DE2943502A1 - Unterstuetzte mikrostreifenleitungsanordnung zur fortpflanzung eines ungeraden wellenmodus - Google Patents
Unterstuetzte mikrostreifenleitungsanordnung zur fortpflanzung eines ungeraden wellenmodusInfo
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Description
Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung zur Fortpflanzung eines ungeraden Wellenmodus
Die Erfindung bezieht sich auf eine unterstützte Mikrostreifenleitung
mit zwei parallelen Metallflächen, einem parallel zu und zwischen denselben angeordneten Trager und
einem auf einer ersten Oberfläche des Trägers angeordneten ersten streifenförmigen Leiter.
Eine derartige unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung ist aus
dem Artikel von Dr. H.E. Brenner "use a computer to design suspended-substrate ICs" in Microwaves, September 1968,
Seiten 38 - 46 bekannt. Mit Mikrostreifenleitungen werden
u.a. Mikrowellenschaltungen hergestellt, wie Filter, Dämpfer-T-Kreuzungen,
Mischer, Zirkulatoren usw. für u.a. Radar- und Kommunikationsanwendungen.
Eine derartige Mikrowellenanordnung ist meistens in einem völlig geschlossenen leitenden Gehäuse angeordnet. Dieses
Gehäuse ist als Rückweg für die Ströme in der Schaltungsanordnung wirksam: sie schützt die Schaltungsanordnung gegen
eine Einstrahlung von außen und vermeidet eine Abstrahlung der Mikrowellenschaltung nach außen. Das leitende Gehäuse
bildet ein Stück "Hohlleiter", der auf beiden Seiten kurzge-
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schlossen ist. Die Breite dieses "Hohlleiters" wird derart
gewählt, daß sich bei der Arbeitsfrequenz der Mikrowellenschaltung darin kein Modus fortpflanzen kann. Das bedeutet,
daß der "Hohlleiter11 möglichst schmal sein soll. Für eine
Mikrowellenschaltung mit durchschnittlicher Bemessung soll die Schaltungsanordnung daher in eine Anzahl einzelner
leitender Gehäuse untergebracht werden. Bei höheren Frequenzen ist diese Lösung außerdem schwer durchführbar.
Um diesen Nachteilen zu "begegnen, wurde bereits vorgeschlagen*
einen breiten "Hohlleiter" zu benutzen, der - zur Dämpfung der dann auftretenden Moden - Dämpfungsschichten aufweist.
Der Nachteil einer derartigen Anordnung besteht darin, daß diese Dämpfungsschichten wesentliche Verluste verursachen.
Die Erfindung hat nun zur Aufgabe, eine unterstützte Mikrostreifen
Ieitungsanordnug der eingangs genannten Art zu schaffen,
wobei die beschriebenen Nachteile ausgeschaltet werden und auf einfache Weise die Erregung und Fortpflanzung unerwünschter
Moden vermieden wird»
Zur Lösung dieser Aufgabe weist daher eine unterstützte leitungsanordnung nach der Erfinding das Kennzeichen auf, daß auf da?
ersten Oberfläche des Trägers ein zweiter streifenförmiger
Leiter angeordnet ist, der sich parallel zu und in kurzem Abstand von dem srsten erstreckt und mit dem ersten gekoppelt
ist und daß zwischen den Leitern eine sysaaetrische Speisequelle
zum Erzeugen einer Wellenerscheinung im ausschließlich wigeraden Modus und zwischen den Leitern eine symmetrische
Belastung angeordnet sind.
An dieser Stelle sei beaerkt» daß es an sich bekannt
ist, eine Mikrostreifenleitung mit einer anderen Mikrostreifenleitung
zu koppeln» damit beispielsweise ein Filter oder eine Richtkopplung hergestellt wird» Wesentlich dabei
ist jedoch, daß eine Wellenerscheinung geraden Modus sowie ungeraden Modus auftritt.
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Der erste und der zweite streifenförmige Leiter weisen bei
Erregung in einem ungeraden Modus ein gleich großes aber in der Polarität entgegengesetztes Potential auf und es
fließen daher in der entgegengesetzten Richtung durch die Leiter gleiche Ströme. Das elektrische Feld ist gegenüber
einer mittelsenkrechten Ebene der Leiter ungerade symmetrisch
und das Feld befindet sich im wesentlichen in der Nahe der Leiter. Das elektrische Feld in der Umgebung der Wand des
"Hohlleiters" ist dagegen klein.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß bei Erregung der beiden Leiter in einem ungeraden Modus die damit einhergehenden
Ströme in den Metallflächen gering sind und der "Hohlleiter" nicht angeregt werden wird. Der Hohlleiter
kann daher "übergroß" ausgebildet werden.
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß der Impedanzbereich der unterstützten Mikrostreifenleiter nach der Erfindung
größer als bei einem unterstützten Mikrostreifenleiter mit nur einem Leiter und einer TEM-Wellenerscheinung ist.
Die erfindungsgemäße unterstützte Mikrostreifenleitung
bietet weiterhin den Vorteil, daß im Vergleich zu anderen planaren Wellenleitern wie der Spaltleitung und dem koplanaren
Hohlleiter keine Resonanzen durch die großen Metalloberflächen, die bei diesen Konfigurationen auf dem Träger vorhanden sind,
auftreten können.
Mit einem Stück Hohlleiter kann ein reaktives Element mit im Grunde jedem möglichen Wert verwirklicht werden: abhängig
von der Wellenlänge und der Art des Abschlusses (offen/kurzgeschlossen) hat das Element einen induktiven oder einen
kapazitiven Charakter. Um Mikrowellenschaltungen herzustellen, werden derartige Stücke Hohlleiter verwendet. Mit
der unterstützten Mikrostreifenleitung nach der Erfindung
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sind entsprechende Mikrowellenschaltungen konzipiert worden, wie ein Balancering, ein Filter, ein Dämpfer, eine T-Kreuzung,
ein Mischer, ein Zirkulator, usw.
Asymmetrien in einer unterstützten Mikrostreifenleitung oder der Mikrowellenschaltung, die damit verwirklicht
worden ist, können die Ursache davon sein, datygerade Moden angeregt werden. Die mit geraden Moden einhergehenden Ströme
in den beiden Metallflächen sind - anders als bei den ungeraden Moden - wesentlich, weil sie einander verstärken. Dies bietet
die Möglichkeit, gerade Moden dadurch zu dämpfen, daß nach der Erfindung die Metallflächen aus leitendem und widerstandsfähigem
Material zusammengestellt werden.
i'Iikrowellenschaltungen, die in der ungeraden-Modus-unterstützten
Mikrostreifenleitungsteohnxk verwirklicht sind, weisen als
gemeinsames Kennzeichen ein hohes Ausmaß an Symmetrie auf,
damit das Anregen gerader Moden vermieden wird.
Bei einer Kurve in unterstützten Mikrostreifenleitungen sind, um die elektrische Länge der beiden Leiter gleich
zu halten, nach der Erfindung die erste und die zweite Leitung durch einen Spalt in Richtung der Halbierenden
des Ablenkwinkels unterbrochen und die ersten Leiter sind mit den zweiten Leitern kreuzweise verbunden.
Bei einer unterstützten Mikrostreifenleitung ist es möglich,
auch die zweite Oberfläche des dielektrischen Trägers zum Anbringen einer Weilenleiterstruktur zu benutzen. !"-Kreuzungen,
wie ein Serie-T, ein Shunt-T oder ein HMagic-TH sind auf
diese Weise hergestellt. Der Vorteil dieser Mikrowellenelemente
in einer Ausführung nach der Erfindung bestellt darin, daß durch Benutzung der beiden Oberflächen eine
sehr gute Symmetrie und eine gedrängte Bauart erhalten wird«
Äiasführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung
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dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel einer bekannten unterstützten Mikrostreifenleitung,
Fig. 2 einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen unterstützten Mikrostreifenleitung,
Fig. 3 eine Draufsicht eines Teils einer Metallfläche zum
Gebrauch in dem /\usführungsbeispiel nach Fig. 2, der nach der Erfindung aus leitenden Quadraten
zusammengestellt ist, die durch Widerstandsspuren miteinander verbunden sind,
Fig. 4 eine Draufsicht eines Signalwandlers zum Gebrauch in dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 nach der
Erfindung,
Fig. 5 eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer
Kurve in einer erfindungsgemäßen unterstützten Mikrostreifenleitung,
Fig. 6 eine Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispiels
einer Kurve in einer unterstützten Mikrostreifenleitung nach der Erfindung,
Fig. 7 eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer Kreuzung zweier unterstützter Mikrostreifenleitungen nach der
Erfindung,
Fig. 8a eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer Serie-T-Kreuzung nach der Erfindung,
Fig. 8b einen Schnitt gemäß der Linie VIIIB - VIII B aus Fig. 8a der T-Kreuzung nach der Erfindung,
Fig. 8c eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer isolierten Serie-T-Kreuzung nach der
Erfindung,
Fig. 9a eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer Shunt-T-Kreuzung nach der Erfindung,
Fig. 9b einen Schnitt gemäß der Linie IX B - IX B aus Fig. 9a des weiteren Ausführungsbeispiels der T-Kreuzung nach
der Erfindung,
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Fig. 9c eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels
einer isolierten Shunt-T-Kreuzung nach der Erfindung,
Fig. 10 eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer Magic-T-Kreuzung nach der Erfindung,
Fig. 11 eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Zirkulators,
Fig. 12a eine Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Belastungsimpedanz für eine unterstützte
Mikrostreifenleitung nach der Erfindung,
Fig. 12b einen Schnitt gemäß der Linie XII B - XII B aus
Fig. 12a des weiteren Ausführungsbeispiels der Belastungsimpedanz nach der Erfindung,
Fig. 13a eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels eines Kurzschlusses für eine unterstützte Mikrostreifenleitung
nach der Erfindung,
Fig. 13b einen Schnitt gemäß der Linie XIII B - XIII B aus
Fig. 13a des Ausführungsbeispiels des Kurzschlusses nach der Erfindung,
Fig. 14a eine Draufsicht eines weiteren Äusführungsbeispiels
eines Kurzschlusses für eine unterstützte Mikrostreifenleitung nach der Erfindung,
Fig, 14b einen Schnitt gemäß der Linie XIV B - XIV B aus
Flg. 14a des weiteren Ausführungsbeispiels eines Kurzschlusses
nach der Erfindung.
Die in Fig. 1 dargestellte bekannte unterstützte Mikrostreifenleitung
besteht aus einem parallel zu einer Metallische 1 und einer MetallfJäcfre 2 angeordneten dielektrischen Trüger 3
für einen streifenförmlgen Leiter 4. Diese unterstützte
Mikrostreifenleitung wird in einem TEM-Modus betrieben. Die
Metallflächen 1 und 2 bilden einen Teil eines leitenden Gehäusesf das den Träger 3 und den darauf angeordneten
Leiter 4 völlig umschließt, Eine unterstützte Mikrostrelienleitung
bietet einige Vorteile gegenüber der Mikrostreifenleitungskonfiguration,
die aus einem streifenförxnigen Leiter
besteht, der auf einem Träger angeordnet ist, der auf der
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anderen Seite eine Metallfläche aufweist. Ein erster Vorteil besteht darin, daß Inhomogenitäten in dem dielektrischen
Träger bei der unterstützten Mikrostreifenleitung eine viel geringere Störung verursachen, da das Dielektrikum hauptsächlich
Luft ist. Ein zweiter Vorteil besteht darin, daß eine 50 Ohm Impedanz mit ziemlich breiten Leitern verwirklicht
werden kann, wodurch die photolithographischen Anforderungen, die an die Herstellung gestellt werden, geringer
sind. Außerdem sind die Leiterverluste kleiner, was insbesondere im Hinblick auf eine Verwendung im mm-Wellenbereich
wichtig ist. Ein dritter Vorteil besteht darin, daß der Träger bei einer unterstützten Mikrostreifenleitung auf
beiden Seiten zum Anbringen von Mikrowellenschaltungen benutzt werden kann.
Das leitende Gehäuse, in dem sich die Mikrostreifenleitung
und die mit u.a. Mikrostreifenleitungen hergestellten Mikrowellenschaltungen befinden, bildet eine Wellenleiter struktur
in Form eines Hohlleiters. Die Breite dieses Hohlleiters wird derart gewählt, daß sich&eine Wellenmoden darin fortpflanzen
können. Das bedeutet, daß die Breite b des Hohlleiters ziemlich gering sein muß. Ein Nachteil besteht darin,
daß sogar eine Mikrowellenschaltung durchschnittlichen Umfangs in einer Anzahl einzelner Metallgehäuse untergebracht werden
muß, was teuer und für höhere Frequenzen außerdem schwer durchführbar ist.
Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch eine unterstützte Mikrostreifenleitung
nach der Erfindung. Auf dem dielektrischen Träger 3 ist ein zum ersten Leiter 4 sich parallel erstreckender
zweiter Leiter 5 angeordnet. Die Leiter 4 und 5 sind elektromagnetisch miteinander gekoppelt, weil der Abstand s
zwischen dem ersten Leiter 4 (viel) kleiner ist als die Breite w der beiden Leiter 4 und 5.
Mit der unterstützten Mikrostreifenleitung nach der Erfindung PHInI 9272 - 12 -
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kann ein großer Impedanzbereich bestrichen werden. Eine geringe charakteristische Impedanz kann durch breite
Leiter (w groß) in geringem Abstand s voneinander verwirklicht werden, wobei die Impedanz entweder durch eine Metallkappe
über dein Leiterpaar oder durch eine Metallfläche auf der anderen Seite des Trägers noch weiter verringert werden
kann. Ein hoher Wellenwiderstand wird dadurch erreicht, daß schmale Leiter (w klein) in relativ großem Abstand s
voneinander gewählt werden. Die Leiter 4 und 5 werden in einem ungeraden ¥ellenmodus angeregt und betrieben. Dies bedeutet,
daß die beiden Leiter ein gleich großes aber in der Polarität entgegengesetztes Potential aufweisen und d*ß gleiche
Ströme in entgegengesetzter Richtung durch die beiden Leiter fließen. Das elektrische Feld ist ungerade symmetrisch gegenüber
einer mittelsenkrechten Ebene der beiden Leiter 4 und
Das elektrische Feld befindet sich im wesentlichen zwischen den beiden Leitern 4 und 5. In der Nähe des leitenden
Gehäuses und daher in gewissem Abstand von den Leitern ist das resultierende Feld infolge der gleich großen aber
in der Polarität entgegengesetzten Potentiale sehr klein. Die mit dem ungeraden Wellenmodus einhergehenden Ströme
in den Metallflächen 1 und 2 sind daher gering. Ein wesentlicher
Vorteil einer Anregung mit einem ungeraden Wellenmodus besteht darin, daß der "Hohlleiter" kaum angeregt
wird und daher "übergroß" gemacht -werden kann» Bei Versuchen
hat es sich z.B. herausgestellt, daß Resonanzen, die bei gerade-Modusanregung einer Hikrowellenschaltung in einem
"Hohlleiter"-, der fünfmal "übergroß" war, auftraten, bei
ungerade-Modusanregung nicht auftraten«
Ein weiterer Vorteil der schwachen Wandstrome in den
Metallflächen 1 und 2 besteht darin, daß Versuche mit Mikrowellenschaltungen mit verringerter Metallische 1 oder
durchgeführt werden können.
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Die unterstützte Mikrostreifenleitung bietet weiterhin den
Vorteil, daß im Vergleich zu anderen planaren Hohlleitern wie bei der Schlitzleitung und dem koplanaren Hohlleiter
keine Resonanzen infolge der großen Metalloberflächen auftreten können, die bei diesen Konfigurationen auf dein Träger
vorhanden und auch als Leiter wirksam sind. Die unterstützte»
Mikrostreifenleitung nach der Erfindung wird kurz als "SOi-I-Leitung"
(Suspended Üddmode Microstrip) bezeichnet.
Um zu vermeiden, daß bei Anregung mit einem ungeraden Modus gerade Moden angeregt werden, ist es notwendig, die Leiter
und die Mikrowellenschaltungen, die damit hergestellt v/erden, symmetrisch zu entwerfen, u.a. durch Herstellungstoleranzen
ist dies jedoch nicht immer verwirklichbar. Der Anregung eines geraden Modus eigen ist jedoch, daß dies mit Wandströmen
in den Metallflächen 1 und 2 einhergeht. Dadurch, daß diese Metallflächen 1 und 2 aus leitendem Material und widerstandsfähigem
Material zusammengestellt werden, können diese Ströme und damit die geraden Wellenmoden gedämpft werden.
In Fig. 3 ist eine Ausführungsform einer Metallfläche 1 oder 2 dargestellt, bei der die Metallfläche aus leitenden quadratischen
Teilen 6 aufgebaut ist, die mit einander kreuzenden Spuren 7 aus einem Metall mit einer schlechten elektrischen
Leitfähigkeit verbunden sind.
Wird eine Welle in ein Stück Hohlleiter gesendet, das an dem Ende kurzgeschlossen ist, so wird die Welle an diesem Ende
reflektiert. Sie kommt zurück zum Eingang mit einem Phasenunterschied gegenüber der eintretenden Welle, wobei der
Unterschied von der Länge des Hohlleiters abhängig ist. Auch andere Diskontinuitäten als ein Kurzschluß verursachen
eine Relexion. Ein derartiger Hohlleiterteil kann sich als reaktives Element verhalten. Er hat, abhängig von der Wellenlänge
und von der Art des Abschlusses, einen induktiven, reellen oder einen kapazitiven Charakter. Zum Herstellen
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von Mikrowellenschaltungen werden u.a. derartige Hohlleiterteile benutzt. Diese können quer zu einem durchgehenden
Hohlleiter angeordnet werden. Mit der unterstützten Mikrostreifenleitung
können viele Mikrowellenschaltungen konzipiert werden. Diese Elemente sind durch ein hohes Ausmaß
an Symmetrie, das der Entwurf zur Vermeidung einer Anregung unerwünschter Wellenmoden aufweist, gekennzeichnet.
In Fig. 4 ist ein Ausführungsbeispiel eines Signalwandlers in unterstützter Mikrostreifenleitung dargestellt. Der
Signalwandler bildet einen Teil einer symmetrischen Speisequelle zum Erzeugen einer Wellenerscheinung ausschließlich
in ungeradem Modus. Der Signalwandler umfaßt eine Mikrostreifenleitung, die durch einen auf einer ersten Oberfläche
des Trägers 3 angeordneten streifenförmigen Leiter 63 und eine auf einer zweiten Oberfläche angeordnete leitende
Fliehe ob gebildet wird. Die Leiterstrukturen, die auf der
ersten Oberfläche angeordnet sind, sind in der Figur mit durchgezogenen Linien dargestellt und diejenigen auf der
zweiten Oberfläche sind durch gestrichelte Linien angegeben.
Die Mikrostreifenleitung 63 ist mit einer breitbandigen Impedanz in Form eines fächerförmigen Leiters 64 sit der Länge
entsprechend /i /4 abgeschlossen. An die Mikrostreifenleitung
kann eine asymmetrische Speisequelle angeschlossen werden. Mit der Hikrostreifenleitung 63 ist eine Schlitzübertragungsleitung
65 gekoppelt, die durch einen Schlitz in der leitenden Flache 66 gebildet wird, Die Sciilitzübertragungsleitung 6b
ist am Anfang und am Ende mit einer sehr hohen Abschlußirapedanz
abgeschlossen, die durch scheibenförmige Ausnehmungen 67 bzw, 68 in der leitenden Fläche 66 gebildet werden.
Wenn sich über die Mikrostreifenleitung 63 eine TSM-Welle
fortpflanzt» wird an der Spaltütertragungsleitung €5 eine
Quasi-TEM-Welle erregt» Die Schlitzübertragungsleitung 65
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ist mit dem auf der ersten Oberfläche angeordneten ringförmigen
Verbindungsleiter 69 zwischen einem ersten Ende und einem zweiten Ende der Leiter 4 bzw. 5 der SOM-Leitung gekoppelt.
Die Kopplung zwischen der Schlitzübertragungsleitung 65 und dem Verbindungsleiter 68 ist als elektromagnetische
Reihe-T-Kreuzung wirksam, wobei im Querzweig des "T" (Teil des Verbindungsleiters 69) gleich große aber entgegengesetzte
Felder erzeugt werden, und zwar an einer Stelle, die gegenüber den beiden Enden der SOM-Leitung
symmetrisch liegt, wodurch eine Wellenerscheinung ausschließlich in einem ungeraden Modus in der SOM-Leitung erzeugt
wird.
Die Länge des Verbindungsleiters 68 beträgt vorzugsweise /\/2. Die Mikrowellenschaltung nach Fig. 4 ist reziprok
und kann in dieser Form dazu verwendet werden, an die SOM-Leitung eine asymmetrische Belastung symmetrisch anzuschließen.
In Fig. 5 ist eine Ausführungsform einer Kurve in einer unterstützten Mikrostreifenleitung dargestellt. Die Kurve
weist einen festen Radius auf. Der Winkel beträgt oL .
Die beiden Leiter 4 und 5 sind durch einen Schlitz 60 in Richtung der Winkelhalbierenden von £<
in den Leitern und 41 bzw. 5 und 5' unterbrochen und die Leiter 5 und
sind durch einen leitenden Streifen 61, der auf dem Träger
angeordnet ist,und die Leiter 4 und 4' sind durch einen Draht 62, der den Streifen 61 kreuzt, miteinander verbunden.
In Fig. 6 ist eine weitere Ausführungsform einer Kurve in
einer unterstützten Mikrostreifenleitung dargestellt. Der Vorteil der beiden Ausführungsformen einer Kurve besteht
darin, daß der Abstand, den die Wellenerscheinung auf dem Leiter 4 und 5 bei der Richtungsablenkung zurücklegt,
für die beiden Leiter derselbe ist, wodurch Phasenabweichungen zwischen den elektrischen Erscheinungen auf
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den Leitern 4 und 5 vermieden werden.
In Fig. 7 ist eine Ausführungsform einer Kreuzung einer ersten unterstützten Mikrostreifenleitung, von der die
Leiter 4 und 5 einen Teil bilden, und einer zweiten unterstützten Mikrostreifenleitung, die die Leiter 8 und 9
aufweist, dargestellt. Die Loiter der SOM-Leitungen 4-5
und 8-9 sind in der Nähe der Kreuzung schmaler ausgebildet und ihr gegenseitiger Abstand ist verringert worden, um den
Wellenwiderstand der SOM-Leitungen gleich zu halten. Die SOM-Leitung 4-5 ist außerdem über eine Länge, die
mindestens der Breite der SOM-Leitung 8-9 entspricht, an der Stelle der Kreuzung unterbrochen. Die Leiter 4 und
auf beiden Seiten der Kreuzung sind durch je einen Draht miteinander verbunden. Der Vorteil dieser Äusführungsform
besteht darin, daß das gegenseitige Beeinflussungsgebiet
der beiden Leiterpaare sehr klein ist, wodurch eine gute Entkopplung erhalten wird.
Dadurch, daß die Mikrostreifenleitung in unterstützter Form
ausgebildet ist, ist es möglich, die zweite Oberfläche des dielektrischen Trägers 3 ebenfalls zum Anbringen von
Wellenleiterstrukturen zu benutzen* Diese Möglichkeit ist in einigen Ausführungsformen einer T-Kreuzung benutzt.
Eine T-Kreuzung -wird u»a. ^Leistungsteiler und in Brückenschaltungen
angewandt. In den in den Fig. 8, 9 und 10 dargesteilen Ausführungsformen derartiger T-Kreuzungen sind die
Leiter, die auf der ersten Oberfläche des dielektrischen Trägers 3 angeordnet sind, mit durchgezogenen Linien auf
symbolische Weise angegeben. Die Leiter, die sich auf der zweiten Oberflache befinden, sind gestrichelt dargestellt.
Auch der gegenseitige Abstand r; zwischen den Leitern ist
nicht maßstabsgerecht dargestellt,
In Fig. 8a ist eine Reihe-T-Kreuzung dargestellt. Auf der
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ersten Oberfläche des Trägers 3 ist an eine erste Anschlußklemme 10 und eine zweite Anschlußklemme 11 ein erstes Leiterpaar
12, 13 angeschlossen und an eine dritte Anschlußklemme und eine vierte Anschlußklemme 15 ist ein zweites Leiterpaar 16,
17 angeschlossen. Die erste, zweite, dritte und vierte Anschlußklemme bilden die Eckpunkte eines imaginären Rechtecks.
Das erste und das zweite Leiterpaar liegen fluchtend. Ein drittes Leiterpaar 18, 19 ist an die zweite Anschlußklemme
11 und die vierte Anschlußklemme 15 angeschlossen und bildet mit dem ersten und dem zweiten Leiterpaar einen
geraden Winkel. Ein viertes Leiterpaar 22, 23 befindet sich auf der zweiten Oberfläche des Trägers 3 gegenüber und parallel
zu dem dritten Leiterpaar 18, 19, wie in Schnitt VIII B - VIII B
in Fig. 8b dargestellt ist.
Das vierte Leiterpaar ist mit einem ersten Ende mit einer sechsten Anschlußklemme 24 und einer fünften Anschlußklemme
20 verbunden. Das vierte Leiterpaar 22, 23 hat eine Länge entsprechend einer Viertelwellenlänge bei der verwendeten
Frequenz. Das zweite Ende des vierten Leiterpaares 22, 23 ist (z.B. durch ein Loch im Träger 3) mit dem dritten Leiterpaar
18, 19 verbunden. Die sechste Anschlußklemme 24 ist mit der Anschlußklemme 14 und die fünfte Anschlußklemme 20
ist mit der Anschlußklemme 10 verbunden. Der Wellenwiderstand des Leiterpaares 12, 13 eniq>richt dem des Leiterpaares
16, 17.
Die Wirkungsweise der Reihe-T-Kreuzung als Leistungsteiler ist wie folgt: Beim Anschluß einer (nicht dargestellten)
Signalquelle an die Anschlußklemmen 26 und 27 des Leiterpaares 18 und 19 wird die zugeführte Energie gleichmäßig
über das Leiterpaar 12, 13 und das Leiterpaar 16, 17 verteilt. Im umgekehrten Fall ist die Wirkungsweise der T-Kreuzung
wie folgt: Eine erste Wellenerscheinung pflanzt sich über das Leiterpaar 16, 17 und eine zweite Wellonorscheinung
pflanzt sich über das Leiterpaar 12, 13 fort.
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An den Anschlußklemmen 26 und 27 ist der vektorielle Unterschied der beiden Wellenerscheinungen verfügbar. Wenn die
Phase und die Amplitude der beiden Wellenerscheinungen einander entsprechen, resultiert an den Klemmen 26 und 27
ein Signal gleich Null.
Der Vorteil dieser Reihe-T-Kreuzung besteht darin, daß
mit Hilfe zweier Leiterpaare 18, 19 und 22, 23, die je eine Viertelwellenlänge haben, die verfügbare Signalquelle
doppelt benutzt wird. Die Quelle kann als durch zwei Quellen ersetzt gedacht werden, die unabhängig voneinander sind
und zwischen dem Leiter 12 und 16 und dem Leiter 13 und 17
liegen.
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß durch Benutzung der beiden Oberflächen des Trägers 3 eine symmetrische
und gedrängte T-Kreuzung hergestellt wird.
In Fig. 8c ist eine Ausführungsfomeiner isolierten Reihe-T
(eine sogenannte ISO-TEE) dargestellt, die dadurch erhalten worden ist, daß in der Reihe-T entsprechend Fig, 8a zwischen
der vierten Anschlußklemme 15 und der fünften Anschlußklemme ein Widerstand 21 angeorndet wird und zwischen der zweiten
Anschlußklemme 11 und der sechsten Anschlußklemme 24 ein zweiter Widerstand 25. Der Widerstandswert der Widerstände
und 25 ist gleich. Durch diese Widerstände und durch die
richtige Wahl des Wellenwiderstandes der drei SOM-Leiirangen
ist es möglich, die Zweige 12 - 13 und 16 - 17 zu entkoppeln.
Die (reflektierte) Leistung wird in den Widerständen 21 und 25 aufgebraucht.
In Fig» 9a ist eine Ausführungsform einer Shunt-T-Kreuzung
dargestellt. Auf der ersten Oberfläche des Trägers 3 ist das erste Leiterpaar 12, 13 an die Änsciilußklesijsen. 10 und
11 angeschlossen und das zweite Leiterpaar 16, 17 ist an die
14, 15 angeschlossen« Das dritte Leiter-
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paar 18, 19 ist an die Anschlußklemmen 11, 15 angeschlossen
und büdet mit dem Leiterpaar 12, 13 und 16, 17 einen geraden
Winkel. Gegenüber dem dritten Leiterpaar ist auf der zweiten Oberfläche des Trägers ein viertes Leiterpaar 22, 23 vorgesehen,
wie dies im Schnitt IX B - IX B in Fig. 9b dargestellt ist. Das vierte Leiterpaar 22, 23 hat eine Viertelwellenlänge
und ist mit einem ersten Ende mit den Anschlußklemmen 20, 24 verbunden und mit einem zweiten Ende mit dem
dritten Leiterpaar 18, 19. Die Anschlußklemme 20 ist mit der Anschlußklemme 10 und die Anschlußklemme 24 mit der
Anschlußklemme 14 verbunden.
Die Eigenschaften der Shunt-T-Kreuzung sind mit denen vergleichbar,
die bei der Reihe-T-Kreuzung nach Fig. 8a angegeben werden.
In Fig. 9c ist eine Ausführungsform einer isolierten Shunt-T-Kreuzung (einer sogenannten ISO-TEE) dargestellt,
die dadurch erhalten worden ist, daß in der Shunt-T nach Fig. 9a ein erster Widerstand 21 zwischen der vierten
Anschlußklemme 15 und der fünften Anschlußklemme 20 angeordnet wird und daß zwischen der zweiten Anschlußklemme
und der sechsten Anschlußklemme 24 ein zweiter Widerstand angeordnet wird. Der Widerstandswert der Widerstände 21
und 25 ist gleich.
In Fig. 10 ist eine Ausführungsform einer sogenannten Magic-T angegeben. Die Magic-T ist aus der Reihe-T nach Fig. 8a und
der Shunt-T nach Fig. 9a zusammengestellt. Ein erstes Leiterpaar 12, 13 ist an die Anschlußklemmen 10, 11 und ein zweites
Leiterpaar 16, 17 an die Anschlußklemmen 14, 15 angeschlossen. Ein drittes Leiterpaar 18, 23 ist mit einem ersten Ende an
die Anschlußklemmen 11 und 15 und ein viertes Leiterpaar 19, 22 ist mit einem ersten Ende an die Anschlußklemmen 10 und
angeschlossen. Das dritte und vierte Leiterpaar bilden einen
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geraden Winkel rait dem ersten und dem zweiten Leiterpaar.
Die Leiter 19 und 22 haben eine Viertelwellenlänge, sind mit einem zweiten Ende mit den Leitern 18 und 23 verbunden
und auf der zweiten Oberfläche des Trägers 3 angeordnet. Ein fünftes Leiterpaar 28, 29 ist mit einem ersten Ende
an die Schlußklemmen 14, 15 und ein sechstes Leiterpaar 30,
31 ist mit einem ersten Ende an die Anschlußklemmen 10 und angeschlossen. Das fünfte und sechste Leiterpaar bilden
einen rechten Winkel mit dem ersten und dem zweiten Leiterpaar. Das erste, zweite, fünfte und sechste Leiterpaar
bildet eine Reihe-T und das erste, zweite, dritte und vierte Leiterpaar eine Shunt-T. Die Leiter 30 und 31 haben eine
Viertelwellenlänge, sind mit einem zweiten Ende mit den Leitern23 und 29 verbunden und auf der zweiten Oberfläche
des Trägers 3 angeordnet.
Ein Magic-T hat die Eigenschaft, daß die Reflexion der
Wellenerscheinung in einem Leiterpaar Null ist, wenn die anderen Leiterpaare charakteristisch abgeschlossen sind.
Außerdem weist die Magic-T die Eigenschaft auf, daß die Leiterpaare I6t 17 gegenüber 12, 13 und die Leiterpaare 26,
gegenüber 32, 33 entkoppelt sind.
In Fig. 11 ist ein Zirkulator in unterstützter Mikrostreifenleitung
dargestellt. Dabei sind drei Leiterpaare 43, 44 und 45, die gegenüber einander/liinkel von 120° miteinander einschließen,
miteinander verbunden, wie in Fig. 12 dargestellt. Am Knotenpunkt der drei Leiterpaare 43, 44 und 45
ist ein Ferritzylinder 46 angeordnet. Die Richtung des Pfeiles zeigt, daß bei der dargestellten Richtung des
statischen Magnetfeldes eine Welle, die über das Leiterpaar in Richtung des Knotenpunktes sich fortpflanzt, über das
Leiterpaar 44 abgeführt wird, während beispielsweise die durch das Leiterpaar 44 reflektierte Welle über das Leiterpaar
45 abgeführt wird.
PIiM 9272 - 21 -
G3GQ2Q/Q652
In Fig. 12a ist eine breitbandige verschiebbare Belastun^simpedanz
dargestellt. Über dem Leiterpaar 47, 48 ist ein keilförmiger Körper 53 angeordnet, der aus einem widerstandsfähigen
Material mit einem Quadratwiderstand Rq hergestellt ist. Unmittelbarer Kontakt zwischen der SOM-Leitung
(Leiterpaar 49, 50) und dem keilförmigen Körper 53 wird dadurch vermieden, daß zwischen der SOM-Leitung
und dem keilförmigen Körper 53 eine nicht leitende Platte (aus dielektrischem Material) angeordnet wird. Die Keilform
des Körpers 53 bezweckt, einen reflexionsarraen Abschluß der SOM-Leitung herzustellen, während die SOM-Leitung mit
dem Wellenwiderstand 51 (^) abgeschlossen ist, um hinter
dem Keil (d.h. die nicht-Keilseite) Reflexionen zu vermeiden.
In Fig. 12b ist ein Schnitt entlang der Linie XEI B - XII B
dargestellt.
In Fig. 13a ist ein schmalbandiger verschiebbarer Kurzschluß für eine unterstützte Mikrostreifenleitung dargestellt. Auf
dem Leiterpaar 47, 48 ist ein U-förmiger Leiter 54 angeordnet.
Die SOM-Leitung ist mit dem charakteristischen Leitungswiderstand 51 (Z00) abgeschlossen, damit Reflexionen hinter
dem Keil (d.h. die nicht-Keilseite) vermieden bzw. gedämpft werden. Zwischen der SOM-Leitung 47-48 und dem U-förmigen
Leiter ist eine nicht leitende Platte 56 angeordnet. Die Schenkel des U sind eine Viertelwellenlänge lang, um einen
elektrischen Kontakt zwischen der SOM-Leitung und dem U-förmigen Leiter 54 über ein schmales Frequenzband herzustellen.
Ein Schnitt entlang der Linie XIII B - XIII B ist in Fig. 13b dargestellt.
In Fig. 14a ist ein breitbandiger verschiebbarer. Kurzschluß
für eine unterstützte Mikrostreifenleitung dargestellt. Auf
PHIi 9272 - 22 -
030020/0652
dem Leiterpaar 47, 48 ist ein leitender Streifen 55 angeordnet.
Die SOM-Leitung ist mit der charakteristischen Leitungsimpedanz 51 (Z00) angeschlossen.
Fig. 14b zeigt den Schnitt entlang der Linie XIV B - XIV B.
Die Erfindung beschränkt sich keineswegs auf die Mikrowellenschaltungen,
die dargestellt sind. So sind auch z.B. Filter, Dämpfer und Phasenschieber in unterstützter Mikrostreifenleitung
ausführbar. Mikrowellenschaltungen können auch aktive Elemente, wie z.B. Schottky-Dioden oder Transistoren,
aufweisen. Damit können dann z.B. Mischer und Verstärker verwirklicht werden.
FHN 9272
030020/0652
Claims (9)
- 2^43502N.V. Philips'Gloeilampenfabrieken, Eindhoven/HollandPATENTANSPRÜCHE:Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung mit zwei parallelen Metallflächen, einem parallel zu und zwischen denselben angeordneten dielektrischen Träger und einem af einer ersten Oberfläche des Trägers angeordneten ersten streifenfcrmigen Leiter, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten Oberfläche des Trägers ein zweiter streifenförmiger Leiter angeordnet ist, der sich parallel zu und in kurzem Abstand von dem ersten erstreckt und mit dem ersten gekoppelt ist und daß zwischen den Leitern eine symmetrische Speisequelle ) zum Erzeugen einer Wellenerscheinung im ausschließlich ungeraden Modus und zwischen den Leitern eine symmetrische Belastung angeordnet sind.
- 2. Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die symmetrische Speisequelle eine asymmetrische Speisequelle, eine auf einer zweiten Oberfläche des Trägers angeordnete Schlitzübertragungsleitung, die durch einen Schlitz zwischen zwei elektrisch leitenden, auf dem Träger angeordneten Flächen gebildet ist, welche Leitung mit der asymmetrischen Speisequelle gekoppelt ist und einen auf der ersten Oberfläche angeordneten Ver-) bindungsleiter zwischen einem Ende des ersten und einem entsprechenden Ende des zweiten Leiters aufweist, wobei der Verbindungsleiter gegenüber der Schlitzübertragungsleitung symmetrisch und mit derselben zum Umwandeln der ungeraden Moden in der Schlitzübertragungsleitung in eine Wellenerscheinung in einem ausschließlich ungeraden Modus gekoppelt ist.
- 3. Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallflächen aus leitenden und widerstandsfähigen Teilen zum Dämpfen gerader Moden zusammengestellt sind.PKN 9272 - 2 -030020/0652-"/eg
- 4. Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in einer Kurve der Leitung der erste und der zweite streifenförmige Leiter durch einen Schlitz in Richtung der Winkelhalbierenden des Ablenkwinkels unterbrochen ist und die ersten Leiter mit den zweiten Leitern kreuzweise verbunden sind.
- 5. Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten Oberfläche des dielektrischen Trägers angeordnet sindi vier Anschlußklemmen, die die Eckpunkte eines imaginären Rechtecks bilden; eine erste Mikrostreifenleitung, die an eine erste und eine zweite Anschlußklemme angeschlossen ist, die zu derselben Rechteckseite gehören; eine zweite Mikrostreifenleitung, die an eine dritte und eine vierte Anschlußklemme angeschlossen ist* wobei die Leiter der ersten und der zweiten Mikrostreifenleitung fluchtend liegen; eine dritte Mikrostreifenleitung, die an die zweite und die dritte Anschlußklemme angeschlossen ist, die zu derselben Rechteckseite gehören, wobei die dritte Mikrostreifenleitung mit der ersten und der zweiten Mikrostreifenleitung einen rechten Winkel einschließt, eine Verbindung zwischen der ersten Anschlußklemme und einer fünften Anschlußklemme und auf einer zweiten Oberfläche des dielektrischen Trägers einer vierten Mikrostreifenleitung angeordnet ist, die gegenüber der dritten Mikrostreifenleitung liegt und eine Länge entsprechend einer Viertelwellenlänge hat und mit einem ersten Ende mit der dritten Anschlußklemme und einer sechsten Anschlußklemme verbunden ist und ein zweites Ende der vierten Mikrostreifenleitung mit der dritten Mikrostreifenleitung verbunden ist und eine Verbindung zwischen der vierten und der sechsten Anschlußklemme zum Herstellen einer Reihen-T-Kreuzung angeordnet ist,
- 6» Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten Oberfläche desPHN 9272 - 3 -Q3002Ö/06S2Trägers angeordnet sind: vier Anschlußklemmen, die die Eckpunkte eines imaginären Rechtecks bilden; eine erste Mikrostreifenleitung, die an eine erste und eine zweite Anschlußklemme angeschlossen ist, die zu derselben Rechteckseite gehören; eine zweite Mikrostreifenleitung, die an eine dritte und eine vierte Anschlußklemme angeschlossen ist, wobei die Leiter der ersten und der zweiten Mikrostreifenleitung fluchtend liegen; eine dritte Mikrostreifenleitung, die an die erste und die dritte Anschlußklemme angeschlossen ist, die nicht zu derselben Rechteckseite gehören, wobei die dritte Mikrostreifenleitung mit der ersten und der zweiten Mikrostreifenleitung einen rechten Winkel einschließt; eine Verbindung zwischen der zweiten und der fünften Anschlußklemme und eine Verbindung zwischen der vierten und der sechsten Anschlußklemme und auf einer zweiten Oberfläche des Trägers eine vierte Mikrostreifenleitung angeschlossen ist, die gegenüber der dritten Mikrostreifenleitung liegt und eine Länge hat entsprechend einer Viertelwellenlänge und die mit einem ersten Ende mit der fünften Anschlußklemme der sechsten Anschlußklemme zum Herstellen einer Shunt-T-Kreuzung verbunden ist.
- 7· Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Anschlußklemme durch einen Widerstand mit der fünften Anschlußklemme verbunden ist und die zweite Anschlußklemme durch einen zweiten Widerstand mit der sechsten Anschlußklemme verbunden ist und daß der Widerstandswert des ersten Widerstandes dem des zweiten Widerstandes entspricht.
- 8. Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Anschlußklemme durch einen ersten Widerstand mit der sechsten Anschlußklemme und die dritte Anschlußklemme durch einen zweiten Widerstand mit der fünften Anschlußklemme verbunden ist und daß der Widerstandswert des ersten Widerstandes dem des zweiten Widerstandes entspricht.
PHN 9272 4 _030020/0652 - 9. Unterstützte Mikrostreifenleitungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten Oberfläche des dielektrischen Trägers angeordnet sind: vier Anschlußklemmen, die die Eckpunkte eines imaginären Rechtecks bilden; eine erste Mikrostreifenleitung, die an eine erste und eine zweite Anschlußklemme angeschlossen ist, die zu derselben Rechteckseite gehören; eine zweite Mikrostreifenleitung, die an eine dritte und eine vierte Anschlußklemme angeschlossen ist, wobei die Leiter der ersten und der zweiten Mikrostreifenleitung fluchtend liegen; eine dritte Mikrostreifenleitung, die an die erste und die vierte Anschlußklemme angeschlossen ist, die nicht zu derselben Rechteckseite gehören, wobei die dritte Mikrostreifenleitung mit der ersten und der zweiten Mikrostreifenleitung einen rechten Winkel einschließt; eine vierte Mikrostreifenleitung, die an die dritte Anschlußklemme und an eine fünfte Anschlußklemme angeschlossen ist und die vierte Mikrostreifenleitung mit der dritten MikrostreiJaileitung fluchtend liegt; eine Verbindung zwischen der fünften Anschlußklemme und der dritten Anschlußklemme und auf einer zweiten Oberfläche des dielektrischen Trägers eine fünfte Mikrostreifenleitung angeordnet ist, die gegenüber der dritten MikrostreiXenleitung liegt und eine Länge hat entsprechend einer Viertelwellenlänge und die mit einem ersten Ende mit der zweiten Anschlußklemme und der dritten Anschlußklemme verbunden ist und ein zweites Ende der fünften Mikrostreifenleitung mit der dritten Mikrostreifenleitung kreuzweise verbunden ist und auf der zweiten Oberfläche des dielektrischen Trägers eine sechste Mikrostreifenleitung angeordnet ist, die gegenüber der vierten Mikrostreifenleitung liegt und eine Länge hat entsprechend einer Viertelwellenlänge und die mit einem ersten Ende iait der ersten Anschlußklemme und einer sechsten Anschlußklemme verbunden ist, wobei die sechste Anschlußklemme mit dsr vierten Anschlußklemme und ein zweites Ende der sechsten Mikrostreifenleitung mit der vierten Mikrostreifenleitung zum Herstellen einer Magic-T-Kreuzung verbunden ist.PHN 9272 - 5 -030020/0652
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