DE2608427A1 - Verfahren zum aufkitten von halbleiterscheiben - Google Patents

Verfahren zum aufkitten von halbleiterscheiben

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Description

Verfahren zum Aufkitten von Halbleiterscheiben
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufkitten von Halbleiterscheiben, wobei auf eine für die Aufnahme der Scheiben vorgesehene Trägerplatte eine Schicht einer Kittsubstanz aufgetragen wird, auf die die Halbleiterscheiben aufgelegt werden.
In der Planartechnik werden die für die Funktion der einzelnen Bauelemente erforderlichen Schichtfolgen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps durch aufeinanderfolgende Einzelprozesse, ausgehend von den planen Oberflächen der einkristallinen Halbleiterscheiben,hergestellt. Wellige Halbleiterscheiben führen insbesondere bei Verwendung fotolitographischer Verfahren zu Unscharfen bei der Belichtung des auf der Scheibenoberfläche aufgebrachten Fotolackes. Bauelemente mit hoher Schaltkreispackungsdichte lassen sich deshalb auf welligen Scheiben nicht mehr herstellen.
Bei den üblichen Polierverfahren werden die Halbleiterscheiben mit Paraffin, Pizein oder Wachs- Kolophoniumgemischen auf die Trägerplatten aufgekittet. Die Scheiben werden dabei meist mit herkömmlichen Saugpinzetten auf die Kittschicht aufgelegt, wobei es zu Lufteinschlüssen unter den Scheiben kommen kann, die beim nachfolgenden Anpressen der Scheiben und Aushärten der Kittschicht die Ursache für das Auftreten von Verspannungen darstellen. Beim Abkitten der Scheiben nach dem Polieren federn diese in den ursprünglichen
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Zustand zurück unter Ausbildung einer welligen Oberfläche. Maßgeblich für das Auftreten welliger Oberflächen derartiger polierter Halbleiterscheiben ist in hohem Maße auch die Polierunterlage selbst, So läßt sich allgemein sagen, daß die Oberfläche in dem Maße glatter und spiegelnder, aber eben auch welliger wird, je weicher die Polierunterlage wird. Verwendet man dagegen härtere Polierunterlagen, so werden zwar ebenere, aber dafür weniger spiegelnde Oberflächen erhalten.
Aufgabe der Erfindung war es daher, ein neues Aufkittverfahren von Halbleiterscheiben zu finden, welches beim nachfolgenden Polierprozeß zu Scheiben mit insbesondere wellenfreien, spiegelnden Oberflächen führt.
Gelöst wird die Aufgabe dadurch, daß auf die Trägerplatte eine Kittlösung, bestehend aus 60 bis 95 Gewichtsteilen eines Harzes mit einem Schmelzintervall nach Kofier, das innerhalb eines Temperaturbereiches von 50 bis 18O C, aber höchstens 20 C über der gewählten Aufkittemperatur liegt sowie einer Schmelzviskosität, die bei 20 C über der oberen Grenze des Schmelzintervalls 1.000 bis 6.000 P beträgt, 5 bis 40 Gewichtsteilen einer Zusatzsubstanz - wobei sich die eingesetzte Menge Harz und die eingesetzte Menge dieser Zusatzsubstanz zu 100 Gewichtsteilen addieren sollen - die gegenüber dem verwendeten Harz bei der gewählten Aufkittemperatur Weichraachereigenschaften aufweist, mit dem verwendeten Harz zumindest weitgehend mischbar ist und deren Schmelzpunkt 0 bis 25 C unterhalb der gewählten Aufkittemperatur liegt sowie 75 bis 25O Gewichtsteilen eines das Harz und die Zusatzsubstanz gut lösenden Lösungsmittels, dessen Siedepunkt unterhalb der gewählten Aufkittemperatur liegt, aufgetragen wird,und daß durch nachfolgendes Aufheizen der Trägerplatte auf eine Aufkittemperatur von 50 bis I60 C das Lösungsmittel weitgehend verdampft wird und nachfolgend die Halbleiterscheiben mit einer geeigneten Haltevorrichtung so auf die Kittschicht aufgelegt werden, daß keine Lufteinschlüsse zwischen Scheibe und Kittschicht auftreten, und daß die Scheiben bei einer Temperatur, die gleich der gewählten Aud
liegt, angepreßt werden.
gleich der gewählten Aufkittemperatur ist oder maximal 30 C darunter
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Die als Kittbestandteil einsetzbaren Harze sollen ein Schmelzintervall aufweisen, das, wenn es auf der Kofler-Heizbank bestimmt wurde, innerhalb eines Temperaturbereiches von 50 bis l80 C, vorzugsweise 70 bis 130 C, liegen soll. Der untere Punkt des Schmelzintervalls ist dabei definitionsgemäß die Temperatur, bei der die
