DE2638909A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents
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Description
SEMIKRON
Gesellschaft für Glelchriohtarbcu und El3ktronik m.b.H. 8500 Nürnberg, Wiesentalstraße 40 2638909 Telefon 0911 / 37781 - Telex 06 - 22155
Gesellschaft für Glelchriohtarbcu und El3ktronik m.b.H. 8500 Nürnberg, Wiesentalstraße 40 2638909 Telefon 0911 / 37781 - Telex 06 - 22155
25. August 1976 PA - Bu/wl K 17604
HALBLEITERANORDNUNG
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit den Merkmalen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei herkömmlichen Halbleiteranordnungen ist ein gleichzeitig zur Stromleitung dienendes, metallisches Teil des Gehäuses, in dem das
Halbleiterplättchen eingeschlossen ist, auf einem Kühlbauteil flächenhaft fest aufgebracht und der isoliert durch das Gehäuse geführte,
weitere Stromleiter des Halbleiterplättchens mit Stromanschlußelementen verbunden. Häufig wird durch die einseitige Kühlung solcher Anordnungen,
auf der mit dem Kühlbauteil versehenen Seite, nur eine unzureichende Ableitung der beim Einsatz entstehenden Verlustwärme erzielt, während
über den weiteren Stromleiter vielfach nicht nur keine Verlustwärme abgeleitet, sondern in ihm durch ungenügende Bemessung noch zusätzliche
Verlustwärme erzeugt wird. Die einseitige Kühlung mithilfe eines Kühlbauteils schränkt demzufolge den Einsatz solcher Anordnungen ein und
beeinträchtigt deren Betriebsverhalten.
Zur Vermeidung dieser Schwierigkeiten ist es bekannt, Halbleitergleichrichterelemente,
insbesondere solche hoher Strombelastbarkeit, mit scheibenförmigem Gehäuse auszubilden und zwischen zwei gegenseitig isoliert
angeordneten Kühlbauteilen zu befestigen. Ein derartiger Aufbau ermöglicht optimale Ableitung der Verlustwärme nach beiden Seiten des Gleichrich-
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- Tf-
terelements. Jedoch sind zu dieser beidseitigen Kühlung durch zwei getrennte
Kühlbauteile ein erheblicher Aufwand an Kühleinrichtung und an dafür erforderlichem Raum sowie besondere Maßnahmen zur gegenseitigen
elektrischen Isolierung der Kühlbauteile erforderlich.
Bei anderen bekannten Halbleiteranordnungen hoher Strombelastbarkeit
sind zwei Halbleiter-Gleichrichterelemente mit plattenförmigen! Gehäuseunterteil
und kappenförmigem Gehäuseoberteil räumlich und elektrisch antiparallel zwischen zwei plattenförmigen Kühlbauteilen befestigt. Jedes
Gleichrichterelement wird daher an seinem Gehäuseunterteil durch das diesem zugeordnete Kühlbauteil und an seinem durch das Gehäuseoberteil
geführten, weiteren Stromleiter durch das mit diesem verbundene Kühlbauteil des anderen Gleichrichterelements, also beidseitig durch zwei Kühlbauteile
gekühlt.
Bei einer anderen bekannten Form einer Antiparallelschaltung ist jedes
der beiden Gleichrichterelemente auf einem von zwei in einer Ebene liegenden Kühlbauteilen befestigt und an seinem weiteren Stromleiter über
Kontaktbügel jeweils mit dem anderen Kühlbauteil fest verbunden. Auch in diesem Fall erfolgt die Kühlung jedes Gleichrichterelements beidseitig
mit Hilfe von zwei Kühlbauteilen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung zu
schaffen, bei der das Halbleiterbauelement durch ein Kühlbauteil an beiden Laststromanschlußseiten optimal gekühlt wird.
Die Lösung dieser Aufgabe besteht in den kennzeichnenden Merkmalen des
Anspruchs 1.
Anhand der in den Figuren 1 bis 4 dargestellten Ausführungsbeispiele
wird der Gegenstand der Erfindung aufgezeigt und erläutert.
