DE2718454A1 - Als halbleiterschaltung ausgefuehrte speichervorrichtung - Google Patents
Als halbleiterschaltung ausgefuehrte speichervorrichtungInfo
- Publication number
- DE2718454A1 DE2718454A1 DE19772718454 DE2718454A DE2718454A1 DE 2718454 A1 DE2718454 A1 DE 2718454A1 DE 19772718454 DE19772718454 DE 19772718454 DE 2718454 A DE2718454 A DE 2718454A DE 2718454 A1 DE2718454 A1 DE 2718454A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- data
- circuit
- memory
- gate
- memory cells
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4097—Bit-line organisation, e.g. bit-line layout, folded bit lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0433—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/04—Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2216/00—Indexing scheme relating to G11C16/00 and subgroups, for features not directly covered by these groups
- G11C2216/12—Reading and writing aspects of erasable programmable read-only memories
- G11C2216/14—Circuits or methods to write a page or sector of information simultaneously into a nonvolatile memory, typically a complete row or word line in flash memory
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERO MÖLLER · D GrOSSE F. POLLMEIER 72
- bh -
C 20.4.1977
Als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung
Diese Erfindung befaßt sich mit einer als Halbleiterschaltung ausgeführten Speichervorrichtung, sie
befaßt sich insbesondere aber mit einem programmierbaren Festspeicher (PROM), durch den die Dateneingabe
zeitlich verkürzt wird.
In jüngster Zeit ist der programmierbare Festspeicher als eine Ausführung des Festspeichers oder Lesespeichers
vielfach in Computern und Datenprozessoren eingesetzt worden. Wenn nun die einzelnen Speicherzellen
eines programmierbaren Festspeichers (PROM) aus Metallcxidhalbleiter-Transistoren oder MOS-Transistoren
mit differenzierendem Steuergatt (floating
gate) oder aus ähnlichen Schaltungselementen bestehen, dann kann der Speicherinhalt bespielsweise von
außerhalb des programmierbaren Festspeichers (PROM) her mit Ultravilolettstrahlen gelöscht werden, damit
neue Daten in die Speicherzellen eingelesen werden können. Aus diesem Grunde ist eine derartige Speichervorrichtung
eine sehr nützliche und hilfreiche Etappe in der Entwicklung neuer Datenverarbeitungstechniken, Datenverarbeitungsverfahren und dergleichen
mehr,
Bei einem bekannten programmierbaren Festspeicher (PROM) wird die Dateneingabe derart gesteuert und
geregelt, daß die Daten einer jeden Worteinheit in das Speicherfeld eingegeben und eingelesen werden,
wobei die Programm-Operation in jedem Wort seriell wiederholt wird Das aber bedeutet, daß dann, wenn
709845/0985
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÖLLER · D. GROSSE F. POLLMEIER 72
. - bh -
6 20.4.1977
die Speicherkapazität eines Halbleiterchips größer wird, sich auch die Zeit, die für das Eingeben und
Einlesen der Daten erforderlich ist, entsprechend länger wird. Weil nun die Daten nur in Einwort-Einheiten
eingegeben werden können, beträgt beispielsweise im Falle eines N-leitenden Halbleiterchips
mit differenzierendem Steuergatt (floating gate) die Eingabezeit für eine Speicherzelle nicht mehr
als 100 ms, aber die Programmierungszeit, die für das gesamte Speicherfeld erforderlich ist beträgt
beispielsweise für 1 K-Wort 100 Sekunden. Eine Lösung,
die eine Verkürzung der Programmzeit ermöglicht, besteht darin, die Anzahl der Bits für ein
Wort, (das für gewöhnlich aus 8 Bits besteht), sehr groß zu machen, was wiederum, weil die Speicherkapazität
gleich bleibt, zur Folge hat, daß die Anzahl der Wort verringert wird„ Wird aber je Worteinheit
die Anzahl der Bits in dem Speicherfeld erhöht, dann sind zahlreiche Datenübertragungsleitungen erforderlich,
damit aber auch größere Anzahl von Außenanschlüssen für die Dateneingabe und für die
Datenausgabe, was wiederum zur Folge hat, daß die Vorteile der großintegrierten Halbleiterschaltungen
oder LSI-Halbleiterschaltungen nicht mehr wahrgenommen
werden können und daß es weiterhin zur Störungen an den Übergängen zwischen den Zentraleinheiten
(CPU) und den Peripheriesystemen kommen kann.
Was die bisher bekannten programmierbaren Festspeicher betrifft, so ist die Zeit für die Datenausgabe
kurz (400 bis 500 ns), während andererseits wieder-
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GROSSE F. POLLMEIER 72
- bh - + 20.4.1977
2718A354~
um die Zeit, die für das Eingeben spezifischer Programme, Daten und dergleichen mehr sehr lang ist.
Dies hat dann zu Schwierigkeiten geführt, ganz besonders
im Hinblick auf die Überprüfung der Charakteristika von programmierbaren Festspeichern (PROM),
die in Serie hergestellt worden sind, sowie in den Fällen, in denen innerhalb einer kurzen Zeit, Daten
in eine große Anzahl von programmierbaren Festspeichern (PROM) eingegeben und eingelesen werden müssen.
Ziel dieser Erfindung ist somit die Schaffung einer als Halbleiterschaltung ausgeführten Speichervorrichtung
mit einer gegenüber den bisher bekannten Speichervorrichtungen kürzeren Dateneingabe'zeit.
