DE2558489C3 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Speicherelement
nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs '.
Bekanntlich hat ein Halbleiterbauelement mit einer pnpn-Vierschichtenstruktur oder eine Halbleitereinheit
aus einem pnp-Transistor und einem npn-Transistor, die so zusammengeschaltet sind, daß sie wirkungsmäßig
eine pnpn-Vierschieb tenstruktur bilden, eine Selbsthaltefunktion
und wird als Speicherelement verwendet Ein Speicherelement mit pnpn-Vierschichtenstrukfur hat
gegenüber einem Flipflop-Speicher den großen Vorteil, daß die Nichtleitungs- oder Aus-Halteleistung (Ruheleistung)
zu Null gemacht werden kann.
Jedoch haben derartige herkömmliche Halbleiter-Speicherelemente die folgenden Nachteile:
(1) Die Betriebs- oder Schaltgeschwindigkeit ist nicht
ausreichend hoch,
(2) die I .eistungsaufnahme ist groß, und
(3) der EIN-Haltestrom ändert sich mit am Speicherelement
anliegender Quellenspannung.
In diesem Zusammenhang ist ein steuerbares Silizium-Schaltelement bekanntgeworden (vgl. Electronic
Applications Vol. 27, Nr. 1, Seiten 1 bis 11), das ein
pnpn-Vierschichten-Halbleiter ist, der aufbaumäßig einem kleinen Thyristor nahekommt, nur daß alle vier
Elektroden zugänglich sind, und wirkungsmäßig mit einem Niederleistungs-Transistor in Kombination mit
einer Halte-Schaltung vergleichbar ist. Dabei kann dieses steuerbare Silizium-Schaltelement wirkungsmäßig
durch zwei komplementäre Transistoren ersetzt werden, in deren Zuleitungen Widerstände angeordnet
sind, insbesondere ein Emitterwiderstand, durch den ein Abschalten der leitenden Transistoren erreichbar ist
(vgl. dort insbesondere F i g. 3 und 4). Dieses steuerbare Silizium-Schaltelement soll insbesondere in Ringzählern,
Ansteuerschaltungen für Ziffernanzeigeröhren und Drucker sowie verschiedenen Gate-Schaltungen verwendet
werden, wobei mit ihm vor allem große Ströme zu schalten sind, insbesondere das steuerbare Silizium-Schaltelement
jeweils einer Ziffer der Ziffernanzeige zugeordnet ist und zum sowohl Schalten als auch
Speichern dient.
Demgegenüber ist es Aufgabe der Erfindung, ein Halbleiter-Speicherelement der eingangs genannten
Art zu schaffen, das eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit und eine AUS-Halteleistung Null aufweist, ferner mit
niedriger Leistung betreibbar ist und in seiner Kennlinie kaum weder durch Änderungen in der Quellenspannung
noch durch Ungleichmäßigkeiten in der Kennlinie von zugeschalteten Widerständen, Transistoren od. dgl.
beeinflußbar ist.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die Lehre nach dem Kennzeichen des Patentanspruchs 1.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die beiden komplementären Transistoren bilden eine Mitkopplungs-Schleife, die zusätzlich mit einer weiteren
Rückkopplungs-Schleife ausgestattet ist, die sich über
4ie p-Ieitende Basis und den n-Ieitenden Emitter der
beiden komplementären Transistoren erstreckt, wodurch im EIN-Haltfczustand des Speichereli:ments die
beiden komplementären Transistoren stromstabilisierend betrieben werden und der in der weiteren
Rückkopplungs-Schleife enthaltene npn-Transistor in seinem Leitungszusitand (Zustand gesteuerter Sättigung)
stabilisiert ist Das Speicherelement kann so bei hoher Geschwindigkeit und niedriger Leistungsaufnahme
arbeiten.
Außerdem ist das Halbleiter-Speicher^lement in seiner Kennlinie praktisch unabhängig von Änderungen
in der angelegten Quellenspannung und Ungleichmäßigkeiten
der Kennlinie von zugeschalteten Widerständen, Transistoren od. dgl.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung näher erlädtert Es zeigt
Fig. 1 und 2 den Aufbau bestehender S^icherelemenie
mii pnpn-Vierschichtenstruktur,
Fig. 3 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels des
erfindungsgemäßen Speicherelements,
Fig.4, 5 und 6 weitere Ausführungsbeispiele des
erfindungsgemäßen Speicherelements und
F1 g. 7 ais Beispiel Kennlinien des in F i g. 6 dargestellten Speicherelements.