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Figur 1 zeigt in Vorderansicht eine erfindungsgemäße Halbleiteranordnung
mit einem Kühlbauteil für Flüssigkeitskühlung und mit einem durch Löten kontaktierten, aus einem Halbleiterplättchen und dessen oberen Stromleiter
bestehenden, ungekapselten Halbleiterbauelement. In Figur 2a ist in Vorderansicht, in Figur 2b in einer Seitenansicht ein im wesentlichen
demjenigen nach Figur 1 entsprechender Aufbau, jedoch mit druckkontaktiertem
Halbleiterbauelement dargestellt, und in Figur 2c ist in Vorderansicht ein Ausschnitt eines Aufbaus mit druckkontaktiertem, scheibenförmig
gekapselten Halbleiterbauelement gezeigt. Figur 3 zeigt eine Bauform, die ein gekapseltes Halbleiterbauelement aufweist, das bezüglich seiner Drehachse
senkrecht zur Ebene des Kühlbauteils befestigt ist, und die als Baueinheit mit einer Zwischenplatte auf einem Kuhlbauteil für Luftkühlung
vorgesehen ist. In Figur 4 ist schematisch eine Halbleiteranordnung mit sechs Gleichrichterelementen in Drehstrombrückenschaltung und mit erfindungsgemäßem
Aufbau auf einem gemeinsamen KUhlbauteil gezeigt.
Für gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt.
Gemäß der Darstellung einer Bauform I in Figur 1 ist aus einem Halbleiterplättchen
1 und aus an dessen einer Seite befestigtem, als oberer Stromleiter bezeichneten Leiterteil 2 ein Halbleiterbauelement gebildet,
das an der weiteren Seite des Halbleiterplättchens 1 mit einem Kontaktbauteil
11 und an der freien Fläche des oberen Stromleiters, 2 mit einem
Kontaktbauteil 21 durch Löten fest verbunden ist.
Die beiden Kontaktbauteile 11 und 21 dienen gleichzeitig zur Stromleitung.
Sie sind weiter, ebenfalls durch Lötung, auf einem gemeinsamen Kühlbauteil 3 für Flüssigkeitskühlung befestigt, das als Hohlkörper ausgebildet
ist und öffnungen zum Durchfluß des Kühlmittels aufweist.
Zur Vermeidung unerwünschter Korrosionserscheinungen bei nicht potentialfreiem
Kühlmitteldurchfluß und der damit verbundenen Schwierigkeiten sind die Kontaktbauteile 11, 21 über je eine elektrisch isolierende, den
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Wärmefluß nicht hindernde Isolierschicht 12 bzw. 22 aus Oxidkeramik
oder aus einem wärmeleitenden Kleber auf dem Kühlbauteil 3 befestigt. Bei Anordnung einer Schicht aus Oxidkeramik ist diese mit dem Kontaktbauteil
bzw. mit dem Kühlbauteil jeweils mithilfe einer Lotschicht 110, 210 bzw. 301 fest verbunden.
Die metallischen, beispielsweise aus Kupfer bestehenden Kontaktbauteile
11, 21 können z.B. quaderförmig, prismenförmig oder halbkugelförmig ausgebildet
sein. Sie weisen an wenigstens einer ihrer freien Außenflächen, z.B. an einander gegenüberliegenden Flächen, je eine Gewindebohrung 11a
bzw. 21a zur Verbindung mit weiteren Stromanschlußteilen auf. Sie können jedoch auch, wie dies beim Bauteil 21 dargestellt ist, an der zur Anschlußkontaktierung
vorgesehenen Fläche mit einem Aufsatz (21b) versehen sein, in welchem die Gewindebohrung (21a) angebracht ist.
Der gegenseitige Abstand der Kontaktbauteile 11, 21 ist unkritisch und
lediglich durch die Notwendigkeit eines flexiblen, oberen Stromleiters zum Ausgleich von Wärmedehnungen des im übrigen starren Aufbaus beim Einsatz
bestimmt. Die Kontaktbauteile sind so bemessen, daß sie optimale Ableitung der Verlustwärme zum Kühlbauteil sicherstellen, jedoch nicht
selbst als Kühlbauteil wirken. Die dargestellte Anordnung I ist derart in Isoliermaterial 6 eingeschlossen, daß die Gewindebohrungen 11a, 21a
der Kontaktbauteile 11, 21 und die Durchflußöffnungen des Kühlbauteils
3 zum Anschluß entsprechender Elemente freibleiben. Dadurch ist eine kompakte Baueinheit gegeben. Bedarfsweise können die Kontaktbauteile 11,
21 an übereinstimmenden freien Außenflächen Ausbildungen zur zusätzlichen Anordnung von Bauteilen zur Schutzbeschaltung aufweisen. Die Umhüllung aus
Isoliermaterial kann aus einem Gehäuse und aus einer Gießmasse zur Einbettung der Bauteile bestehen. Bei der Herstellung des in Figur 1 dargestellten
Ausführungsbeispiels wird zweckmäßig das vorgefertigte Halblei-
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- r-
terbauelement durch Löten auf dem Kontaktbauteil Π befestigt. Zu diesem
Zweck kann das letztere an dem vorgesehenen Flächenabschnitt einen lötfähigen Überzug aufweisen. Anschließend werden der aus den Teilen 1,2
und 11 gebildete Aufbau sowie das Kontaktbauteil 21, das zur Lötverbindung
mit dem Stromleiter 2 ebenfalls metallisiert ist, in entsprechender räumlicher Zuordnung unter Berücksichtigung der Isolierstoffschichten 12,
22 mit Hilfe einer Vorrichtung auf dem Kühlbauteil 3 angeordnet. In einer
Wärmebehandlung werden dann die Teile gleichzeitig an sämtlichen vorgesehenen Flächenabschnitten durch Löten miteinander fest verbunden. Schließlich
wird der in dieser Weise fertiggestellte Aufbau in eine Isoliermasse 6 eingebettet und damit umschlossen, wie dies mit den unterbrochenen Umfangslinien
angedeutet ist.