Gegenstand dieser Erfindung ist eine als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung, zu der
gehören:- ein Speicherfeld oder eine Speichergruppe in Form einer XY-Matrix; ein X-Dekoder und ein Y-Dekoder,
die jeweils im Hinblick auf die Speicherzellen die Richtungen X und Y der Adressen festlegen; eine
erste Gatterschaltung für die Richtung Y, die mit dem Y-Dekoder und dem Speicherfeld oder der Speichergruppe
in Verbindung steht und die Daten aus den von den X- und Y-Dekodern bestimmten Adressen abruft
und herausliest; eine Datenabruf-Steuerschaltung, die mit der ersten Y-Gattersteuerung verbunden ist; Datenübertragungsleitungen,
die mit der Datenabruf-Steuerschaltung verbunden sind, und sowohl für die Dateneingabe als auch für die Datenausgabe verwendet
werden; eine Dateneingabeschaltung mit einer zweiten Y-Gattorschaltung, die mit den Datenübertragungslei-
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER ■ C. GROSSE · F. POLLMEIER 72
- bh -$ 20.4.1977
tungen ist, die die Aufschaltdaten als Worteinheit sequentiell eingibt und mehrere der Speicherzellen
in Übereinstimmung mit den Y-Adressensignalen auswählt
und ansteuert; eine mit der zweiten Y-Gatterschaltung verbundene, verriegelnde Registerschaltung
zum zeitweiligen und vorübergehenden Aufnehmen und Festhalten der in die Gatterschaltung eingegebenen
und übertragenen Daten; schließlich auch noch eine mit der verriegelnden Registerschaltung und mit
dem Speicherfeld oder der Speichergruppe verbundene Dateneingabe-Steuerschaltung, die das Übertragen
und Eingeben der von der verriegelnden Registerschaltung festgehaltenen Daten in die jeweiligen
Speicherzellen übernimmt, die von der zweiten Y-Gatterschaltung festgelegt und bestimmt worden sind.
Diese Erfindung wird nachstehend nun anhand des in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles (der
in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele) näher erläutert«, Die Zeichnung zeigt in:-
Fig. 1 Ein Blockdiagramm für eine bevorzugte Ausführung des Erfindungsgegenständes.
Fig. 2 Einen Signal-Zeit-Plan für die Programmierungsoperation der mit Fig. 1 dargestellten
Vorrichtung.
Fig. 3 Ein ausführliches Schaltbild betreffend die mit Fig. 1 dargestellte Speichervorrichtung.
In der Zeichnung und auch in der Patentbeschreibung sind gleichartige und ähnliche Teile mit der gleichen
Hinweiszahl gekennzeichnet, wobei insbesondere Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegen-
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GEPD V.OLLfcR · D. GHOSSE · F. POLLMEIER 72
- bh 20.4.1977
wiedergibt.
Der mit Fig. 1 dargestellte programmierbare Festspeicher (PROM) hat eine Speicherkapazität von 512 Worten
(32 χ l6) von 4 Bits. Alle Y-Adressen-Speicherzellen,
doh. alle Spaltenadressen-Speicherzellen, (l6 χ k)
werden als eine Einheit behandelt, und zwar derart, daß eine Programmierung der Eingabedaten gleichzeitig
durchgeführt wird, was wiederum zur Folge hat, daß die Dateneingabezeit für jedes Halbleiterchip
des programmierbaren Festspeichers (PROM) verkürzt werden kann.
Das Speicherfeld 11 ist in Matrixform für 512 Worte (mit 512 χ h Speicherzellen) ausgeführt. Der X-Dekoder
12 legt die jeweilige Reihe des Speicherfeldes 11 in der X-Richtung fest, während von dem Y-Dekoder
13 die Spalte des Speicherfeldes 11 in Y-Richtung
festgelegt und bestimmt wird, wobei für den Datenabrufbetrieb eine Wortadresse im Speicherfeld 11 bestimmt
und festgelegt wird. Das bedeutet, die Daten, die aus einer bestimmten Adresse abgerufen werden,
werden über die Y-Gatterschaltung Ik in die Datenabruf
schal fcung 15 übertragen«, Diese Datenabruf schaltung 15 steht ihrerseits wiederum über die Datenübertragungsleitungen
D1 bis D, mit den Außenanschlüssen
dieses programmierbaren Festspeicherchips (PROM) in Verbindung,und zwar derart, daß ein aus k Bit bestehendes
Einheitswort abgerufen und nach außen übertragen wird.
