JPS606567B2 - サスペンデツドマイクロストリツプ回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、２個の平行金属面と、これら金属面間にこれ
ら金属面と平行に配置された基板と、該基板の第１主表
面上に設けられた第１ストリップ導体とを具えるサスベ
ンデッドマィクロストリップ回路に関するものである。

斯るサスベンデッドマイクロストリップ回路は“Ｍｉｃ
ｒｏｗａｖｅｓ”（１９６８年９月）の第３８〜第４６
頁に掲載されている日．Ｅ．Ｂｒｅｎｎｅｒの論文“Ｕ
Ｓｅ ａｃｏｍｐｕにｒ ｔｏ ｄｅｓｉｇｎ ｓ聡ｐ
ａｎｄｅｄ − ｓｕｆＳｔｒａｔｅに”に記載されて
いる。特にマイクロストリップラインはしーダや通信用
のフィル夕、減衰器、Ｔ分岐、混合器、サーキュレータ
等のようなマイクロ波回路を造るのに使用することがで
きる。通常、斯るマイクロ波回路は密閉された導体箱内
に配置される。この箱は回路電流の帰路として作動し、
マイクロ波回路を周囲からの放射からシールドすると共
にマイクロ波回路から周囲への放射を阻止する。導体箱
は両端が短絡された所定の長さの“導波管”を構成する
。この“導波管”の幅は、マイクロ波回路の動作周波数
ではその中をモード波が伝播し得ないように選択する。
これは、この“導波管”は相当幅狭にしなければならな
いことを意味する。これがため、平均的寸法のマイクロ
波回路に対しては通常これを複数個の各別の導体箱内に
配置する必要がある。加えて、この“導波管”は高い周
波で実現することが難かしい。これらの欠点を除去する
ため「幅広“導波管”を用い、これにし発生し得るモー
ドを減衰するために減衰層を設けることが提案されてい
るが、この場合には相当の損失が生ずる欠点がある。

本発明の目的は、上記の欠点を除去し、不所望なモード
の励振および伝播を簡単な手段で阻止した上述した種類
のサスベンデツドマィクロストリップ回路を提供せんと
するにある。本発明サスベンデツドマィクロストリップ
回路は、基板の第１表面上に第１ストリップ導体から小
距離離してこれと平行に第２ストリップ導体を設け、こ
の第２ストリップ導体を第１ストリップ導体に結合する
と共に、対称供給源を第１および第２ストリップ導体間
に接続して波動現象をもっぱら奇モードで発生させ且つ
対称負荷を第１および第２ストリップ導体間に接続した
ことを特徴とする。

ここで、マイクロストリップラインを他のマイクロスト
リップラインに結合して例えばフィル夕や方向性結合器
を実現することは既知である。

しかし、この場合には本質的に隅モードと奇モード波の
伝播が起る。奇モードで励振すると、第１および第２ス
トリップ導体は大きさが等しく反対犠牲の電位を有し、
等しい電流が第１および第２ストリップ導体を反対方向
に流れる。

電界は第１および第２ストリップ導体の垂直２等分面に
対し奇−対称となり、電界はストリップ導体近くに集中
する。これに対し“導波管”の壁面近くの電界は小さく
なる。本発明は、平行導電面間の２個のストリップ導体
を奇モードで励振すると、導電面の電流が低い値となっ
て“導波管”が励振されず、従って“導波管”を大きく
することができるという認識に基ついて為したものであ
る。

本発明によるサスベンデッドマィクロストリップ回路は
、更に、そのインピーダンス範囲が単一ストリップ導体
を有しＴＥＭ波を伝播するサスベンデツドマィクロスト
リップラインよりも大きい利点を有する。

本発明によるサスベンデツドマィクロストリップ回路は
、更に、スロットラインや共平面形導波線路のような他
の平面形導波素子のように基板上に存在する大金属表面
によって共振を生ずることがないという利点も有する。

導波素子の長さ尊こよって原理的には任意の値のりアク
ティブ素子を実現することができる。斯るリアクティブ
素子は動作波長に対するその長さおよび終端方法（開放
／短絡）に応じて誘導性或は容量性になる。斯る特定の
長さの導波素子は特にマイクロ波回路の実現に使用され
る。従って、平衡リング、フィル夕、減衰器、Ｔ分岐、
混合器、サーキュレータ等のようなマイクロ波回路を本
発明によるサスベンデツドマイクロストリップラインで
実現することができる。サスベンデツドマイクロストリ
ップライン又はこれにより実現されたマイクロ波回路が
非対称の場合、隅モードが発生し得る。

隅モードと関連する２個の平行金属面における電流は、
奇モード‘こよる電流と異なり、互に加わり合って増大
するため相当大きくなる。この隅モードは、金属面を導
電性材料と抵抗性材料で形成することにより減衰させる
ことができる。奇モードサスベンデッドマィクロストリ
ップ回路で実現されたマイクロ波回路はそれらの共通の
特性として隅モードの励振を阻止する高度の対称性を有
する。

本発明によるサスベンデッドマィクロストリップラィン
のペンドにおいては、第１および第２ストリップ導体の
電気長を等しい長さに維持するために、第１および第２
ストリップ導体をペンド角の２等分方向にスロットで切
断し、第１ストリップ導体と第２ストリップ導体を交差
接続する。

本発明によるサスベンデッドマィクロストリップ回路に
おいては、誘電体基板の第２主表面を導波素子のマウン
ト用に使用することもできる。このようにして直列Ｔ、
並列Ｔ、マジックＴのようなＴ分岐を実現することがで
きる。両面の使用にＺより極めて良好な対称性とコンパ
クトな構造を実現することができる。以下、図面につき
本発明の種々の例を説明する。

図面において各図における対応する部分は同一Ｚの符号
で示した。

第１図に示す既知のサスベソデツドマイクロストリップ
ラインは互に平行な金属面１および２と誘電体基板３と
、その上に設けられたストリップ導体４とから成る。

このサスベンデツドマィクロストリップラインはＴＥＭ
モードで作動する。金属面１および２は基板３とその上
に設けられたストリップ導体４を完全に囲む導体箱の１
部を構成する。サスベンデツドマイクロストリップライ
ンは、基板の一方の主表面上にストリップ導体を設け他
方の主表面上に金属面を設けて或る慣例のマイクロスト
リップ線路に対しいくつかの利点を有する。第１の利点
は、誘電体が主として空気で構成されるため、基板の不
均質による妨害が著しく小さい点にある。第２の利点は
、常用５０オームインピーダンスを理想的に幅広の導体
で実現でき、その結果、製造中に満足すべき写真平版精
度を低減することができる点にある。更に、導体損が小
さく、これはミリ波帯用に特に重要である。第３の利点
は、基板の両面をマイクロ波回路に使用できる点にある
。マイクロストリップラインおよび特にマイクロストリ
ップラインで実現されたマイクロ波回路を収納する導体
箱は導波管の形態の伝送線路素子を構成する。この導波
管の幅は、マイク波回路の動作周波数範囲において導波
管モード波がその中を伝幅し得ないように選択する。こ
のことは、導波管の幅ｂを相当小さくする必要があるこ
とを意味する。従って、平均寸法のマイクロ波回路でも
複数個の各別の金属箱内に収納する必要があり、これは
費用がかかるのみならず、高周波数に対しては実現が困
難となる。第２図は本発明によるサスベンデッドマィク
ロストリップ回路の断面図である。

本発明では第２ストリップ導体５を誘電体基板３上に第
１ストリップ導体４と平行に設ける。第１導体４と第２
導体５との間のギャップｓを両導体４および５の幅Ｗよ
り（相当）小さくして、両導体４および５を互に電磁的
に結合する。本発明回路用サスベンデツドマィクロスト
リップラインは大きなインピーダンス範囲をカバーし得
る。

即ち、低い特性インピーダンスは互に小距離ｓ離れた幅
広の導体４，５（ｗが大）により実現することができ、
更にこれら導体対の上方を延在する金属カバー又は基板
の反対側面上を延在する金属面によって特性インピーダ
ンスを更に減少させることができる。他方、高い特性イ
ンピーダンスは比較的大距離ｓ離れた幅狭の導体４，５
（ｗ小）により達成される。導体４および５は奇モード
で励振し、駆動する。この場合、両導体は大きさが等し
く極性が反対の電位を有し、等しい電流が両導体を反対
方向に流れる。電界は両導体４および５の垂直２等分面
に対し奇対称となり、夕霞界は両導体４および５間に集
中する。従って、導体箱付近およびストリップ導体から
ある程度離れた所では大きさが等しく極性が反対の電位
のために電界は極めて弱い。これがため、金属面１およ
び２における奇モード波と関連する電流は極く０僅かと
なる。即ち、奇モードの励振は、“導波管”が殆んど励
振されず、“導波管”を大きくすることができるという
大きな利点をもたらす。実験の結果、５倍の大きさの導
波管内に配置されたマイクロ波回路を隅モード励振した
場合に発生さ夕れる共振が奇モード励振の場合には発生
しないことが確かめられた。金属面１および２における
壁面電流が小さいことは、金属面１および２の一方を除
去した状態でマイクロ波回路による種々の実験を行なう
ことが０できるという利点をもたらす。

更に、本発明によるサスベンヂッドマィクロストリップ
ラインは、スロットラインおよび共平面導波線路のよう
な他の平面導波素子と比較して、これら導波素子の基板
上に存在する大きな金属表面のために共振が起ることが
ない利点を有する。

本発明回路用サスベンデツドマィクロストリップライン
は以後略してＳＯＭ（Ｓｕｐｅｎｄｅｄ Ｏｄｄ−ｍｏ
ｄｅＭｉｃｒｒｅｓｔｒｊｐ）ラインと称す。奇モード
励振の場合に偶モードが励振されるのを阻止するために
は、ストリップ導体およびこれら導体で実現されたマイ
クロ波回路を対称に設計する必要がある。しかし、製造
公差のために、これは実際上必ずしも実現できない。し
かも、偶モード励振は金属面１および２に比較的大きな
壁面電流を生ずる。これらの電流、従って偶モード波は
金属面１および２を良導電材料と抵抗材料の交互の部分
で形成することにより減衰させることができる。第３図
は低導電率の材料の導体網７で分離された高導電率の導
電矩形部分６から成る金属面１又は２を示す。一端が短
絡されたある長さの導波管内に波を送り込むと、その波
は短絡端で反射される。

そしてこの波は入力端に入力波に対し移相されて戻り、
この移送は導波管の長さに依存する。反射は短絡以外に
も線路の種々の不連続部によっても生じ得る。斯る伝送
線路区分はリアクティブ素子として作動させることがで
き、波長および終端の方法に応じて誘導性、抵抗性又は
容量性とすることができる。

新る導波管区分を用いて種々のマイクロ波回路を実現す
ることができ、これら回路は連続導波管を横切るよう配
置することができる。本発明サスベンデツドマイクロス
トリップラインによって種々のマイクロ波回路素子を実
現することができる。これら回路素子は不所望なモード
励振を阻止するために高度に対称である特徴を有する。
第４図は本発明サスベンデッドマィクロストリップライ
ン用モード変換器を示す。この信号変換器は波を奇モー
ドでのみ発生する平衡供給源の１部を構成する。この信
号変換器は基板３の第１主表面に設けられたストリップ
導体６３より成るマイクロストリップラインと第２主表
面上に設けられた導電面６６とを具える。第１主表面上
の導体パターンは図に実線で示し、第２主表面上の導体
パターンは破線で示す。マイクロストリップライン６３
は入／１４の長さを有する扇形導体６４の形態の広帯域
インピーダンスで終端する。不平衡供給源はマイクロス
トリップライン６３に接続することができる。導電面６
６内のスロットから成るスロットライン６５をマイクロ
ストリップライン６３に結合する。スロットライン６５
は各端を円形孔６７および６８から成る極めて高し、終
端インピーダンスでそれぞれ終端する。ＴＥＭ波がマイ
クロストリップライン６３内を伝播する場合、準ＴＥＭ
波がスロットライン６５上に励振される。スロットライ
ン６５を、第１表面上に設けられていてＳＯＭラインの
ストリップ導体４および５の２個の隣接端を接続する環
状接続導体６９に結合する。スロットライン６５と接続
導体６９間の結合は電磁直列Ｔ分岐として機能し、ＳＯ
Ｍラインの両ストリップ導体に対し対称な点の両側に延
在する“Ｔ”の分岐（接続導体部分）に大きさが等しく
極性が反対の電界が発生するため、波はＳＯＭラインに
奇モードでのみ発生される。接続導体６９の長さは＾／
２とするのが好適である。第４図のマイクロ波回路は可
逆性で、不平衡負荷をＳＯＭラインに平衡に接続するの
に用いることもできる。第５図は本発明サスベンデッド
マィクロストリップラインのペンドを示す。

両ストリップ導体は角度のこ官つて延在する同○円弧と
する。両ストリップ導体は角度Ｑを２等分する半径方向
スロット６０で導体部分４，４′および５，５′に分割
し、導体部分４′および５を基板３上に設けられた導電
ストリップ６１で相互接続すると共に導体部分４および
５′をストリップ６１上を交差するワイヤ６２で相互接
続する。第６図は本発明サスベンデッドストリップラィ
ンのペンドの他の例を示す。

これら両例の各ペンドの利点は、ベンドの電気通路長が
両ストリップ導体に対し同一であるため、両ストリップ
導体上の電気現象間の位相偏差が阻止される点にある。
第７図は導体８および９を具える第２サスベンデツドマ
イクロストリップラインをクロスオーバする導体４およ
び５を具える第１サスベンデッドマイクロストリップラ
インを示す。これらＳＯＭラインの導体４−５および８
−９はクロスオーバ部付近で、幅狭にすると共に、両導
体間のギャップを減少させてＳＯＭラインの特性インピ
ーダンスを同一値に維持する。ＳＯＭライン４一５はク
ロスオーバ部においてＳＯＭライン８一９の幅より大き
な距離に亘つて切断する。各導体４および５のクロスオ
ーバ部の両側部分をそれぞれのワイヤ６２で相互接続す
る。この構成は２対のストリップ導体の相互作用部分が
極めて小さいために、良好な滅結合が得られる利点を有
する。マイクロストリップラインはサスベンデツドマィ
クロストリップラインとして形成されるため、誘電体基
板３の第２主表面もマイクロ波構造用に用いることもで
きる。

これを利用してＴ分岐を構成することができる。Ｔ分岐
は電力分割器としておよびブリッジ回路に用いられる。
第８、第９および第１０図に示すＴ分岐においては誘電
体基板３上に設けられた導体を実線で、第２主表面上の
導体を破線で記号的に示す。導体間のギャップｓは寸法
通りに示してない。第８ａ図直列Ｔ分岐を示す。

この分岐においては基板３の第１主表面上において第１
導体対１２，１３を第１端子１０および第２端子１１に
接続し、第２導体対１６，１７を第３端子１４および第
４端子１５に接続する。第１、第２、第３および第４端
子は仮想の矩形のコーナに位置させ、第１および第２導
体対を整列させる。第３導体対１８，１９の一端を第２
端子１１および第４端子１５に接続し、池端を端子２６
および２７に接続し、この導体対は第１および第２導体
対に対し直角とする。第４導体対２２，２３を、第８ｂ
図に第８ａ図の肌Ｂ一柳Ｂ線上の断面図で示すように、
基板３の第２主表面上に第３導体対１８，１９と平行に
対向させて設ける。第４導体対２２，２３の一端を第６
端子２４および第５端子２０‘こ接続する。第３および
第４導体対１８，１９および２２，２３を動作周波数に
おいて４分の１波長の長さとする。第４導体対２２，２
３の他端を第３導体対１８，１９（例えば基板３の貫通
孔を経て）接続する。第６端子２４を端子１４に、第５
端子２０を端子１０１こ接続する。導体対１２，１３の
特性インピーダンスは導体対１６，１７の特性インピー
ダンスに等しくする。直列Ｔ分岐を電力分割器として用
いると、その動作は次の通りである。

信号源（図示せず）を導体対１８，１９の端子２６およ
び２７に接続すると、供給エネルギーは導体対１２，１
３と導体対１６，１７とに均等に分割される。逆の場合
はＴ分岐は次のように作動する。第１の波が導体対１６
，１７上を伝播し、第２の波が導体対１２，ｌ３上を伝
播して来ると、両波のベクトル差が端子２６および２７
に現われる。両波が等位相および等振幅のときは端子２
６および２７における信号は零になる。この直列Ｔ分岐
は、２対の４分の１波長導体１８，１３および２２，２
３によって１つの信号源が導体１２および１６間および
導体１３および１７間にあって互に独立に作動する２個
の信号源とみなせるようになる利点を有する。他の利点
は基板の両王表面を用いて平衡形のコンパクトなＴ分岐
が実現される点にある。

第８ｃ図は、第８ａ図の直列Ｔ分岐において第４端子１
５と第５端子２０との間に第１抵抗２１を、第２端子１
１と第６端子２４との間に第２抵抗２５を接続して得ら
れる平衡形直列Ｔ分岐（いわゆるＩＳＯ−ＴＥＥ）を示
す。

抵抗２４および２５は同一抵抗値を有する。これら抵抗
および３個のＳＯＭラインの特性インピーダンスを適切
に選択することによって分岐１２一１３および１６一１
７間を減結合することができる。不整合により発生され
る如何なる反射電力も抵抗２１および２５において消去
される。第９ａ図は並列Ｔ分岐を示す。

この分岐においては基板３の主表面上において、第１導
体対１２，１３を端子１０，１１に、第２導体対１６，
１７を端子１４，１５に接続する。第３導体対１８，１
９を端子１１，１５に接続すると共に導体対１２，１３
および１６，１７と直角にする。第４導体対２２，２３
を基板３の第２主表面上に、第９ｂ図に第９ａ図のＫＢ
−ＫＢ線上の断面図で示すように、第３導体対と対向さ
せて設ける。第４導体対２２，２３は４分の１波長の長
さとし、それらの一端を端子２０，２４に、他端を導体
１８，１９に接続する。端子２０は端子１川こ、端子２
４は端子１４に接続する。この並列Ｔ分岐の特性は第８
ａ図の直列Ｔ分岐について述べた特性と同様である。

第９ｃ図は、第９ａ図に示す並列Ｔ分岐の第４端子１５
と第５端子２０との間に第１抵抗２１を接続し、第２端
子１１と第６端子２４との間に第２抵抗２５を接続して
得られる平衡形並列Ｔ分岐を示す。

第１０図はいわゆるマジックＴを示す。

このマジックＴは第８ａ図に示す直列Ｔ分岐と第９ａ図
に示す並列Ｔ分岐とから成る。第１導体対１２，１３を
端子１０，１１に、第２導体対１６，１７を端子１４，
１５に接続する。第３導体対１８，２３は一端を端子１
１および１５に後続し、第４導体対１９，２２は一端を
端子１０，１４に接続する。第３および第４導体対は第
１および第２導体対に対し直角にする。導体１９および
２２は基板３の第２主表面上に設け、４分の１波長の長
さにすると共に、それらの他端を導体１８および２３に
接続する。第５導体対２８，２９は一端を端子１４，１
５に接続し、第６導体対３０，３１は一端を端子１０お
よび１１に接続する。第５および第６導体対は第１およ
び第２導体対に対し直角とする。導体３０，３１は基板
３の第２主表面上に設け、４分の１波長の長さにすると
共に他端を導体２８および２９に接続する。第１、第２
、第３および第４導体対は直列Ｔ分岐を、第１、第２、
第５および第６導体対は並列Ｔ分岐を形成する。マジッ
クＴは、１導体対内の波の反射が、他の導体対をそれら
の特性インピーダンスで終機すると零になる特性を有す
る。

更に、マジックＴは、導体対１６，１７を導体対１２，
１３から滅結合すると共に導体対２６，２７を導体対３
２，３３から滅結合する特性を有する。第１１図はサス
ベンデッドマィクロストリップライン用サーキュレータ
を示す。

このサーキュレータにおいては３対の導体４３，４４お
よび４５を互に１２０ｏの角度に配設し、図のように相
互接続する。フェライト円筒４６を３対の導体４３，４
４および４５の後続部に設ける。矢印の方向は、図示の
静磁界方では例えば導体対４３から接続部に入った波は
導体対４４から出ることを示す。第１２ａ図は広帯域可
動負荷インピーダンスを示す。

素抵抗Ｒ□を有する抵抗材料から成る１部が換形の形成
された部材５３を導体対４７，４８の上方に設ける。Ｓ
ＯＭライン（導体対４７，４８）と部材５３との間に非
導電性（即ち誘電材料の）板５２を設けてそれらの間の
直接接触を阻止する。都材５３の１部分を換形にしてＳ
ＯＭラインの良好な整合負荷を与えると共に、更にＳＯ
Ｍラインをその特性インピーダンス５１（Ｚｏｏ）で終
端して部材５５の後側（即ち部村５３の襖形でない端部
の後側）で反射が起らないようにする。第１２ｂ図は第
１２ａ図の皿Ｂ一皿Ｂ線上の断面図である。第１３ａ図
はサスベンデッドマィクロストリップライン用狭帯域可
動短絡回路を示す。

Ｕ字形導体５４を導体対４７，４８上に非導電板５６で
絶縁して設ける。ＳＯＭラインはその特性インピーダン
ス５１（Ｚめ）で終端してＵ字形導体５４の後側におけ
る反射を阻止又は減衰させる。Ｕ字形導体５６の脚部を
４分の１波長の長さにしてＳＯＭラインとＵ字形導体５
４との間を狭帯城に百つてＲＦ結合させる。第１３ｂ図
は第１３ａ図のＸｍＢ−ＸｍＢ線上の断面図である。

第１４ａ図はサスベンデッドマィクロストリップライン
用広帯域動短絡回路を示す。

導電ストリップ５５を導体対４７，４８上に設ける。Ｓ
ＯＭラインは特性インピーダンス５１（勿ｏ）で終端す
る。第１４ｂ図は第１４ａ図のＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ線上
の断面図である。

本発明は図示のマイクロ波回路にのみ限定されるもので
はない。

例えばフィル夕、減衰器および移相器も本発明サスベン
デッドマィクロストリップラインで実現することができ
る。本発明マイクロ波回路は例えば混合器や増幅器を実
現し得るショットキーバリヤダイオ−ドやトランジスタ
のような能動素子を含むこともできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は既知のサスベンデッドマィクロストリップライ
ンの断面図、第２図は本発明によるサスベンデツドマイ
クロストリップ回路の一例の断面図、第３図は第２図の
例に用いる金属面の一例の平面図、第４図は第２図の例
に用いるモード変換器の一例の平面図、第５図は本発明
によるサスベンデッドマイクロストリップ回路のペンド
の一例を示す平面図、第６図は該ペンドの他の例を示す
平面図、第Ｔ図は本発明による２個のサスベンデツドマ
イクロストリップラインのクロスオーバを示す平面図、
第８ａ図は本発明回路用直列Ｔ分岐の一例の平面図、第
８ｂ図は第８ａ図の皿Ｂ−側Ｂ線上の断面図、第８ｃ図
は第８ａ図の直列Ｔ分岐の変形例の平面図、第９ａ図は
本発明回路用並列Ｔ分岐の一例の平面図、第ｇｂ図は第
９ａ図のＫＢ−ＫＢ線上の断面図、第９ｃ図は第ｇａ図
の並列Ｔ分岐の変形例の平面図、第１０図は本発明回路
用マジックＴの一例の平面図、第１１図は本発明回路用
サーキュレータの一例の平面図、第１２ａ図は本発明回
路用負荷インピーダンスの一例の平面図、第１２ｂ図は
第１２ａ図の皿Ｂ−柳Ｂ線上の断面図、第１３ａ図は本
発明回路用短絡回路の一例の平面図、第１３ｂ図は第１
３ａ図のＸｍＢ−ＸｍＢ線上の断面図、第１４ａ図は本
発明回路用短絡回路の他の例の平面図、第１４ｂ図は第
１４ａ図の幻ＶＢ−幻ＶＢ線上の断面図である。 １，２・・・・・・金属面、３・・…・誘電体基板、４
，５・・・…第１、第２ストリップ導体、６…・・・導
電部分、７・・・・・・抵抗部分、６３…・・・ストリ
ップ導体、６４…・・・扇形導体、６５・・・・・・ス
ロットライン、６７，６８……終端インピーダンス、６
９・・・・・・接続導体、６１・・・・・・導体ストリ
ップ、６２・…・・ワイヤ、８，９……第２サスベンデ
ッドマィクロストリップライン、１２，１３……第１ス
トリップ導体対、１６，１７・・・・・・第２ストリッ
プ導体対、１８，１９・・・・・・第３ストリップ導体
対、２２，２３…・・・第４ストリップ導体対、２８，
２９…・・・第５ストリップ導体対、３０，３１・・・
・・・第６ストリップ導体対、１０，１１，１４，１５
，２０，２４，２６，２７，３３，３２・・・・・・端
子、２１，２５・・・・・・抵抗、４３，４４，４５・
・・・・・ストリップ導体対、４６・・・・・・フェラ
イト円筒、４７，４８・・・・・・ストリップ導体対、
５２・・・…非導電板、５３・・・・・・挟形抵抗部村
、５１・…・・終端インピーダンス、５４・・・・・・
Ｕ字形導体、５５・・・・・・導体ストリップ。 ＦＩＧ．ＩＦＩＧ．２ ＦＩＧ．３ ＦＩＧ．ム ＦＩＧ．５ ＦＩＧ．６ ＦＩＧ‐フ ＦＩＧ．８ａ ＦＩＧ．８ｂ ＦＩＧ．８ｃ ＦＩＧ．９ａ ＦＩＧ．９ｂ ＦＩＧ．９ｃ ＦＩＧ．１０ ＦＩＧ．１１ ＦＩＧ．１２ａ ＦＩＧ．１２ｂ ＦＩＧ．１３ａ ＦＩＧ．１３ｂ ＦＩＧ‐１ムａ ＦＩＧ・１４ｂ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ２個の平行金属面と、これら金属面間にこれら金属
   面と平行に配置された誘電体基板と、該基板の第１表面
   上に設けられた第１ストリツプ導体と、前記基板の第１
   表面上に第１ストリツプ導体から小距離離してこれと平
   行に設けられた第２ストリツプ導体と、第１および第２
   ストリツプ導体間に接続され波を奇モードでのみ発生す
   る対称供給源と、第１および第２ストリツプ導体間に接
   続された対称負荷とを具えることを特徴とするサスペン
   デツドマイクロストリツプ回路。 ２ 特許請求の範囲１記載のサスペンデツドマイクロス
   トリツプ回路において、前記対称供給源は非対称供給源
   と、基板の第２表面上に設けられた２個の導電面間に形
   成され、前記非対称供給源に結合されたスロツトから成
   るスロツトラインと、第１ストリツプ導体の一端と第２
   ストリツプ導体の対応する端との間を接続する第１表面
   上に設けられた接続導体とで構成されており、該接続導
   体は前記スロツトラインに対し対称に配置されていると
   共に該スロツトラインに結合されていてスロツトライン
   内の奇モードを排他的奇モードに変換するよう構成され
   ていることを特徴とするサスペンデツドマイクロストリ
   ツプ回路。 ３ 特許請求の範囲１又は２記載のサスペンデツドマイ
   クロストリツプ回路において、前記金属面は偶モードを
   減衰するよう導電部分と抵抗部分で構成されていること
   を特徴とするサスペンデツドマイクロストリツプ回路。 ４ 特許請求の範囲１記載のサスペンデツドマイクロス
   トリツプ回路において、当該マイクロストリツプライン
   のベンド部においては第１および第２ストリツプ導体が
   ベンド角の２等分方向にスロツトで切断され、第１スト
   リツプ導体と第２ストリツプ導体が交差接続されている
   ことを特徴とするサスペンデツドマイクロストリツプ回
   路。