Bei dem in Figur 2a dargestellten Aufbau II weisen die Kontaktbauteile
111, 121 eine besondere Ausbildung zur druckkontaktierten Anordnung des
Halbleiterbauelementes (1,2) auf. Ein gleichmäßiger und reproduzierbarer
Kontaktdruck kann beispielsweise wie dargestellt durch ein, durch gegenseitige gleichachsige Lageänderung der Kontaktbauteile erzieltes
Anpressen derselben erzielt werden. Gemeinsame Achse zur Verschiebung wenigstens eines Kontaktbauteils zum Zwecke der Druckkontaktierung ist
die Drehachse des mit beiden Kontaktbauteilen kontaktierten Halbleiterbauelements;
Zu diesem Zweck weisen beide Kontaktbauteile 111, 121 am
Randbereich ihrer jeweiligen Kontaktseite zum Halbleiterbauelement wenigstens drei gegenseitig und zur Drehachse des Halbleiterbauelements
übereinstimmend angeordnete Bohrungen auf. Diese sind beim Kontaktbauteil 111 als Gewindebohrungen 11Id zur Aufnahme der Stellschrauben 23 und
beim Kontaktbauteil 121 als Führungslöcher 121 d zur elektrisch isolierten
Durchführung der Schrauben 23 ausgebildet. Mit Hilfe einer Schraubvorrichtung für mehrere Schrauben kann das zwischen den Kontaktbauteilen
angeordnete Halbleiterbauelement bei dem beschriebenen Aufbau in gewünschter Weise druckkontaktiert werden.
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Die Druckkontaktierung des Halbleiterbauelements ist nicht Gegenstand
der Erfindung und kann auch auf andere Weise erzielt werden.
Zur Gewährleistung einer einwandfreien Kontaktfunktion auch nach der
Einbettung des Aufbaus in Isoliermasse ist das Halbleiterbauelement und der am Umfang des oberen Stromleiters 2 diesen umschließende, beispielsweise
schraubenförmig ausgebildete Federkörper 4 in einem Faltenbalg 5 geschützt untergebracht. Der Faltenbalg 5 ist an beiden Enden mit
Haftsitz über je einen Ansatz 111c bzw. 121c der Kontaktbauteile geführt. Der Federkörper 4, der auch teleskopförmig ausgebildet sein kann, stützt
sich an einem Ende gegen eine angepaßt ausgebildete, zentrale Erhebung 121e auf dem Ansatz 121c des Kontaktbauteils 121 und am anderen Ende
auf eine entsprechend ausgebildete Erhebung 2b des unmittelbar am HaIbleiterplättchen
1 anliegenden und mit diesem fest verbundenen Kontaktstücks 2a des oberen Stromleiters 2.
Die Tiefe der Gewindebohrungen IHd wird durch die für den erforderlichen
Mindesteingriff der Stellschrauben 23 und durch die notwendige Wegstrecke des Kontaktbauteils 121 beim Herstellen des Kontaktdrucks bestimmt. Die
Stellschrauben 23 sind innerhalb des Faltenbalges 5 angeordnet.
Der bei Druckkontaktierung aus Kontaktbauteilen 111, 121, Halbleiterbauelement
und Stellschrauben 23 bestehende, in sich stabile Aufbau kann in beliebiger Weise auf einem Kühlbauteil 3 angeordnet und durch Löten
befestigt sein, wie dies zu Figur 1 erläutert ist.
Die Kontaktbauteile 111,121 weisen an den vorgesehenen äußeren Kontaktflächen
je einenAufsatz 111b bzw. 121b auf, der auch, wie durch unterbrochene
Linien angedeutet, auf der oberen, dem Kühlbauteil 3 entgegengesetzt gerichteten Fläche angebracht sein kann.
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In Figur 2b ist der in Figur 2α gezeigte Aufbau in Seitenansicht
von rechts dargestellt. Dabei ist auch die Umhüllung 6 mit Gießmasse angedeutet. Zur Erzeugung des Kontaktdrucks sind vier Stellschrauben
23 vorgesehen.