Die vorerwähnten Externanschlüsse werden aber auch als Dateneingangsanschlüsse dann verwendet f wenn
die Daten eingegeben und eingelesen werden. Während des Vorganges der Dateneingabe werden die Eingabedaten
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD M'JLlErt ■ D. ÜrtOSSE · F. POLLMEIER 72
- bh -Ί0 20.4.1977
über die Datenübertragungsleitung D bis D. in die Datenübertragungsschaltung oder Dateneingabeschaltung
l6 übertragen, die der Kern dieser Erfindung ist. Der Datenübertragungsschaltung oder Dateneingabeschaltung
l6 ist die Y-Gatterschaltung 17 zugeordnet, (die als zweite Y-Gatterschaltung bezeichnet
wird). Diese zweite Y-Gatterschaltung 17 übernimmt nacheinander von den Datenübertragungsleitungen D
bis D. die aus k Bits bestehenden Daten, die jeweils eine Worteinheit bilden,, Zur Dateneingabeschaltung
16 gehören weiterhin die verriegelnde Registerschaltung
18, in der die von der Gatterschaltung 17 übernommenen Daten zeitweilig und vorrübergehend festgehalten
und gespeichert werden, sowie "eine Dateneingabe-Steuerschaltung 19. Anders ausgedrückt:- unabhängig
und separat von der ersten Y-Gatterschaltung l4 für das Abrufen und Herauslesen der Daten
ist die zweite Y-Gatterschaltung 17 in einer Schaltungsstufe
vor der Dateneingabe-Steuerschaltung 19 angeordnet. Diese zweite Y-Gatterschaltung 17 wird
von dem vorerwähnten Y-Dekoder oder Spalten-Dekoder
13| d,h, durch die Y-Adressensignale, und auch von
einem Datenabtastsignal DST, das der Gatterschaltung
17 aufgeschaltet wird, derart gesteuert und geregelt, daß die verriegelnde Registerschaltung (latch circuit)
18 dazu gebracht wird, zeitweilig und vorrübergehend
die Dateneingaben, die zu den Y-Speicherzellen oder
zu den Spalten-Speicherzellen gehen, zu übernehmen und festzuhalten. Die Anzahl der sich in in der verriegelnden
Registerschaltung 18 befindlichen Bits
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERU MÖLLER · L). GLOSSE · F. 0OLLMEIER 72
- bh -
ΛΛ 20.4.1977
ist die gleiche wie bei allen Speicherzellen (l6 χ h),
die auf der X-Linie angeordnet sind,, Die Steuersignal-Generatorschaltung
20 ist derart konstruiert und ausgelegt, daß sie Steuersignale der verschiedensten Arten
erzeugen kann«
Der mit Fig. 2 dargestellte Signal-Zeit-Plan verdeutlicht den zeitlichen Steuerungsablauf für den programmierbaren
Festspeicher (PROM) während des Dateneingabevorganges, und zwar auf der Grundlage einer positiven
Logikschaltung« Diese Programm-Betriebsart kann unterteilt werden in eine Periode, (dem Datenzyklus),
in dem das Ausgabe-/Eingabesignal R/V den Logikzustand (spannungsführenden Zustand) 1I1 hat, und in
eine Periode, (dem Programmzyklus), in dem das Eingabe-/Ausgabesignal den Logikzustand 1O1 hat (und keine
Spannung führt). Nun ist die Schaltung derart ausgelegt und ausgeführt, daß das Signal R/W der Datenausgebe-Steuerschaltung
15 und der Dateneingabe-Steuerschaltung Ic zugeführt und aufgeschaltet wird, wobei
dann wiederum das Chip-Auswahl- oder Chip-Artsteuerungssignal
CS der Datenausgabe-Steuerschaltung 15 zugeführt und aufgeschaltet wirdo Nun wird das Datenabtastsignal
DST auf die Gatterschaltung I7 aufgeschaltet
und dadurch wiederum die verriegelnden Datenregister (latches) zeitlich gesteuert und geregelt.
Zunächst einmal werden während des Datenzyklus, wenn R/W = 1I1 ist und wenn CS = 0 ist, die Dateneingabe-Steuerschaltung
19 und die Datenausgabe-Steuerschaltung 15 nicht arbeiten können, so daß während dieses
7Ü98A5/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GEPU FÜLLER · O. GHOSSE · F. POLLMEIER 72
- bh -/|2 20.4.1977
Betriebszustandes nur eine Übertragung der Daten von den Datenübertragungsleitungen D bis D. aus
auf die verriegelnde Registerschaltung (latch circuit)
18 möglich ist, Zu diesem Zeitpunkt werden der Gatterschaltung 17 vom Y-Dekoder 13 aus Y-Adressensignale
ebenfalls aufgeschaltet und zugeführt, was wiederum zur Folge hat, daß die als Eingang
aufgeschalteten Daten in Übereinstimmung mit der
Adressensequenz zu diesem Zeitpunkt durchgeschaltet werden und in die verriegelnde Registerschaltung
18 übergeben und eingegeben werden. Die zeitliche Steuerung und Regelung der Dateneingabe wird
von den Datenabtastsignalen DST bestimmt, die zur Datenfolge synchron sind. Die geringerwertigen Bits
der Adressensignale werden zunächst einmal mit der entsprechenden Spaltenrichtung des Speicherfeldes
11 in Übereinstimmung gebracht, während die höherwerigen Bits den Eingängen des X-Dekoders 12
entsprechen, so daß dadurch die Daten seriell mit allen Bits (8x4 Bits) innerhalb einer kurzen Zeit
in die verriegelnde Registerschaltung (latch circuit) 18 übertragen und eingegeben werden.