erste sichtbare Veränderung des Harzpulvers stattfindet, während
der obere Punkt des Schmelzintervalls den eigentlichen Schmelzpunkt darstellt, d.h. diejenige Temperatur, bei der das zusammengesinterte Harz zu einem zusammenhängenden Faden zusammengeschmolzen ist.
Die Kofler-Heizbank, die zur Bestimmung dieses Schmelzintervalls
besonders geeignet ist, besteht im wesentlichen aus einem langen
schmalen Metallkörper, in dem durch einseitige elektrische Heizung ein .Temperaturgefälle erzeugt wird. Das Harz, dessen Schraelzbereich bestimmt werden soll, wird auf die verchromte Oberfläche der Heizbank aufgebracht. Der örtlichen Veränderung des Aggregatszustandes des aufgestreuten Harzpulvers werden auf einer Teraperaturskala entsprechende an dieser Stelle auf das Harz einwirkende Temperaturen
zugeordnet. Die Bestimmung der Schmelzintervalle nach der Kapillarmethode ist demgegenüber etwas ungenauer und vor allem erheblich
langwieriger.
Eine weitere Bedingung, die ein Harz erfüllen muß, um für das Verfahren geeignet zu sein, ist die, daß der obere Punkt seines Schmelzintervalles höchstens 20 C über der gewählten Aufkittemperatur liegt, wobei unter der Aufkittemperatur die Temperatur der Trägerplatte und des darauf aufgebrachten Kittes verstanden wird, bei der die Halbleiterscheiben aufgelegt werden. Diese Temperatur liegt bei 50 bis 160 C, vorzugsweise 90 bis 110 C.
Das verwendete Harz soll außerdem eine nicht zu hohe Schmelzviskosität besitzen, d.h. die Schmelzviskosität soll - gemessen bei 20 C über dem oberen Punkt seines Schmelzintervalles - bei etwa 1.0OO bis 6.000 P liegen.
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Derartige geeignete Harze sind beispielsweise Kohlenwasserstoffharze, insbesondere aus aromatischen Kohlenwasserstoffen, wie beispielsweise Cumaron-Inden-Harze, außerdem Phenolharze, Polyterpenharze, Pentaerythritharzester des dehydrierten Kolophoniums, Zink-Kalk-Harze auf Kolophoniumbasis, sehr gut geeignet sind daneben Glycerinharzester des dehydrierten Kolophoniums sowie des polyraerisierten Kolophoniums, außerdem Maleinatharze, die bevorzugt eingesetzt werden.
Als Zusatzsubstanzen werden allgemein Substanzen verwendet, die gegenüber dem verwendeten Harz bei der gewählten Aufkittemperatur Weichmachereigenschaften aufweisen, d.h. eine Verminderung der Viskosität des Kittes gegenüber dem Harz bei Aufkittemperatur bedingen, und deren Schmelzpunkt 0 bis 25 C unterhalb der gewählten Aufkitttemperatur liegt. Die Zusatzsubstanzen sollen außerdem die Eigenschaft haben, mit dem verwendeten Harz oberhalb ca. 20 C zumindest weitgehend mischbar zu sein, wdrunter verstanden werden soll, daß sich die Bestandteile Harz und Zusatζsubstanz beim Erstarren des Kitts bis zu einer Temperatur von etwa 20 C nicht soweit wieder entmischen, daß eine Ausflockung oder Ausfällung einer Komponente auftritt.
Geeignete Zusatzsubstanzen sind beispielsweise 2,4,6-Trichloranilin, Cumarin, 4-Chloranilin, Diphenylenoxid, 4,4I-:-Diaminodiphenylmethan, 1,2,3-Xylenol, 1,2,4-Xylenol, 1,2,5-Xylenol, 1,2,6-Xylenol, 1,3,4-Xylenol, 1,3,5-Xylenol, Benzylphenol, 2,3-Dimethylchinolin, p-Aminobenzoesäurebutylester, 2,4-Dichloranilin, außerdem insbesondere noch Benzil und hevorzugt od-Naphthol'.
Als Lösungsmittel kommen allgemein nur solche infrage, deren Siedepunkt unterhalb der gewählten Aufkittemperatur liegt. Die verwendeten Lösungsmittel, die oberhalb etwa 20 C flüssig sein sollen, müssen sowohl das gewählte Harz wie auch die jeweils verwendete Zusatzsubstanz gut lösen, womit gemeint ist, daß 75 bis 250 Gewichtsteile Lösungsmittel ausreichend sein müssen, um 100 Gewichtsteile Harz plus Zusatzsubstanz bei etwa 20 C in Lösung zu bringen.
