DE2728945A1 - Halbleiter-schalteinheit - Google Patents

Halbleiter-schalteinheit

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Description

Halbleiter-Schalteinheit
Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Schalteinheit, die in einer Fernsprechvermittlungsanlage oder dergleichen verwendbar ist und 4—Slektroden-PNPN-Schalter hat, die ein kontinuierliches Wechselstromsignal leiten können.
In einer herkömmlichen Halbleiter-Schalteinheit mit 4-Elektroden-PNPN-Schaltern zum Schalten eines Wechselstromsignales sind zwei derartige PNPN-Schalter antiparallel verbunden, um einen Zweirichtungsschalter zu bilden, und von einer zugeordneten Ansteuereinheit wird Strom in die Kathoden-SteueranschlUsse dieser beiden PNPN-Schalter eingespeist, damit das Wechselstromsignal geleitet werden kann. Jedoch hat die herkömmliche Halbleiter-Schalteinheit mit diesem Aufbau den Nachteil, daß die Ansteuerspannung der Ansteuereinheit den Maximalwert der Signalspannung des Übertragenen Wechselstromsignales abhängig vom Lastzustand Überschreiten muß.
Um diesen Nachteil zu Überwinden, wurde von den Erfindern bereits eine verbesserte Halbleiter-Schalteinheit mit einem 4-Elektroden-PNPN-Schalter zum Schalten eines Wechselstromsignales
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8l-(A246l-02)KoF
entwickelt. Diese verbesserte Halbleiter-Schalteinheit hat den in Fig. 1 dargestellten Aufbau, von dem die Erfindung ausgeht.
Die bereits entwickelte Halbleiter-Schalteinheit in Fig. 1 hat ein Stromquellen-Konstantstromglied 2 aus Transistoren Q, und Qp, einen Widerstand R, und Koppeldioden Dj,j ein Stromsenken-Konstantstromglied 3 aus einem Transistor Q^, einem Widerstand Rp und Koppeldioden Df-; einen 4-Elektroden-PNPN-Schalter 1; einen Strom-Umschalter 4 aus Sperr- oder Rückwärtsstrom unterbrechenden Dioden D,, D1' und D2; und Sperr- oder Rückwärtsstrom unterbrechende Dioden D-, und D '. In dieser bereits entwickelten Halbleiter-Schalteinheit verteilt der Strom-Umschalter 4 den Ausgangsstrom des Stromquellen-Konstantstromgliedes 2 zum Kathoden-Steueranschluß G1, des PNPN-Schalters 1 und zum Stromsenken-Konstantstromglied 3 abhängig vom Potential an der Kathode des PNPN-Schalters 1. Wenn das Potential an der Kathode K des PNPN-Schalters 1 negativ ist, fließt Strom in den Kathoden-Steueranschluß Gv. um den PNPN-Schalter 1 einzuschalten,
Is.
während bei positivem Potential anjder Kathode K und der Anode A Strom aus dem Anoden-Steueranschluß G. fließt, um den PNPN-Schalter 1 einzuschalten. Obwohl dies in Fig. 1 nicht dargestellt ist, sind die Dioden D, ' und D^' mit dem Kathoden- bzw. Anoden-Steueranschluß eines anderen PNPN-Schalters verbunden,der antiparallel zum gezeigten PNPN-Schalter 1 angeordnet ist. Ein Steuerglied aus einer Spannungsquelle E,, einem Schalter SW, und einem Widerstand R ist in Fig. 1 gezeigt, um das Verständnis des Betriebs der Schaltung zu erleichtern. Es ist offensichtlich, daß dieses Steuerglied tatsächlich eine elektronische Schaltung ist.