Wechselt dann bei R/11 = 1O1 und CS = 1O1 die Operation
in den Betriebszustand Programmzyklus, dann erfolgt auch eine Umschaltung der Eingabe-Steuerschaltung
19 in einen Betriebszustand, in dem diese
Schaltung arbeiten kann, wobei dann die Programmimpulse gemeinsam und gleichzeitig in Übereinstimmung
mit den Eingabedaten, die während der zuvor beschriebenen Operation zeitweilig und vorübergehend
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GEPÜ MDLLER · D. GHOSSE · F. POLLMEIER 72
- bh 20.4.1977
in der verriegelnden Registerschaltung 18 festgehalten worden sind, in die spezifizierten 16 χ 4-Speicherzellen
übertragen und eingelesen werden. Während eines Programmzyklus liegen die Ausgänge des X-Dekoders
12 fest, beispielsweise auf der X-Leitung (l), und alle Daten, die durch den Y-Dekoder 13 ausgewählt
und in die verriegelnde Registerschaltung 18 übertragen worden sind, werden dann von dort aus gemeinsam
und gleichzeitig in das Speicherfeld 11 eingegeben. Das aber bedeutet, daß die Daten gemeinsam und gleichzeitig
für eine zum Speicherfeld gehörende bestimmte Gruppe von Speicherzellen programmiert werden, denen
das Adressensignal des X-Dekoders 12 aufgeschaltet
worden ist und die duch die Gatterschaltung 17 bestimmt und angesteuert worden ist, woraufhin dann
der Datenzyklus und der Programmzyklus erneut für eine Speicherzellengruppe entsprechend den Adressen
des nächsten X-Dekoders 12 und des nächsten Y-Dekoders
13 durchgeführt werden»
Damit aber wird dadurch, daß eine verriegelnde Registerschaltung
18 und eine Dateneingabe-Steuerschaltung 19 vorgesehen und jeweils mehreren Speicherzellen
zugeordnet sind, beispielsweise allen drei Speicherzellen in einer Spalte, die Zeit für die Dateneingabe
gegenüber den bisher bekannten Ausführungen, bei denen die Dateneingabe in Worteinheiten erfolgt,
sehr stark verkürzt. Das bedeutet, daß wie zuvor beschrieben, die Schaltung derart ausgelegt und ausgeführt
ist, daß die geringerwertigeren Adressenbits
in Reihenrichtung den Speicherzellen des Speicherfel-
7098A5/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERO MÜL'.ER · D GPüSSE · F. POLLMEIER 72
- bh -
A^ 20.4.1977
- 10 -
des 11 zugeordnet werden, während die höherwertigeren
Bitadressensignal dem X-Dekoder 12 aufgeschaltet
und zugeführt werden, so daß aus diesem Grunde die Daten während der Programmierungsoperation unbehindert
in sequentieller Weise, wie dies bei den bisher bekannten programmierbaren Festspeichern (PROM) der
Fall ist, eingegeben und eingelesen werden können. Weiterhin können während des Abrufens und Herauslesens
der Daten die verriegelnde Registerschaltung 18 und die Dateneingabe-Steuerschaltung 19 nicht
arbeiten, weil dann für die Speichervorrichtung der Betriebszustand R/W = 1O1 und DST = 1I1 gegeben ist,
so daß aus diesem Grunde alle üblichen Steuerungsverfahren Verwendung finden können, die auch im Zusammenhang
mit den bekannten programmierbaren Festspeichern (PROM) eingesetzt werden«
Für das Kernstück dieser Erfindung ist es auch unwesentlich, ob mit positiver Schaltlogik oder mit negativer
Schaltlogik gearbeitet wird.Die Konstruktion und Ausführung muß natürlich entsprechend den von
außen her aufzuschaltenden Signalen modifiziert und
geändert werden„ Darüber hinaus kann die gleichzeitige
und im Hinblick auf die Speicherzellengruppe ausgerichtete Datenprogrammierung entweder mit Reiheneinheiten
oder mit Spalteneinheiten durchgeführt werden, wobei in jedem dieser Fälle die Speicherzellen,
die eine Reihe (Spalte) bilden in mehrere Blöcke für jeweils einige Datenwörter unterteilt sein können
und die sequentielle Programmierung für jeden Block durchgeführt und vorgenommen werden kann.
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERO M'JL'.ER · D GrüSSE · F. FOLLMEIER 72
- bh 20.4.1977
Wie aus dem mit Fig„ 3 wiedergegebenen ausführlichen
Schaltbild für die Speichervorrichtung nach
Fig. 1 zu erkennen ist, setzt sich das Speicherfeld 11 aus den Speicherzellen MC zusammen, die
wiederum eine Matrix (i + l) χ (j + l) bilden,
(wobei 1 Bit ein Wort ist). Weiterhin wird in jeder Speicherzelle MC jeweils ein Metalloxidhalbleter-
Fig. 1 zu erkennen ist, setzt sich das Speicherfeld 11 aus den Speicherzellen MC zusammen, die
wiederum eine Matrix (i + l) χ (j + l) bilden,
(wobei 1 Bit ein Wort ist). Weiterhin wird in jeder Speicherzelle MC jeweils ein Metalloxidhalbleter-
Transistor oder MOS-Transistor T mit differenziell
rendem Steuergatt (floating gate) verwendet und
eingesetzt. Bei den Schalttranssitoren T„, handelt
es sich um Transistoren, welche über die in X-Richtung oder auf die Reihen des Speicherfeldes wirkenden Speicheradressensignalen, die auf Steuerelektroden der Schalttransistoren aufgeschaltet werden, dehQ durch die Adressensignale X bis X., gesteuert und geschaltet werden. In diesem Falle sind die
mit Fig, 1 wiedergegebenen Adressendekoder, doh„ die Adressendekoder 12 für X und 13 für Y nicht dargestellt. Die Gatterschaltung l4 setzt sich aus (j + l) Feldeffekttransistoren FET zusammen, wobei das für