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Die eigentliche Kittlösung wird durch Zusammengeben der Einzelkomponenten in den Mengen von 60 bis 95 Gewichtsteilen Harz, 5 bis 40 Gewichtsteilen Zusatzsubstanz - wobei sich die eingesetzte Menge Harz und die eingesetzte Menge dieser Zusatzsubstanz zu 100 Gewichtsteilen addieren sollen - und 75 bis 250 Gewichtsteilen Lösungsmittel erhalten. Bisweilen ist es dabei zweckmäßig, Harz und Zusatzsubstanz separat zu lösen und anschließend die beiden Lösungen zusammenzugehen. Um den Lösungsvorgang, der üblicherweise bei Raumtemperatur, also bei circa 20 C,stattfindet zu beschleunigen, empfiehlt es sich, das Gemisch der einzelnen Komponenten einige Stunden in eine Schüttelmaschine zu geben. Die solcher Art hergestellten Kittlösungen sind in der Regel über Tage haltbar, so daß sie nicht für jeden Polierprozeß neu hergestellt werden müssen.
Bei der Durchführung des Verfahrens wird bei vorzugsweise Raumtemperatur, also ca. 20 C, die Kittlösung auf die für die Aufnahme der zu polierenden Halbleiterscheiben geeignete Trägerplatte aufgetragen, beispielsweise aufgespachtelt. Nach einer bevorzugten Ausführungsform erfolgt das Auftragen der Kittlösung dabei in der Weise, daß die Kittlösung aus einem kalibrierten Gefäß auf die Mitte der sich um ihre vertikale Achse drehenden Trägerplatte aufgegossen wird. Die Menge richtet sich dabei nach der Größe der Trägerplatte und soll so bemessen werden, daß sich auf der Trägerplatte nach dem Abdampfeir des Lösungsmittels eine ca. 15 bis 30 ;iwn dicke Kittschicht ausbildet. Das Abdampfen des Lösungsmittels erfolgt dabei dadurch, daß die Trägerplatte auf eine Aufkittemperatur von 50 bis l60 C, vorzugsweise 90 bis 110 C, aufgeheizt wird, wodurch das verwendete Lösungsmittel innerhalb weniger Minuten bis auf eine Restmenge, die unterhalb etwa 5 Gewichts-% liegen soll, verdampft.
Auf die bei Aufkittemperatur zähflüssige Kittschicht werden nachfolgend die Halbleiterscheiben so aufgelegt, daß keine Lufteinschlüsse zwischen Scheibe und Kittschicht auftreten. Dies läßt sich besonders einfach erreichen, wenn als Haltevorrichtung für die Halbleiterscheiben eine Saugpinzette mit kalottenförmig ausgebildeter Ansaugfläche verwendet wird. Mit einer derartigen Saugpinzette wird die
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Halbleiterscheibe beim Aufnehmen geringfügig durchgebogen, so daß der Mittelpunkt der Scheibe beim Auflegen zuerst mit der Kittschicht in Kontakt kommt. Beim Abschalten des Unterdruclces in der Haltevorrichtung klappt die Scheibe wieder in den gestreckten Zustand zurück, wobei die Luft zwischen Scheibe und Kittschicht radial vom Zentrum her herausgedrückt und die Scheibenunterseite gleichmäßig vom Kitt benetzt wird.
In der Abbildung ist eine derartige Haltevorrichtung schematisch dargestellt:
Die Haltefläche 1 des Saugpinzettenkopfes 2 wird zweckmäßig kalottenförmig ausgebildet, mit einem Krümmungsradius von etwa 30 bis 200 Halteflächendurchmessern, wobei die Scheitelhöhe dieses gekrümmten Teils 1, der von mehreren, vorzugsweise 2 bis 5, Ansaugringnuten 3 von etwa 0,5 bis 2,5 mm Breite und etwa 0,2 bis 1,5 mm Tiefe umlaufen wird, z.B. 0,1 mm bei einem Halteflächendurchmesser von 50 mm beträgt. Jede dieser Ansaugringnuten 3 ist an mehreren, vorteilhaft 3 bis 9? Stellen aufgebohrt, wobei der Abstand der Bohrlöcher 4 innerhalb einer Ringnut 3 möglichst gleich sein soll. Die Bohrlöcher 4 sind über das Innere des beispielsweise aus Teflon, PVC oder Polyäthylen bestehenden Saugpinzettenkopfes 2 und dem mit einem Dichtungsring 5 aus beispielsweise Gummi verbundenen Halterohr 6 und einem vakuumfesten Gummischlauch 7 mit einer Vakuumpumpe verbunden. Bei laufender Pumpe lassen sich leicht durch einfaches Ansaugen Halbleiterscheiben aufnehmen, wobei diese Scheiben auch einen Durchmesser haben können, der größer ist als der Durchmesser der Haltefläche 1. Während des Ansaugens ist es dabei lediglich erforderlich, die Belüfungsöffnung 8 beispielsweise mit dem Daumen zu verschließen. Wird die Belüftungsöffnung wieder frei gemacht, so bricht der Unterdruck zusammen und die Halbleiterscheibe löst sich vom Saugpinzettenkopf 2.
Nach dem Auflegen werden die Scheiben z.B. mit dem Stempel einer geeigneten Presse, dessen Unterseite bevorzugt mit einer federnden Masse gepolstert ist, bei einer Temperatur, die gleich der Aufkittemperatur ist oder maximal 30 C darunter liegt, angepreßt. Für das Anpressen,
2 das etwa bei einem Druck von vorzugsweise 0,5 bis 1,5 kp/cm erfolgt, genügen wenige, vorzugsweise 0,5 bis 5 Minuten.
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Bei einer bevorzugten Ausführungsforni werden durch das Pressen möglicherweise bewirkte Verspannungen durch einen kurzen, vorzugsweise 1 bis 5 minütigen Temperschritt bei einer Temperatur, die gleich der ι
ausgeheilt.
gleich der Aufkittemperatur ist oder maximal 30 C darüber liegt,
Bevor die Trägerplatte mit den solcher Art aufgekitteten Scheiben in eine Poliermaschine eingebaut wird, wird sie abgekühlt, wobei sich der Kitt langsam erhärtet. Wird die Entfernung der Kittreste zwischen den Scheiben gewünscht, so kann dies in üblicher Weise, etwa in einem Lösungsmitteldampfbad, erfolgen.
Nach, diesem Verfahren aufgekittete Halbleiterscheiben zeigen nach dem Polieren nach einem der bekannten Verfahren zum schleierfreien Polieren von Halbleiterscheiben (beispielsweise gemäß US-Patentschrift 3 874 129) eine spiegelblanke und bei Durchführung des bevorzugten Temperschrittes absolut wellenfreie Oberfläche.
Beispiel 1:
Von einer Kittlösung, bestehend aus 85 Gewichtsteilen eines Maleinatharzes mit einem Schmelzintervall, das auf der Kofler-Heizbank zu 95 bis 105 C ermittelt wurde, und einer Schmelzviskosität gemessen bei 125 C von 2.000 P, 15 Gewichtsteilen oi-Naphthol mit einem Schmelzpunkt von 94 C und I50 Gewichtsteilen Trichloräthylen mit einem Siedepunkt von 87 C, wurden bei Zimmertemperatur von etwa 25 C 4o ml auf eine Trägerplatte aus Aluminium mit einem Durchmesser von 60 cm aufgeschleudert. Die Trägerplatte wurde anschließend auf circa 100 C erhitzt, wobei das Lösungmittel verdampfte und eine zähflüssige Kittschicht von 20 bis 25 fMa zurückblieb mit einer Viskosität von 800 P. Nach 2 Minuten wurden 27 Halbleiterscheiben aus Silicium mit einem Durchmesser von jeweils 7>5 cm und einer Stärke von etwa 500 μ,τα rait einer Saugpinzette, wie sie in der Abbildung dargestellt ist, auf die Kittschicht bei einer Aufkittemperatur von 100 C
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aufgelegt. Durch die kalottenförmig ausgebildete Ansaugfläche der Saugpinzette wurden die angesaugten Halbleiterscheiben konvex verformt, so daß beim Auflegen auf die Kittschicht keine Lufteinschlüsse zwischen Scheibe und Kittschicht auftraten.
Anschließend wurden die Scheiben bei einer Temperatur der Trägerplatte von circa 95 C mechanisch mit einem Druck von etwa 1 kp/cra angepreßt. Die beim Auflegen und Anpressen der Scheiben entstandenen Verspannungen wurden durch ein anschließendes Tempern von etwa 4 Minuten bei einer Temperatur der Trägerplatte von 100 C beseitigt, Das Tempern führte dabei bereits zu einer weitgehenden Aushärtung des Kittes.
Nachfolgend wurde die Trägerplatte durch einfaches Herunternehmen von der Heizplatte abgekühlt, im Trichloräthylendampfbad von Kittresten zwischen den einzelnen Halbleiterscheiben befreit und der Poliermaschine zugeführt.
Nach dem Polieren bei einer Poliertemperatur von circa 5O C wurden die Halbleiterscheiben bei etwa 25 C mittels einer Spachtel von der Trägerplatte abgesprengt. Die Scheiben wiesen eine tadellose vellenfreie Oberfläche auf.
Beispiel 2;
Es wurde genau wie in Beispiel 1 verfahren, mit der Ausnahme, daß eine Kittlösung, bestehend aus 93 Gewichtsteilen eines Glycerinharzesters des dehydrierten Kolophoniums mit einem Schmelzintervall nach Kofier von 60 bis 70 C und einer Schmelzviskosität gemessen bei 90 C von I.900 P, 7 Gewichtsteilen Benzil mit einem Schmelzpunkt von 95 C und 15Ο Gewichtsteilen Trichloräthylen mit einem Siedepunkt von 87 C, verwendet wurde. Die Schmelzviskosität des Kittes nach dem Abdampfen des Lösungsmittels betrug bei 100 C
Die bei 30 C polierten Scheiben wiesen auch in diesem Fall eine tadellose wellenfreie Oberfläche auf.
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Claims (7)

Pat ent ansprüche
1) Verfahren zum Aufkitten von Halbleiterscheiben, wobei auf eine für die Aufnahme der Scheiben vorgesehene Trägerplatte eine Schicht einer Kittsubstanz aufgetragen wird, auf die die Halbleiterscheiben aufgelegt werden, dadurch gekennzeichnet , daß auf die Trägerplatte eine Kittlösung, bestehend aus 6o bis 95 Gewichtsteilen eines Harzes mit einem Schmelzintervall nach Kofier, das innerhalb eines Temperaturbereiches von 50 bis 180 C, aber höchstens 20 C über der gewählten Aufkittemperatur liegt, sowie einer Schmelzviskosität, die bei 20 C über der oberen Grenze des Schmelzintervalls 1.000 bis 6.000 P beträgt, 5 bis 40 Gewichtsteilen einer Zusatzsubstanz wobei sich die eingesetzte Menge Harz und die eingesetzte Menge dieser Zusatzsubstanz zu 100 Gewichtsteilen addieren sollen die gegenüber dem verwendeten Harz bei der gewählten Aufkitteraperatur Weichmachereigenschaften aufweist, mit dem verwendeten Harz zumindest weitgehend mischbar ist und deren Schmelzpunkt 0 bis 25 C unterhalb der gewählten Aufkittemperatur liegt, sowie 75 bis 25O Gewichtsteilen eines das Harz und die Zusatzsubstänz gut lösenden Lösungsmittels, dessen Siedepunkt unterhalb der gewählten Aufkittemperatur liegt, aufgetragen wird, und daß durch nachfolgendes Aufheizen der Trägerplatte auf eine Aufkittemperatuf von 50 bis 160 C das Lösungsmittel weitgehend verdampft wird und nachfolgend die Halbleiterscheiben mit einer geeigneten Haltevorrichtung so auf die Kittschicht aufgelegt werden, daß keine Lufteinschlüsse zwischen Scheibe und Kittschicht auftreten, und daß die Scheiben bei einer Temperatur, die gleich der gewählten Aufkittemperatur ist oder maximal 30 C darunter liegt, angepreßt werden.
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0RK3INAL INSPECTED
2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß eine Aufkittemperatur von 90 bis
110 C gewählt wird.
3) Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Kittbestandteil Harz einen Schmelzbereich nach Kofier von 70 bis 13Ο C aufweist.
4) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß mechanische Verspannungen durch nachfolgendes kurzes Tempern bei einer Temperatur, die gleich der gewählten Aufkittempei
darüber liegt, ausgeheilt werden·
ο gleich der gewählten Aufkittemperatur ist oder maximal 30 C
5) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß als Haltevorrichtung für die Halbleiterscheiben eine Saugpinzette mit kalottenförmig ausgebildeter Ansaugfläche verwendet wird.
7 o 9 8 3 fi / η ιι; -
OfHGINAL INSPECTEB
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Priority Applications (10)

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DE2608427A DE2608427C2 (de) 1976-03-01 1976-03-01 Verfahren zum Aufkitten von Halbleiterscheiben
NL7614209A NL7614209A (nl) 1976-03-01 1976-12-21 Werkwijze voor het opbrengen door kitten van halfgeleiderschijven.
GB2317/77A GB1505488A (en) 1976-03-01 1977-01-20 Cementing semiconductor discs to carrier plates
US05/766,457 US4300965A (en) 1976-03-01 1977-02-07 Process for cementing semiconductor discs to carrier plates and product so obtained
CA271,285A CA1075579A (en) 1976-03-01 1977-02-08 Process for cementing semiconductor discs to carrier plates and product so obtained
IT48216/77A IT1083481B (it) 1976-03-01 1977-02-25 Procedimento per attaccare con mastice piastrine di semiconduttori
BE175315A BE851892A (fr) 1976-03-01 1977-02-28 Procede de masticage de disques semi-conducteurs
FR7705766A FR2343330A1 (fr) 1976-03-01 1977-02-28 Procede de masticage de disques semi-conducteurs
SE7702273A SE7702273L (sv) 1976-03-01 1977-03-01 Forfarande for pakittning av halvledarskivor
JP2213677A JPS52106683A (en) 1976-03-01 1977-03-01 Method of bonding semiconductor disk

Applications Claiming Priority (1)

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NL (1) NL7614209A (de)
SE (1) SE7702273L (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0004033A1 (de) * 1978-03-03 1979-09-19 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH Verfahren zur Vergleichmässigung des Polierabtrages von Scheiben beim Polieren
WO2002035591A1 (de) * 2000-10-20 2002-05-02 Süss MicroTec Laboratory Equipment GmbH Verfahren zum aufbringen eines substrats

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4530138A (en) * 1982-09-30 1985-07-23 Westinghouse Electric Corp. Method of making a transducer assembly
US4517041A (en) * 1982-09-30 1985-05-14 Magnetic Peripherals Inc. Method for attaching a workpiece to a workpiece carrier
EP0256150B1 (de) * 1986-08-13 1990-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparat zum Zusammenfügen von Halbleiterscheiben
JP3537688B2 (ja) * 1998-11-24 2004-06-14 富士通株式会社 磁気ヘッドの加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3449870A (en) * 1967-01-24 1969-06-17 Geoscience Instr Corp Method and apparatus for mounting thin elements
DE2425275A1 (de) * 1973-05-29 1975-01-02 Rca Corp Verfahren zur formgebung von halbleiterwerkstuecken
US3874129A (en) * 1972-09-26 1975-04-01 Wacker Chemitronic Process for the production of haze-free semiconductor surfaces

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1950468A (en) * 1930-04-18 1934-03-13 Nat Aniline & Chem Co Inc Alkyd resinous composition
US2394689A (en) * 1944-01-07 1946-02-12 American Viscose Corp Method of dyeing
US3335087A (en) * 1965-12-20 1967-08-08 Pennsalt Chemical Corp Method of stripping resins
US3452133A (en) * 1966-03-07 1969-06-24 Schjeldahl Co G T Annealing of metal-plastic laminates
US3475867A (en) * 1966-12-20 1969-11-04 Monsanto Co Processing of semiconductor wafers
US3586559A (en) * 1968-07-01 1971-06-22 Rohr Corp Method of temporarily securing a workpiece to a workholder
JPS5121334B2 (de) * 1971-08-27 1976-07-01

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3449870A (en) * 1967-01-24 1969-06-17 Geoscience Instr Corp Method and apparatus for mounting thin elements
US3874129A (en) * 1972-09-26 1975-04-01 Wacker Chemitronic Process for the production of haze-free semiconductor surfaces
DE2425275A1 (de) * 1973-05-29 1975-01-02 Rca Corp Verfahren zur formgebung von halbleiterwerkstuecken

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0004033A1 (de) * 1978-03-03 1979-09-19 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH Verfahren zur Vergleichmässigung des Polierabtrages von Scheiben beim Polieren
WO2002035591A1 (de) * 2000-10-20 2002-05-02 Süss MicroTec Laboratory Equipment GmbH Verfahren zum aufbringen eines substrats

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Publication number Publication date
IT1083481B (it) 1985-05-21
DE2608427C2 (de) 1984-07-19
CA1075579A (en) 1980-04-15
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JPS52106683A (en) 1977-09-07
BE851892A (fr) 1977-08-29
FR2343330B1 (de) 1978-10-20
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US4300965A (en) 1981-11-17
GB1505488A (en) 1978-03-30
JPS5641167B2 (de) 1981-09-26
NL7614209A (nl) 1977-09-05

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