-Dioden besitzt.
  • Die HeteroJunction-Diode kann weitere Vorteile gegenüber der Homo-Junction-Diode besitzen, jedoch sind ihre Uberlegenheiten noch nicht voll ausgeschöpft.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine lichtemittierende Hetero-Junction-Diode zu schaffen, die einen ausgezeichneten Wirkungsgrad hinsichtlich Lichtausbeute besitzt.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine lichtemittierende Hetero-Junction-Diode des oben beschriebenen Typs zu schaffen, die optimale Iadungsträgerkonzentration in den entsprechenden p- und nleitenden Bereichen besitzt, die die p-Grenzschicht bilden.
  • Weiter ist es Aufgabe der Erfindung, eine lichtemittierende Hetero-Juncticn-Diode des oben beschriebenen Typs zu schaffen, die einen Strahlungsbereich einer optimalen Dicke besitzt.
  • Bei einer lichtemittierenden Hetero-Junction-Diode können der p-und n-leitende Bereich verschiedene Bandlücken aufweisen. In einem derartigen Fall wird die Injektionseffizienz in die entsprechenden p- und n-leitenden Bereiche hauptsächlich durch die Differenz der Bandlücken, jedoch nicht länger durch die Ladungsträgerkonzentrationen in den entsprechenden p- und n-leitenden Bereichen bestimmt. Der strahlende Bereich kann erfindungsgeeäß eine hohe Verunreinigungskonzentration aufweisen, um die Konzentration von stellenden Rekart>inationszentren zu vergrößern. übermäßig hohe Verunreinigungskonzentrationen vergrößern jedoch verschiedene Kristallfehlstellen wie und werden daher Leerstellen die Lichtemissionsleistung verringern. Daher sollte ein optimaler Bereich für die Ladungsträgerkonzentratbn für den strahlenden Bereich bestehen. Der andere bereich zum Injizieren von Minoritätsträgern in den strahlenden Bereich besitzt vorzugsweise eine hohe Ladungsträgerkonzentration zum Erniedrigen des spezifischen Widerstands und zum Injizieren einer genügenden Menge von Minoritätsträgern in den strahlenden Bereich. Übermäßig hohe Verunreinigungskonzentrattn wird jedoch verschiedene Kristallfehlstellen vergrößern und daher die Lichtemissionsleistung verringern. Deshalb solte auch ein optimaler Bereich der Ladungsträgerkonzentration für den Injektorbereich existieren.
  • In lichtemittierenden GaAs- und GaA1-Dioden ist der Hauptstrahlungsbereich vorzugsweise ein p-leitender Bereich, da die Gitterfehlstellen eher in einem n-leitenden Bereich als in einem pleitenden Bereich auftreten. Die gleitende Verunreinigung kann Zn, Ge etc. sein. Unter verschiedenen p-leitenden Verunreinigungen liefert Zink die beste Emissionsleistung. Zink besitzt jedoch eine große diffusionskonstante und kann daher während des Wachstums in den n-leitenden Bereich eindiffundieren.
  • Wenn die Eindiffusion von Zink in den n-leitenden Bereich intensiv ist, kann ein Teil des n-leitenden Bereichs, der sich benachbart zu dem pleitenden Bereich befindet in p-leitend verwandelt und dadurch die Stelle der pnrenzschicht verschoben werden. Diese Verschiebung der pn-Grenzschicht ändert die Emissionswellenlänge zu einer kürzeren und ändert die pn-Heterogrenzschicht in eine pn-Homogrenzschicht. Dieser Faktor verlangt auch eine obere Genze der Ladungsträgerkonzentration in den pleitenden Bereichen.
  • Es wurde gefunden, daß bessere Leistungen für die externe Emission erzielt werden, wenn der pleitende Bereich eine Iadungsträgerkonzentration p im Bereich von 4,5x1017< p < 2,5x1018 (cm-3) und der nleitende Bereich eine £adungsträgerkonzentration n in dem Bereich von 2 x 1017< n < 1 x 1018 (cm-3) aufweist.
  • Bei einer lichtemittierenden Diode kann die Diffusionslänge der Minoritätsträger groß werden. Ein dünner Strahlungsbereich ist ungetugend, um zu bewirken, daß die meisten der injizierten Minoritätsträger darin rekombiniert werden. Von diesem Gesichtspunkt aus wird die Emissionsleistung je höher, je dicker der strahlende Bereich ist.
  • Jedoch existiert auch ein innerer Absorptionsverlust und optimale Bedingungen zum Beduzieren von Gitterfehlstellen usw., die eine obere Grenze bezbglich der Dicke des strahlungsfähigen Bereichs bedingen.