die Spaltenansteuerung entsprechende Adresserisignal Y bis Y. einem jeden dieser Feldeffekttransistoren zugeführt und aufgeschaltet wird, wobei diese Feldeffekttransistoren mit einer einzelne Datenübertragungsleitung D über die Datenübertragungs-Steuerschaltung 15, die ihrerseits wiederum von einer Steuerschaltung 21 gesteuert und geregelt wird, verbunden sind. Darüber hinaus ist die vorerwähnte Datenübertragungsleitung D über eine Steuersignal-Einstellschaltung 22 auf die Gatterschaltungen 17 bis 17j
eingesetzt. Bei den Schalttranssitoren T„, handelt
es sich um Transistoren, welche über die in X-Richtung oder auf die Reihen des Speicherfeldes wirkenden Speicheradressensignalen, die auf Steuerelektroden der Schalttransistoren aufgeschaltet werden, dehQ durch die Adressensignale X bis X., gesteuert und geschaltet werden. In diesem Falle sind die
mit Fig, 1 wiedergegebenen Adressendekoder, doh„ die Adressendekoder 12 für X und 13 für Y nicht dargestellt. Die Gatterschaltung l4 setzt sich aus (j + l) Feldeffekttransistoren FET zusammen, wobei das für
die Spaltenansteuerung entsprechende Adresserisignal Y bis Y. einem jeden dieser Feldeffekttransistoren zugeführt und aufgeschaltet wird, wobei diese Feldeffekttransistoren mit einer einzelne Datenübertragungsleitung D über die Datenübertragungs-Steuerschaltung 15, die ihrerseits wiederum von einer Steuerschaltung 21 gesteuert und geregelt wird, verbunden sind. Darüber hinaus ist die vorerwähnte Datenübertragungsleitung D über eine Steuersignal-Einstellschaltung 22 auf die Gatterschaltungen 17 bis 17j
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERO ^OL'.ER · D Gf-OSSE · F. F-OLLMEIER 72
- bh -
Ab 20.^.1977
271845V
geführt, wobei diese Schaltungsanordnung derart ausgelegt,
und ausgeführt ist, daß dann, wenn die Daten eingegeben werden, diese Leitungen die Daten von den
Eingangsanschlüssen übernehmen, woraufhin die Daten durch die Steuersignal-Einstellschaltung 22 in die
verriegelnden Registerschaltungen 18 bis 18 . der Reihenfolge nach übertragen und dort gespeichert
werden.
Zu diesem Zwecke werden die für die Spaltenauswahl oder die Spaltenansteuerung bestimmten Adressensignale
Y bis Y. sowie die Datenabtastungssignale DST von der Steuerungssignal-Generatorschaltung 20 aus
der Gatterschaltung 17 zugeführt und aufgeschaltet, und die verriegelnden Registerschaltungen 18 bis
18 . bestehen jeweils aus 5 Feldeffekttransistoren FET, so daß sie die Ausgangssignale der Gatterschaltungen
17O bis 17 . aufnehmen und speichern können.
Von der Steuerschaltung 19 aus werden die R/W-Signa-Ie
den Dateneingabe-Steuerschaltungen 19n bis 19-aufgeschaltet,
die jeweils einer der vorerwähnten verriegelnden Regis terse hai tungen 18_^ bis 18 . zugeordnet
sind, wobei die Schaltungsanordnung von der Konstruktion her derart ausgelegt ist, daß dann,
wenn das Signal R/W den Logikzustand 1O1 hat, in
selektiver Weise mit der gleichen Adresse (Xn) in jeder Spalte der Speicherzelle ein Programmierungsimpuls
aufgeschaltet wird, woraufhin das Eingeben oder Einlesen der Daten durchgeführt werden kann.
Bei einem derart konstruierten programmierbaren Festspeicher (PROM) werden die Speicherzellen, die
den Adressen (j +l) entsprechen, gleichzeitig und
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD .MÖLLER · O GROiSE · Y. PO1.LMEIER 72
- bh -
A% 20.4.1977
und gemeinsam programmiert» War für die Programmierung
eines der bisher bekannten und als Halbleiterchip ausgeführten programmierbaren Festspeichers
(PROM) eine Programmierungszeit von T = N χ t
( mit N gleich der Anzahl von Worten für einen Chip) erforderlich, dann kann nunmehr ein programmierbarer
Festspeicher (PROM) mit der gleichen Speicherkapazi-
T
tat in einer Zeit von/ ρ . ^j \ programmiert wer
tat in einer Zeit von/ ρ . ^j \ programmiert wer
j + 1
den» In diesem Falle steht >v für die Gesamtzahl der
Datenzyklen, d.h. für die Dateneingabezeit, die bei der verriegelnden Registerschaltung 18 erforderlich
ist, wobei ein Datenzyklus rund 100 ns bis 1 ;us dauert, was im Verglich mit einer Programmierungszeit
von 100 Millisekunden für eine Adresse eine vernachlässigbare kurze Zeit isto Damit aber ist für den
mit Fig„ 3 wiedergegebenen programmierbaren Festspeicher
(PROM) gegenüber den bisher bekannten programmierbaren Festspeichern (PROM) eine Verkürzung der
Dateneingabezeit von — — gegeben.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Matrix des Speicherfeldes 11 als eine (i + l) χ (j + l)-Matrix
ausgeführt, und wenn die Anzahl der Spalten (j + l) erhöht wird, wirkt sich der Verkürzungseffekt trotz
gleichbleibender Speicherkapazität noch nachhaltiger aus. In diesem Falle wird jedoch der Bereich,
der von Bereich, der von den verriegelnden Registerschaaltungen,
von den Dateneingabeschaltungen und von sonstigen Steuerschaltungen belegt wird, größer.
