SE417390B - Omkopplingskrets - Google Patents
OmkopplingskretsInfo
- Publication number
- SE417390B SE417390B SE7803443A SE7803443A SE417390B SE 417390 B SE417390 B SE 417390B SE 7803443 A SE7803443 A SE 7803443A SE 7803443 A SE7803443 A SE 7803443A SE 417390 B SE417390 B SE 417390B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- current
- controlled
- rectifier
- base
- extinguishing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/73—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/73—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
- H03K17/732—Measures for enabling turn-off
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
7aoza«s-6
2 .
mottaga en släcksignal. Kretsen inkluderar vidare en lagringskcnden-
sator som är inkopplad i den styrda släcklikriktarens katodkrets för
att förbättra släckningen genom påläggning av en förspänning i back-
riktningen över anod-katodövergången hos den styrda släcklikrikta-
ren när den styrda kisellikriktaren tillslås.
Två problem förekommer vid den kända, med styrd kisellik-
riktare utformade anordningen, nämligen dels att man behöver ha en
lagringskondensator, dels att den styrda kisellikriktarens omkopp-
lingsegenskaper är av kritisk natur. Det innebär en uppenbar olägen-
het att man behöver ha stora lagringskondensatorer till följd av att
dessa element är dyra och skrymmande och inte är särskilt tillför-
litliga. Ännu en olägenhet som är mindre uppenbar är att omkopp-
lingsegenskaperna hos den styrda kisellikriktaren måste väljas noga
i förhållande till den styrda släcklikriktarens utlösningsegenskaper
vid släckning för att tillförlitlig drift skall kunna erhållas.
Om exempelvis den styrda kisellikriktarens minsta angivna håll-
spänning mellan anod och katod är större än den minsta angivna
släckspänningen för den styrda släcklikriktaren kan det inträffa
att den styrda kisellikriktaren frånslås innan den styrda släcklik-
riktarens släckning har fullbordats, varvid den sistnämnda even-
tuellt kan börja leda på nytt. Detta problem kommer att beskrivas
mera i detalj nedan.
I en annan känd typ av GTO-släckkrets, där släckkretsen
inkluderar ett enda halvledarorgan, är kretsen mellan kollektor och
emitter i en bipolär transistor inkopplad på så sätt att den låser
GTO-styrelektroden till en punkt med släckreferenspotential. På sid
60-63 i artikeln "Gate Turn Off SCR's" av K.P. Ohka och E.D. Lucas,
Jr. i tidskriften Electronic Design, nr 26, 20 december 1976 be-
skrivs hur kollektorelektroden hos en gemensamemitterkopplad NPN-
-transistor är kapacitivt kopplad till styret hos en styrd släcklik-
riktare (GTO-likriktare). Bortsett från den uppenbara olägenheten
med kapacitiv koppling medför släckning med hjälp av en bipolär
transistor den ytterligare svårigheten att transistorn måste kunna
leda den jämförelsevis stora strömstöten som flyter från GTO-styret
vid släckning. Bipolära transistorer med förmåga att omhändertaga
tillräckligt stora stötströmmar och med tillräckligt låga mättnings-
spänningsegenskaper är jämförelsevis dyrbara organ, vilket 1 prak-
tiken utesluter deras användning i många tillämpningar.
Föreliggande uppfinning avser således att fylla behovet av
en förbättrad släckkrets för en styrd släcklikriktare (GTO-lik-
7803443-6
3 . W
riktare) under undanröjande av olägenheterna vid de ovannämnda tidi-
gare kända tillvägagångssätten.
En krets för släckning av en styrd släcklikriktare (GTO-
-likriktare) såsom gensvar på en släckspänning innefattar i enlighet
med föreliggande uppfinning en styrd kisellikriktare med ett katod-
uttag anslutet till en punkt med släckreferenspotential, ett anod-
uttag anslutet till den styrda släcklikriktarens styruttag och med
en styrelektrod, vidare en bipolär transistor vars kollektor-emitter-
bana är inkopplad parallellt med anod-katodbanan hos den styrda kisel-
likriktaren, varjämte nämnda transistor har en baselektrod, och en
ingångskrets som är pàverkbar av nämnda ingàngsspänning och som är
anordnad att vid dylik påverkan samtidigt tillföra en begränsad
triggerström till den styrda kisellikriktarens styrelektrod och en
begränsad basström till den bipolära transistorns baselektrod, var-
vid nämda begränsade baselektrod har ett sådant värde att den be-
gränsar den bipolära transistorns kollektortoppström till ett värde
som är mindre än den styrda kisellikriktarens anodtoppström under
den styrda kisellikriktarens släckning.
Uppfinningen beskrivas i detalj i det följande under hän-
visning till bifogade ritning, pà vilken fig. l visar ett kopplings-
schema över en tidigare känd krets för påverkan av en styrd kisel-
likriktare av släcktyp, fig. 2 visar ett kopplingsschema över en ut-
föringsform av föreliggande uppfinning tillämpad i en krets för
påverkan av en styrd kisellikriktare av släcktyp, och fig. 3 visar
ett exempel på en arbetskurva för ström resp. spänning hos den i
fig. 2 visade utföringsformen enligt uppfinningen.
Den styrda kisellikriktaren 1 av släcktyp enligt fig. l
(vilken likriktare i det följande kommer att omnämnas såsom GTO)
tillslås via manöveromkopplaren 3 så att en strömledningsbana upp-
rättas mellan matningsuttaget 9 och styrelektroden hos GTO 1. Uttaget
9 mottar en arbetsspänning +V, och fullbordan av strömledningsbanan
genom motståndet ll och omkopplaren 5 medför att ström avges till
styrelektroden så att GTO l tillslås. När GTO l har tillslagits på
detta sätt kommer den relativa resistansen hos dess strömlednings-
bana mellan anoden och katodelektroden att minskas avsevärt, vari-
genom ström IL kan flyta från uttaget 9 genom huvudströmlednings-
banan mellan anod-katodelektroderna hos GTO l och till belastningen
15. När en GTO väl har tillslagits genom att en tändsignal har
tillförts dess styrelektrod kan tändsignalen eller tillslagnings-
signalen upphävas utan att strömledningen genom huvudströmlednings-
banan bryts. Detta är en egenskap som förekommer hos ifrågavarande
'7803Å43-6
4 to r _-.
GTO och hos andra organ, såsom styrda kisellikriktare, vilka ingår
i den grupp organ som är känd under beteckningen tyristorer. När så-
ledes GTO l har tillslagits och denna krets arbetar på normalt sätt
kan omkopplaren 3 återföras till sitt normala tillstånd, varvid styr-
elektroden hos GIO får vara oansluten.
GTO l släeks eller frånslås genom att omkopplaren 3 omställs
på så sätt att strömledningsbanan mellan styrelektroden hos GTO l
och en till uttaget 20 ansluten referenspotentialkälla, jord i
ifrågavarande exempel, sluts. I detta kretstillstånd avlänkas en
ganska hög andel av strömmen som flyter genom anodelektroden i GTO l
från katodelektroden till styrelektroden och jord. Styrströmmen som
flyter till jord minskar snabbt i värde efter hand som GTO l frånslås
och får 1 stort sett storleken noll då GTO l är helt frånslagen.
I fallet då, såsom i det aktuella exemplet, GTO l har en katodbe-
lastning lä kommer vid de lägre värdena hos släckströmmen den
minskande spänningen över belastningen lå att medföra att belast-
ningen 13 verkar såsom ett batteri och bidrar till att tillföra
släckström och att ge katod-styrelektrodövergàngen hos GTO l för-
spänning i backriktningen.
Vid f.n. tillgängliga GTO-enheter är förhållandet det, att
just som släckning av GTO inträffar måste styrelektroden vara fast-
låst vid en spänningsnivå som ligger inom ca 0,25 volt av spänningen
vid katodelektroden (jord i fallet med GTO 1) för att säkerställa
fullständig släckning, eller annars kan det inträffa att GTO, dvs.
den styrda släcklikriktaren, tänds eller tillslås på nytt. Vidare
kan den ursprungliga släckströmmen som flyter från styrelektroden
i GTO uppgå till enda upp till 80 % av belastningsströmmen IL under
en tid av mellan 10 och 20 mikrosekunder. Såsom har klargjorts ovan
sjunker denna styrström (Igq) snabbt, och vid släckning av GTO l
kommer endast en ringa läckström att flyta från anoden till styr-
elektroden och till jord.
_ I fig. 2 har en elektronisk omkopplingskrets fått ersätta
omkopplaren 3, varvid nämda krets används för att tända resp.
släcka den styrda släcklikriktaren, dvs. GTO l. En positiv puls
tillförs tänd- eller tillslagsuttaget 15 för tillslag av transis-
torn 17. När trans-imorn 17 är tnislagen på detta. sätt kommer
arbetsspänningen +V att påläggas den ände hos motståndet ll som är
fjärrbelägen i förhållande till änden som är ansluten till styr-
elektroden hos GTO l. Ström kommer således att flyta genom motståndet
ll och in i styrelektroden hos GTO 1, varvid GTO l tillslås så att
7803¿+l+3-6
5 2,, 2 ett
strömmen IL kommer att ledas till belastningen 13.
I fig. 2 skulle den styrda kisellikriktaren 21 ha kunnat
utelämnas, varvid transistorn 19 ensam skulle ha använts för att
släcka den styrda släcklikriktaren, dvs. GTO l. Härvid skulle en
positivt riktad släcksignal matas till uttaget 25 för tillslagning
av transistorn 19, varvid impedansen mellan dess kollektor- och
emitterelektroder skulle minskas avsevärt, vilket i praktiken skulle
innebära att styrelektroden hos GTO l skulle anslutas till jord.
Om storleken hos belastningsströmmen IL är avsevärd, exempelvis ca
50 ampere, skulle en cnegativ styrström med ett värde t.ex. var som
helst mellan ca 12 och ca 24 ampere flyta från styrelektroden hos
GTO l till strömingångsuttaget 25 samt genom transistorn 19 till
Jord. Ehuru denna jämförelsevis stora negativa styrelektrodström
minskar snabbt, såsom har nämnts ovan, måste transistorn 19 kunna
leda en så stor strömstötnivå utan att taga skada, vilket dessutom
måste kunna ske med en mycket ringa mättningsspänning mellan kollek-
tor och emitter. En transistor av detta slag skulle bli ganska dyrbar,
ehuru den skulle vara i stånd att släcka GTO l och att låsa fast
styrelektroden vid ca 0,2 volt för att säkerställa att GTO l inte
tillslås på nytt. Det är emellertid oekonomiskt att använda en enda
transistor för att på detta sätt släcka en GTO i många tillämpningar
där belastningsströmmar med avsevärd storlek måste få förekomma.
På samma sätt som man har försökt göra inom tidigare känd
teknik skulle transistorn 19 eventuellt kunna utelämas, varvid
en styrdhdsellikriktare 2l enbart skulle kunna användas för att
frånslå eller släcka GTO 1. I så fall skulle en släcksignal med
positiv nivå påläggas uttaget 25 för tillförsel till den styrda
kisellikriktarens 21 styrelektrod för tillslagning av denna lik-
riktare. Vid sådan tillslagning minskas impedansen mellan anod- och
katodelektroderna hos den styrda kisellikriktaren 21 avsevärt, var-
vid släckström får flyta från styrelektroden hos GTO l genom huvud-
strömbanan mellan anod- och katodelektroderna hos den styrda kisel-
likriktaren 21 i serie med strömbegränsningsmotståndet 25 till jord.
Ehuru relativt billiga styrda kisellikriktare, såsom den styrda kisel-
likriktaren 21, kan leda ganska stora strömmar är spänningsfallet
över anod-katodelektroderna hos f.n. förekommande kiseltyristorer
(inklusive styrda kisellikriktare) i sitt driftsområde begränsat
till ett maximivärde av ca 0,7 volt, vilket värde benämnas håll-
spänningen. När spänningen över anod-katodelektroderna hos en styrd
kisellikriktare minskar till under detta hållspänningsvärde kan den
styrda kisellikriktaren inte upprätthålla strömledningen, utan den
,, 7803M3-6
6 ”_ “"i.Uu_
släcks, varigenom impedansen mellan dess anod- och katodelektroder
ökar i avsegärd omfattning. Av denna anledning har tidigare gjorda
försök att utnyttja just en styrd kisellikriktare för släckning av
en styrd släcklikriktare, dvs. GTO, på det ovan angivna sättet endast
fått begränsad framgång. Många styrda släcklikriktare kan aldrig
släckas eller tändas på nytt på grund av den styrda kisellikrikta-
rens oförmåga att i tillräcklig grad minska spänningen vid den
styrda släcklikriktarens styrelektrod till ca 0,25 volt.
Enligt föreliggande uppfinning har det visat sig att en
jämförelsevis billig transistor kan kombineras med en tyristor under
bildande av en sammansatt omkopplingskrets 29, såsom är visat i
fig. 2. Den sammansatta omkopplingskretsen 29 kan antingen fram-
ställas av enskilda komponenter eller i form av en integrerad krets.
Såsom framgår av figuren är huvudströmbanan som förlöper mellan
kollektor- och emitterelektroderna hos en transistor 19 inkopplad
parallellt med huvudströmledningsbanan som förlöper mellan anod-
och katodelektroderna hos en styrd kiselelektrod 21, varvid ett
strömbegränsningsmotstånd 27 är inkopplat i serie med den styrda
kisellikriktarens 21 huvudströmledningsbana. Resistansvärdet hos
ett förspänningsmotstånd 51 väljs i beroende av ett förutbestämt
värde hos en positiv spänning som är pålagd ingångsuttaget 25 så
att transistorn l9 tillslås och maximivärdet hos ström som leds av
hnvudströmbanan begränsas till ett värde ICEMAX. Resistansvärdena
hos motstånden 55 och 55 är så valda, att man säkerställer att
med hänsyn till det förutbestämda värdet hos ingångssignalen eller
triggersignalen som påläggs ingångsuttaget 25 kommer en tändspänning
med tillräcklig amplitud att påläggas den styrda kisellikriktarens
21 styrelektrod för att nämnda likriktare skall tillslås. Alterna-
tivt skulle givetvis frånslegning kunna styras av två samtidigt
omkopplade konstanta strömkällor, av vilka den ena skulle tillföra
basström till transistorn 19 i stället för motståndet 51 och den
andra skulle tillföra styrström till den styrda kisellikriktaren
21 i stället för potentialdelningsmotstånden 55 och 55. Dessa ström-
källor skulle t.ex. kunna utgöras av de respektive kollektorelektro-
derna hos bipolära PNP-transistorer anordnade att omkopplas sam-
tidigt till strömledning resp. från strömledning.
I fig. 5 visar arbetskurvan för
kretsen 29 att när en strömkälla är ansluten till uttaget 25 och
den förutbestämda ingångssignalen matas till ingàngsuttaget 25 för
tillslag av den styrda kisellikriktaren 21 och transistorn 19 gäller
7803443-6
7 “lill en .ll_1 _ _ o_
för strömvärden som är större än ICEMAX att den styrda kisellik-
riktaren 21 är den övervägande strömbäraren. I detta arbetsområde
hos den sammansatta omkopplingskretsen 29 leder givetvis transistorn
19 sitt maximiströmvärde ICEMAX. Efter hand som storleken hos
strömmen från den till uttaget 25 anslutna strömkällan minskar i
storlek till ICEMAX kommer transistorns 19 kontinuerliga krav på
kollektorström att kräva en ökande mängd av strömmen som matas till
uttaget 23. När denna ström minskas till mindre än ICEMAX blir ingen
ström tillgänglig för att flyta från anoden till katoden i den
styrda kisellikriktaren 21. Den styrda kisellikriktarens 21 poten-
tial mellan anod och katod kommer att sjunka under det hållspäfidnings-
värde VH (jämför fig. 3) som erfordras för att den styrda kisellik-
riktaren 21 skall bibehållas i strömledning, varför den styrda kisel-
likriktaren 21 släcks, dvs. frånslås. Det bör observeras att den
karakteristiska arbetskurvan för en styrd kisellikriktare, såsom
den styrda kisellikriktaren 21, väsentligen inkluderar den del av
den heldragna linjen som representerar den styrda kisellikriktaren
såsom den övervägande strömbäraren. Kurvskaran precis vid resp.
nedanför strömvärdet ICEMAX representerar den karakteristiska arbets-
kurvan för en transistor 19. Den karakteristiska arbetskurvan för
den sammansatta omkopplingskretsen 29 är sålunda kurvan som är be-
teoknad A.
I fig. 2 är den sammansatta omkopplingskretsen 29 visad
tillämpad för användning såsom en släckkrets för släekning av den
styrda släcklikriktaren, dvs. GTO l. Såsom ovan har beskrivits
tillslås GTO 1 i drift genom att en tändsignal eller tillslagnings-
signal påläggs uttaget 15 så att transistorn 17 tillslås och därvid
pålägger en positiv spänning på styrelektroden hos GTO 1. När GTO l
väl har tillslagits kommer den att förbli strömledande sedan tänd-
signalen .avlägsnats från uttaget 15 och därvid bringat transistorn
17 att frånslås. För släckning av GTO 1 påläggs en släcksignal på
uttaget 25 hos den sammansatta omkopplingskretsen 29, varigenom den
styrda kisellikriktaren 21 och transistorn 19 kommer att tillslås.
Väsentligen samtidigt kommer den styrda kisellikriktaren att leda
en ström av avsevärd storlek från styrelektroden i GTO 1 till uttaget
20, vilket sistnämnda uttag är anslutet till en referenspotential-
källa (jord i det aktuella exemplet). Samtidigt leder transistorn
sin förutbestämda maximiström ICEMAX från styrelektroden hos GTO 1
till jord. Såsom har beskrivits ovan minskar den ursprungliga
strömstöten hos den från styrelektroden hos GTO 1 uttagna strömmen
med jämförelsevis stor amplitud snabbt efter hand som GTO 1 börjar
'7803443-6
frånslås. När frånslagningsströmmen från styrelektroden hos GTO l
minskas till ett värde under ICEMAX kommer spänningen över transis-
torns 19 huvudströmledningsbana att minskas till under den styrda
kisellikriktarens 2l hållspänning VH, varigenom den styrda kisellik-
riktaren frånslâs. Da den negativa styrelektrodströmmen eller släck-
strömmen som håller på att uttas från styrelektroden hos GTO l fort-
sätter att minska i värde kommer transistorn 19, som leder denna
ström genom sin huvudströmbana, att fortsätta att proportionellt
minska spänningen över sin strömbana till ett jämförelsevis lågt
värde, ca 0,2 volt. När GTO l fullbordar sin frånslagning eller
släckning kommer styrelektrodströmmen Igq hos GTO l, vilken flyter
genom transistorn 19, att minska till väsentligen värdet noll, var-
vid transistorn 19 låser fast styrelektroden hos GTO l vid ca 0,2
volt och därvid säkerställer att GTO l inte kan tillslàs på nytt.
Sïäcksignalen eller frånslagningssignalen som pàlagts uttaget 25
kan nu upphävas, eftersom frånslagning av GTO l har fullbordats.
Det bör observeras att den sammansatta omkopplingskretsen 29 också
medför frånslagning av GTO l om katodelektroden hos GTO 1 är direkt
ansluten till uttaget 20 och om belastningen 13 exempelvis placeras
om mellan uttaget 9 och anodelektroden hos GTO l.
Det skall framhållas att ehuru motstånden 31 och 33 har
visats med uppgift att se till att en begränsad basström matas till
transistorn 19 och en begränsad styrström matas till den styrda
kisellikriktaren 21 skulle andra lämpliga strömbegränsningselement
kunna användas i stället, exempelvis de båda ovannämnda samtidigt
omkopplade källorna för konstant ström. Oavsett vilka organ som
utnyttjas är- det emellertid lämpligt om ingångskretsen är påverkbar
såsom gensvar på ingångsspänningen som påläggs vid uttaget 25 för
att samtidigt tillföra en begränsad triggerström till den styrda
kisellikriktarens 21 styrelektrod och en begränsad basström till
den bipolära transistorns 19 baselektrod, varvid den begränsade bas-
strömmen har sådant värde att den begränsar den bipolära transis-
torns kollektortoppström till ett värde som är mindre än anodtopp-
strömmen hos den styrda kisellikriktaren under släckning eller fràn-
slagning av den styrda släcklikriktaren (GTO).
Det skall också framhållas att i Just det i fig. 2 visade
exemplet ger impedansen som är representerad av motståndet 35, som
är inkopplat mellan ingângsuttagot 25 och styrelektroden hos den
styrda kisellikriktaren 21, funktionerna att leda den styrda kisel-
likriktarens triggerström däremellan och att begränsa storleken hos
triggerströmmen för att effektivt öka impedansen som erbjuds uttaget
Claims (2)
- 7803443-6 9 25 av den styrda kisellikriktarens 21 styrelektrod. Härigenom hindras den styrda kisellikriktaren 21 från att ta åt sig för mycket ström, dvs. man motverkar tendensen hos den styrda kisellikriktarens 21 styrelektrodkrets (som eventuellt har en jämförelsevis liten ingångs- impedans) att mottaga en sådan oproportionerlig del av ingångs- strömmen som matas till uttaget 25 att otillräcklig ström blir kvar för att transistorns l9 bas skall få korrekt förspänning. Den av motståndet 31 representerade impedansen, vilket mot- stånd är inkopplat mellan ingàngsuttaget 25 och den bipolära tran- sistorns 19 bas, ger också funktionen att leda transistorbasströmmen däremellan och att därvid begränsa basströmmen till ett givet värde för att säkerställa att den styrda kisellikríktaren bär toppsläck- strömmen, varjämte man erhåller en effektiv ökning av impedansen som erbjuds ingàngsuttaget 25 av den bipolära transistorns 19 bas- elektrod. Denna sistnämnda funktion hindrar transistorn 19 från att ta åt sig släcksignalen i alltför hög grad, vilket annars eventuellt skulle kunna förekomma till följd av transistorns 19 gemensamemitter- koppling, vilken resulterar i en jämförelsevis liten basingångs- impedans. Patentkrav l. _ Omkopplingskrets innefattande en styrd släcklikriktare för inkoppling 1 serie med en belastning, en till styrelektroden hos nämnda styrda likriktare ansluten tändkrets för tillförsel av en tändsignal till densamma, och ett organ med en strömledningsbana inkopplad mellan nämnda styrelektrod och en punkt med släckreferens- spänning, varvid nämnda organ är påverkbart i beroende av en ingångs- spänning och är anordnat att vid dylik påverkan koppla nämnda styr- elektrod till punkten med släckpotential för släckning av den styrda likriktaren, k ä n n e t e c k n a d av ett andra organ (19 eller 21) med en strömledningsbana parallellkopplad med banan för det första organet (21 eller 19), var- vid det ena av nämnda första resp. andra organ är en styrd kisellik- riktare (21) med ett katoduttag anslutet till nämnda punkt med släck- .referenspotential (20), ett anoduttag anslutet till styrelektrod- uttaget för den styrda släcklikriktaren (1) och med en styrelektrod, varjämte det andra av nämnda första och andra organ är en bipolär transistor (19) med sin kollektor-emitterbana inkopplad parallellt med anod-katodbanan hos den styrda kisellikriktaren och med en bas- elektrod, och av en ingångskrets (31, 33, 35) som är påverkbar i beroende av 7803443-6 10 nämnda ingångsspänning och somfär anordnad att vid dylik påverkan samtidigt tillföra en begränsad triggerström till den styrda kisel- likriktarens (21) styrelektrod och en begränsad basström till den bipolära transistorns (l9)baselektrod, varvid den begränsade bas- strömmen har ett sådant värde att den begränsar den bipolära tran- sistorns kollektortoppström till ett värde som är mindre än den styrdaldsellikriktarens anodtoppström under släckning av den styrda släoklikriktaren (l).
- 2. Krets enligt krav l, k ä n nte t e c k n a d därav, att nämnda ingångskrets innefattar ett ingàngsuttag (25) för mottagning av nämnda släckspänning, en första impedans (33) inkopplad mellan nämda ingångs- uttag (25) och styrelektroden hos den styrda kisellikriktaren (21) för att leda nämnda triggerström däremellan för att begränsa stor- leken hos triggerströmmen och för att effektivt öka impedansen som erbjuds ingångsuttaget (25) av den styrda kisellikriktarens styr- elektrod, och en andra impedans (31) som är inkopplad mellan nämnda in- gângsuttag (25) och baselektroden hos den bipolära transistorn (19) för att leda nämda basström däremellan under begränsning av nämnda basström till nämnda värde och för att effektivt öka impedansen som erbjuds nämnda ingångsuttag (25) av den bipolära transistorns (19) baselektrod. ANFÖRDA PUBLIKATIONER:
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/783,219 US4117350A (en) | 1977-03-31 | 1977-03-31 | Switching circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE7803443L SE7803443L (sv) | 1978-10-01 |
SE417390B true SE417390B (sv) | 1981-03-09 |
Family
ID=25128542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE7803443A SE417390B (sv) | 1977-03-31 | 1978-03-28 | Omkopplingskrets |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4117350A (sv) |
JP (1) | JPS53123062A (sv) |
DE (1) | DE2814022C3 (sv) |
FR (1) | FR2386196A1 (sv) |
GB (1) | GB1599261A (sv) |
IT (1) | IT1093945B (sv) |
SE (1) | SE417390B (sv) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2825794C2 (de) * | 1978-06-13 | 1986-03-20 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Abschaltbarer Thyristor |
US4250409A (en) * | 1979-12-28 | 1981-02-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Control circuitry using a pull-down transistor for high voltage field terminated diode solid-state switches |
JPS6053488B2 (ja) * | 1980-12-29 | 1985-11-26 | 株式会社日立製作所 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路 |
US4520277A (en) * | 1982-05-10 | 1985-05-28 | Texas Instruments Incorporated | High gain thyristor switching circuit |
JPS58222774A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-24 | Internatl Rectifier Corp Japan Ltd | ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト駆動回路 |
DE3230741A1 (de) * | 1982-08-18 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren thyristor |
DE3230714A1 (de) * | 1982-08-18 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiter mit einem abschaltbaren thyristor und einem abschaltstrompfad |
JPS60208119A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-19 | Hitachi Ltd | 容量性負荷の駆動回路 |
DE3444778A1 (de) * | 1984-12-05 | 1986-06-05 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur steuerung von hochleistungs-gto-thyristoren |
EP0256426A1 (de) * | 1986-08-18 | 1988-02-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung zur Aufrechterhaltung des sperrenden Schaltzustandes eines abschaltbaren Thyristors |
JPS63242022A (ja) * | 1987-03-28 | 1988-10-07 | Hitachi Ltd | 半導体スイツチング回路 |
JP2520765B2 (ja) * | 1990-05-25 | 1996-07-31 | 三菱電機株式会社 | ドライブ回路 |
JPH0668201U (ja) * | 1991-07-22 | 1994-09-22 | 日本化学発光株式会社 | 化学発光体 |
US9653913B2 (en) * | 2015-02-17 | 2017-05-16 | Littelfuse, Inc. | Resistance change device providing overcurrent protection |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3439189A (en) * | 1965-12-28 | 1969-04-15 | Teletype Corp | Gated switching circuit comprising parallel combination of latching and shunt switches series-connected with input-output control means |
US3491255A (en) * | 1967-04-17 | 1970-01-20 | Nasa | Scr blocking pulse gate amplifier |
GB1201653A (en) * | 1967-06-09 | 1970-08-12 | Welding Inst | Improvements relating to pulse welding circuits |
US3694670A (en) * | 1971-10-26 | 1972-09-26 | Joseph M Marzolf | Easily switched silicon controlled rectifier |
GB1430637A (en) * | 1972-05-15 | 1976-03-31 | Sony Corp | Switching circuits comprising a gate controlled switching device |
US4001607A (en) * | 1975-06-09 | 1977-01-04 | Rca Corporation | Drive circuit for a gate semiconductor device |
-
1977
- 1977-03-31 US US05/783,219 patent/US4117350A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-03-23 GB GB11628/78A patent/GB1599261A/en not_active Expired
- 1978-03-28 SE SE7803443A patent/SE417390B/sv unknown
- 1978-03-29 IT IT21737/78A patent/IT1093945B/it active
- 1978-03-30 FR FR7809380A patent/FR2386196A1/fr active Granted
- 1978-03-30 JP JP3744078A patent/JPS53123062A/ja active Pending
- 1978-03-31 DE DE2814022A patent/DE2814022C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1093945B (it) | 1985-07-26 |
US4117350A (en) | 1978-09-26 |
JPS53123062A (en) | 1978-10-27 |
FR2386196A1 (fr) | 1978-10-27 |
DE2814022A1 (de) | 1978-10-05 |
IT7821737A0 (it) | 1978-03-29 |
DE2814022C3 (de) | 1980-04-10 |
SE7803443L (sv) | 1978-10-01 |
FR2386196B1 (sv) | 1980-04-11 |
GB1599261A (en) | 1981-09-30 |
DE2814022B2 (de) | 1979-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE417390B (sv) | Omkopplingskrets | |
US3040270A (en) | Silicon controlled rectifier circuit including a variable frequency oscillator | |
US3192441A (en) | Means for protecting regulated power supplies against the flow of excessive currents | |
EP0392831A2 (en) | Power transistor drive circuit with improved short circuit protection | |
US3614474A (en) | Semiconductor power-switching apparatus | |
US4115707A (en) | Circuit for single-line control of GTO controlled rectifier conduction | |
US4491807A (en) | FET Negative resistance circuits | |
US3562547A (en) | Protection diode for integrated circuit | |
US4223238A (en) | Integrated circuit substrate charge pump | |
US3303359A (en) | Linear ramp generator | |
US4125814A (en) | High-power switching amplifier | |
USRE34107E (en) | Power transistor drive circuit with improved short circuit protection | |
GB1423311A (en) | Electronic proximity switching unit | |
KR20010079924A (ko) | 집적회로의 보호회로 | |
US3109981A (en) | Over-voltage protective circuit | |
CN215498914U (zh) | 一种用于e型氮化镓器件的开关 | |
CN215378891U (zh) | 一种用于E型GaN器件的开关 | |
JPH027714A (ja) | 異常電流時の素子の保護装置 | |
US3274399A (en) | Trigger circuit | |
US3436608A (en) | Trigger circuit for inductive load | |
US4572968A (en) | SCR Fire sensitivity control and fire control apparatus | |
GB728739A (en) | Improvements in or relating to crystal diode trigger circuits employing feedback | |
US3218477A (en) | Triggering arrangement for multivibrators | |
US3294986A (en) | Bistable tunnel diode circuit | |
US4223280A (en) | Relaxation oscillator including an SCR and having switch means for interrupting current flow therethrough |