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Obwohl die bereits entwickelte Halbleiter-Schalteinheit die Nachteile der herkömmlichen Schalteinheiten zufriedenstellend überwindet, hat sie noch den Mangel, daß zahlreiche ihrer Bauelemente getrennt elektrisch während der Integration in einer integrierten Schaltung voneinander isoliert werden müssen, und so kann die gewünschte hohe Integrationsdichte nicht erzielt werden. Z.B. können bei den an einem Ende zusammengeschalteten Dioden D,, D. ' und Dp deren Anoden in einem gemeinsamen P-leitenden Halbleiterbereich gebildet werden, während jedoch deren Kathoden in unabhängigen N-leitenden Halbleiterbereichen vorgesehen werden müssen. Weiterhin ist in diesem Fall eine hohe Durchbruchsspannung für diese Dioden D,, D,' und Dp erforderlich, da die Spannung der Last- oder Verbraucherschaltung manchmal an diesen Dioden D1, D1* und D2 liegt.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Halbleiter-Schalteinheit mit einem PNPN-Schalter zum Schalten eines Wechselstromsignales anzugeben, wobei der PNPN-Schalter zuverlässig durch ein einziges Signal geringer Spannung einschaltbar sein soll, selbst wenn er in einer mit positiver oder negativer Spannung betriebener Verbraucherschaltung eingefügt ist; die Halbleiter-Schalteinheit soll dabei wirtschaftlich arbeiten sowie einfach aufgebaut und in eine integrierte Schaltung mit hoher Integrationsdichte integrierbar sein.
Die erfindungsgemäße Halbleiter-Schalteinheit hat wenigstens einen 4-Elektroden-PNPN-Schalter mit einem Kathoden-Steueranschluß und einem Anoden-Steueranschluß, eine Stromquelle mit einer Einrichtung zum Einspeisen von Strom in den Kathoden-Steueranschluß des PNPN-Schalters,1'
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eine Stromsenke der Konstantstromart mit einer Einrichtung zum Aufnehmen von Strom, und
einen Strom-Umschalter mit einem Stromweg-Umschalter zum wahlweisen Einspeisen des aus dem Anoden-Steueranschluß des PNPN-Schalters fließenden Stromes und des in die Stromquelle * fließenden Stromes zur Stromsenke, abhängig vom Potential des PNPN-Schalters.
In einer Halbleiter-Schalteinheit mit wenigstens einem 4-Elektroden-PNPN-Schalter einschließlich eines Kathoden-Steueranschlusses und eines Anoden-Steueranschlusses zum Schalten eines Wechselstromsignales liegt eine Stromquelle am Kathoden-Steueranschluß des PNPN-Schalters, und eine Stromsenke der Konstantstromart ist mit der Stromquelle und dem Anoden-Steueranschluß des PNPN-Schalters über einen Strom-Umschalter verbunden. Abhängig vom Potential des PNPN-Schalters speist der Strom-Umschalter wahlweise den in die Stromquelle fließenden Strom und den aus dem Anoden-Steueranschluß des PNPN-Schalters fließenden Strom zur Stromsenke.. Die Stromquelle arbeitet als Konstantstromglied aufgrund der Strom-Senken-Funktion der Stromeenke Die Halbleiter-Schalteinheit ist einfach aufgebaut und wirtschaftlich in eine integrierte Schaltung integrierbar.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer von den Erfindern bereits entwickelten Halbleiter-Schalteinheit mit einem 4-Elektroden-PNPN-Schalter, von der die Erfindung
ausgeht;
Fig. 2 ein Schaltbild eines ersten AusfUhrungsbeispiels
der erfindungsgetaäßen Halbleiter-Schalteinheit;
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Fig. 3 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 4 ein Schaltbild eines dritten Ausführungsbeispiels der Erfindung; und
Fig. 5 ein Schaltbild eines vierten Ausführungsbeispiels der Erfindung.
In Fig. 2, die ein erstes AusfUhrungsbeispiel der erfindungsgemäßen Halbleiter-Schalteinheit zeigt, sind vorgesehen ein Stromsenken-Konstantstromglied 13 aus im wesentlichen einem Widerstand Rp, Koppeldioden D,- und einem NPN-Transistor Q^; ein Strom-Umschalter 14 aus Sperr- oder Rückwärtsstrom unterbrechenden Dioden D,, D^' und D^; eine Stromquelle 15 in der Form eines PNP -Transistors Qj. m^ zwei Kollektoren; und einen 4-Elektroden-PNPN-Schalter 1 mit einem Anoden-Steueranschluß GA und einem Kathoden-Steueranschluß G1,. Die Halbleiter-Schalteinheit hat weiterhin ein Steuerglied mit einerspannuhgsqueHeE., einem Schalter SW« und einem Widerstand R-,. Dieses Steuerglied ist einfach mit dem Schalter SWp und dem Widerstand R, dargestellt, um. das Verständnis für den Betrieb der Schaltung der Fig. 1 zu erleichtern. Tatsächlich ist das Steuerglied jedoch eine elektronische Schaltung. Die Spannungsquelle E, gibt eine Spannung von z. B. 5 V ab, die für die gewünschte Integration dieses Steuergliedes geeignet ist.
Im Betrieb ist der Schalter SWp geschlossen, um Strom von der Spannungsquelle E1 zur Basis des Transistors Q, und den Dioden D. im Stromsenken-Konstantstromglied 13 über den Widerstand rZ zu speisen, so daß das Stromsenken-Konstantstromglied 13 zum Einschalten des PNPN-Schalters 1 erregt wird. Da das Potential an der Basis des Transistors Q-, im
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wesentlichen durch die Dioden D,- konstantgehalten wird, tritt ein konstanter Strom am Emitter des Transistors Q^, auf. Weiterhin arbeitet der Kollektor des Transistors Q, als Senke für den Konstantstrom. Damit dient das Glied 1J> als Konstantstromglied.
Wenn die Anode A und die Kathode K des PNPN-Schalters I beide ein hohes positives Potential haben, fließt Strom in den Kollektor des Transistors Q-, im Stromsenken-Konstantstromglied 13 von der Anode A des PNPN-Schalters 1 durch den Anoden-Steueranschluß G. und durch die Diode D^, im Strom-Umschalter 14, um den Anoden-Steueranschluß GA anzusteuern, so daß der PNPN-Schalter 1 eingeschaltet wird. In diesem Zeitpunkt ist die Diode Dg im Strom-Umschalter im Sperrstrom unterbrechenden Zustand, und die Stromquelle ist nicht erregt, da das Potential am Kollektor des Transistors Q, bis auf einen Pegel nahe dem Potential an der Anöde A des PNPN-Schalters 1 ansteigt.
Wenn andererseits die Anode A und die Kathode K des PNPN-Schalters 1 beide negatives Potential haben, ist die Diode Ο, im Strom-Umschalter 14 nunmehr im Sperrstrom unterbrechenden Zustand, und konstanter Strom fließt in den Kollektor des Transistors Q, im Stromsenken-Konstantstromglied 13 von der Spannungsquelle E, über den Transistor Q2,, der die Stromquelle 15 bildet, und Über die Diode Dg im Strom-Umjschalter 14, um die Basis des Transistors Q2, anzusteuern. Als Ergebnis fließt konstanter Strom in den Kathoden-Steueranschluß GK des PNPN-Schalters 1 von einem der Kollektoren des Transistors Qu, der die Stromquelle 15 bildet, um den Kathoden-Steueranschluß GK des PNPN-Schalters so anzusteuern, daß dieser einschaltet. Obwohl dies in Fig. 2 nicht dargestellt ist, können die Diode D ' und ein
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- ψ-
anderer Kollektor des Transistors Q1, mit dem A nod en-St eueranschluß bzw. einem Kathoden-Steueranschluß eines anderen PNPN-Schalters verbunden sein, sie müssen jedoch nicht vorgesehen werden, wenn dies nicht erforderlich ist.
Daraus folgt, daß das Stromsenken-Konstantstromglied 13 als Senke des konstanten Stromes während der Zeitdauer wirkt, in der der Schalter SWp geschlossen ist, und daß der Strom-Umschalter 14 den Stromweg abhängig vom Potential an der Anode und der Kathode des PNPN-Schalters 1 umschaltet, während die Stromquelle 15 prinzipiell während der Zeitdauer erregt ist, in der die Anode und die Kathode des PNPN-Schalters 1 negatives Potential haben. Deshalb fließt der Steueranschluß-Strom zum PNPN-Schalter 1, ohne dessen Potential entgegenzuwirken, und die Ansteuerquelle E1 für diese Halbleiter-Schalteinheit muß keine hohe Spannung haben.
Bei der Integration der Halbleiter-Schalteinheit in eine integrierte Schaltung ist der NPN-Transistor im allgemeinen die Grundkomponente eher als der PNP-Transistor, und der Stromverstärkungsfaktor des PNP-Transistors ist gering. Insbesondere ist bei Verwendung mit einer hohen Spannung der Stromverstärkungsfaktor des PNP-Transistors kleiner als Eins. Die Anoden-Steueranschluß-Empfindlichkeit des PNPN-Schalters ist kleiner als die Kathoden-Steueranschluß-Empfindlichkeit. Wenn deshalb der Stromwert des Stromsenken-Konstantstromgliedes 13 beim Schaltungsaufbau der Fig. 2 so gewählt 1st, daß er an die Anoden-Steueranschluß-Empfindlichkeit des PNPN-Schalters 1 angepaßt ist, kann ein Strom mit einem Wert kleiner als der obige Stromwert gut zum Kathoden-Steueranschluß G1, gespeist werden, da die Kathoden-Steueranschluß-Empfindlichkeit besser als die Anoden-Steueranschluß-Empfindlichkeit ist. Damit ist der PNP—Transistor Q1,
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im wesentlichen ein Transistor mit kleinem Stromverstärkungsfaktor. Weiterhin können zahlreiche Kollektoren einfach für einen derartigen PNP-Transistor vorgesehen werden. Der in Fig. 2 dargestellte Schaltungsaufbau ist daher sehr vorteilhaft, da die Anzahl der Schaltungs-Bauelemente kleiner als bei Fig. 1 ist und die Einheit einfacher in die gewünschte integrierte Schaltungsform integriert werden kann.
Fig. 3 zeigt ein Schaltbild eines zweiten AusfUhrungsbeisplels der erfindungsgemäßen Halbleiter-Schalteinheit. Dieses zweite Ausführungsbeispiel ist eine Abwandlung des ersten AusfUhrungsbeispiels der Fig. 2, von dem es sich lediglich durch den Aufbau des Strom-Umschalters unterscheidet. Bei der Schalteinheit der Fig. 3 dient ein PNP-Transistor Q^ mit zwei Kollektoren als Strom-Umschalter 24. D. h., die Dioden D,, D ' und D^ in Fig. 2 sind nicht elektrisch voneinander isoliert, sondern sind im gleichen einkristallinen Halbleiterbereich gebildet, um einen elektrisch gleichwertigen Transistor Q_ zu bilden. Für diesen PNP-Transistor Q muß aus dem gerade beschriebenen Grund eine StromverstärkungsfunktidJr^rwartet werden. Wenn die Anode A des PNPN-Schalters 1 in Fig.3 auf einem hohen positiven Potential ist, fließt Strom in das Stromsenken-Konstantstromglied 13 vom Anoden-Steueranschluß G. des PNPN-Schalters 1 durch den Kollektor und die Basis des Transistors Q1-. In dieser Zeit arbeitet der Transistor Q^ in der Weise, in der die dargestellte Beziehung zwischen dem Kollektor und dem Emitter genau ungekehrt 1st. D.h., der Transistor Q^ wirkt im wesentlichen als einfache Diode, da er keinen Strom zur Basis des Transistors Qh speisen kann, der die Stromquelle 15 bildet. Wenn andererseits der PNPN-Schalter 1 durch dessen Kathoden-Steueranschluß GR eingeschaltet ist, steuert der Transistor Q_ den Transistor. Q1. in der Stromquelle 15 über den Emitter des dargestellten Zustandes. In diesem Fall tritt konstanter
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Strom auch an Kollektor des Transistors Q1- auf, um einen Rückfluß des Stromes zum Anoden-Steueranschluß G. des PNPN-Schalters 1 zu bewirken. Jedoch ist es möglich« jeden wesentlichen nachteiligen Einfluß durch diesen Stromwert zu verhindern, indem das Schaltungsmuster so ausgelegt wird, daß der Stromverstärkungsfaktor des Transistors Q1- möglichst klein ist. Obwohl das AusfUhrungsbeispiel der Fig. 3 der Schaltungsanordnung und dem Betrieb des Ausfuhrungsbeispiels der Fig. 2 gleicht, kann das erstere leichter in die gewünschte integrierte Schaltungsform als das letztere integriert werden, da die einer hohen Spitzen-Sperrspannung ausgesetzten Dioden vollkommen unnötig sind.
Fig.4 zeigt eine derartige Anwendung des Ausf Uhrungsbeispieles der Fig. 3, das die Schalteinheit Stromfluß in Vorwärts- und Rückwärts-Richtung ermöglicht. In Fig. 4 sind die Anoden und Kathoden von zwei PNPN-Schaltern 1 und 1' antiparallel geschaltet, um einen Zweirichtungsschalter zu bilden. Die Anoden-SteueranschlUsse G. und G' der PNPN-Schalter 1 und I1, die den Zweirichtungsschalter bilden, sind jeweils mit den einzelnen Kollektoren des Transistors Q1-verbunden, der den Strom-Umschalter 24 darstellt, und die Kathoden-SteueranschlUsse G„ und G' der PNPN-Schalter 1
IV Iv
und I1 sind jeweils mit den einzelnen Kollektoren des Transistors Q^ verbunden, der die Stromquelle 13 bildet, so daß ein Wechselstrom zwischen den Anschlüssen B und C fließen kann. Der Betrieb der in Fig.4 dargestellten Schalteinheit ist leicht aus der anhand der Fig. 3 gegebenen Beschreibung verständlich. Es ist auch sofort ersichtlich, daß das in Flg. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel auf eine Anordnung nach Flg. 4 angewendet werden kann, so daß ein Stromfluß in Vorwärts- und in Rückwärts-Richtung möglich ist.
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Fig. 5 zeigt ein Schaltbild eines weiteren Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Halbleiter-Schalteinheit. Das Ausführungsbeispiel der Fig. 5 gleicht im wesentlichen dem Ausführungsbeispiel der Fig.4, mit der Ausnahme, daß die Anoden-Steueranschlüsse G. und G' der PNPN-Schalter 1 und 1', die den Zweirichtungsschalter bilden, kurzgeschlossen sind, um gemeinsam mit dem einzigen Kollektor eines Transistors Qj-' verbunden zu sein, der einen Strom-Umschalter 34 bildet. Der in Fig. 5 dargestellte Aufbau kann erhalten werden, wenn die beiden PNPN-Schalter 1 und 1' im gleichen einkristallinen Halbleiterbereich gebildet werden, so daß sie im wesentlichen an den Teilen entsprechend ihren Anoden-Steueranschlüssen zusammengeschaltet sind. Bei Integration ist so das AusfUhrungsbeispiel der Fig.5 wegen weiterer Verbesserung der Integrationsdichte besonders vorteilhaft.
Wie oben erläutert wurde, ermöglicht die Erfindung eine Halbleiter-Schalteinheit mit wenigstens einem PNPN-Schalter zum Schalten eines Wechselstromsignales, bei der der in eine mit positiver oder negativer Spannung betriebene Verbraucherschaltung eingefügte PNPN-Schalter zuverlässig durch ein einziges Signal geringer Spannung einschaltbar ist. Das Ansteuerglied steuert den PNPN-Schalter mit einem konstanten Strom an, ohne unnötig Energie zu verbrauchen und Rauschen zu erzeugen, und es hat einen einfachen Schaltungsaufbau. Die erfindungsgemäße Halbleiter-Schalteinheit kann wirtschaftlich vorteilhaft in die gewünschte integrierte Schaltungsform integriert werden. Weiterhin kann die Stromquelle selbst in eine Konstantstromquelle umgewandelt werden, obwohl dies zu einem etwas komplizierten Aufbau führt.
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Claims (7)

Patentansprüche
1. Halbleiter-Schalteinheit
mit wenigstens einem 4-Elektroden-PNPN-Schalter einschließlich je eines Kathoden-Steueranschlusses und je eines Anoden-Steueranschlusses,
mit einer Stromquelle zum Einspeisen von Strom in den Kathoden-Steueranschluß der PNPN-SchaIter, m it einer Konstantstrom-Stromsenke, und mit einem Strom-Umschalter,
dadurch gekennzeichnet, daß der Strom-Umschalter (14) einen Stromweg-Umschalter zum wahlweisen Einspeisen des aus dem Anoden-Steueranschluß (G.) des PNPN-Schalters (1) bzw. des in die Stromquelle (15) fließenden Stromes in die Stromsenke (13)
je.nach Potential des PNPN-Schalters (1) hat (Fig. 2).
2. Halbleiter-Schalteinheit nach Anspruch 1,
mit einem Zweirichtungsschalter aus zwei antiparallelgeschalteten 4-Elektroden-PNPN-Schaltern, deren jeder einen Kathoden-Steueranschluß und einen Anoden-Steueranschluß aufweist,
bei dem die Stromquelle Strom in die Kathoden-Steueranschlüsse der PNPN-Schalter einspeist,
dadurch gekennzeichnet, daß der Stromweg-Umschalter wahlweise den aus den Anoden-SteueranschlUssen (G^, GA') der PNPN-Schalter (1, I1) fließenden Strom bzw. den in die Stromquelle (15) fließenden Strom in die Stromsenke (13) Je nach Potential der den Zweirichtungsschalter bildenden PNPN-Schalter (1, 1') einspeist ( Fig. 4, 5)·
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3. Halbleiter-Schalteinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Strom-Umschalter (14) wenigstens zwei Dioden (D,, D-*'* Dg)aufweist, deren gleichpolare Elektroden zusammengeschaltet sind (Fig. 2).
4. Halbleiter-Schalteinheit nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stromquelle (15) wenigstens einen PNP-Transistor (Qj.) mit zwei Kollektoren aufweist, die jeweils mit den Kathoden-SteueranschlUssen (G1,. G ') der den Zweirichtungsschalter bildenden PNPN-Schalter (1, I1) verbunden sind (Fig. 4).
5. Halbleiter-Schalteinheit nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Strom-Umschalter (24, 34) einen PNP-Transistor (Q5, Q5 1) aufweist (Fig. 4, 5).
6. Halbleiter-Schalteinheit nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Strom-Umschalter (24) einen PNP-Transistor (Q5) mit zwei Kollektoren aufweist, die jeweils mit den Anoden-Steueranschlüssen (G., G') der den Zweirichtungsschalter bildenden PNPN-Schalter (1, 1') verbunden sind (Fig. 4).
7. Halbleiter-Schalteinheit nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Strom-Umschalter (34) einen PNP-Transistor (Q^1) aufweist, dessen einziger Kollektor mit den Anoden-SteueranschlUssen (GA, GA') der den Zweirichtungsschalter bildenden PNPN-Schalter (I,' I1) zusammengeschaltet ist (Fig. 5). r
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DE2728945A 1976-07-02 1977-06-27 Halbleiter-Schalteinheit mit 4-Elektroden-PNPN-Schaltern Expired DE2728945C3 (de)

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DE2728945B2 DE2728945B2 (de) 1981-07-16
DE2728945C3 DE2728945C3 (de) 1982-03-11

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3369431D1 (en) * 1982-02-09 1987-02-26 Western Electric Co Field-effect controlled bi-directional lateral thyristor
JPS62256529A (ja) * 1986-04-22 1987-11-09 アレン−ブラツドリイ　カンパニ−，インコ−ポレ−テツド サイリスタ回路
US5211595A (en) * 1992-07-20 1993-05-18 North American Philips Corporation Method of manufacturing an arc tube with offset press seals

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2443930A1 (de) * 1973-09-14 1975-04-24 Hitachi Ltd Halbleiter-zweirichtungs-schaltanordnung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5210012A (en) * 1975-07-14 1977-01-26 Hitachi Ltd Pnpn switch driving circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2443930A1 (de) * 1973-09-14 1975-04-24 Hitachi Ltd Halbleiter-zweirichtungs-schaltanordnung

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US4232234A (en) 1980-11-04
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DE2728945B2 (de) 1981-07-16
JPS534458A (en) 1978-01-17

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