Zum besseren Verständnis der Erfindung werden zunächst bestehende Speicherelemente näher erläutert.
Der Grundaufbau eines bereits bestehenden Speiche;-relements
ist in Fig. 1 näher gezeigt. Ein pnp- und ein in
npn-Transistor Q\ und Qi sind so zusammengeschaltei,
daß sie wirkungsmäßig eine pnpn-Vierschichtenstruktur bilden. Ein Schutzwiderstand R\ verhindert eine
fehlerhafte Leitung aufgrund eines dem Speicher mit pnpn-Vierschichtenstruktur anhaftenden dv/dt-Gcschwindigkeits-
oder Rate-Effekts, und ein Widerstand Ri begrenzt den Haltestrom. Wie der allgemein
bekannten pnpn-Vierschichtenstruktur haftet diesem Speicherelement eine innere Milkopplungs-Schleife an,
so daß der zum Transistor Qi vom Anschluß EIN gespeiste Basisstrom durch den Transistor φ verstärkt
wird, und der verstärkte Strom, der am Kollektor des Transistors Qi auftritt, wird dann in die Basis des
Transistors Qi gespeist, wo der Basisstrom weiter verstärkt und vom Kollektor des Transistors Q\ zurück
zur Basis des Transistors Qi gespeist wird, wo der Basisstrom weiter verstärkt wird usw. Sobald einmal ein
vorbestimmter Basisstrom zum Transistor (?? gespeist wird, werden die Transistoren Q\ und Q2 im EIN- oder
leitenden Zustand gehalten, selbst wenn der von außen zum Transistor Q>
gespeiste Basisstrom aufhört, d. h. eine pnpn-Vierschichtenstruktur mit dem in der Fig. 1
dargestellten Aufbau hat eine Selbsthalte-Funktion. Bei einem Speicherelement dieser Art wird das Leiten oder
EIN-Halten durch Sättigen der Transistoren ζ)( und Q2
bewirkt. Aus diesem Grund ist eine relativ lange Zeit erforderlich, um den Speicher in den nichtleitenden oder
Offen- oder AUS-Zustand zu schalten, da die während der Sättigung gespeicherte elektrische Ladung vollständig
entladen werden muß. Ein anderer Nachteil des in der Fig. 1 dargestel'ten Speicherelements liegt darin,
daß der EIN-Haltestrom /«· sich nach einer Änderung
der Quellenspannung VLV ändert, was ebenfalls zu
großen Änderungen in der Zeitdauer zum AUS-Schalten der Schaltung führt.
Die F i g. 2 zeigt den Aufbau eines anderen bereits bestehenden Speicherelement!,, bei dem ein Widerstand
Λ3 verwendet wird. Dieser Widerstand R3 beschränkt
die Sättigung der Transistoren (?i und Qi, wenn die
Schaltung im leitender oder EIN-Zustand ist. und legt
eine Vorspannung in Rückwärtsrichtung an die Basis des Transistors Q\ im AUS-Zustand des Speicherelements,
wodurch ein fehlerhafter Betrieb aufgrund des dv/df-üeschwindigkeitseffektes vermieden wird. Jedoch
können mit einem derartigen Schaltungsaufbau Änderungen der durch die Widerstände R2 und Rs
fließenden Ströme /«-i und /„-2 nicht verhindert werden,
wenn sich die Quellenspannungen Kv ι und Vn^ ändern,
da die Transistoren Q\ und Q2 als Spannungsstabilisiereinheit im EIN-Haltezustand des Speicherelements
arbeiten. Unter diesen Umständen begegnen Versuche, die Leistungsaufnahme zu verringern und eine hohe
Betriebsgeschwindigkeit zu erreichen, großen Schwierigkeiten. Tatsächlich müssen die Widerstandswerte der
Widerstände so gewählt werden, daß ein ausreichender Strom gewährleistet ist, um die Schaltung im EIN-Zustand
unter Berücksichtigung möglicher Änderungen in der Quellenspannung zu hallen, um Toleranzwerie oder
Ungleichmäßigkeiten in den Kennlinien der Widerstände und Transistoren sowie Änderungen in den
Temperaturkennlinien zu erzeugen. Folglich ist es schwierig oder beträchtlich unpraktisch, die Leistungsaufnahme
zu verringern und die Betriebsgeschwindigkeit zu erhöhen
In der F i g. 3, die ein Ersatzschaltbild des Grundaufbaus eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßtn
Speicherelements zeigt, sind jeweils ein pnp-Transistor Q und npn-Transistor Qi vorgesehen, die zu einer
Halbleitereinheit zusammengeschaltet sind, die wirkungsmäßig einer pnpn-Vierschichtenstruktur entspricht.
