DE1952576A1 - Schaltvorrichtung fuer einen Lastkreis - Google Patents
Schaltvorrichtung fuer einen LastkreisInfo
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Description
HÖGER-STELLRECHT-GRIESSBACH-HAECKER
tj-642b - 1952576
13.Oktober 1969 ·
Texas Instruments Incorporated
Dallas /Texas, U.S.A. 13500 North Central Expressway
Schaltvorrichtung für einen Lastkreis.
Die Erfindung betrifft eine Schaltvorrichtung für einen Lastkreis mit einer Serienschaltung aus einem Halbleiterschalter
mit Zündcharakteristik und einem zweiten Schalter,
wobei der Lastkreis insbesondere eine Induktivität enthält. . "'<
.
Gesteuerte Siliziumgleichrichter und ähnliche bistabile
Vierschichttränsistoren, beispielsweise Tyrißtoren werden
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ihrer Eigenschaften wegen (niedrige Kosten vergl. mit Lei-Btungstransistoren)
häufig und gerne dort benutzt, wo größere lasten zu- und abgeschaltet werden müssen. Verstärkungsgrad und Sättigungsspannung, die bei Transistoren in solchen
Anwendüngsfallen von entscheidender Wichtigkeit sind, bil- .
den bei der Anwendung gesteuerter Siliziumgleichrichter keine Einschränkung, Überdies zeigt ein Kostenvergleich, dass gesteuerte
Siliziumgleichrichter, ein besseres Sperrspannungsverhalten
als entsprechende Transistoren aufweisen.
m Während nun* jedoch gesteuerte Siliziumgleichrichter durch
einen Triggeretrom durch ihren Steuereingang leicht gezündet
und damit in den Leitzustand versetzt werden können,
bildet ihre Abschaltung gewisse Schwierigkeiten. Liegt der gesteuerte Siliziumgleiehrichter in einem wechselstromgespeisten
Lastkreis, ist eine Abschaltung problemlos, da der Haltestrom des gezündeten Gleichrichters zur Zeit des Nulldurchgangs
des Wechselstroms aufhört, sobald die Brennspannung unterschritten wird. In solchen Anwendungsfällen kehrt
also der gesteuerte Siliziumgleichrichter zur Zeit des Nulldurchgangs automatisch in den nicht leitenden hochohmigen
Zustand zurück. Eine solche Phasenanschnittsteuerung
ist jedoch nur bei Wechselstromkreisen möglich, während man
F bei Gleichstromkreisen dazu übergehen muss, einen Gleichströme aohaltendeni gesteuerten Siliziumgleiehrichter
. durch zusätzliche Hilfsmittel zum Abschalten zu bringen,
beispieleweiee duroh zusätzliche Schalter· oder durch eine
an den Steuereingang des gesteuerten Siliziumgleichrichters gelegte umgekehrt gepolte Abschaltspannung.
Die letztere Möglichkeit des Abschaltens gesteuerter Gleichriohter
duroh eine Abschaltspannung ο.dgl. am Steuereingang
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(controlled switches, GCS) ist bis Jetzt nur bei geringeren Lastströmen möglich, da die Abschaltleistimg solcher Sperrmittel
am Steuereingang relativ hoch sein muss und überdies die Herstellungskosten solcher gesteuerter Gleichrichter
beträchtlich sind.
Schaltet man nun zur Abschaltung eines g'leichströraführenden,
gesteuerten Silizi-umgleichrichters einen anderen Schalter,
beispielsweise einen Halbleiterschalter, in Serie zum ge- ■
steuerten Gleichrichter, ergeben sich insbesondere bei der schnellen Abschaltung induktiver Lasten hohe Spannungsspitzen,
die zur Zerstörung des in Reihe zum gesteuerten Gleichrichter liegenden zweiten Schalters führen können«
Aufgabe der Erfindung ist es nun, eine Steuervorrichtung für zwei in Reihe geschaltete Schalter, die einen Sleichstromlastkreis
zu- und abschalten, zu entwickeln, die ein Auftreten von die Schalter möglicherweise zerstörenden Energien
vermeidet.
Diese Aufgabe wird für die Schaltvorrichtung der eingangs erwähnten
Art gemäss der vorliegenden Erfindung dadurch gelöst, dasB die Zündelektrode des Halbleitersehalters an einen für
den Stromstoss beim Unterbrechen des Lastkreises niederohmigen
Stromableitungspfad angeschlossen ist, der parallel zum zweiten Schalter liegt.
Durch die Erfindung wird der Vorteil erzielt, dass beide
Schalter aus einfachen und billigen Bauelementen bestehen können, indem der erste Scualter ein einfacher gesteuerter
Gleichrichter und der zweite Schalter beispielsweise ein
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einfacher Transistor sein kann. Ein weiterer Vorteil ist,
dass die Steuerieingänge beider Schalter wahlwiese ein gemeinsames Steuersignal oder an zwei voneinander unabhängige
Bin- bzw* -Ausst^eiAerungssignale Verbunden sein können.
Zweckfflässigerwelse.dient die erfindungsgemässe Schaltvorrichtung
für Gleichstromlaetkr eise zur Schaltung hoher Ströme
bei hohen Spannungen. Babel ist die Tatsache hervorzuheben,
dass bei yerwendung eines Transistors als zweitem Schalter
eine Type gewählt werden kann, die nur eine relativ niedrige
Betriebsspannung haben muss. In einer Vorzugsweisen Schaltung
der Erfindung ist eine Serienschaltung aus einer insbesondere
niederohmigen la?t, dievorzugsweise induktiv ist, aus einem
gesteuerten Halbleitergleichriehter und aus einem Transistor
an eiiae moglieherv/eise hohe Grleichspannung angeschlossen*
Bine yorriclitüng ist vorgesehen, mittels der ein Triggerstrom
zurZilnüelektrode des geeteuerten Halbleitergleiohrichier
geführt wird. Sine weitere Vorrichtung verursacht, dass der Transistor öffnet und schliesst, indem sie die Basies
jäie^es Traüsistors entsprechend beaufschlagt. Eine
dritte'Vorrichitung sorgt schliesslich dafür, dass im Aügenblick
des Absehaltens des Transistors und damit der Sperrung
des £astkreisee, der noch verbleibende Laststrom über die
Zündelektföde'des gesteuerten Gleichrichters niederohmig abgezögen/wird*
.; .
.dient, "die erfindungsgemässe Sohaltvorrichtung
zur Schali;¥ng von lasten mit 500 Volt-Ampere oder mehr,
wobei gesteuerte Silizlumgleichrichter zum Einsatz gelangen, beieplelsweise .also zur Horizontälablenksteuerung von Fern- .;
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Weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung können den
beigefügten Ansprüchen und/oder der folgenden Beschreibung entnommen werden, die der Erläuterung von in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispielen der Erfindung dient.
Die Pig, 1 bis 5 zeigen Stromlaufpläne fünf verschiedener
Ausführungsbeispiele der Erfindung. Hierbei stellt die Pig.3eine Modifikation
des Beispiels der Pig.2 und die Pig.5 eine Modifikation des Ausführungsbeispiels
der Pig.4 dar.
In Pig,1 führen Leitungen L1, 12 zu einem ersten Ausführungsbeispiel
der Erfindung, durch welches die Leitungen L1, L2 miteinander verbunden oder voneinander getrennt werden
können. Eine der Leitungen L1, L2, vorzugsweise die
Leitung L1, führt dabei zu der zu schaltenden Last, während die andere Leitung, vorzugsweise die Leitung L2, einfachheitshalber an Massepotential gelegt ist. Die einen hohen
Strom durch die Last treibende Spannung entstamme einer Quelle von etwa 500 VA oder mehr Leistung, die einen relativ
hohen Strom und/oder eine hohe Spannung abzugeben vermag. . "
Ein gesteuerter Siliziumgleichrichter Q1 ist mit seiner
Anode an die Leitung L1, seiner Kathode an den Kollektor
eines Transistors Q2 und mit seinem Steuereingang an eine
Leitung 3 angeschlossen. Der Gleichrichter Q1 neige nicht
zu Kurzschlüssen zwischen Kathode und Steuereingang und weise Golddotierimg' auf, falls hohe. Schaltgeschwindigkeiten'
erforderlich werden, wie beispielsweise in der Größenordnung einer Mikrosekunde. Der gesteuerte Siliziumgleichrioh-
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ter Q1 hat Zündcharakteristik und kann beispielsweise auch
durch einen Vierschichttransistor oder Tyristor dargestellt werden, " . '
Ein mit dem Gleichrichter Q1 in Serie liegender Transistor
Q2 ist vom npn-Typ und vorzugsweise, ein Schalttransistor.
Sein Emitteranschluss ist mit Masse und der Leitung L2, sein Basisanschluss über eine Diode D1 mit der Leitung 3 verbunden.
Die Leitung 3 führt an einen Anschluss 1. Ldzterer
stellt den Ausgang einer Signalquelle dar, die ein Signal aussendet, das mit seiner Vorderflanke den Gleichrichter Q1
triggert und den Transistor Q2 öffnet, mit seiner Rückflanke jedoch den Transistor Q2 wiederum sperrend macht.
Während der Zeit also, in der das Signal vorhanden ist, wird
die Last vom Laststrom durchflossen. Die Signalquelle weist einen niedrigen Ausgangswiderstand auf, der durch den Ersatzwiderstand
RS (gestrichelt dargestellt) versinnbildlicht wird. Die Signalquelle kann somit eine Quelle niederen Widerstands
RS sein, beispielsweise eine Batterie oder ein Transistorausgang,
sie kann aber auch eine Quelle hohen Widerstands sein,
an deren Ausgänge ein Ausgangswiderstand RS parallel gelegt wurde. Der Widerstand RS liegt zwischen dem Anschluss 1 und
dem an Masse gelegten Emitter des Transistors Q2, Der Leitungspfad
aus der Leitung 3 und dem Ausgangswiderstand RS bildet einen niederohmigen Nebenschlusspfad zur Emitter-Kollektorβtreofce
des Transistors Q2. Der Zweck dieses NebenßQhl«BspffidB
eoll iin folgenden erklärt werden.
In der Beschreibung der Wirkungsweise βei davon ausgegangen,
dass die Schalter Q1, Q2 zunächst nicht stromführend seien '
unfl über die in der leitung L1 liegende Last positive Spannung
an die Anode des gesteuerten Silissiumgleichriohters Q1
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gelegt sei. Mit Erscheinen eines durch eine positive Spanining
dargestellten Signals am Anschluss 1 flieset ein Triggerstrom
auf der leitung 3, der den Gleicteienter QI ssiindet;
überdies f Messt ein Basis strom Über die Ü©öe Bt und
die Basis-Emitterstreeke des Transistors Q2, »©bei äer Basistrom
so lange anhält als das Signal andauert» Alb dem
Zeitpunkt des praktisch gleichzeitigen ZuschÄlteBö "beider
Schalter Q1, Q2 ist der Lastkreis auf "Ein"Ȇber die Diode
B1 wird ein kleiner Spannungen all erzeugt} flies «lient der
gegenseitigen Anpassung der iSweischalterBteuerisng wsä vermeidet, dass vorzeitig abgeschaltet wird. ■»-
Mit der Biickflanke des Signals erfolgt die
tiaiig dergestalt, dass am Anschluss 1 ein Masöe- ©der Minuspotential
erse1ieint9 öas den Bäsistrom durch flem Sramsistor
Q2 zum Erliegen Isring*. Daiait sperrt der transistor"Q2, indem seine Eoaitterkollektorstrecke hochohmig-vnneik· Ser noch
•verfeleifoenöe laststrom kann damit nicht mehr älser €ie nun-.mehr
hoeholaiiig gewordene Kathodenstrecke des S-leiekricli- .. .
tere Q1 fliese en, sondern verläuft über den STctbei&seiilusspfad,
der öureh die leitung 5 und den niederoteaigeü Wideretand
BS dargestellt wird. Auf diese Weise wirä öer 3!raneistor
Q2 vor einer Beaufschlagung mit der vollen lastjfcreisspannung
"bewahrt. Da der Widerstand HS niederolmig ist,
kann infolge der Hiederohmigkeit des KehenBchliasspfads
ein wesentlicher Teil des noch verbleihenden Mstströms
über äem Webensehlusspfad abgezogen werden, so dass der
Sransistor Q2 effektiv sehr schnell abschalten kamii9
was wiöeruE verursacht,, dass die Abs ehalt ze it !beider in
Serie liegender Schalter Qt ^ Q2 sehr klein gehalten werden -.
kann. ...".-:. .'"'.-..,..."._ ■;"... .; ; ■ ..--...-.
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In Pig.2 wird ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung
gezeigt. Obwohl es grundsätzlich gleich arbeitet wie das in Pig.1 gezeigte Ausführungsbeispiel, ist in Pig.2 zusätzlich
"ein Transistor Q3 enthalten, dessen Emitterkollektorkreis
an der Stelle des Widerstands RS der Pig.1 liegt; überdies ist dem Transistor Q3 ein Arbeitswiderstand R1 zugeordnet,
wobei der eine Anschluss (Anschluss 5) des Arbeitswiderstands am gemeinsamen Anschluss von Transistor Q3,
Diode D1 und Steueranschluss des Gleichrichters Q1, der andere Anschluss (Leitungspunkt 7) des Widerstands R1 jedoch
an einer positiven Spannung VS liegt. Der Basisanschluss des Transistors Q3'führt nun zum Anschluss 1, welcher der Ausgang
der Signalquelle ist.
Der Transistor <Q3 ist vorzugsweise ein Schalttransistor. Ist
er vom npn-Typ, so bildet er mit dem Widerstand R1. zusammen einen Inverter, ist er dagegen vom pnp-Typ stellt er einen
Emitterfolger dar. Im letzteren Pail wird ein Signal positiver
Logik am Anschluss 1 den Gleichrichter Q1 zünden und den Transistor Q2 öffnen, im ersteren Pail dagegen wird ein Signal
negativer Logik an der Basis des Transistors Q3 den Leitungspunkt '5 entsprechend positiv anheben und damit die
Schalter QT, Q2 öffnen.
Der Fall, dass der Schalter Q3 ein npn-Transistor ist, dessen
Emitter an Masse liegt, soll.eingehender besprochen werden.
Solange die Spannung am Anschluss 1 negativ oder null Volt ist, sperrt der Schalter Q3, da seine Emitterkollektorstrecke
hochohmig ist. Damit kann die positive Spannung VS über den Widerstand Ri und die Leitung 3 den Gleichrichter Q1 triggern
und über die Diode DI den Transistor Q2 leitend machen. Der
Lastkreis ist somit stromdurchflosBen. Dieser Zustand hält so lange an, bis. das negative Potential am Anschluss 1 ver-
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schwindet oder stattdessen eine ausreichend positive Spannung an der Basis des Transistors Q3 erscheint. Der nun
leitende Transistor Q3 wird niederohmig und verursacht am Punkt 5 eine Spannung nahe null Volt (Transistorsättigungsspannung).
Damit werden drei Dinge erreicht: Erstens hört der Basisstrom des Transistors Q2 auf, so dass letzterer·
sperrend wird; zweitens verliert der Steuereingang des gesteuerten Siliziumgleichrichters Q1 das positive Potential,
so dass eine erneute Triggerung unmöglich wird; drittens wirkt der Schalter Q3 jetzt wie eine Diode in Leitrichtung,
wodurch ein niederohmiger Nebenschlusspfad über die Leitung 3 und die Kollektoremitterstrecke des Transistors Q3 parallel
zur Kollektoremitterstrecke des Schalters Q2 geschaffen wurde, Zur Abschaltzeit herrschen somit dieselben Verhältnisse wie
beim Ausführungsbeispiel der Pig.1.
Fig. 3 stellt eine Modifikation des Ausführungsbeispiels der Pig.2 dar, bei dem an die Stelle der Diode D1 ein Widerstand
E2 trat und der Kollektor des Transistors Q3 direkt an die Basis des Transistors Q2 geführt wurde. Der Schaltkreis der
Fig.3 arbeitet in derselben Weise wie das zuletzt besprochene
Ausführüngsbeispiel (npn-Transistor Q3) der Pig·.2.
Ähnlich der Diode D1 stellt der Widerstand R2 die richtige
Anpassung der Steuereingänge der Schalter Q1, Q2 an den
Signalkreis dar. .·
Fig.4 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel, das zwar ebenfalls
zwei mit Leitungen L1, L2 in Serie liegende Schalter
Q1, Q2 hat, deren Steuereingänge jedoch getrennt zu zwei Signalquellen geführt sind. Ein Anschluss 9 stellt den Ausgang
einer ersten Signalquelle zur Triggerung des gesteuerten Siliziumgleichrichters Q1 dar, wobei von der Steuerelektrode
zwei seriengeschaltete Dioden D2, D3 nach Masse führen,
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und eine zweite Signalquelle speist über den Anschluss 1 ;
die Basis des Transistors Q2. Die Signale der Anschlüsse 9
und 1' sind grundsätzlich unabhängig voneinander, müssen jedoch immerhin so aufeinander bezogen sein, dass das Signal
am Anschluss 1 die potentielle Zeitdauer einer Lastzuschaltung sowie den Zeitpunkt der Lastabschaltung, und dass das
Signal am Anschluss 9 den Zeitpunkt der Zeitpunkt der Lastzuschaltung bestimmen. Die zwei seriengeschalteten Dioden
D2, D3, die vom Steuereingang des Gleichrichters Q1 in Leit-
mL· richtung zum Emitter des Transistors Q2 führen, dienen erstens
einer notwendigen Spannungsüberhöhung zum Zündzeitpunkt und zweitens der Bildung des niederohmigen Nebenschlusspfads
zum Abschaltzeitpunkt.
In Fig.5 wird eine Modifikation des Ausführungsbeispiels der
,. Fig»4 gezeigt, indem der ,Anschluss 9 der Fig.4 mit'dem Anschluss
1 über eine zum Triggereingang des Gleichrichters Q1 in Leitrichtung weisende Diode D4 verbunden ist, und indem
dem Basiseingang des Transistors Q2 ein Widerstand E3 vorgeschaltet
ist. Bine Zuschaltung der Last erfolgt durch ein Signal positiver Spannung am Anschluss 1; dadurch wird der
gesteuerte Siliziumgleichrichter getriggert und der Tran- ψ sistor Q2 leitend gemachte Verschwindet das positive Signal
am Anschluss 1 und erscheint stattdessen an diesem Anschluss
null Volt oder ein negatives Potential, tritt derselbe Ab-Bchaltvorgang
wie in den bisherigen Ausführungsbeispielen ein. Der Transistor Q2 wird deragemäss sperrend und der restliche
Laststrom über den niederohmigen üebenschlusskreis (D2, D3) abgeführt. ·
Selbstverständlich können statt zweier seriengeschalteteter
Dioden D2, D3 ebenfalls andere Bauteile mit vergleichbarer
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Charakteristik verwendet werden, beispielsweise nur eine
einzige Diode.
Durch die Ausftihrungsbeispiele der Erfindung wurde eine neue
Möglichkeit gezeigt, einen Lastkreis durch seriengeschaltete
Halbleit erschalter, insbesondere einen gesteuerten Siliziumgleichrichter
und einen Transistor, so zu schalten, dass beim Abschalten der Abschaltstrom hauptsächlich über einen Nebenschlusspfad
parallel zum Kollektor-Emitterkreis des Transistors geführt wird, letzterer also ein Transistor niederer
Betriebsspannung sein kann. Es ist im übrigen durchaus möglich, dass zum Abschaltzeitpunkt am Steuereingang des.Gleichrichters
QI eine positive Spannung anliegt, ohne dass deshalb
der Gleichrichter Q1 gezündet wird, da der in Serie liegende Transistor Q2 zu dieser Zeit sperrt und damit eine
Wiederzündung bzw. Weiterleiten'des Gleichrichters Q1 verhindert.
So könnte beispielsweise in Mg.4 der Anschluss 9 an ein festes, stets positives Potential (Batterie) gelegt sein,
so dass lediglich über den Anschluss 1 vermittels des dort wirksamen Signals die Bestimmung des .Zu- und Abschaltzeitpunkts
erfolgt.
Im Rahmen des Erfindungsgedankens sind Abänderungen von den gezeigten Ausführungsbeispielen: möglich.
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Claims (1)
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Patentansprüche
lly Sehaltvorrichtung für einen Lastkreis mit einer Serienschaltung
aus einem Halbleiterschalter mit Zündcharakteristik und einem zweiten Schalter, wobei der Lastkreis
insbesondere eine Induktivität enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die Zündelektrode des Halbleiterschalters
(Ql) an einen für den Stromstoß beim Unterbrechen des Lastkreises niederohmigen Stromableitungspfad angeschlossen
ist, der parallel zum zweiten Schalter (Q2) liegt.
™ 2. Vorficfetung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der zweite Schalter ein Transistor ist, dessen Basis mit" einem Schaltimpuls beaufschlagbar ist, dessen Länge die
- Einschaltdauer des Lastkreises bestimmt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterschalter eine Diode mit Zündcharakteristik
ist, insbesondere ein gesteuerter Siliziumgleichrichter.
Ii. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden
Ansprüche, mit einer Zündimpulsquelle für den Halbleiter-.
echalter mit Zündcharakteristik, dadurch gekennzeichnet, daß die Zündimpulsquelle.einen niederen Innenwiderstand
; aufweist. .
5# Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden
Änsi>rüehV, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromableitungs·
pfad mindestens eine Diode (D2,D3) aufweist.
■r-■■'"■" ζ . . '■'.'■.■ : - . - 2 -
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am
- ii -
6. Vorrichtung nach Anspruch 1-4, dadurch gekennzeichnet,
. , daß der Stromableitungspfad die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors (Q3) enthält, der bei Unterbrechung
des Lastkreises leitend ist,
7. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Basis des den zweiten Schalter bildenden Transistors (Q2) mit der Zündelektrode verbunden ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Basis des den zweiten Schalter bildenden Transistors und die Zündelektrode des Halbleiterschalters an verschiedene Spannungsqaellen angeschlossen sind (Fig. 4).
9. Vorrichtung nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen Basis des den zweiten Schalter bildenden Transistors und der Zündelektrode eine Impedanz liegt.
10. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Impedanz eine Diode (Dl) ist. .
11. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz ein Widerstand (R2) ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die Basis des im Stromableitungspfad, liegenden Transistors
(Q3) mit demselben, ggf. invertierten Schaltimpuls beaufschlagbar ist wie die Basis des den zweiten Schalter
bildenden Transistors (Q2).
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GAO
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13. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, ·
daß der Stromableitungspfad von der Zündelektrode
zu dem vom Halbleiterschalter mit Zündcharakteristik
abgekehrten Anschluß des zweiten Schalters führt,
14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche
2-13» dadurch gekennzeichnet, daß der Zündelektrode eine Diode (D*!) und der Basis des den zweiten Schalter
bildenden Transistors (Q2) ein Widerstand vorgeschaltet
ist.
000819/1771
Lee rse i te
Applications Claiming Priority (1)
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- 1969-10-22 FR FR6936194A patent/FR2022307A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0103179A1 (de) * | 1982-08-18 | 1984-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren Thyristor und einem Abschaltstrompfad |
| EP0106059A1 (de) * | 1982-08-18 | 1984-04-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren Thyristor |
| EP0343428A1 (de) * | 1988-05-21 | 1989-11-29 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterbrückenschaltung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3614474A (en) | 1971-10-19 |
| NL6914557A (de) | 1970-04-28 |
| FR2022307A1 (de) | 1970-07-31 |
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