  • Es wurde gefunden, da die Emissionsleistung mit dem Anstieg der Dicke des strahlungsfähigen Bereichs auf wenigstens 40µm ansteigt. Die Dicke des strahlungsfähigen Bereichs ist vorzugsweise gleich oder größer als etwa 10µm zum Vergrößern der Emissionsleistung und vorzugsweise kleiner als 40µm vom Standpunkt des Herstellungsverfahrens und der Ökonomie gesehen.
  • Weitere Vorteile und Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung und den Anspruche zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand der in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.
  • Fig. 1A und 1B zeigen schematisch ausschnittsweise im Schnitt eine lichtemittierende Hetero-Junction-Diode und ein Energielückendiagramm hierfür.
  • Fog. 2A und 2B sind Diagramme bezüglich der Ladungsträgerkonzentration und der Energie lücke für die lichtemittierende Diode von Fig. 1A.
  • Fig. 3 und 4 zeigen Diagramme betreffend die Relation der Leuchtdichte gegenüber der Ladungsträerkonzentration.
  • Fi.g 5 zeigt ein Diagramm betreffend die Relation der Leuchtdichte gegenüber der Stärke der strahlungsfähigen Schicht.
  • Fig. 6A und 6B zeigen schematisch im Schnitt eine weitere lichtemittierende Diode und ein dazugehöriges Bandlückendiagramn.
  • Fig. 1A zeigt eine lichtemittierende Heteronlunction-Diode aus GaAAs. Auf einem pleitenden GaAs-Substrat 1 befindet sich eine pleitende Ga1-xAlx As-Schicht 2 durch Epitaxialwachstum aufgebracht. Eine durch Epitaxialwachstum aufgebrachte n-leitende Ga1-y AlyAs-Schicht 3 befindet sich über der p-leitenden Schicht 2, um eine pn-Hetero-Gr»nzschicht 6 zu bilden. Die Größen xundysind so gewählt, daß x < y erfüllt ist, um ein Bandlückenprofil gemäß Fig. 1B zu realisieren, so daß die n-leitende Schicht 3 für Licht transparent ist, das in der p-leitenden Schicht frei emittiert wird. Hierbei besitzt die n-leitende Schicht 3 eine größere Bandlücke als die p-leitende Schicht 2 und das in der p-leitenden Schicht 2 emittierte Licht ganz wirksam durch die n-leitende Schicht 3, jedoch nicht durch das Substrat 1 nach außen gelangen. Die pleitende Schicht 2 besitzt denselben Absorptionskoeffizienten für das darin emittierte Licht. Je näher daher die Position der Lichtemission zu der pn-Grenzschicht ist, desto weniger Absorption des emittierten Lichts findet statt.
  • Bei dem in Fig. 1A dargestellten Aufbau wurden die Ladungsträgerkonzentrationen der p-leitenden Schicht 2 und der n-leitenden Schicht 3 stark variiert, um eine optimale Kombination vt n Ladungsträgerkonzentrationen in den Schichten 2 und 3 zu finden. Epitaxialwachstum aus einer Lösung heraus wurde zur Ausbildung der pn-Hetero-Grenzschicht verwendet.
  • Das Epitaxialwachstum ist vorteilhaft, um entsprechende Schichten, die gleichmäßigen elektronischen Eigenschaften und guten Kristalleigenschaften zu bilden. Um die pn-Grenzschicht herum tritt jedoch gegenseitige Atomdiffusion auf, wodurch sich ein bestimmter Grad eines Verunreinigungskonzentrationsgradienten ergibt.
  • Fig. 2A und 2B zeigen schematisch die Verteilung der Verunreinigungskonzentration (Fig.2A) und die Bandlückenverteilung, um die pnrenzschicht von 1A herum. Die Abzisse zeigt den Abstand in senkrechter Richtung zur pn-Grenzschicht und ist in Fig. 2A und Fig. 2B aufgetragen. Die Ordinate von Fig. 2A stellt den Abstand ND-NA zwischen der Donatorkonzentration ND und der Akzeptorkonzentration NA dar. Die Donatorkonzentration, die ursprünglich in die n-leitende Schicht 3 eingebracht wurde ist , während die ursprünglich eingebrachte Akzeptorkonzentration in den p-leitenden Bereich 2 NAD ist.
  • Während des Wachstums werden die p und n-leitenden Verunreinigungen einer Diffusion unterworfen. Die resultierende Donatorverteilung ist durch eine gestrichelte Kurve 13 und die resultierende Akzeptorverteilung durch eine gestrichelte Kurve 12 dargestellt. Daher zeigt die Kurve 10 die gesamte resultierende Verunre inigungsverteilung. Die den Halbleiter bildenden Atome werden in geringerem Maße einer Diffusion unterworfen. Daher ist die resultierende Bandlückenverteilung schärfer als die Verunreinigungsverteilung, wie durch die Kurve 14 von Fig. 2B dargestellt ist.
  • Wenn Akzeptoren (beispielsweise Zink) in den n-leitenden Bereich durch die pnGrenzschicht 6 eindiffundieren, nimmt die Akzeptorkonzentration in diesem Abschnitt des p-leitenden Bereichs 2 benachbart zu der pnGrenzschicht 6 ab. Weiter kompensieren Donatoren, die in den p-leitenden Bereich 2 eindiffundiert sind, dort befindliche Akzeptoren. Daher nimmt die Größe der Netlwerunreinigungskonzentration um die pn-Grenzschicht 6 herum ab, jedoch tritt die Verschiebung der pn-Grenzschicht relativ kaum auf. Wenn die Zinkkonzentration im gleitenden Bereich 2 verglichen mit der Donatorkonzentration in dem n-leitenden Bereich zu hoch gewählt ist, kann jedoch die pn-Grenzschicht in den ursprünglich n-leitenden Bereich 3 verschoben werden, der eine breitere Bandlücke besitzt. Dies führt zur Emission von kürzerwelligem Licht und ferner zu einer Abnahme der Emissionsleistung aufgrund eines Anstiegs der Elektronendichte an der indirekten Leitungsbandkante.
  • Experimente wurden in einem solchen Bereich durchgeführt, daß die oben genannte Verschiebung der pn-Grenzschicht nicht auftritt oder praktisch vernachlässigbar ist. Epitaxialwachstum wird durch Temperaturdifferenzverfahren, etwa entsprechend der JA-PS 857,545 erzielt. Epitaxialwachstum durch allmähliches Abkühlen der Lösung wird durch Veränderungen in der Zusammensetzung, Verunre inigungskonzentration und dem Grad von Nichts toichi ametrie begleitet. Daher kann die Verunreinigungs- und Bandlückenverteilung nicht so flach wie in den Fig. 2A und 2B gemacht werden und ferner können Gitterfehlstellen nicht ausgezeichnet ausgeschaltet werden. Dann kann die Relation zwischen der Leuchtdichte und den Verunreinigungskonzentrationen in den entsprechenden Bereichen nicht klar erhalten werden. Andererseits werden gemäß dem Temperaturdifferenzverfahren ein Hochtemperaturversorgungsabschnitt und ein Niedertenperaturwachstumabschnitt auf entsprechend konstanten Temperaturen gehalten. Rohmaterial löst sich in dem Versorgungsabschnitt, diffundiert durch die Lösung und wächst in dem Wachstumsabschnitt auf. Daher vollzieht sich Epitaxialwachstum bei einer konstanten Wachstumstemperatur aus einer Lösung konstanter Zusammensetzung. Hierdurch kann eine Epitaxialschicht mit gleichförmigen Eigenschaften erhalten werden. Durch Verwendung einer Vielzahl von Lösungstigeln und einen Schieber, der Substrate trägt, können viele aufeinanderfolgende Epitaxialwachstumsvorgänge vorgenommen werden. Außer für die Fn-Grenzschicht, an der Atomdiffusion in Feststoffphase die Verunreinigungskonzentration und die Zusaaensetzung,wie in den Fig. 2A und 2B gezeigt, verändert, können die Änderungen der Zusammenstzung der entsprechenden Ga1-xAlxAs-Schicht 2 und Ga1-yAlyAs-Schicht 3, tx und fSy leicht auf Werte nicht größer als 0,01 und unter 0,002 herabgedrückt werden, selbst wenn die Epitaxialschicht eine Dicke von nicht, weniger 10µm aufweist.
  • Vergleichsweise besitzt die Al-Konzentration x in einer Ga1-xAlxAs-Schicht, die durch alimähliches Abkühlen gewachsen ist, eine abnme Tendenz bezüglich x mit Anstieg der Wachstums zeit und wird gewöhnlich durch eine Snderung ti x der Größenordnung # # #x 0,02 pro 10im Stärke begleitet.
  • Experimentelle Ergebnisse sind in den Fig. 3 und 4 dargestellt, in denen die Abzisse die Ladungsträgerkonzentrationen p und n der pleitenden Schicht (Fig. 3) und der n-leitenden Schicht (FIg. 4) zeigen, während die Ordinaten die Leuchtdichte in Millicandela zeigen.
  • Es ist ersichtlich, daß die Leuchtdichte, d.h.die Emissionsleistung hoch ist in ded Bereichen von 4.5 x 1017cm-3 4 p < 2,5 x 1018cm 3 2.0 x 1017cm-3 < n < 1,0x1018cm-3.
  • Insbesondere können die Ladungsträgerkonzentrationen p und n in den Bereichen von 8,0 x 1017cm-3 # p # 2.0 x 10.18cm-3 2.0 x 1017cm-3 # n # 8,0 x 1017cm-3 gewählt werden. Die Ladungsträgerkonzentrationsbereiche von 8,0 x 1017cm-3 # p # 2,0 x 1018cm-3 4,0 x 1017cm-3 # n # 8,0 x 1017cm-3 sind besonders bevorzugt.
  • Es ist ferner bevorzugt, daß die Akzeptorkonzentration p größer als die donatorkonzentration n gewählt wird, p> n, um die Fehlerdichte in dem n-leitenden Bereich herabzusetzen. Es sei hier darauf hingewiesen, daß die Ladungsträgerkonzentrationen p und n wie oben angegeben, den zeptor- und Donatorkonzentrationen N10 und N@@ entsprechen, wie sie im Zusammenhang mit Fig. 2A erläutert wurden.
  • Die Größe x für die p-leitende Ga1-x AlxAs-Schicht 2 worde im Bereich von 0,30 S x # 0,37 ausgewählt, während die Größe x für den n-leitenden GA1-yAlyAs-Schicht 3 in dem Bereich von 0,40 C y # 0,70 ausgewählt wurde.
  • Wenn die Größe x für Aluminium den Wert von 0,40 Uberschreitet, wird der indirekte Ubergang dannant und die Emissionsleistung erniedrigt. Wenn er dagegen unter etwa 0,30 fällt, verlagert sich die Wellenlänge des emittierten Lichtes in den Bereich geringer visueller Empfindlichkeit.
  • Die Zusammensetzung kann durch Röntgenstrahlenmikroanalyse bestimmt werden, jedoch kann der Wert entsprechend der verwendeten Eichmethode variieren.
  • Die Zusammensetzung kann genauer durch Messen der Spitzenwellenlänge der Emission bestimmt werden. Die Photonenenergie nvund die Größe x in dem Direktübergangsbereich von Ga1-xAlxAs kann dargestellt werden durch nv(ev) = 1,371 + 1,429 x.
  • Die Photonenenergie h und die EmissionswellenlängeA') stehen durch folgende Gleichung miteinander in Beziehung = 12400 / nv (Å) In dem engen Bereich von 6550R < #<6900Å kann die Beziehung zwischen der Emissionswellenlänge und der Größe x näherungsweise wie folgt dargestellt werden: X (A) = 8468 - 5260x.
  • Die Streuung der Spitzenwellenlänge, die in den Emissionsspektren beobachtet wurde, war geringer als - 5A (-0,0015eV) um 6650t. Dieser Wert entspricht einer Streuung des Wertes für x um weniger als etwa 0,002. Die Ladungsträgerkonzentration kann beispielsweise gemessen werden, indem Schottky-Kontakte auf einer Winkel Uberlappten Oberflache gebildet werden.
  • Wenn der strahlungsfähige Bereich keine Absorption bezüglich des emittierten Lichtes zeigt, ist die Dicke des strahlungsfähigen Bereichs vorzugsweise viel größer als die Diffusionslänge 1, e . Eine durch allmähliches Abkühlen gewachsene Epitaxialschit besitzt eine Minoritätslebensdauer # in der Größenordnung von 3ns oder weniger und eine Diffusionskonstante in der Größenordnung von 100 cm2/s oder weniger, wobei die Diffusionslänge in der Größenordnung von 5m liegend abgeschätzt wurde.
  • Damit bewirkt wird, daß die meisten der injizierten Minoritätsträger in dem strahlungsfähigen Bereich rekombiniert werden, sollte der strahlungsfähige Bereich eine sehr viel größere Dicke als die Diffusionslänge besitzen. Licht jedoch, das innerhalb des strahlungsfähigen Bereichs emittiert wird, unterliegt einer internen Absorption und das Auswachsen einer sehr dicken Schicht ist mittels des Verfahrens durch allmähliches Abkühlen schwierig und macht die lichtemittierende Diode teuer. Gewöhnlich wird für den strahlungsfähigen Bereich eine Dicke von etwa 1 bis 2Wm gewahlt.
  • Gemäß der Tepperaturdifferenzmethode konnten Epitaxialschichten mit guten Eigenschaften erhalten werden. Beispielsweise kann die Minoritätsträgerlebensdauer in der Größenordnung von 50ns und die Diffusionskonstante in der Größenordnung von 300cm2 /s liegen. Experimentelle Ergebnisse bei lichtemittierenden Dioden mit einer Spitzenemissionswellenlänge von 6650A sind in Fig. 3 dargestellt. Lichtemittierende Diode mit einer spitzenemissionswellenlänge von etwa 6650 bis 6900A zeigen eine ähnlidSe Tendenz wie in Fig. 5 dargestellt ist.
  • Aus Fig. 5 ist ersichtlich, daß wenigstens bis zu etwa 40µm eine höhere Emisionsleistung von einer dickeren Schicht des strahlungsfähigen Bereichs erhalten wird. Es sei darauf hingewiesen, daß der strahlungsfähige Bereich durch Wachstum, beruhend auf Anwendung der Temperaturdifferenzmethode erhalten wurde und sehr gleichmäßige Eigenschaften über die gesamte Stärke besitzt.
  • Wenn die Stärke geringer als etwa 5µm ist, fällt die Emissionsleistung schnell. Zwischen 5Fm und etwa 17an wächst die Emissionsleistung mit der Dicke, zeigt jedoch eine Sättigungstendenz. Eine Art Knick wird bei etwa 17Wm beobachtet. Oberhalb von 17µm steigt die Emissionsleistung erneut an. Oberhalb von 30µm wird wiederum eine gewisse Sättigungstendenz beobachtet. Es ist daher wiinschenswert, eine Stärke für den strahlungsfähigen Bereich von etwa wenigstens 5µm, vorzugsweise größer 10µm und insbesondere als 17µm zu wählen. Eine Stärke oberhalb von 40µm ist zumindestens beim derzeitigen Stand der Herstellungstechnik nicht einfach zu erhalten und unökonomisch.
  • Bei den optimalisierten Bedingungen bezüglich der Stärke, Verunreinigungskonzentrationen und Zusammensetzung zeigten lichtemittierende GaAlAs-Dioden, die mit Epoxyharz geformt wurden, eine externe Emissionsleistung von etwa 4% (interne Emissionsleistung von etwa 27%).
  • Der rapide Abfall der Emissionsleistung unterhalb einer Stärke von etwa 5µm kann folgenderrnaßen erklärt werden: Obwohl das Gitter van Gal xAlxAs gut mit demjenigen von GaAs zusammenpaßt, im Vergleich zu anderen Heterogrenzschichten wie GaAs-GaAs1-@P@, besitzt das GaAs-Substrat gewöhnlich eine geringere Reinheit und eine größere Fehlstellendichte als die GEL xAlxAs-Epitaxialschicht. Somit können diese Gitterfehlstellen und Verunreinigungsatome übertragen werden und in der Epitaxialschicht über der Hetero-Grenzschicht bis zu einem gewissen Umfang Effekte hervorrufen. Übermäßig dünne Epitaxialsctichten können mehr durch die Fehlstellen und/oder Verunreinigungen in dem Substrat beeinflußt werden, durch eine niedrigere Emissionsleistung bewirkt wird. Die obere Grenze für die praktische Dichte der Epitaxialschicht wird durch die Herstellungsverfahren und Kosten bestimmt.
  • Eine Modifikation der Struktur der lichtemittierenden Diode, die durch ein einfaches Verfahren eine hohe Emissionsleistung liefert, wird nachstehend beschrieben: Wenn man eine pleitende Ga1-xAlxAs-Schicht 2 auf ein p+-leitendes GaAs-Substrat 1 aufwachsen läßt, das eine viel höhere Akzeptorkonzentraticn als die Epitaxialschicht 2 aufweist, diffundieren die Akzeptoratane aus dem Substrat 1 in die p-leitende Ga1-xAlxAs-Epitaxialschicht ein, um eine dünne p+-leitende Ga1-xAlxAs-Schicht 8 zu bilden, wie in Fig, 6A dargestellt ist. Die p+-leitende Ga 1-xAlxAs-Schicht 8 besitzt ein hdheres Potential als die gleitende Ga1-xAlxAs-Schicht 2 für Elektronen, wie in Fig. 6B dargestellt ist. Die Potentialdifferenz @ gemäß Fig.6B dient dazu, von der n-leitenden Ga1-xAlxAs-Schicht 3 durch die pn-Grenzschicht 6 injizierte Elektronen zu reflektieren. Die reflektierten Elektropen können die Möglichkeit der strahlenden Rekombination in der pleitenden Ga1-xAlxAs-Schicht 2 haben. Die p+-leitende Ga1-xAlxAs-Schicht 8 kann gegebenenfalls für Epitaxialwachstum hergestellt werden, wird jedoch vorzugsweise durch Diffusion aus dem Substrat ohne Vergrößenmig der Anzahl der oben beschriebenen Herstellungsschritte gebildet. Um eine solche Diffusion zu bewirken, sollte das Substrat mit einem Akzeptor gedopt sein, der eine große Diffusionskonstante aufweist. Daher wird vorzugsweise ein mit Zink gedoptes p+-leitendes Substrat verwendet.
  • Die Potentialschwelle, die durch die Differenz in der Ladungsträgerkonzentration gebildet wird, ist nicht sehr hoch. Daher ist es wünschenswert, daß die Dicke der p -leitenden Ga1~xAlxAs-Schicht 8 nicht viel kleiner als die Diffusionslänge hiervon ist.
  • Die Hähe der Potentialschwelle @ wird bestimmt durch die Akzeptorkonzentration p der stark gedopten Ga1-xAlxAs-Schicht 8 und durch die Akzeptorkonzentration p der gewachsenen Ga1-xAlxAs-Schicht 2: 4 kTt'n(p+/p).
  • Etwa eine Hälfte der Elektronen wird an der Diffusion gehindert, wenn p+# 2,7p...........(1), und die meisten Elektronen werden an der Diffusion gehindert, wenn p+# 7,5p...........(2) entsprechend der Maxwell-Boltzman-Verteilung. Wenn die Verunreinigung des p+-leitenden GaAs-Substrats 1 Zink ist, nähert sich die Verunreinigungskonzentration in dem Teil der Ga1~xAl X -Schicht 2 benachbart zu dem Substrat 1 beträchtlich demjenigen des Substrats 1. Wenn beispielsweise das p leitende GaAs-Substrat 1 eine Zinkverunreinigungskonzentration von etwa lx1019cm 3 aufweist und wenn eine p-leitende Ga1-xAlxAs-Schicht 2 eine Akzeptorkonzentration von etwa 1xlO18om durch Epitaxia lwachstum hergestellt aufweist, kann eine p+-leitende Ga1-xAlxAs-Schicht 8 erzeugt werden, die die Bedingung (2) erfüllt. Es sei darauf hingwiesen, daß dieser Effekt nur dann auftritt, wenn die Epitaxialschicht eine gleichmäßige Zusammensetzung aufweist, da eine Potentialschwelle von etwa 46meV einer Schwankung # x von etwa 0,03 entspricht.
  • Eine geringe zunge Phosphor kann den p- und/oder n-leitenden Bereich zur weiteren Verbesserung des Zusammenpassens des Kristallgitters zugesetzt werden ohne eine wesentliche minderung der anderen physikalischen Eigenschaften zu bewirken. Ein besseres Zusammenpassen des Gitters reduziert Gitterfehlstellen wie schlecht passende Versetzungen an der Hetero-Grenzschicht und verbessern die Emissionsleistung.

Claims (10)

  1. Ansprüche Lichtemittierende Hetero-Junction-Diode mit einer pn-Hetero-Grenzschicht aus Verbindungshalbleitern der Gruppe III bis V, hauptsächlich zusammengesetzt aus Ga oder Ga und Al als Element der Gruppe III und As als Element der Gruppe V, gekennzeichnet durch einen pleitenden Halbleiterbereich mit einer Ladungsträgerkonzentration p im Bereich 4,5 x 1017 cm-3 <p<2,5 x 1018 cm-3; und einem n-leitenden HaLbleiterbereich mit einer breiteren Bandlücke als diejenige des p-leitenden Bereichs und einer Ladungsträgerkonzentration n im Bereich von 2 x 1017 cm-3 <n<1 x 1018 cm-3 der eine pn-Hetero-Grenzschicht mit dem gleitenden Bereich bildet.
  2. 2. Diode nach Anspruch 1, daß die Ladungsträgerkonzentraüon p des pleitenden Bereichs hauptsächlich durch dopierte Zinkverunreinigungen bestimmt ist.
  3. 3. Diode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsträgerkonzentration die Bedingung p> n erfüllt.
  4. 4. Diode nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein leitendes GaAs-Substrat eine Ladungsträgerkcnzentration höher als diejenige des gleitenden Bereichs aufweist, der p-leitende Bereich auf dem Substrat angeordnet ist und eine Zusammensetzung im wesentlichen entsprechend Ga1-x AlxAs aufweist, wobei der n-leitende Bereich auf dem pleitenden Bereich angeordnet ist und eine Zusammenset$ung im wesentlichen ausgedrückt durch Ga1-yAlyAs aufweist, wobei x< y ist.
  5. 5. Diode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß x die Bedingung 0,3<x<0,37 erfüllt.
  6. 6. Diode nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der pleitende Bereich eine Dicke von wenigstens 5um aufweist.
  7. 7. Diode nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der p-leitende Bereich eine Dicke von wenigstens etwa 1 zum aufweist.
  8. 8. Diode nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ß der p-leitende Bereich eine Dicke von wenigstens etwa 1 7im aufweist.
  9. 9. Diode nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer p-leitender Bereich mit im wesentlichen der gleichen Zusammensetzung wie der erste p-leitende Bereich und einer Ladungsträgerkonzentration p+, die zwischen derjenigen des Substrats und derjenigen des ersten p-leitenden Bereichs liegt, wobei die Ladungsträgerkonzentration p+ folgende Bedingung erfüllt: p+> 2,7p.
  10. 10. Diode nach einem der Ansprüche. 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Xnderung der Größe x im p-leitenden Bereich Ax die Bedingung ä x < 0,01 erfüllt.
DE19813104082 1980-02-07 1981-02-06 "lichtemittierende hetero-junction-diode" Granted DE3104082A1 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1450580A JPS56111276A (en) 1980-02-07 1980-02-07 Luminous semiconductor device
JP1450880A JPS56111279A (en) 1980-02-07 1980-02-07 Luminous semiconductor device
JP1450680A JPS56111277A (en) 1980-02-07 1980-02-07 Luminous semiconductor device
JP1450780A JPS56111278A (en) 1980-02-07 1980-02-07 Luminous semiconductor device
JP1450480A JPS56111275A (en) 1980-02-07 1980-02-07 Luminous semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3104082A1 true DE3104082A1 (de) 1982-01-07
DE3104082C2 DE3104082C2 (de) 1988-10-06

Family

ID=27519614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813104082 Granted DE3104082A1 (de) 1980-02-07 1981-02-06 "lichtemittierende hetero-junction-diode"

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4414558A (de)
DE (1) DE3104082A1 (de)
FR (1) FR2475803B1 (de)
GB (1) GB2070859B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0529554A1 (de) * 1991-08-29 1993-03-03 Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
US5585305A (en) * 1991-08-29 1996-12-17 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. Method for fabricating a semiconductor device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4680576A (en) * 1982-11-29 1987-07-14 Gentex Corporation Photoelectric smoke detector and alarm system
FR2555811B1 (fr) * 1983-11-30 1986-09-05 Radiotechnique Compelec Procede de realisation de diodes electroluminescentes a faible largeur spectrale, et diodes obtenues par ce procede
US4727341A (en) * 1985-06-28 1988-02-23 Nec Corporation Optical modulator
US4654629A (en) * 1985-07-02 1987-03-31 Pulse Electronics, Inc. Vehicle marker light
JP2579326B2 (ja) * 1987-11-13 1997-02-05 三菱化学株式会社 エピタキシャル・ウエハ及び発光ダイオード
JPH0327578A (ja) * 1989-06-23 1991-02-05 Eastman Kodatsuku Japan Kk 発光ダイオ―ドアレイ
GB2282263B (en) * 1991-02-12 1995-07-12 Mitsubishi Electric Corp A semiconductor light emitting device
JPH04258182A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
US5260639A (en) * 1992-01-06 1993-11-09 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method for remotely powering a device such as a lunar rover
US5442202A (en) * 1993-10-29 1995-08-15 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Semiconductor light emitting element
US6112699A (en) * 1994-02-28 2000-09-05 Biozyme Systems, Inc. Euphausiid harvesting and processing method and apparatus
US6545298B2 (en) * 2000-10-26 2003-04-08 The Fox Group, Inc. Compound semiconductor rectifier device structure
US6674064B1 (en) 2001-07-18 2004-01-06 University Of Central Florida Method and system for performance improvement of photodetectors and solar cells

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2260992A1 (de) * 1971-12-14 1973-06-28 Handotai Kenkyu Shinkokai Lumineszenzdiode mit mehrfachen verschiedenartigen uebergangszonen
DE2524945A1 (de) * 1974-06-06 1975-12-18 Electrolux Ab Anordnung zur befestigung einer scheibe
GB1474942A (en) * 1973-05-28 1977-05-25 Charmakadze R Semiconductor light-emitting diode device and method for producing same
DE2527074B2 (de) * 1975-06-09 1978-10-12 Jury Stepanovitsch Akimov Herstellungsverfahren für eine Anordnung mehrerer Lumineszenzdioden
DE2915888A1 (de) * 1978-04-21 1979-10-31 Philips Nv Elektrolumineszierende halbleiteranordnung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4001055A (en) * 1973-05-28 1977-01-04 Charmakadze Revaz A Semiconductor light-emitting diode and method for producing same
FR2251104B1 (de) * 1973-11-14 1978-08-18 Siemens Ag
GB1467096A (en) * 1975-06-09 1977-03-16 Akimov Method for producing array of semiconductor light-emissive elements
JPS52104091A (en) * 1976-02-27 1977-09-01 Hitachi Ltd Light-emitting semiconductor
NL7609607A (nl) * 1976-08-30 1978-03-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
GB1557072A (en) * 1976-10-13 1979-12-05 Standard Telephones Cables Ltd Stripe lears
FR2396419A1 (fr) * 1977-06-27 1979-01-26 Thomson Csf Diode capable de fonctionner en emetteur et detecteur de lumiere de la meme longueur d'onde alternativement
US4131904A (en) * 1977-06-29 1978-12-26 Rca Corporation Degradation resistance of semiconductor electroluminescent devices
FR2406896A1 (fr) * 1977-10-18 1979-05-18 Thomson Csf Diode emettrice et receptrice en lumiere notamment pour telecommunications optiques

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2260992A1 (de) * 1971-12-14 1973-06-28 Handotai Kenkyu Shinkokai Lumineszenzdiode mit mehrfachen verschiedenartigen uebergangszonen
GB1474942A (en) * 1973-05-28 1977-05-25 Charmakadze R Semiconductor light-emitting diode device and method for producing same
DE2524945A1 (de) * 1974-06-06 1975-12-18 Electrolux Ab Anordnung zur befestigung einer scheibe
DE2527074B2 (de) * 1975-06-09 1978-10-12 Jury Stepanovitsch Akimov Herstellungsverfahren für eine Anordnung mehrerer Lumineszenzdioden
DE2915888A1 (de) * 1978-04-21 1979-10-31 Philips Nv Elektrolumineszierende halbleiteranordnung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"IEEE Journal of Quantum Electronics" Bd. QE-14, Nr. 3 (1978) S. 150-159 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0529554A1 (de) * 1991-08-29 1993-03-03 Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
US5585305A (en) * 1991-08-29 1996-12-17 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. Method for fabricating a semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
GB2070859A (en) 1981-09-09
US4414558A (en) 1983-11-08
GB2070859B (en) 1984-03-21
DE3104082C2 (de) 1988-10-06
FR2475803A1 (fr) 1981-08-14
FR2475803B1 (fr) 1985-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69017396T2 (de) Lichtemittierende Diode mit einer elektrisch leitenden Fensterschicht.
DE19531762C2 (de) Licht emittierende Halbleiterdiode mit einer stromverteilenden Deckschicht
DE3104082A1 (de) &#34;lichtemittierende hetero-junction-diode&#34;
DE19615179B4 (de) Verfahren zur Herstellung lichtemittierender Halbleiterbauelemente mit verbesserter Stabilität
DE19911701B4 (de) Licht-emittierende AlGaInP-Bauelemente mit dünnen aktiven Schichten
DE69029453T2 (de) Halbleiteranordnung hergestellt mittels einer epitaxialen Technik und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung
DE19754042A1 (de) Epitaxialwafer für lichtemittierende Diode aus AlGaInP und lichtemittierende Diode
DE2608562A1 (de) Halbleiteranordnung zum erzeugen inkohaerenter strahlung und verfahren zu deren herstellung
DE2915888C2 (de)
DE2065245B2 (de) Elektrolumineszenz-Vorrichtung mit einem pn-übergang
DE2702935A1 (de) Licht emittierendes halbleiterelement
DE3887790T2 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung.
DE2534945A1 (de) Leuchtdiode und verfahren zu ihrer herstellung
DE2600319C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Galliumarsenid-Lumineszenzdiode
WO2016020348A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE68923765T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Epitaxialscheibe vom doppelten Heteroübergangs-Typ.
DE3880442T2 (de) Epitaxiale scheibe.
DE3324220A1 (de) Gallium-phosphid-leuchtdiode
DE2732808A1 (de) Licht emittierende einrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2629785C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2843983A1 (de) Gruenlichtemittierende vorrichtung
DE68919551T2 (de) Herstellungsverfahren einer grünes Licht emittierenden Diode.
DE69308742T2 (de) Lichtemittierende Struktur aus GaP
DE4325331A1 (de) Epitaxialscheibe aus Galliumarsenidphosphid
DE19516629A1 (de) Epitaxie-Wafer für eine lichtemittierende Diode

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8105 Search report available
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8331 Complete revocation