Bei dem in Figur 2c im Ausschnitt dargestellten Aufbau ist zwischen
den Kontaktbauteilen 111, 121 ein scheibenförmig verkapseltes Halbleiterbauelement
10 angeordnet und beispielsweise wie vorbeschrieben druckkontaktiert. Infolge der dichten Umhüllung des Halbleiterplättchens
im scheibenförmigen Gehäuse entfällt die Einbettung des Aufbaus mit Isolierstoff.
Bei der Herstellung dieser erfindungsgemäßen Anordnung II wird auf das
entsprechend gehalterte Kontaktbauteil 111 zunächst in vertikaler Zuordnung
das Halbleiterbauelement. (1,2) aufgesetzt. Dann wird der Federkörper
4 aufgesteckt und der Faltenbalg 5 an dem Ende zum Kontaktbaüteil 111 angebracht. Anschließend wird das Kontaktbauteil 121 passend
aufgebracht und mithilfe der Stellschrauben 23 justiert. Nach dem Überziehen
des Faltenbalges über den Ansatz 121b wird durch gleichzeitiges
Verschrauben aller Stellschrauben 23 die Kontaktierung bewerkstelligt. Der in dieser Weise gefertigte Aufbau wird dann in einer Wärmebehandlung
mit beiden Kontaktbauteilen Über eine entsprechende Isolierschicht auf
das KUhlbauteil 3 aufgelötet. Dabei können die Isolierschichten 12, 22
bereits an den Kontaktbauteilen befestigt sein, bevor der Zusammenbau erfolgt.
Bei den vorbeschriebenen Ausfuhrungsbeispielen ist der aus Kontaktbauteilen
und Halbleiterbauelement bestehende Aufbau mit seiner durch die Drehachse des Halbleiterbauelements bestimmten Mittelachse parallel
zur Wärmekontaktfläche des Kuhlbauteils 3 angeordnet. In Figur 3 ist eine andere Lösungsform aufgezeigt. Gleichzeitig ist auch ein gekapseltes
Halbleiterbauelement z.B. mit Gehäuseober- und -unterteil in Be-
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tracht gezogen. Das Gehäuseunterteil 211 ist gleichzeitig Kontaktbauteil.
Es weist ein Anschlußstück 211b mit einer Vertiefung 211a auf,
entsprechend der Ausbildung des Kontaktbauteils 11 in Figur 1.In die
obere Seite des Kontaktbauteils 211 ist das Gehäuseoberteil 101 des mit
unterbrochenen Linien im Gehäuseinneren angedeuteten Halbleiterbauelements eingelassen angeordnet und dicht befestigt. Es kann in an sich bekannter
Weise aus einer Metallkappe mit sogenannter Glasdurchführung oder aus einer Keramikkappe mit Metalldurchführung bestehen. Es kann aber auch
als Kunststoffoberteil ausgebildet sein. Der obere Stromleiter verläuft durch die Gehäusedurchführung 201 und ist am Ende an einem metallischen
Kontaktbügel 223 befestigt, der das Verbindungsteil zum Kentaktbauteil 21 bildet.
Das Ende des vorzugsweise in seinem gehäuseäußeren Abschnitt flexiblen
Stromleiters kann beispielsweise in eine angepaßte Durchbohrung des in diesem Endabschnitt geschlitzt ausgebildeten Kontaktbügels eingesteckt,
mit Hilfe einer Feststellschraube 224 zur Klemmwirkung des Kontaktbügels klammerförmig gehaltert und mit dem Kontaktbügel durch Lötung
fest verbunden sein.
Zur Gewährleistung eines optimalen Wärmeübergangs zwischen Stromleiter
und Kontaktbügel erfolgt das Festklemmen des ersteren während des Lötprozesses.
Die Dicke der Lotschicht wird dabei gleichmäßig minimal. Das Halbleiterbauelement weist ein Halbleiterplättchen mit Thyristorstruktur
auf, dessen Hilfselektroden 101a und 101b zu einem Schaltstützpunkt 13
geführt sind, der auf dem Kontaktbauteil 211 elektrisch isoliert befestigt ist und zur Kontaktierung von Steuer- und Beschaltungsbauteilen
dient. Ein entsprechender Stützpunkt 24 ist auf dem Kontaktbauteil 21
angeordnet. Die Anschlußstellen 14 bzw. 24 der Kontaktstützpunkte ragen aus der Isolierstoffverkapselung der Anordnung heraus.
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Der Erfindungsgegenstand erlaubt auch besonders vorteilhaft die Anordnung
von z.B. drei Baueinheiten einer Schaltungsgruppe auf einer gemeinsamen
Zwischenplatte und damit eine thermische Kopplung beim Betrieb, wodurch das Betriebsverhalten der einzelnen Halbleiterbauelemente
Jeder Gruppe noch verbessert werden kann.
In gleich günstiger, verfahrenstechnisch optimaler Weise sind beliebige
andere Schaltungen mit einer oder mehreren Baueinheiten je Zweig in Reihe oder parallel, auch unter Anordnung von Beschaltungsgliedern erzielbar,
und es ist weiterhin besonders leicht möglich, z.B. Baueinheiten oder Baugruppen oder Schaltungen von einem Kühlbauteil für Luftkühlung
zu entfernen und zur Erzielung höherer Leistungen auf einem entsprechenden, bemessenen Kühlbauteil für Flüssigkeitskühlung zu befestigen.
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Leerseite
Beide Kontaktbauteile 211, 21 sind nicht über eine Isolierschicht
112 unmittelbar mit dem Kühlbauteil verbunden, wie dies in Figur 1 dargestellt
ist, sondern zunächst mit einer vorzugsweise aus Kupfer bestehenden Zwischenplatte 121 entsprechender Ausdehnung. Diese kann an ihrer
freien Unterseite einen das Löten begünstigenden, metallischen Überzug 122 zur Verbindung mit dem Kühlbauteil aufweisen. Sie kann auch mit
einem duktilen metallischen Überzug zur Herstellung einer durch Druck erzielten thermischen Verbindung mit dem Kühlbauteil versehen sein. Weiterhin
kann zwischen Kühlbauteil und Zwischenplattu eine duktile Edelmetallfolie
angeordnet sein. Dazu dient eine Zwischenplatte 121 mit überstehendem Randbereich, der Durchbohrungen 121a zur Schraubbefestigung
auf dem Kühlbauteil aufweist. Bei einem Aufbau nach Figur 3 kann das Halbleiterbauelement auch druckkontaktiert sein. Die Ausbildung ist
beispielsweise derart, daß das Halbleiterbauelement zwischen den beiaen gleichförmigen Kontaktbauteilen angeordnet ist, und daß die Kontaktbauteile
an ihrer oberen Seite durch einen isoliert angebrachten Druckbügel verbunden sind, gegen den sich der Federkörper zur Druckkontaktierung des
Halbleiterplättchens mit dem oberen Stromleiter abstützt.
Es kann auch eine kombinierte Kontaktierung durch Löten des Halbleiterplättchens
an einer Seite und Druckkontaktieren an der anderen Seite vorgesehen sein.
Aus Figur 3 ist zu erkennen, daß ein aus Kontaktbauteilen, Halbleiterbauelement
und Zwischenplatte bestehender Aufbau unabhängig von der Art der Kühlung in gewünschter Weise eingesetzt werden kann. Daher ist in
Figur 3 der für einen gewählten Aufbau wesentliche Teil eines Kühlbauteils 33 für Luftkühlung gezeigt. Dieser kann auf der Auflagefläche für
die Zwischenplatte einen lötfähigen Überzug 301 aufweisen. Jedoch kann zwischen Kühlbauteil 33 und Zwischenplatte 121 auch eine duktile Edel-
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-IC-
metallfolie angebracht sein, wenn beide Teile lediglich gegenseitig
durch Druck verbunden werden. Dazu ist das Kühlbauteil an den entsprechenden Stellen mit Gewindebohrungen 33a versehen. Mit 33b sind
die Kühlrippen angedeutet.
Ein Aufbau mit Zwischenplatte ist auch bei Anordnungen nach den Figuren
1 und 2 herstellbar. Er ermöglicht in überraschend einfacher Weise eine
uneingeschränkte Anwendung des Erfindungsgegenstandes. So können Halbleiterleistungsbauelemente
mit zwei oder mehr Elektroden als Baueinheit mit jeweils einem Halbleiterbauelement oder als Baueinheit mit wenigstens
zwei im gemeinsamen Gehäuse untergebrachten Halbleiterbauelementen auf einem Kühlbauteil vorgesehen werden. Es können infolge der potentialfreien
Befestigung aber auch Baueinheiten in gewünschter elektrischer Schaltung auf einem gemeinsamen Kühlbauteil vorgesehen sein. Dabei ist
die kompakte Ausführung, die günstige Anordnung an weiteren Stromanschlußteilen und die optimale thermische Belastbarkeit durch bestmögliche
beidseitige Kühlung jedes Halbleiterplättchens bei allen Anwendungsfällen gleich vorteilhaft. In Figur 4 ist ein Ausführungsbeispiel für
den konstruktiv besonders einfachen Aufbau einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung
mit mehreren Halbleiterbauelementen dargestellt. Es sind sechs Baueinheiten z.B. nach einer der Figuren 1 bis 3 auf einem gemeinsamen
Kuhlbauteil 3 zu einer Drehstrombrückenschaltung verschaltet. Die Baueinheiten sind jeweils über die überstehende Zwischenplatte 121 mittels
Schrauben 124 in zwei Gruppen zu je drei Stück auf dem Kühlbauteil befestigt. Entsprechend der Verschaltuiigsvorschrift sind durch Stromschienen
8 für die Gleichstromanschlüsse die drei Baueinheiten jeder Gruppe außen verbunden, und je eine Baueinheit der einen Gruppe ist
mit der benachbarten Baueinheit der anderen Gruppe durch Stromschienen 9 für die Wechselanschlüsse verschaltet.
Der Austausch einer defekten Baueinheit ist in einfachster Weise ohne
Maßnahmen an und mit anderen Baueinheiten möglich.
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Claims (25)
- PATENTANSPRÜCHE 26389 O 9/1, !Halbleiteranordnung mit wenigstens einem Halbleiterbauelement und mit einem Kühlbauteil zur Ableitung der in dem oder den Halbleiterbauelementen entstehenden Verlustwärme, dadurch gekennzeichnet,daß jedes Halbleiterbauelement (1-2) an seinen zur Verbindung mit dem Laststromkreis vorgesehenen Kontaktflächen mit je einem metallischen, gleichzeitig zur Stromleitung dienenden Kontaktbauteil (11,21; 211,221) kontaktiert ist, und daß zur beidseitigen Ableitung der Verlustwärme auf das eine Kühlbauteil (3,33) beide Kontaktbauteile mit dem Kühlbauteil elektrisch isoliert fest verbunden sind.
- 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement an seinen Kontaktseiten durch Lötung mit dem jeweiligen Kontaktbauteil fest verbunden ist.
- 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement an seinen Kontaktseiten durch Druck mittels Federkörper (4) mit dem jeweiligen Kontaktbauteil fest verbunden ist.
- 4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktbauteile (11,21;211,221) an wenigstens einer ihrer freien Außenflächen eine Gewindebohrung (11a,21a) zur Befestigung von Stromanschlußteilen aufweisen.
- 5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Kühlbauteil (3) ein solches für Flüssigkeitskühlung vorgesehen ist.8098Ü9/0398
- 6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Kühlbauteil (33) ein solchem für Luftkühlung vorgesehen ist.
- 7. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das aus einem Halbleiterplättchen (1) mit wenigstens zwei Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und aus einem flexiblen oberen Stromleiter (2) bestehende Halbleiterbauelement ungekapselt angeordnet ist.
- 8. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das aus einem Halbleiterplättchen (i) mit wenigstens zwei Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und aus einem flexiblen oberen Stromleiter (2) bestehende Halbleiterbauelement in einem an sich bekannten Gehäuse aus Unterteil und kappenförmigem Oberteil angeordnet ist.
- 9. Halbleiteranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kontaktbauteil gleichzeitig als Gehäuseunterteil vorgesehen und angepaßt ausgebildet ist.
- 10. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement aus einem Halbleiterplättchen und aus je einer an dessen beiden Seiten anliegenden Kontaktscheibe besteht und in einem scheibenförmigen, zur Druckkontaktierung vorgesehenen Gehäuse (1O) zwischen den Kontaktbauteilen angeordnet ist.
- 11. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10,dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement bezüglich seiner Drehachse809809/0398parallel zur Auflagefläche des Kühlbauteils (3) für die Kontaktbauteile angeordnet ist.
- 12. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche T bis 10,dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement bezüglich seiner Drehachse senkrecht zur Auflagefläche des Kühlbauteils für die Kontaktbauteile angeordnet und an seinem oberen Stromleiter über einen zusätzlichen metallischen Kontaktbügel (223) mit dem zugeordneten Kontaktbauteil (211) leitend fest verbunden ist.
- 13. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zur elektrisch isolierten Befestigung der Kontaktbauteile auf dem Kühlbauteil (3,33) eine Schicht aus Oxidkeramik (12,22,112) vorgesehen ist.
- 14. Halbleiteranordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus Oxidkeramik durch Löten mit den benachbarten Bauteilen verbunden ist.
- 15. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zur elektrisch isolierten Befestigung der Kontaktbauteile auf dem Kühlbauteil (3,33) eine Schicht aus einem wärmeleitenden elektrisch isolierenden Kleber vorgesehen ist.
- 16. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktbauteile auf ihrer oberen, zum Kühlbauteil entgegengesetzten Fläche jeweils wenigstens einen Kontaktträger (13,23) als Schaltstützpunkt mit Kontakten (14,24) zur Anordnung von Steuerleitungen steuerbarer Bauelemente und/oder von Beschaltungsbauteilen aufweisen.809809/0398
- 17. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der aus Halbleiterbauelement, Kontaktbauteilen und bedarfsweise aus Kontaktträgern bestehende Aufbau zusammen mit wenigstens einem Teil des Kühlbauteils, ausgenommen die freien Flächen und Ausbildungen zur Verbindung mit weiteren Bauteilen, in Isolierstoff (6) eingebettet und mit einem solchen umhüllt sind.
- 18. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der aus Halbleiterbauelement, Kontaktbauteilen und Isolierschichten bestehende Aufbau auf einer zwischen diesen und dem KUhlbauteil (33) vorgesehenen, metallischen Zwischenplatte (121) befestigt ist und mit dieser eine Baueinheit zur beliebigen Anordnung einzeln oder mit mehreren auf einem Kühlbauteil (33) bildet.
- 19. Halbleiteranordnung nach Anspruch X8f dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenplatte (121) einen über die Kontaktbauteile hinausragenden Randbereich zur flanschförmigen Verbindung der Baueinheit mit dem Kühlbauteil und im Verlauf des Randbereichs Öffnungen (121a) zur Erzielung einer Schraubverbindung mit dem entsprechend ausgebildeten (33a) KUhlbauteil aufweist.
- 20. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 18 oder 19/ dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenplatte an ihrer Verbindungsfläche zu den Kontaktbauteilen einen die Lötverbindung begünstigenden metallischen Überzug aufweist und daß sowohl die Zwischenplatte als auch das Kühlbauteil an der Verbindungsfläche zum angrenzenden Bauteil in einer durch die Art der vorgesehenen Verbindung bestimmten Weise oberflächenbehandelt sind.809809/0 398
- 21. Halbleiteranordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Kühlbauteil und Zwischenplatte ein duktiler Edelmetallüberzug (122) vorgesehen ist.
- 22. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 21 , gekennzeichnet durch die Anbringung von zwei oder mehr Baueinheiten (i,II,III) mit Halbleiterbauelementen gleicher oder unterschiedlicher Art auf einem gemeinsamen Kühlbauteil (3).
- 23. Halbleiteranordnung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil der auf dem Kühlbauteil aufgebrachten Baueinheiten gegenseitig elektrisch verschaltet sind (8,9).
- 24. Halbleiteranordnung nach Anspruch 22 oder 23# dadurch gekennzeichnet, daß die Baueinheiten gegenseitig räumlich getrennt angebracht sind.
- 25. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß zwei oder mehr einen Teil einer elektrischen Schaltung bildende Baueinheiten gemeinsam in Isoliermasse eingebettet sind und einen verschalteten Bausatz darstellen.809809/0398
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---|---|---|---|
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FR7724855A FR2363194A1 (fr) | 1976-08-28 | 1977-08-12 | Dispositif semi-conducteur a evacuation bilaterale de chaleur |
US05/827,341 US4209799A (en) | 1976-08-28 | 1977-08-24 | Semiconductor mounting producing efficient heat dissipation |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2614469A1 (fr) * | 1987-04-24 | 1988-10-28 | Inrets | Dispositif de refroidissement, en particulier pour semi-conducteur de puissance |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4404739A (en) * | 1980-04-21 | 1983-09-20 | Thermal Associates, Inc. | Method for mounting, electrically isolating and maintaining constant pressure on a semiconductor element |
FR2495846A1 (fr) * | 1980-12-05 | 1982-06-11 | Cii Honeywell Bull | Dispositif de connexion electrique a haute densite de contacts |
FR2495838A1 (fr) * | 1980-12-05 | 1982-06-11 | Cii Honeywell Bull | Dispositif de refroidissement amovible pour supports de circuits integres |
JP2569003B2 (ja) * | 1986-03-20 | 1997-01-08 | 株式会社日立製作所 | 熱伝導装置 |
US4783428A (en) * | 1987-11-23 | 1988-11-08 | Motorola Inc. | Method of producing a thermogenetic semiconductor device |
US4987953A (en) * | 1990-03-09 | 1991-01-29 | Kohler Company | Shared coolant system for marine generator |
US5058660A (en) * | 1990-03-09 | 1991-10-22 | Kohler Co. | Shared coolant system for marine generator |
JPH06325708A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-25 | Hamamatsu Photonics Kk | X線発生装置 |
US5594355A (en) * | 1994-07-19 | 1997-01-14 | Delta Design, Inc. | Electrical contactor apparatus for testing integrated circuit devices |
US5792677A (en) * | 1997-01-16 | 1998-08-11 | Ford Motor Company | Embedded metal planes for thermal management |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1614012A1 (de) * | 1967-06-16 | 1970-03-26 | Theodor Kiepe Elektrotechn Fab | Anordnung zur Abfuehrung der in Halbleiterelementen,wie Dioden,Thyristoren u.dgl.erzeugten Waerme |
DE2255151B2 (de) * | 1971-11-16 | 1974-08-15 | International Standard Electric Corp., New York, N.Y. (V.St.A.) | Anordnung zum Verbinden von Verlustwärme abgebenden Leistungs-Halbleiterschaltelementen mit Kühlelementen durch Kleben und Verfahren zur Herstellung derselben |
DE2324370B2 (de) * | 1973-05-14 | 1975-12-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Halbleiterbaustein |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE527420A (de) * | 1953-03-20 | |||
NL204333A (de) * | 1954-01-14 | 1900-01-01 | ||
US2862159A (en) * | 1954-10-29 | 1958-11-25 | Raytheon Mfg Co | Conduction cooled rectifiers |
DE1042762B (de) * | 1955-02-26 | 1958-11-06 | Siemens Ag | Flaechengleichrichter bzw. -transistor, welcher mit mindestens einer seiner Elektroden flaechenhaft mit einem die Verlustwaerme abfuehrenden Koerper in Kontakt steht |
JPS4213216Y1 (de) * | 1966-04-18 | 1967-07-27 | ||
US3396361A (en) * | 1966-12-05 | 1968-08-06 | Solitron Devices | Combined mounting support, heat sink, and electrical terminal connection assembly |
US3483444A (en) * | 1967-12-06 | 1969-12-09 | Int Rectifier Corp | Common housing for independent semiconductor devices |
SE354943B (de) * | 1970-02-24 | 1973-03-26 | Asea Ab | |
GB1346157A (en) * | 1971-02-13 | 1974-02-06 | Bbc Brown Boveri & Cie | Cooling apparatus for a thyristor |
US3768548A (en) * | 1972-03-02 | 1973-10-30 | Motor Co | Cooling apparatus for semiconductor devices |
DE2337694C2 (de) * | 1973-07-25 | 1984-10-25 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleitergleichrichteranordnung hoher Strombelastbarkeit |
JPS5512740B2 (de) * | 1974-03-15 | 1980-04-03 | ||
JPS5241149B2 (de) * | 1974-03-16 | 1977-10-17 | ||
DE7512573U (de) * | 1975-04-19 | 1975-09-04 | Semikron Gesellschaft Fuer Gleichri | Halbleitergleichrichteranordnung |
-
1976
- 1976-08-28 DE DE19762638909 patent/DE2638909A1/de not_active Withdrawn
-
1977
- 1977-07-06 CH CH831177A patent/CH617535A5/de not_active IP Right Cessation
- 1977-07-08 IT IT25557/77A patent/IT1081539B/it active
- 1977-07-28 BR BR7704944A patent/BR7704944A/pt unknown
- 1977-08-09 SE SE7709019A patent/SE437444B/xx unknown
- 1977-08-12 FR FR7724855A patent/FR2363194A1/fr active Granted
- 1977-08-24 US US05/827,341 patent/US4209799A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-08-26 GB GB35891/77A patent/GB1594141A/en not_active Expired
- 1977-08-27 JP JP10220977A patent/JPS5329078A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1614012A1 (de) * | 1967-06-16 | 1970-03-26 | Theodor Kiepe Elektrotechn Fab | Anordnung zur Abfuehrung der in Halbleiterelementen,wie Dioden,Thyristoren u.dgl.erzeugten Waerme |
DE2255151B2 (de) * | 1971-11-16 | 1974-08-15 | International Standard Electric Corp., New York, N.Y. (V.St.A.) | Anordnung zum Verbinden von Verlustwärme abgebenden Leistungs-Halbleiterschaltelementen mit Kühlelementen durch Kleben und Verfahren zur Herstellung derselben |
DE2324370B2 (de) * | 1973-05-14 | 1975-12-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Halbleiterbaustein |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"Electronic Industries", Bd. 22, 1963, Nr. 3, S. 171 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2614469A1 (fr) * | 1987-04-24 | 1988-10-28 | Inrets | Dispositif de refroidissement, en particulier pour semi-conducteur de puissance |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1594141A (en) | 1981-07-30 |
SE7709019L (sv) | 1978-03-01 |
US4209799A (en) | 1980-06-24 |
IT1081539B (it) | 1985-05-21 |
BR7704944A (pt) | 1978-04-25 |
JPS5329078A (en) | 1978-03-17 |
FR2363194B1 (de) | 1985-02-22 |
SE437444B (sv) | 1985-02-25 |
FR2363194A1 (fr) | 1978-03-24 |
CH617535A5 (de) | 1980-05-30 |
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DE3628556C1 (en) | Semiconductor device | |
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