Eine Diode D\ bildet mit einem npn-Transistor Qi eine zusätzliche Rückkopplungs-Schleife zusammen
mit der eigenen oder inneren Mitkopplungs-Schleife der Halbleitereinheit der pnpn-Vierschichtenstruktur. An
den Emitter des Transistors Q\ ist ein Widerstand Ri
angeschlossen, der das Leiten oder den EIN-Haltestrom begrenzt, während ein Lasiwiderstand R^ mit dem
Kollektor des npn-Transistors Qi verbunden ist.
Im Betrieb der in der Fig.3 dargestellten Schaltung
wird das EIN-Halten des Speichers durch das Zusammenwirken der drei Transistoren Q\, Qi und Qi
erzeugt. Das heißt, der Kollektorstrom des Transistors Ci erzeugt einen Kollektorstrom des Transistors (?3
durch die Shunt- oder Nebenschluß-Diode D\ zusätzlich
zum Basisstrom für den Transistor Qi. Dies bedeutet eine Verringerung der Rückkopplungsgröße des Stromes
für die Transistoren Q\ und Q2, die so weniger im
Sättigungsbereich arbeiten. Andererseits bewirkt der Emitterstrom des Transistors Qi einen Basisstrom für
den Transistor Q<. Wenn der Transistor Qi eingeschaltet
ist, nimmt er den Strom von der Diode A und entweder vom Ausgang A US 1 oder vom Ausgang 41752 auf. Der
Strom vom Ausgang AUS\ oder vom Ausgang AUS2 erfordert seinerseits zwingend den Basisstrom des
Transistors Qi oder den Emitterstrom des Transistors
Qi, der den verringerten Rückkopplungsstrom zu den Transistoren Q\ und Qi aufgrund des Nebenschlußstromes
durch die Diode A kompensiert oder erhöht und so zum EIN-Haliebetrieb beiträgt. Das heißt, der Ausgangsstrom
wächst an, der Emitterstrom des Transistors Qi wächst entsprechend an, so daß die Transistoren Q\
und Q2 dazu neigen, im Sättigungsbereich zu arbeiten. Wenn dagegen der Ausgangsstrom abnimmt, nimmt der
Emitterstrom des Transistors Qi ebenfalls ab, so daß die Transistoren Q\ und Qi dazu neigen, im aktiven Bereich
zu arbeiten. Auf diese Weise arbeiten die Transistoren
Qi, Q2 und Qi in drei weiter unten beschriebenen
Arbeitsbereichen abhängig von der Größe des Ausgangsstromes.
Im ersten Arbeitsbereich können die Transistoren Q\, Q2 und Qi nicht im EIN- oder leitenden Zustand
gehalten werden. Dies entspricht einer sehr niedrigen Speisekapazität des Ausgangsstromes. Das heißt, wenn
der Ausgangsstrom sehr klein ist, nimmt der Emillerstrom des Transistors Q2 entsprechend dem Basisstrom
des Transistors Qi ab, was zu einer Verringerung der
Mitkopplungsgröße führt. Folglich wird der Gegenkopplungsstrom durch die Diode D\ relativ größer als
der Mitkopplungsstrom, so daß die Schaltung nicht im EIN-Zustand gehalten werden kann.
Der zweite Arbeitsbereich entspricht dem Fall, in dem eine große Speise- oder Versorgungskapazität des
Ausgangsstromes verfügbar ist. Wenn die Transistoren Q] und Q2 im gesättigten Bereich betrieben werden,
kann der Transistor Qi mit einem maximalen Basisstrom
versorgt werden. Wenn ein Ausgangsstrom verfügbar ist, der größer als der durch den Transistor Qi abhängig
vom Basisstrom hierzu aufgenommene Strom ist, kann der Transistor Qi im aktiven Bereich betrieben werden.
Kurz gesagt: Der zweite Bereich entspricht dem Zustand der Schaltung, in dem die Transistoren Q\ und
Q2 im Sättigungsbereich betrieben werden, während der Transistor Qi im aktiven Bereich arbeitet. Die Diode D]
ist dann im Sperr- oder AUS-Zustand. Tatsächlich wird die Schaltung im EIN-Zustand gehalten.
Der drille Arbeitsbereich wird durch den ersten und den zweiten Bereich festgelegt, d. h. er liegt zwischen
dem unteren Grenzwert des Ausgangsslromes, bei dem die Schaltung im EIN-Zustand gehalten werden kann,
und dem oberen Grenzwert des Ausgangsstromes, bei dem die Transistoren Q\ und Q2 im aktiven Bereich
betrieben werden, während der Transistor Qi im gesteuerten Sättigungsbereich arbeilet. Da in diesem
dritten Bereich die Transistoren Q\ und Q2 im aktiven
Bereich arbeiten, während der Transistor Qi in einem gesteuerten und gesättigten Zustand arbeilet, indem der
Strom von der Diode Di und der Ausgangsstrom aufgenommen wird, wird das Speicherelement im
stabilisierten EIN-Zustand gehalten. In diesem Zusammenhang bedeutet der Ausdruck »gesteuerter Sättigungszustand«
des Transistors Qi den Zustand, in dem das Potential am Kollektor des Transistors Qi durch die
Schleife aus der Diode D] und den Transistoren Q2 und
Qi festgelegt wird, so daß der Transistor Q1 in einer
geringen Sättigung oder einem leicht gesättigten Zustand gehalten wird.
Wie aus den obigen Erläuterungen hervorgeht, wird der EIN-Haltezustand des in der Fig. 3 dargestellten
erfindungsgemäßen Speicherelements erzeugt, wenn entweder die Transistoren Qi und Q2 oder der
Transistor Qi gesättigt sind. Wenn insbesondere der dritte Bereich ausgewählt wird, d.h. wenn der
Ausgangsstrom so eingestellt wird, daß die Transistoren Qi und Q2 im aktiven Bereich betrieben werden,
während der Transistor Qi bei gesteuerter Sättigung arbeitet, kann der Ausschall-Betrieb der Schaltung mit
sehr hoher Geschwindigkeit durchgeführt werden, indem der Strom vom Eingang EIN abgenommen wird.
Wenn die Transistoren Q\ und Q2 im aktiven Bereich
betrieben werden, führt eine Änderung in der Quellenspannung Vor in vorteilhafter Weise zu einer
vernachlässigbaren Änderung des Stromwertes /«· ohne
nachteiligen Einfluß auf den Betrieb mit hoher Geschwindigkeit. Der Strom /^ der durch die
Transistoren Qi und Q2 fließt, wird durch den
Ausgangsstrom unabhängig vom Widerstand R2 bestimmt,
bis die Sättigung erreicht ist. Demgemäß kann ein relativ größerer Toleranzbereich für den Widerstandswert
des Widerstandes R2 erlaubt werden, was wiederum die Herstellung des Speicherelements als
integrierte Schaltung erleichtert.
Es soll daran erinnert werden, daß das EIN-Halten
der in den F i g. 1 und 2 dargestellten Speicherelemente durch die gesättigten Transistoren Qi und Q2 erfolgt. Im
Gegensatz hierzu wird das EIN- oder Leitungs-Halten des in der Fig.3 dargestellten erfindungsgemäßen
Speicherelements durch die in den aktiven Bereich angesteuerten Transistoren Q] und Q>
bewirkt. Daraus geht hervor, daß der zum Halten des in Fig. 3 dargestellten Speicherelements im EIN-Zustand erforderliche
Strom kleiner als der EIN-Haltestrom für die in den F i g. 1 und 2 dargestellten Schaltungen ist. Auf diese
Weise kann erfindungsgemäß eine kleine Leistungsaufnähme erzielt werden. Der Transistor Qi kann durch
zwei Transistoren in Darlington-Schaltung ersetzt werden. Die Schaltung aus dem pnp-Transistor Q] und
dem npn-Transistor Q2 kann durch ein einziges Bauelement mit pnpn-Vierschichtenstruktur, wie z. B.
einen Thyristor mit p-Steuerelektrode oder n-Steuerelektrode,
ersetzt werden. Das gleiche gilt auch für die weiter unten beschriebenen Ausführungsbeispiele.
Die Fig.4 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel des
erfindungsgemäßen Speicherelements, das sich von der Schallung der Fig.3 dadurch unterscheidet, daß drei
zusätzliche Widerslände Ru Rj und R* vorgesehen sind.
Der Widerstand R] dient zum Schutz der Schaltung vor
einem fehlerhaften Leiten, das möglicherweise aufgrund des dv/dz-Geschwindigkeitseffekies hervorgerufen
werden kann, der während der Anstiegszeit der Quellenspannung V1x auftritt. Der Widerstand dieser
Art wird oft für das bisher beschriebene Bauelement mit pnpn-Vierschichtenstruktur verwendet. Der Widerstand
Ri trägt dazu bei, daß die Transistoren Pi und Q2
im aktiven Bereich betrieben werden. Wie in einem weiter unten beschriebenen Versuch gezeigt wird,
können die Transistoren Q\ und φ dank des Widerstandes
Ri im aktiven Bereich selbst bei einem kleineren
Ausmaß der Quellenspannung Vn- betrieben werden.
was zu einem verringerten Leistungsverbrauch führt. Schließlich dient der Widerstand Ra zur Entladung der
im Transistor Qi gespeicherten elektrischen Ladung und
ermöglicht einen schnelleren AUS-Betrieb. Bei der in der F i g. 4 dargestellten Schaltung wird der EIN-Haltezustand
durch das Zusammenwirken der Transistoren Q], Q2 und Qi erzeugt Das heißt, drei Betriebszustand-Bereiche
können abhängig von der Größe des Ausgangsstromes wie bei dem Speicherelement der
F i g. 3 durch wahlweises Einstellen des Widerstandswertes erhalten werden, so daß die Basis des Transistors
Qi durch den Emitterstrom des Transistors Q2
angesteuert werden kann. Mit der in der F i g. 4 gezeigten Schaltung kann ein ausgezeichnetes Speicherelement
erzielt werden, indem der Ausgangsstrom so eingestellt wird, daß die Transistoren Q] und Q2 im
aktiven Bereich arbeiten, während der Transistor Qi im gesteuerten Sättigungsbereich betrieben wird.
Die F i g. 5 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Speicherelements. Seine Schaltung
unterscheidet sich von der in der F i g. 4 dargestellten Schaltung dadurch, daß die Widerstände R2 und Λ3 mit
Strom von getrennten Spannungsquellen Kri und V^2
anstelle der einzigen Spannungsquelle Vn-der Schaltung
der Fig.4 versorgt werden. Zusätzlich ist ein Widerstand
/?6 zur Einstellung des Betriebszustandes zwischen
der Basis des pnp-Transistors Q\ und dem Kollektor des npn-Transistors Qi vorgesehen, wobei die Transistoren
Qi und Qi wirkungsmäßig einer pnpn-Vierschichtenstruktur
entsprechen. Weiterhin ist ein Widerstand R7
zwischen der Diode D\ und dem Kollektor des Ausgangstransistors Q3 vorgesehen, um den Ausgangspegel
und die Sättigungssteuerung des Transistors Q3
einzustellen.
Die Fig.6 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel des
erfindungsgemäßen Speicherelements, wobei Dioden D3 und Di jeweils zwischen der Diode D\ und dem
Kollektor des Ausgangstransistors Qi und zwischen dem Emitter des npn-Transistors Qi und der Basis des
Ausgangstransistors Q3 der in Fig.4 gezeigten Schaltung
vorgesehen sind. Durch einen derartigen Schaltungsaufbau kann ein Speicherelement mit einer hohen
Ausgangsdurchbruchsspannung und einem hohen Schwellenwert erhalten werden.
F i g. 7 zeigt experimentell gemessene Kennlinien der in F i g. 6 dargestellten Schaltung, nämlich das Verhalten
des Quellenstromes lm der für den EIN-Haltezustand
erforderlich ist, bezüglich Änderungen in der Quellenspannung Vco wobei der Widerstandswert des Widerstandes
R3 zum Steuern der Sättigung der Transistoren Qt und Q2 als Parameter dient.
Es ist ersichtlich, daß bei den Speicherelementen der Fig. 1 und 2 ohne Gegenkopplungs-Schleife oder
Dioden D\ und D3 der Quellenstrom /«. linear mit dem
Anwachsen der Quellenspannung VO- zunimmt. Dagegen
erfährt beim erfindungsgemäßen Speicherelement der Quellenstrom eine weitgehende Stabilisierung
bereits lediglich durch die Rückkopplungs-Schleife mit den Dioden D\ und D3. Wenn zusätzlich der Widerstand
R3 zur Erniedrigung des Widerstandswertes angeschlossen
ist, um die Transistoren Qt und Q2 im aktiven
Bereich zu betreiben, kann ein vollständig stabilisierter Strom erhalten werden, um die Schaltung im EIN-Zustandzu
halten.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentansprüche:1. Halbleiter-SpeicherelemenU mit— zwei komplementären Transistoren, die so zusammengeschaltet sind, daß sie wirkungsrnäßig einem Vierschichtenhalbleiter entsprechen, und
einer Gegenkopplungs-Anordnung,dadurch gekennzeichnet,— daß die Gegenkopplungs-Anordnung (Du Qh; A, Ri, Qh; Du D3, Qh, D2) mindestens eine Diode (D,) und einen npn-Transistor ((?j) aufweist, und— daß die beiden komplementären Transistoren (Qu Q2) durch Leitendwerden den npn-Transistor (Qi) in seinen leitenden Zustand einstellen und damit die Gegenkopplungs-Anordnung wirksam machen, um das Speicherelement im EIN-Zustand zu halten (F ig. 3; 4; 5; 6).2. Halbleiter-Speicherelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,— daß ein η-leitender Emitter des Speicheirelements (Ci, Q2) mit der Basis des npn-Transistors (Qi) und eine p-leitende Basis der beiden komplementären Transistoren (Qu Q2) mit dem Kollektor des npn-Transistors (φ) über die Diode (Di) verbunden sind, wodurch der npn-Transistor (Qi) in den leitenden Zustand einstellbar ist, indem Strom von außen in den Kollektor des npn-Transistors (Qi) gespeist wild (F ig. 3;4;5;6).3. Halbleiter-Speicherelement nach Anspruch 2,
gekennzeichnet durch— einen ersten Widerstand (Rz) zwischen dem p-leitenden Emitter und der η-leitenden Basis der beiden komplementären Transistoren (F i g. 4,6).4. Halbleiter-Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3,gekennzeichnet durch— einen zweiten Widersland (R\) zwischen der p-leitenden Basis und dem η-leitenden Emitter der beiden komplementären Transistoren (Qi, Q2) und einen dritten Widerstand (Ri) zwischen Basis, und Emitter des Transistors (Qi) (F i g. 4,5,6).5. Halbleiter-Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4,gekennzeichnet durch— eine Reihenschaltung aus der Diode (Di) und einem vierten Widerstand (fa) zwischen der p-leitenden Basis der beiden komplementären Transistoren (Q\, Q2) und dem Kollektor des npn-Transistors (Qi), wobei der erste Widerstand (/?)) an die η-leitende Basis der beiden komplementären Transistoren (Qi, Q2) angeschlossen ist (Fig. 5).b. Halbleiter-Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
gekennzeichnet durch— eine weitere Diode (D2) zwischen dem n-ldtenden Emitter der beiden komplementären Transistoren (Qu Q2) und der Basis des npn-Transistors (Qi) und eine Reihenschaltung aus der Diode (Di) und einer dritten Diode (D)) zwischen der p-leitenden Basis der beiden komplementären Transistoren (
Q2) und dem Kollektor des npn-Transistors(Fig. 6).7. Halbleiter-Speicherelemenl nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,— daß die Diode (Di) unmittelbar an ihrer Anode mit der D-leitenden Basis der beiden komplementären Transistoren (Qu Qi) und an ihrer Kathode mit dem Kollektor des npn-Transistors (φ) verbunden ist, dessen Basis an den η-leitenden Emitter der beiden komplementären Transistoren (Qu Q2) angeschlossen ist und dessen Kollektor und Emitter mit jeweiligen Vorspannungen (Vee) beaufschlagbar sind (F ig. 3,4).
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-
1974
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1975
- 1975-12-23 US US05/643,757 patent/US4031412A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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JPS5710511B2 (de) | 1982-02-26 |
CA1052908A (en) | 1979-04-17 |
JPS5176937A (de) | 1976-07-03 |
DE2558489B2 (de) | 1979-03-01 |
US4031412A (en) | 1977-06-21 |
AU8794075A (en) | 1977-07-07 |
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8381 | Inventor (new situation) |
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