Weiterhin wird in dem vorerwähnten Ausführungsbeispiel
nur eine Datenübertragungsleitung dargestellt,
703845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÖLLER · D. GROSSE · -. POLLMEIER 72
- bh 20.4.1977,?;
werden aber, wie dies mit Fige 1 dargestellt ist,
mehrere Datenübertragungsleitungen D bis D verwendet, dann braucht das Bit-Wort-Verhältnis nicht
1 Bit zu betragen, sondern es kann ein Bit-Wortverhältnis von k Bits je Wort oder von 8 Bits je
Wort gegeben sein. Diese Strukturen eines Speicherfeldes werden stark eingeschränkt durch den Ausgleich
zwischen der Fläche des Chips und der Anzahl der äußeren Anschlüsse, und es ist wünschenswert,
daß diese Punkte dann in Betracht gezogen werden, wenn das Verhältnis zwischen der tatsächlichen Verkürzung
der Dateneingabezeit und der Menge der Daten, die gespeichert werden können, festgelegt wird,
doh. wenn die Speicherkapazität als Grundlage genommen
wird. Wenn nun die vorerwähnte Speichervorrichtung als eine nur für das Lesen bestimmte Halbleiterschaltung
ausgeführt ist, bei der eine Dateneingabe elektrisch möglich ist (PROM), dann sind die
einzelnen Speicherzellen nicht auf die Ausführung einer Metalloxid-Halbleiterschaltung oder MOS-HaIbleiterschaltung
mit differenzierendem Steuergatt (floating gate) beschränkt, so daß der Aufbau der
Dateneingabe-Steuerschaltung 19, der Gatterschaltung 17 und der verriegelnden Registerschaltung 18 bei
der Verwirklichung dieser Erfindung auch vielfach modifiziert und verändert werden kann, Znsbesondere
im Hinblick auf die Dateneingabe-Steuerschaltung 17 sind sehr wahrscheinlich verschiedenartige Schaltungsausführungen und Anschlussverhältnisse bei einer
Veränderung der Wortstruktur notwendig, das gleiche gilt auch für den Aufbau einer aus mehreren Halblei-
709845/0965
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÖLLER · D. GRC3SE · F. POuLMEIER 72
- bh 2O.4
271~84§4
terchips bestehenden Speichervorrichtung. Für das zuvor beschriebene Ausführungsbeispiel sind beispielsweise
die Spaltenadressensignale Y bis Y.
angenommen worden, so daß in den Reihen-Einheiten (j + l) der Speicherzellen die Speicherzellen
nacheinander von den Gatterschaltungen 17n nis angesteuert und ausgewählt werden, es ist aber
jedoch auch möglich, gleichzeitig und gemeinsam eine Vielzahl von Speicherzellen zu programmieren,
die von den Reihenadressensignalen X bis X. angesteuert und ausgewählt werden.
Wenn, wie dies schon beschrieben worden ist, diese Erfindung verwendet wird, dann kann die Dateneingabezeit
einer als programmierbarer Festspeicher (PROM) verwendeten und als Halbleiterschaltung
ausgeführten Speichervorrichtung sehr stark verkürzt werden, dann können die Eigenschaften leicht
überprüft werden, dann kann der Verwender die Programmierung schnelle durchführen, und zwar mit
jedem Dateneingabesystem und ohne wesentliche Modifikationen und Veränderungen an der Dateneingabe
und der Datenausgabe der bisher bekannten programmierbaren Festspeicher (PROM).
Es dürfte klar sein, daß an dem Erfindungsgegenstand
zahlreiche Modifikationen und Änderungen vorgenommen werden können. Es dürfte aber auch
klar sein, daß innerhalb des Rahmens der dieser Patentbeschreibung beiliegenden Patentansprüche
die Erfindung auch anderes realisiert werden kann, als dies in diesem Zusammenhange beschrieben worden
ist.
709845/0968
Leerseite
Claims (6)
- Patentansprüche:-Als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung bestehend aus : -einem Speicherfeld, das sich aus mehreren in Form einer XY-Matrix angeordneten Speicherzellen zusammensetzt;einem X-Dekoder und einem Y-Dekoder, die jeweils die Adressen X und Y für die Speicherzellen festzulegen und inzusteuern haben; einer ersten Y-Gatterschaltung, die mit dem Y-Dekoder und dem Speicherfeld verbunden ist und die Daten, deren Adressen von den Dekodern X und Y festgelegt worden sind, abzurufen und herauszulesen hat;einem mit der vorerwähnten ersten Y-Gatterschaltung verbundenen Datenausgabe-Steuerschaltung; Datenübertragungsleitungen, die mit der Datenausgabe-Steuerschaltung verbunden sind und sowohl für die Dateneingabe als auch für die Datenausgabe verwendet und herangezogen werden. Die als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtungdadurch gekennzeichnet, daß eine Dateneingabeschaltung, der eine zweite Y-Gatterschaltung zugeordnet ist, auf die Datenübertragungsleitungen geführt ist und die Daten als Worteinheiten übernimmt, dann eine Reihe von Speicherzellen in Sequenz auswählt und ansteuert und zwar in Übereinstimmung mit den Y-Adressensignalen, die die Speicherzellen bestimmen; daß eine verriegelnde Registerschaltung709845/0985ORIGINAL INSPECTEDPATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MOLLtR · D. ÜHCSSE · F. POLLMEIER 72- bh _ , 20.4.1977schaltungsmäßig auf die zweite Y-Gatterschaltung geführt ist und zeitweilig und vorübergehend die Daten, die in die Gatterschaltung übertragen worden sind aufnimmt und festhält; daß schließlich eine Dateneingabe-Steuerschaltung mit der verriegelnden Gatterschaltung oder Registerschaltung und mit dem Speicherfeld verbunden ist und veranlaßt, daß die von der verriegelnden Registerschaltung festgehaltenen Eingabedaten in die über die zweite Y-Gatterschaltung angesteuerten und ausgewählten jeweiligen Speicherzellen übertragen werden.
- 2. Als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß einer jeden der Speicherzellen Metalloxidhalbleiter-Transistoren oder MOS-Transistoren mit differenzierendem Steuergatt (floating gate) züge ordne t s ind o
- 3. Als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Steuerungssignal auf die zweite Y-Gatterschaltung geschaltet wird; daß ein Lese-/Schreibesignal sowohl der Dateneingabe-Steuerschaltung als auch der Datenausgabe-Steuerschaltung aufgeschaltet wird, wobei von dem Dateneingabe-/Datenausgabe im Hinblick auf das Eingabθprogramm ein Datenzyklus und ein Programmzyklus festgelegt werden; daß während des Datenzyklus die Daten synchron mit dem Steuerungssignal aus der Y-Gatter-709845/0965PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÖLLER · D. GRCSSE · ?. POuLMEIER 72- bh -^ 20.4.1977schaltung in die verriegelnde Registerschaltung übertragen werden, während während des Programm zyklus die von der verriegelnden Registerschaltung festgehaltenen Daten in die adressierten Speicherzellen übertragen werden, und zwar dadurch, daß ihnen Programmierungsimpulse aufgeschaltet werden.
- 4. Als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung nach irgendeinem der vorerwähnten Ansprüche,dadurch gekennzeichnet, daß sich das Speicherfeld aus mehreren Worteinheiten zusammensetzt und daß die Daten gleichzeitig und gemeinsam in alle Speicherzellen einer X-Reihe übertragen und eingegeben werden.
- 5. Als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Patentansprüche,dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl der Einheitsworte auf der X-Reihe angeordnet sind, die unterteilt ist in mehrere Speicherblöcke, die jeweils aus einigen Einheitsworten bestehen, wobei die Daten gleichzeitig und gemeinsam für einen jeden Block übertragen und eingegeben werden.
- 6. Als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung nach Anspruch ktdadurch gekennzeichnet, daß die geringerwertigeren Adressenbits den Speicherzellen in Y-Richtung des Speicherfeldes709845/09B5PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERC MCLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72- bh -(f. 20.^.1977zugeordnet werden, wohingegen die höherwertigeren Adressenbits der X-Richtung des Speicherfeldes zugeordnet werden.7· Als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung im wesentlichen in Übereinstimmung mit der Patentbeschreibung und den der Patentbeschreibung beiliegenden Zeichnungen«,- Ende -709845/0965
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4737976A JPS52130536A (en) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | Semiconductor memory unit |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2718454A1 true DE2718454A1 (de) | 1977-11-10 |
DE2718454B2 DE2718454B2 (de) | 1979-05-23 |
DE2718454C3 DE2718454C3 (de) | 1980-02-07 |
Family
ID=12773449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2718454A Expired DE2718454C3 (de) | 1976-04-26 | 1977-04-26 | Als Halbleiterschaltung ausgeführte Speichervorrichtung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4130900A (de) |
JP (1) | JPS52130536A (de) |
DE (1) | DE2718454C3 (de) |
GB (1) | GB1582272A (de) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5625295A (en) * | 1979-08-06 | 1981-03-11 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS5651093A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-08 | Nec Corp | Semiconductor storage device |
JPS56134390A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-21 | Fujitsu Ltd | Rom element |
EP0050005B1 (de) * | 1980-10-15 | 1988-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Halbleiterspeicher mit Programmierungszeit |
FR2493641A1 (fr) * | 1980-11-03 | 1982-05-07 | Efcis | Reseau logique integre a programmation electrique simplifiee |
JPS57167186A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-14 | Nec Corp | Memory circuit |
GB2112256B (en) * | 1981-11-18 | 1985-11-06 | Texas Instruments Ltd | Memory apparatus |
JPS58122687A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-21 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPS59180894A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | Nippon Denso Co Ltd | 不揮発性メモリに対するデ−タ書き込み制御装置 |
US4752907A (en) * | 1983-08-31 | 1988-06-21 | Amdahl Corporation | Integrated circuit scanning apparatus having scanning data lines for connecting selected data locations to an I/O terminal |
US4628480A (en) * | 1983-10-07 | 1986-12-09 | United Technologies Automotive, Inc. | Arrangement for optimized utilization of I/O pins |
US5136546A (en) * | 1984-09-26 | 1992-08-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory |
JPS6180597A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
WO1986004727A1 (en) * | 1985-02-11 | 1986-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Efficient page mode write circuitry for e2proms |
US5165039A (en) * | 1986-03-28 | 1992-11-17 | Texas Instruments Incorporated | Register file for bit slice processor with simultaneous accessing of plural memory array cells |
US4785424A (en) * | 1986-05-27 | 1988-11-15 | Seeq Technology, Inc. | Apparatus for page mode programming of an EEPROM cell array with false loading protection |
US5313420A (en) | 1987-04-24 | 1994-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Programmable semiconductor memory |
US5195056A (en) * | 1987-05-21 | 1993-03-16 | Texas Instruments, Incorporated | Read/write memory having an on-chip input data register, having pointer circuits between a serial data register and input/output buffer circuits |
US5008856A (en) * | 1987-06-29 | 1991-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrically programmable nonvolatile semiconductor memory device with NAND cell structure |
JP2895488B2 (ja) * | 1988-04-18 | 1999-05-24 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及び半導体記憶システム |
US5845313A (en) | 1995-07-31 | 1998-12-01 | Lexar | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US6728851B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-04-27 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6978342B1 (en) | 1995-07-31 | 2005-12-20 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US8171203B2 (en) | 1995-07-31 | 2012-05-01 | Micron Technology, Inc. | Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation |
EP0856851B1 (de) * | 1997-01-30 | 2004-03-24 | Motorola, Inc. | Schaltung und Verfahren zum Verriegeln einer Bitleitung in einem nichtlflüchtigem Speicher |
US6279071B1 (en) | 1998-07-07 | 2001-08-21 | Mitsubishi Electric And Electronics Usa, Inc. | System and method for column access in random access memories |
US7102671B1 (en) | 2000-02-08 | 2006-09-05 | Lexar Media, Inc. | Enhanced compact flash memory card |
US7167944B1 (en) | 2000-07-21 | 2007-01-23 | Lexar Media, Inc. | Block management for mass storage |
GB0123410D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Memory system for data storage and retrieval |
GB0123419D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Data handling system |
GB0123421D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Power management system |
GB0123415D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Method of writing data to non-volatile memory |
GB0123417D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Improved data processing |
GB0123416D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Non-volatile memory control |
US6957295B1 (en) | 2002-01-18 | 2005-10-18 | Lexar Media, Inc. | File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices |
US6950918B1 (en) | 2002-01-18 | 2005-09-27 | Lexar Media, Inc. | File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices |
US7231643B1 (en) | 2002-02-22 | 2007-06-12 | Lexar Media, Inc. | Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver |
US6973519B1 (en) | 2003-06-03 | 2005-12-06 | Lexar Media, Inc. | Card identification compatibility |
WO2005059854A2 (en) | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Lexar Media, Inc. | Electronic equipment point-of-sale activation to avoid theft |
US7725628B1 (en) | 2004-04-20 | 2010-05-25 | Lexar Media, Inc. | Direct secondary device interface by a host |
US7370166B1 (en) | 2004-04-30 | 2008-05-06 | Lexar Media, Inc. | Secure portable storage device |
US7464306B1 (en) | 2004-08-27 | 2008-12-09 | Lexar Media, Inc. | Status of overall health of nonvolatile memory |
US7594063B1 (en) | 2004-08-27 | 2009-09-22 | Lexar Media, Inc. | Storage capacity status |
TWI308692B (en) * | 2005-10-26 | 2009-04-11 | Sunplus Technology Co Ltd | Programmable memory and accessing method of the same |
US8320191B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3824564A (en) * | 1973-07-19 | 1974-07-16 | Sperry Rand Corp | Integrated threshold mnos memory with decoder and operating sequence |
US3895360A (en) * | 1974-01-29 | 1975-07-15 | Westinghouse Electric Corp | Block oriented random access memory |
US3906461A (en) * | 1974-03-29 | 1975-09-16 | Sperry Rand Corp | Integrated MNOS memory with decoder |
-
1976
- 1976-04-26 JP JP4737976A patent/JPS52130536A/ja active Pending
-
1977
- 1977-04-25 GB GB17183/77A patent/GB1582272A/en not_active Expired
- 1977-04-25 US US05/790,815 patent/US4130900A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-04-26 DE DE2718454A patent/DE2718454C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4130900A (en) | 1978-12-19 |
DE2718454C3 (de) | 1980-02-07 |
GB1582272A (en) | 1981-01-07 |
JPS52130536A (en) | 1977-11-01 |
DE2718454B2 (de) | 1979-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2718454A1 (de) | Als halbleiterschaltung ausgefuehrte speichervorrichtung | |
DE2654278C2 (de) | ||
DE69230366T2 (de) | Multiport statischer Direktzugriffspeicher mit schnellem Schreibdurchschema | |
DE4232025C2 (de) | Elektrisch löschbarer und programmierbarer nichtflüchtiger Halbleiterspeicher mit automatischem Schreibprüfungs-Controller | |
DE3839113C2 (de) | ||
DE19859494C2 (de) | Nichtflüchtiger Mehrebenen-Halbleiterspeicherbaustein mit einer Schaltung zum Einstellen der Datenlesezeit | |
DE2905675C2 (de) | ||
DE3916784C2 (de) | Speicherzellenfeld und Verfahren zum Schreiben von Daten in das Speicherzellenfeld | |
DE3347306C2 (de) | ||
DE69121315T2 (de) | Festwertspeicheranordnung | |
DE69908340T2 (de) | Seitenmoduslöschverfahren in flash-speichermatrize | |
DE69416761T2 (de) | Speicherschutzschaltung für EPROM | |
DE3586675T2 (de) | Halbleiterspeicheranordnung. | |
DE2905676A1 (de) | Integrierte schaltung mit einem einzigen chip | |
DE69532376T2 (de) | Schaltung und Verfahren zum Zugriff auf Speicherzellen einer Speicheranordnung | |
DE3587944T2 (de) | Konfigurierbare logische Matrix. | |
DE2001471A1 (de) | Bitorientierte Speicheranordnung | |
DE3635754A1 (de) | Mikrocomputer mit intern und extern programmiertem eprom | |
DE19839089B4 (de) | Datenpuffer für einen programmierbaren Speicher mit mehreren Zuständen | |
DE19908157A1 (de) | Speichertestschaltung | |
EP0224887A1 (de) | Gate Array Anordnung in CMOS-Technik | |
DE2442132C3 (de) | Dynamisches Schieberegister und Verfahren zu seinem Betrieb | |
DE69126045T2 (de) | Speicherschaltung mit verbesserten Leistungsverbindungen | |
DE19531021C2 (de) | Datenleseschaltung | |
DE4233249A1 (de) | Dualportspeicher |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP |