DE2814022B2 - Schalteinrichtung für einen über seine Steuerelektrode abschaltbaren Gleichrichter - Google Patents

Schalteinrichtung für einen über seine Steuerelektrode abschaltbaren Gleichrichter

Info

Publication number
DE2814022B2
DE2814022B2 DE2814022A DE2814022A DE2814022B2 DE 2814022 B2 DE2814022 B2 DE 2814022B2 DE 2814022 A DE2814022 A DE 2814022A DE 2814022 A DE2814022 A DE 2814022A DE 2814022 B2 DE2814022 B2 DE 2814022B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rectifier
gto
thyristor
control electrode
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2814022A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2814022A1 (de
DE2814022C3 (de
Inventor
Hans Werner Morristown N.J. Becke
Martin Aaron Scottsdale Ariz. Kalfus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE2814022A1 publication Critical patent/DE2814022A1/de
Publication of DE2814022B2 publication Critical patent/DE2814022B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2814022C3 publication Critical patent/DE2814022C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/73Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/73Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
    • H03K17/732Measures for enabling turn-off

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zum Anlegen von Sperr- oder Abschaltsignalen an die Steuerelektrode eines über diese Elektrode abzuschaltenden steuerbaren Gleichrichters.
Unter den steuerbaren Siliziumgleichrichtern (im folgenden der Einfachheit halber kurz »Thyristoren« genannt) gibt es bestimmte Typen, bei denen die Unterbrechung des zwischen den Hauptanschlüssen fließenden Stroms (d. h. die Abschaltung) dadurch erreicht werden kann, daß man an die Steuerelektrode eine Vorspannung legt, die der zum Einschalten des Thyristors erforderlichen Vorspannung entgegengesetzt ist, so daß sie Ladungsträger fortnimmt anstatt sie zu injizieren. Diese über die Steuerelektrode abschaltbaren Thyristortypen, die gewöhnlich als GTO-Gleichrichter (»gate-turn-off« controlled rectifier) bezeichnet werden, sind im Handel erhältlich und z. B. in dem von der RCA-Corporation im August 1975 veröffentlichten »Thyristor and Rectifier Manual« beschrieben.
In der USA-Patentschrift 32 71700 ist eine ein einzelnes Halbleiterbauelement enthaltende Sperrschaltung zum Abschalten eines GTO-Gleichrichters beschrieben. Dieses Bauelement ist ein Thyristor, dessen Kathodenanschluß mit einem Punkt eines Abschalt-Bezugspotentials und dessen Anodenanschluß mit der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters gekoppelt ist und der an seiner eigenen Steuerelektrode ein Abschaltsignal empfängt Die erwähnte Schaltung enthält ferner einen im Kathodenkreis des GTO-Gleichrichters liegenden Speicherkondensator, um die Abschaltung zu verbessern, indem er eine Sperrvorspannung an den Anoden-Kathoden-Obergang des GTO-Gleichrichters legt, wenn der Thyristor geschaltet wird.
Zwei Probleme, die bei den bekannten thyristorgesteuerten Abschalteinrichtungen auftreten, sind die Notwendigkeit eines Speicherkondensators und die kritische Natur der Schaltcharakteristik des Thyristors. Die Notwendigkeit von Speicherkondensatoren ist ein offensichtlicher Nachteil, da solche Elemente teuer, räumlich droß und relativ wenig zuverlässig sind. Ein weiterer, weniger offensichtlicher Nachteil besteht darin, daß die Schalteigenschaften des Thyristors sorgfältig mit Rücksicht auf die Abschaltkennlinien des GTO-Gleichrichters ausgewählt werden müssen, da ansonsten kein zuverlässiger Betrieb erreicht werden kann. Wenn z. B. der nominelle Mindestwert der Anoden-Kathoden-Haltespannung des Thyristors größer ist als der nominelle Mindestwert der Abschaltspannung für den GTO-Gleichrichter, dann kann der Thyristor vor der vollständigen Abschaltung des GTO-Gleichrichters sperren, so daß dieser Gleichrichter seinerseits wieder leitend wird. Auf dieses Problem wird weiter unten noch näher eingegangen.
Bei einer anderen Ausführungsform einer Schaltung zürn Abschalten eines GTO-Gleichrichters, die ein einzelnes Halbleiterbauelement enthält, ist der Kollektor-Ernitter-Kreis eines Bipolartransistors so angeschlossen, daß er die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters auf Abschalt-Bezugspotential klemmt. In einem Aufsatz »Gate Turn Off SCR's« von K. P. Ohka und E. D. Lucas, Jr, (erschienen in Electronic Design, Nr. 26, 20. Dezember 1976, Seite 60 bis 63) ist eine Ausführungsform beschrieben, bei der ein in Emitterschaltung angeordneter NPN-Transistor kapazitiv mit der Steuerelektrode eines GTO-Gleichrichters gekoppelt ist. Neben dem offensichtlichen Nachteil einer kapazitiven Kopplung bringt die Abschaltung mittels eines Bipolartransistors noch das Problem, daß der Transistor fähig sein muß, den relativ starken Stromstoß zu leiten, der beim Abschalten von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters kommt Bipolartransistoren, die genügend starke Stromstöße aushalten können und ausreichend niedrige Sättigungsspannungen haben, sind relativ teuer und scheiden daher in der Praxis für viele Anwendungsfälle aus.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Nachteile des vorstehend genannten Standes der Technik durch Schaffung einer verbesserten Abschalteinrichtung für einen GTO-Gleichrichter zu überwinden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einer
Schalteinrichtung gemäß dem Patentanspruch 1 gelöst
Eine erfindungsgemäß ausgebildete Schaltungsanordnung, die einen GTO-Gleichrichter mit einer Sperroder Abschaltspannung abschalten kann, enthält einen Thyristor, der einen mit einem Punkt eines Abschalt-Be- ~> zugspotentials verbundenen Kathode) lanschluß, einen mit der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters verbundenen Anodenanschluß sowie eine Steuerelektrode aufweist. Parallel zur Anoden-Kathoden-Strecke des Thyristors liegt die Kollektor-Emitter-Strecke eines ι η Bipolartransistors, der zudem eine Basiselektrode aufweise Eine Eingangsschaltung spricht auf die Eingangsspannung an, um gleichzeitig einen begrenzten Schaltstrom an die Steuerelektrode des Thyristors und einen begrenzten Basisstrom an die Basiselektrode des ι > Bipolartransistors zu legen, wobei dieser begrenzte Basisstrom einen solchen Wert hat, daß der Kollektorspitzenstrom des Bipolartransistors auf einen Wert begrenzt wird, der niedriger ist, als der Anodenspitzenstrom des Thyristors während der Abschaltung des :o GTO-Gleichrichters.
Die Erfindung wird nachstehend an einem Ausfuhrungsbeispiel anhand von Zeichnungen näher erläutert.
F i g. 1 ist das Schaltbild einer gemäß dem Stand der Technik ausgebildeten Schaltung zum Betreiben eines :~> steuerbaren GTO-Siliziumgleichrichters;
F i g. 2 ist das Schaltbild einer Ausführungsform der Erfindung für die Anwendung in einer Schaltung zum Betreiben eines gesteuerten GTO-Siliziumgleichrichters; so
F i g. 3 zeigt die Strom/Spannungs-Betriebskennlinie für die in Fig.2 dargestellte Ausführungsform der Erfindung.
In der Anordnung nach F i g. 1 wird ein mit 1 bezeichneter steuerbarer, über seine Steuerelektrode r> abschaltbarer Siliziumgleichrichter (nachstehend kurz als GTO-Gleichrichter oder einfach als »GTO« bezeichnet) dadurch eingeschaltet, daß man einen Schalter 3 betätigt, um einen Stromweg zwischen einer Versorgungsklemme 9 und der Steuerelektrode des -to GTO-Gleichrichters 1 zu schließen. Die Klemme 9 empfängt eine Betriebsspannung + V, und mit dem Schließen des Stromweges über den Widerstand 11 und den Schalter 3 wird Strom an die Steuerelektrode geliefert, um den GTO-Gleichrichter 1 einzuschalten. « Wenn der GTO-Gleichrichter 1 so eingeschaltet ist, ist der relative Widerstandswert seines Hauptstromwegs zwischen Anode und Kathode wesentlich vermindert, so daß Strom Il von der Klemme 9 über diesen Hauptstromweg zur Last 13 fließen kann. Sobald ein ">o GTO-Gleichrichter durch Anlegen eines Einschaltsignals an seiner Steuerelektrode eingeschaltet ist, kann das Einschaltsignal fortgenommen werden, ohne daß dadurch die Stromleitung über den Hauptstromweg unterbrochen wird. Dies ist ein charakteristisches η Merkmal des GTO-Gleichrichters und anderer Bauelemente, die zur Familie der sogenannten Thyristoren gehören. Im normalen Betrieb der gezeigten Schaltung kann also nach dem Einschalten de? GTO-Gleichrichters 1 der Schalter 3 in seine neutrale Stellung w zurückgebracht werden, bei welcher die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters ohne Anschluß ist
Zum Abschalten des GTO-Gleichrichters 1 wird der Schalter 3 in eine Stellung gebracht wo er den Stromweg zwischen der Steuerelektrode des GTO und h > einem mit der Klemme 20 verbundenen Bezugspotential schließt. Beim hier betrachteten Beispiel ist dieses Bezugspotential das Massepotential. In diesem Zustand der Schaltung wird ein merklicher Anteil des über die Anode des GTO-GJeichrichters 1 fließenden Stroms von der Kathode ferngehalten und zur Steuerelektrode und Masse geleitet Der nach Masse fließende Steuerelektrodenstrom nimmt beim Sperren des GTO-Gleichrichters 1 schnell ab und vermindert sich auf praktisch 0, wenn der GTO-Gleichrichter 1 abgeschaltet ist Wenn der GTO-Gleichrichter 1 wie beim dargestellten Beispiel eine Kathodenlast 13 mit kapazitiver Komponente aufweist dann hat bei niedrigeren Werten des Steuerelektroden-Abschaltstroms die abnehmende Spannung an der Last 13 zur Folge, daß diese Last wie eine Batterie wirkt, indem sie die Lieferung von Abschaltstrom unterstützt und den Kathoden-Steuerelektroden-Übergang des GTO-Gleichrichters 1 in Gegenrichtung vorspannt
Bei den derzeit verfügbaren GTO-Gleichrichtern muß die Steuerelektrode direkt nach erfolgter Abschaltung des GTO auf einen Spannungspegel geklemmt werden, der nahe (innerhalb etwa 0,25 Volt) der an der Kathode herrschenden Spannung (Massepotential im Falle des GTO-Gleichrichters 1) liegt um die vollständige Abschaltung sicherzustellen, denn ansonsten würden der GTO-Gleichrichter 1 erneut eingeschaltet werden. Ferner sei erwähnt daß der von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters anfänglich fließende Abschaltstrom sehr hoch ist und für eine Dauer von 10 bis 20 Mikrosekunden eine Stärke haben kann, die etwa 80% des Laststroms Il entspricht Wie erwähnt nimmt dieser Sperrstrom an der Steuerelektrode schnell ab, und im abgeschalteten Zustand des GTO-Gleichrichters 1 fließt nur noch ein sehr kleiner Leckstrom von der Anode zur Steuerelektrode nach Masse.
In der Anordnung nach F i g. 2 ist der Schalter 3 durch eine elektronische Schaltung ersetzt, die zum Einschalten und Abschalten des GTO-Gleichrichters 1 dient. Einer Einschaltklemme 15 ist ein positiver Impuls zuführbar, um einen Transistor 17 einzuschalten. Wenn der Transistor 17 in dieser Weise eingeschaltet ist, liegt an demjenigen Ende eines Widerstands 11, das von dem mit der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 verbundenen Ende entfernt ist, die Betriebsspannung + V. Somit fließt Strom über den Widerstand 11 in die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1, womit dieser eingeschaltet wird und einen Strom Il zur Last 13 leitet
In der Anordnung nach Fig.2 könnte der Thyristor 21 fortgelassen werden und der Transistor 19 allein dazu verwendet werden, den GTO-Gleichrichter 1 abzuschalten. Hierzu würde man ein positiv gerichtetes Abschaltsignal an die Klemme 25 legen, um den Transistor 19 einzuschalten und dadurch die Impedanz zwischen seiner Kollektor- und seiner Emitterelektrode wesentlich zu vermindern, so daß die Steuerelektrode des GTO-GIeichrichters 1 praktisch mit Masse verbunden wird. Falls der Betrag des Laststroms Il ziemlich hoch ist ungefähr 30 Ampere, dann werden z. B. etwa 12 bis 24 Ampere negativen Steuerelektrodenstroms von der Steuerelektrode des GTO-Gleichers 1 in die Stromeingangsklemme 23 und über den Transistor 19 nach Masse fließen. Obwohl dieser relativ hohe negative Strom wie oben erwähnt schnell absinkt muß der Transistor 19 einen solchen starken Stromstoß jedoch ohne Beschädigung aushalten können, und zwar bei sehr niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Ein dieser Anforderung erfüllender Transistor wäre relativ teuer, wenn er auch fähig ist, den GTO-Gleichrichter 1 abzuschalten und die Steuerelektrode auf etwa 0,2 Volt
zu klemmen, um mit Sicherheit eine Wiedereinschaltung des GTO-Gleichrichters 1 zu verhindern. Die Verwendung eines einzigen Transistors zum Abschalten eines GTO-Gleichrichters in dieser Weise ist jedoch für viele Anwendungsfälle, bei denen Lastströme hohen Betrags geleitel werden müssen, unwirtschaftlich.
Wie es bereits beim oben genannten Stand der Technik versucht wurde, könnte man den Transistor 19 fortlassen und allein einen Thyristor 21 verwenden, um den GTO-Gleichrichter 1 abzuschalten. In einem solchem Fall müßte man der Klemme 25 ein positives Abschaltsignal anlegen, welches zur Steuerelektrode des Thyristors 21 gelangt und diesen einschaltet. Hiermit wird die impedanz zwischen der Anode und der Kathode des Thyristors 21 wesentlich vermindert, so daß ein Abschaltstrom von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 über den Hauptstromweg zwischen Anode und Kathode des Thyristors 21 und den damit in Reihe liegenden Strombegrenzungswiderstand 27 nach Masse fließen kann. Obwohl bereits relativ billige Thyristoren wie der Thyristor 21 verhältnismäßig hohe Stromstärken leiten können, ist der Spannungsabfall an der Anoden-Kathoden-Strecke derzeitiger Siliziurnthyristoren in seinem Betriebsbereich auf einen Mindestwert von etwa 0,7 Volt, die sogenannte Haltespannung, begrenzt. Wenn die Spannung zwischen der Anoden- und Kathodenstrecke eines Thyristors unter diese Haltespannung absinkt, kann der Thyristor seine Leitfähigkeit nicht beibehalten und schaltet ab, wodurch die Impedanz zwischen seiner Anode und Kathode wesentlich ansteigt Aus diesem Grund brachten die bisherigen Versuche, nur einen Thyristor in der beschriebenen Weise zur Abschaltung eines GTO-Gleichrichters zu verwenden, lediglich begrenzten Erfolg. Viele GTO-Gleichrichter lassen sich mit einer solchen Maßnahme niemals abschalten und wieder einschalten, weil der Thyristor unfähig ist die Spannung an der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters genügend weit auf etwa 0,25 Volt zu vermindern.
Die vorliegende Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß ein relativ billiger Transistor mit einem Thyristor kombiniert werden kann, um eine kombinierte Schaltanordnung zu schaffen, wie sie mit 29 in F i g. 2 bezeichnet ist Die kombinierte Schaltanordnung 29 kann entweder aus diskreten Bauelementen oder als integrierte Schaltung hergestellt werden. Wie dargestellt, ist der zwischen Kollektor und Emitter liegende Hauptstromweg des Transistors 19 parallel zu dem zwischen Anode und Kathode liegenden Hauptstrorr.weg des Thyristors 21 iingeordnet wobei dem Hauptstromweg des Thyristors 21 noch ein Strombegrenzungswiderstand in Reihe geschaltet ist Ein Vorspannungswiderstand 31 ist so dimensioniert daß bei einem vorbestimmten Wert einer an die Eingangsklemme 25 gelegten positiven Spannung der Transistor 19 eingeschaltet wird und der Maximalwert des von seinem Hauptstromweg geleiteten Stroms Ice auf ein Maß Icemax begrenzt wird. Die Widerstände 33 und 35 sind so dimensioniert, daß bei einem vorbestimmten Wert des an die Eingangsklemme 25 angelegten Eingangs- oder Schaltsignals an der Steuerelektrode des Thyristors 21 eine Einschaltspannung: ausreichend hoher Amplitude erscheint, um diesen Thyristor einzuschalten. Alternativ könnte die Abschaltung natürlich auch durch zwei simultan geschaltete Konstantstromquellen gesteuert werden, deren eine anstelle des Widerstands 31 den Basisstrom für den Transistor 19 liefert und deren andere anstelle der spannungsteilenden Widerstände 33 und 35 den Steuerstrom für den Thyristor 21 liefert. Diese Stromquellen könnten z. B. die Kollektorelektroden von PNP-Bipolartransistoren sein, die so angeordnet sind, daß sie sich simultan ein- und ausschalten lassen.
r> Die in Fig.3 dargestellte Betriebskennlinie für die kombinierte Schaltanordnung 29 zeigt, daß wenn an die Klemme 23 eine Stromquelle angeschlossen ist und der Eingangsklemme 25 das vorbestimmte Eingangssignal zum Einschalten des Thyristors 21 und des Transistors
ίο 19 angelegt wird, der Thyristor 21 für Stromwerte von mehr als Icemax der vorherrschende Stromleiter ist. Natürlich leitet der Transistor 19 in diesem Betriebsbereich der kombinierten Schaltanordnung 29 seinen Maximalstrom Icemax· Da der Betrag des von der an die Klemme 23 angeschlossenen Stromquelle kommenden Stroms auf Icemax absinkt beansprucht die bleibende Kollektorstromnachfrage des Transistors 19 einen größer werdenden Anteil des zur Klemme 23 gelieferten Stroms für sich. Wenn dieser Strom auf weniger als
Icemax abgesunken ist steht kein Strom mehr zur Verfügung, der von der Anode zur Kathode des Thyristors 21 fließen könnte. Die Anoden-Kathoden-Spannung des Thyristors 21 fällt unter den Wert der Haltespannung Vh (vergleiche F i g. 3), die zum Leitend halten des Thyristors 21 erforderlich ist so daß der Thyristor 21 abschaltet Es sei erwähnt daß die Betriebskennlinie für einen Thyristor wie der Thyristor 21 im wesentlichen den Teil des durchgezogenen Kurvenstücks enthält wo der Thyristor den vorherr-
3« sehenden Stromleiter bildet Die Kurvenschar direkt bei und unterhalb des Stromwerts Icemax stellt das Kennlinienfeld für einen Transistor 19 dar. Somit ist die Betriebskennlinie für die kombinierte Schaltanordnung 29 die mit A bezeichnete Kurve.
'>'■> Die F i g. 2 zeigt die Schaltung 29 in ihrem Einsatz als Abschalteinrichtung für den GTO-Gleichrichter 1. Im Betrieb wird der GTO-Gleichrichter 1 wie oben beschrieben dadurch eingeschaltet daß an die Klemme 15 ein Einschaltsignal gelegt wird, das den Transistor 17
4(i leitend macht um eine positive Spannung an die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 zu legen. Einmal eingeschaltet bleibt der GTO-Gleichrichter 1 im leitenden Zustand, auch nachdem das Einschaltsignal von der Klemme 15 fortgenommen und dadurch der Transistor 17 ausgeschaltet ist Um den GTO-Gleichrichter 1 abzuschalten, wird an die Klemme 25 der kombinierten Schaltanordnung 29 ein Abschaltsignal gelegt das den Thyristor 21 und den Transistor 19 leitend macht Der Thyristor 21 leitet dann praktisch sofort einen starken Strom von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 zur Klemme 20, die an ein Bezugspotential (hier das Massepotential) angeschlossen ist Gleichzeitig leitet der Transistor 19 seinen vorbestimmten Maximalstrom Icemax von der Steuer elektrode des GTO-Gleichrichters 1 nach Masse. Wie oben beschrieben, sinkt der aus der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 gezogene und anfänglich mil relativ hohem Betrag stoBartig begonnene Stroir schnell ab, wenn der GTO-Gleichrichter 1 zu sperrer beginnt Wenn dieser von der Steuerelektrode de: GTO-Gleichrichters 1 kommende Abschaltstrom au einen Wert unterhalb Icemax absinkt dann fällt di< Spannung am Hauptstromweg des Transistors 19 untei den Wert der Haltespannung Vh des Thyristors 21, w daß der Thyristor abschaltet Wenn der aus de Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 gezogem negative Steuerstrom oder Abschaltstrom weite absinkt vermindert sich die Spannung an dem diesel
Strom leitendem Hauptstromweg des Transistors 19 weiter bis auf einen relativ niedrigen Wert von etwa 0,2 Volt. Wenn der GTO-Gleichrichter 1 völlig abgeschaltet hat, dann ist der über den Transistor 19 fließende Steuerstrom lgq des GTO-Gleichrichters praktisch auf 0 abgesunken, und der Transistor 19 klemmt nun die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 auf etwa 0,2 Volt und stellt somit sicher, daß sich der GTO-Gleichrichter nicht wieder einschalten kann. Das an die Klemme 25 gelegte Abschaltsignal kann jetzt fortgenommen werden, weil die Abschaltung des GTO-Gleichrichters 1 nun vollständig durchgeführt ist. Es sei noch erwähnt, daß die kombinierte Schaltanordnung 29 den GTO-Gleichrichter 1 auch dann abschalten kann, wenn dessen Kathode direkt mit der Klemme 20 verbunden ist und die Last 13 an anderer Stelle liegt, z. B. zwischen der Klemme 19 und der Anode des GTO-Gleichrichters 1.
Beim dargestellten Ausführungsbeispiel werden Widerstände 31 und 33 verwendet, um einen begrenzten Basisstrom für den Transistor 19 und einen begrenzten Steuerstrom für den Thyristor 21 zu liefern. Es können jedoch statt dessen auch andere strombegrenzende Elemente verwendet werden, z. B. die oben erwähnten beiden simultan geschalteten Konstantstromquellen. Welchen Weg man auch immer wählt, vorteilhaft ist es jedoch, daß der Eingangskreis auf die an der Klemme 25 angelegte Eingangsspannung anspricht, um gleichzeitig einen begrenzten Schaltstrom an die Steuerelektrode des Thyristors 21 und einen begrenzten Basisstrom an die Basiselektrode des Bipolartransistors 19 zu liefern, wobei der begrenzte Basisstrom einen solchen Wert hat, daß er den Spitzenwert des Kollektorstroms des Bipolartransistors auf ein Maß begrenzt, das kleiner ist, als der Spitzenwert des Anodenstroms des Thyristors während des Abschaltvorgangs des GTO-Gleichrichters.
Bei dem speziellen Ausführungsbeispiel nach F i g. 2 dient die durch den Widerstand 33 dargestellte Impedanz zwischen der Eingangsklemme 25 und der Steuerelektrode des Thyristors 21 erstens zum Leiten des Schaltstroms des Thyristors zwischen diesen beiden Punkten und zweitens zum Begrenzen des Betrags des Schaltstroms, um die der Klemme 25 durch die Steuerelektrode des Thyristors 21 dargebotene Impedanz effektiv zu erhöhen. Mit dieser Maßnahme wird verhindert, daß der Thyristor 21 zu viel Strom an sich reißt, denn der Steuerkreis des Thyristors könnte infolge seiner relativen Niederohmigkeit einen unverhältnismäßig hohen Anteil des zur Klemme 25 gelieferten Stroms wegnehmen, so daß nicht mehr genügend Strom für die gewünschte Ansteuerung der Basis des Transistors 19 übrigbleibt.
Auch die durch den Widerstand 31 dargestellte Impedanz zwischen der Eingangsklemme 25 und der Basis des Bipolartransistors 19 erfüllt die Funktion, den Transistorbasisstrom zwischen diesen beiden Punkten zu leiten, den Basisstrom auf einen gegebenen Wert zu begrenzen (um sicherzustellen, daß der Thyristor den Abschaltspitzenstrom befördert) und effektiv die Impedanz zu erhöhen, die der Eingangsklemme 25 durch die Basiselektrode des Bipolartransistors 19 dargeboten wird. Diese letztgenannte Funktion verhindert, daß der Transistor 19 das Abschaltsignal an sich reißt, wie es ansonsten zu befürchten wäre, weil der Transistor 19 infolge seiner Anordnung in Emitterschaltung eine relativ niedrige Basiseingangsimpedanz hat.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Schalteinrichtung für einen in Reihe mit einer Last liegenden steuerbaren und über seine Steuerelektrode abschaltbaren Gleichrichter (»GTO-Gleichrichter«), mit einer Abschaltanordnung, die an die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters gekoppelt ist, um dort ein Abschaltsignal anzulegen, wobei ein Thyristor oder ein Bipolartransistor als Steuerelement mit seiner Hauptstromstrecke zwischen der erwähnten Steuerelektrode und einem Abschalt-Bezugspotential liegt und auf eine Eingangsspannung anspricht, um die Steuerelektrode mit dem Abschaltpotential zum Abschalten des GTO-Gleichrichters zu koppeln, dadurch gekennzeichnet, daß als Steuerelement sowohl ein Thyristor (21) als auch ein Bipolartransistor (19) mit einander parallelgeschalteten Hauptstromstrecken vorgesehen sind, wobei die Kathode des Thyristors mit dem Abschaltpotential (20) und seine Anode mit der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters (1) gekoppelt ist, und daß die Steuerelektrode des Thyristors (21) und die Basiselektrode des Bipolartransistors (19) mit einer durch die Eingangsspannung steuerbaren Eingangsschaltung verbunden sjnd, welche diesen Elektroden derart bemessene Steuerströme zuführt, daß während des Abschaltens des GTO-Gleichrichters (1) der Kollektorspitzenstrom des Bipolartransistors (19) auf einen niedrigeren Wert als der Anodenspitzenstrom des Thyristors (21) begrenzt wird.
2. Schalteinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsschaltung (25—35) je eine zwischen ihre Eingangsklemme (25) für die Eingangsspannung und die Steuerelektrode des Thyristors (21) bzw. die Basiselektrode des Bipolartransistors (19) geschaltete Impedanz (31 bzw. 33) enthält und daß diese Impedanzen so bemessen sind, daß sie den Steuerelektrodenstrom bzw. den Basiselektrodenstrom entsprechend dem gewünschten Anoden- bzw. Kollektorspitzenstrom begrenzen.
3. Schalteinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen die Eingangsklemme (25) und die Steuerelektrode des Thyristors (21) geschaltete Impedanz (33) einen Teilwiderstand eines Spannungsteilers bildet, dessen anderer Teilwiderstand (35) zwischen die Steuerelektrode und das Abschaltpotential (20) geschaltet ist.
4. Schalteinrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode des Thyristors (21) über einen Widerstand (27). auf das Abschaltpotential (20) geführt ist.
DE2814022A 1977-03-31 1978-03-31 Schalteinrichtung fUr einen über seine Steuerelektrode abschaltbaren Gleichrichter Expired DE2814022C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/783,219 US4117350A (en) 1977-03-31 1977-03-31 Switching circuit

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2814022A1 DE2814022A1 (de) 1978-10-05
DE2814022B2 true DE2814022B2 (de) 1979-08-09
DE2814022C3 DE2814022C3 (de) 1980-04-10

Family

ID=25128542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2814022A Expired DE2814022C3 (de) 1977-03-31 1978-03-31 Schalteinrichtung fUr einen über seine Steuerelektrode abschaltbaren Gleichrichter

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4117350A (de)
JP (1) JPS53123062A (de)
DE (1) DE2814022C3 (de)
FR (1) FR2386196A1 (de)
GB (1) GB1599261A (de)
IT (1) IT1093945B (de)
SE (1) SE417390B (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2825794C2 (de) * 1978-06-13 1986-03-20 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Abschaltbarer Thyristor
US4250409A (en) * 1979-12-28 1981-02-10 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Control circuitry using a pull-down transistor for high voltage field terminated diode solid-state switches
JPS6053488B2 (ja) * 1980-12-29 1985-11-26 株式会社日立製作所 ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路
US4520277A (en) * 1982-05-10 1985-05-28 Texas Instruments Incorporated High gain thyristor switching circuit
JPS58222774A (ja) * 1982-06-16 1983-12-24 Internatl Rectifier Corp Japan Ltd ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト駆動回路
DE3230714A1 (de) * 1982-08-18 1984-02-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiter mit einem abschaltbaren thyristor und einem abschaltstrompfad
DE3230741A1 (de) * 1982-08-18 1984-02-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren thyristor
JPS60208119A (ja) * 1984-03-30 1985-10-19 Hitachi Ltd 容量性負荷の駆動回路
DE3444778A1 (de) * 1984-12-05 1986-06-05 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anordnung zur steuerung von hochleistungs-gto-thyristoren
EP0256426A1 (de) * 1986-08-18 1988-02-24 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zur Aufrechterhaltung des sperrenden Schaltzustandes eines abschaltbaren Thyristors
JPS63242022A (ja) * 1987-03-28 1988-10-07 Hitachi Ltd 半導体スイツチング回路
JP2520765B2 (ja) * 1990-05-25 1996-07-31 三菱電機株式会社 ドライブ回路
JPH0668201U (ja) * 1991-07-22 1994-09-22 日本化学発光株式会社 化学発光体
US9653913B2 (en) * 2015-02-17 2017-05-16 Littelfuse, Inc. Resistance change device providing overcurrent protection

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3439189A (en) * 1965-12-28 1969-04-15 Teletype Corp Gated switching circuit comprising parallel combination of latching and shunt switches series-connected with input-output control means
US3491255A (en) * 1967-04-17 1970-01-20 Nasa Scr blocking pulse gate amplifier
GB1201653A (en) * 1967-06-09 1970-08-12 Welding Inst Improvements relating to pulse welding circuits
US3694670A (en) * 1971-10-26 1972-09-26 Joseph M Marzolf Easily switched silicon controlled rectifier
GB1430637A (en) * 1972-05-15 1976-03-31 Sony Corp Switching circuits comprising a gate controlled switching device
US4001607A (en) * 1975-06-09 1977-01-04 Rca Corporation Drive circuit for a gate semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
SE417390B (sv) 1981-03-09
GB1599261A (en) 1981-09-30
DE2814022A1 (de) 1978-10-05
FR2386196B1 (de) 1980-04-11
FR2386196A1 (fr) 1978-10-27
SE7803443L (sv) 1978-10-01
JPS53123062A (en) 1978-10-27
DE2814022C3 (de) 1980-04-10
IT1093945B (it) 1985-07-26
US4117350A (en) 1978-09-26
IT7821737A0 (it) 1978-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2638178C2 (de) Schutzvorrichtung für integrierte Schaltungen gegen Überspannungen
DE3046266A1 (de) Hochspannungs-hochstrom-festkoerper-schaltanordnung und verfahren zum beschraenken einer ersten schaltvorrichtung
DE3420008A1 (de) Verfahren und anordnung zum gesteuerten schalten von nichtregenerativen leistungshalbleitervorrichtungen
DE19746112A1 (de) Stromrichteranordnung
DE2814022B2 (de) Schalteinrichtung für einen über seine Steuerelektrode abschaltbaren Gleichrichter
DE3019262A1 (de) Schaltvorrichtung und verfahren zu deren betrieb
DE2324252A1 (de) Elektronischer schalter
DE2814021C3 (de) Schaltungsanordnung für einen steuerbaren Gleichrichter, der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist
DE2809439A1 (de) Schaltungseinrichtung zur steuerung des basisstromes eines als schalttransistor betriebenen leistungstransistors
DE1952576A1 (de) Schaltvorrichtung fuer einen Lastkreis
DE2842726C3 (de) Schaltungsanordnung mit einem Hochspannungsleistungstransistor
DE2347483C3 (de) Sperrschwinger
DE3420003A1 (de) Anordnung zum verhindern uebermaessiger verlustleistung in einer leistungsschalthalbleitervorrichtung
DE2907673A1 (de) Schaltungsanordnung zur ansteuerung eines bistabilen relais
DE2558489A1 (de) Speicher
DE1763492C3 (de) Fühleinrichtung für die Strombegrenzungseinrichtung einer Regeleinrichtung
DE2702493B2 (de) Thyristor-Schalter mit einem über seine Steuerelektrode ausschaltbaren Thyristor
DE2719001B2 (de) Ablenkschaltung für einen Fernsehempfänger
DE2030135C3 (de) Verknüpfungsschaltung
AT332915B (de) Schaltungsanordnung fur die umsteuerung einer last
DE3539379C2 (de) Monolithisch integrierte Steuerschaltung für die Umschaltung von Transistoren
DE2753915A1 (de) Schaltungsanordnung mit einem hochspannungsleistungstransistor
DE3246810C2 (de)
DE19612365A1 (de) Gleichspannungs-Abwärtswandler für hohe Eingangsspannungen
DE2930216C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee