DE2360801C2 - Schaltungsprüfeinrichtung für integrierte Schaltkreise auf Schichtschaltungsträgern - Google Patents
Schaltungsprüfeinrichtung für integrierte Schaltkreise auf SchichtschaltungsträgernInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsprüfeinrichtung für integrierte Schaltkreise nach dem Oberbegriff des eo
Patentanspruchs 1.
Zum Testen der Funktionsfähigkeit integrierter Schaltkreise in einem monolithischen Halbleiterchip
werden allgemein Prüfspitzen zum Zuführen elektrischer Betriebsspannung von einem Tester verwendet,
welche mit elektrisch leitenden Verbindungsstücken auf dem Halbleiterchip in Kontakt gebracht werden. Die
Prüfspitzen sind dabei rasterförmig in einer Prüfspitzenplatte gleitend montiert, wie es in der DE-OS 18 00 657
und in der US-PS 36 54 585 zur Untersuchung von Prüflingen in Form gedruckter Schaltungen im einzelnen
beschrieben ist Hierbei ist sicherzustellen., daß jede
Prüfspitze Kontakt mit einem vorgesehenen Schichtschaltungsanschluß auf dem Prüfling nracht, so daß eine
genaue Ausrichtung bzw. Justierung des Prüflings relativ zu den Piüfspitzen vorgenommen werden muß. Diese
Ausrichtung ist schwierig, da z. B. der Abstand zwischen
leitenden Verbindungen bzw. Schichtschaltungsanschlüssen auf einem Halbleiterchip, als Prüfling, äußerst
klein sind. Mit Zunahme der Dichte solcher Schichtschaltungsanschlüsse und Verbindungsleitungen
juf einem Halbleiterchip und damit unvermeidlich geniigerem
Abstand hierzwischen, wobei außerdem noch die Dimensionierung dieser elektrischen Verbindungsleitungen und Schichtschaltungsanschlüsse kleiner wird,
wird natürlich eine Ausrichtung bezüglich der Prüfspitzen im gleichen Maße schwieriger.
Weiterhin ist es notwendig, jede Kontaktiereinrichiüfig
in der jeweiligen Anordnung der Prüfspitzen jeweils für ein vorgegebenes Prüflingsmusier auszulegen,
so daß die Prüfspitzen an speziell vorgegebenen Stellen anzubringen sind. Ändern sich die Abmessungen eines
Prüflings, die Belegungen der Prüflinge mit elektrisch leitenden Verbindungsstücken und Schaltkreisanschlüssen
oder deren Größ{.,dann wird jeweils eine neue Prüfspitzenanordnung
in der Prüfspitzenplatte erforderlich. Mit anderen Worten, bei Prüflingen mit jeweils unterschiedlichen
Abmessungen wird immer eine neue Prüfspitzenplatte mit speziell angepaßter Prüfspitzenanordnung
notwendig.
Weiterhin hat sich als erforderlich herausgestellt, dab mechanisch jeweils eine spezielle Beziehung zwischen
den Schaltkreisanschlüssen auf einem Prüfling eingehallsn wsrHen
muß. wobei der jeweilige Mittenabstand
zwischen benachbarten Schaltkreisanschlüssen zu berücksichtigen ist, um sicherzustellen, daß auch jeder dieser
Schaltkreisanschlüsse durch die/eweils betreffende
Prüfspitze kontaktiert wird. So ist in bisher zur Verfügung stehenden Prüfspitzenplatten Vorsorge dafür getroffen,
daß jede Prüfspitze mit einem Schaltkrcisanschluß an der betreffenden Stelle auf dem Prüfling bestimmter
Größe Kontakt zu geben vermag.
Ein Ausführungsbeispiel hierfür findet sich in der US-PS 29 77 530, wo eine Prüfspitzenplatte in Form einer
Anzeigetafel auf eine Schalttafel aufgelegt wird, um bei einer bei Prüfung festgestellten, fehlerhaften Schaltung
eine entsprechende Anzeige hervorzurufen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht nun darin, zur Untersuchung von integrierten Schaltkreisen auf
Schichtschaltungsträgern eine Schaltungsprüfeinrichtung zu schaffen, die es gestattet, die Prüflinge einer
automatisierten Prüfung zu unterwerfen, wobei Orientierung des Prüflings und Lokalisierung auf dem Prüfling
unter Anschluß an einen Rechner durchgeführt werden sollen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Schaltungsprüfeinrichtung der eingangs genannten Art
mit den im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmalen gelöst.
Durch wahlweises Anlegen der Betriebsspannungen an die Prüfspitzen läßt sich die Lage eines ersten, vorzugsweise
in einer Ecke eines Halbleiterchips als Prüfling liegenden, Schaltkreisanschlusses als Bezügsangabc
ermitteln. Bei Anwendung eines speziell programmierten Rechners mit Speicherung von Lageinformationen
zur Ermittlung der Lage von Schaltkreisanschlüssen auf
einem zu prüfenden Halbleiterchip können dann also
mittels der Prüfspitzenplatte leicht die erwünschten Lageangaben erhalten werden. Bei entsprechender Programmierung
ist der Rechner in der Lage, Betriebsspannungssignale von einem Tester auf die verschiedenen
Schaltkreisanschlüsse des Halbieiterchips in speziell vorgesehener Reihenfolge zu übertragen.
Weisen die Schaltkreisanschlüsse auf dem Halbleiterchip eine ausreichende Größe auf, dann lassen sich auch
jeweils zwei Prüfspitzen hierauf ansetzen, um Thoinson-Meßbrückenverfahren
anwenden zu können, so daß Obergangswiderstände nicht in die jeweiligen Meßwerte
eingehen können.
Da die erfindungsgemäß verwendeten Prüfspitzen von relativ kurzer Länge sind, ist es außerdem durchaus
möglich, Hochfrequenzmessungen hierüber durchzuführen. Fernerhin ermöglicht es die Erfindung, Schaltkreisanschlüsse,
die zwecks Änderung von Schaltkreisen bei späterem Einsatz des betreffenden Halbleiterchips
auf einem vielschichtigen Keramiksubstrat ansteuerbar sind, kurz Schaltkreisänderungsanschlüsse
genannt, mit Hilfe des erfmdungsgemäßen Verfahren«
schnell und zuverlässig zu prüfen. Hierzu ist es iii bisher
üblichen Meßverfahren erforderlich gewesen, dir Zwischenverbindungen
zwischen diesen Schaltkreisänderungsanschlüssen mit Hilfe aufeinanderfolgender Indexierung
und Ausrichtung jeweils zv/eier Prüfspitzen zu testen. Da bei Vielschichtkeramiksubstraten jeweils eine
große Anzahl von Chips vorliegt, wobei jede Chipseite eine Vielzahl von Schaltkreisänderungsanschlüssen
enthalten kann, ist es demnach erforderlich, eine entsprechend große Anzahl von Messungen durchzuführen.
Hierzu muß die Prüfspitzenanordnung jeweils neu ausgerichtet und wahlweise an die Betriebsspannungsquelle
angeschlossen werden.
Mit Hilfe der Anordnung gemäß der Erfindung sind derartige Messungen sehr viel leichter und schneller
durchzuführen, da die große Anzahl der in einer Prüfspitzenplatte, kurz Platte genannt, eingelassenen Prüfspitzen
ohne weiteres in der Lage sind, die gesamte Prüfüngsoberfläche zu erfassen. Als Ergebnis werden
dann die Schaltkreisänderungsanschlüsse eines Prüflingoberflächenbereichs alle gleichzeitig erfaß;, so daß
die Testzeiten nicht unwesentlich gegenüber bisher herabgesetzt werden.
Durch entsprechende Anwendung vorliegender Erfindung ist außerdem aufeinanderfolgende Prüfung automatisch
zugeführter Prüflinge mit unterschiedlichen Abmessungen bzw. unterschiedlichen Leitungs- oder
Kontaktmustern auf den Halbleiterchips ohne Zuhilfenahme besonderer Maßnahmen möglich.
In vorteilhafter Weise wird beim Prüfen von Halbieiterchips
so vorgegangen, daß zunächst einem Paar benachbarter Zeilen von Prüfspitzen auf der Platte jeweils
die Betriebsspannung zugeführt wird, wobei dann aufeinanderfolgend unter Abschalten einer vorherigen
Prüfspitzenzeile die nächstfolgende Zeile eingeschaltet wird, bis ein Kurzschluß festgestellt wird, um dann anschließend
nach Feststellen der speziell kurzgeschlossenen Prüfspitzen in den beiden Zeilen die Betriebsspannung
zwischen jeweils benachbarten Prüfspitzen weiterzuschalten.
Auf diese Weise läßt sich in einfacher Und schneller Weise eine Fehlerermittlung durchführen.
Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbsispielen anhand der Zeichnungen
erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine schematische Ansicht einer Anordnung gemäß der Erfindung zum Feststellen und Prüfen von
leitenden Bereichen auf einem Halbleiterchip;
F i g. 2 einen vergrößerten Ausschnitt der Anordnung nach F i g. 1, bei dem ein Prüf spitzenpaar in Kontakt mit
einem Schaltkreisanschluß auf dem Halbleiterchip dargestellt ist;
F i g. 3 eine schematische Ansicht, aus der die gegenseitige Beziehung der Prüfspitzen zu Schaltkreisänderungsanschlüssen
auf einem Vielschichtkeramiksubstrat hervorgeht;
F i g. 4 eine schematische Ansicht zur Darstellung der gegenseitigen Beziehung von Prüfspitzen zu Schaltkreisanschlüssen
auf einem Halbleiterchip.
Das in F i g. 1 gezeigte den Prüfling darstellende Halbleiterchip 10 besitzt eine Vielzahl von elektrisch
leitenden Schaltkreisanschlüssen 11, die sich auf der elektrisch isolierten Oberfläche 12 des Halbieiterchips
10 befinden. Jeder dieser Schaltkreisanschlüsse 11 dient zum Anschluß an einen hier nicht gezeigten integrierten
Schaltkreis oder eine Vielzahl von intf-ierten Schaltkreisen
auf dem Halbleiterchip 10, die s'rcr. unterhalb der
isolierenden Oberfläche 12 befinden.
Die Anordnung gemäß der Erfindung umfaßt eine Vielzahl von Prüfspitzen 14, die sich durch eine elektrisch
isolierende Platte 15 als Prüfspitzenplatte hindurch nach oben erstrecken. Die Platte 15 kann z. B. aus
plastischem Material bestehen. Die Prüfspitzen 14 sind in einem Rastermuster in Zeilen und Spalten angeordnet
Die Prüfspitzen 14 sind dabei so angeordnet, daß sie innerhalb der Bohrungen in der Platte 15 gleiten, wenn
sie mit einem der Schaltkreisanschlüsse 11 Kontakt machen. Mit anderen Worten, die Prüfspitzen 14 sind gleitend
in den Öffnungen der Platte 15 angeordnet, wie es aus F i g. 2 hervorgeht.
An die Prüfspitzen 14 sind die Leitungen 17 angeschlossen, die über Halbleiterbauelemente 18 ihrerseits
mit Leitungen 19 in Verbindung stehen. Die Halble:terbauelemente
18 können z. B. aus gesteuerten Siliziumgleichrichtern oder Transistoren bestehen. Alle Leitungen
l>sind über Stifte 20 mit einem Schaltungsprüfgerät 21 verbunden, das elektrische Spannungen oder
Ströme unterschiedlicher Werte auf die Stifte 20 liefert.
Das Schaltungsprüfgerät 21 kann handelsüblicher Bauart sein und bis zu 100 Stiften 20 besitzen, so daß
demgemäß 100 Leitungen 19 hiervon ausgehen können. Das würde bedeuten, daß 100 Halbleiterbauelemente 18
jedem der Leiter 17 zugeordnet sind, so daß wahlweise jede der Leitungen 17 mit jeder der Leitungen 19 verbunden
werden kann.
Mit dem Schaltungsprüfgerät 21 ist ein Rechner 22 verbunden, der außerdem einen Matrixdecodierer 23
ans'euc"(. Der Matrixdecodierer 23 ist über eine jeweils
gesonderte Leitung 23' mit den Steuereingängen der Halbleiterbauelement 18 verbunden. Dementsprechend
ist der Rechner 22 in der Lage, Signale auf den Matrixdecodierer 23 zu übertragen, um so eins oder
mehrere der Halb'eiterbauelemente 18 zu vorgegebenen Zeitpunkten zu aktivieren, wobei der Matrixdecodierer
23 im betreffenden Rechner enthalten sein kann.
. Soll das Halbleiterchip 10 in bezug auf die Funktionsfähigkeit seiner integrierten Schaltkreise geprüft werden, dann wird es durch geeignete Mittel, wie z. B. einen Vakuumstößel 24, an dem es gehalten wird, herabgelassen, um mit den Prüfspitzen 14 in Kontakt zu kommen. Bei der erfindungsgemäßen Anordnung der Prüfspitzen 14 in einem Raster in Zeilen und Spalten kann das Halb-
. Soll das Halbleiterchip 10 in bezug auf die Funktionsfähigkeit seiner integrierten Schaltkreise geprüft werden, dann wird es durch geeignete Mittel, wie z. B. einen Vakuumstößel 24, an dem es gehalten wird, herabgelassen, um mit den Prüfspitzen 14 in Kontakt zu kommen. Bei der erfindungsgemäßen Anordnung der Prüfspitzen 14 in einem Raster in Zeilen und Spalten kann das Halb-
leiterchip 10 praktisch auf irgend eine Stelle des Prüfspitzenmusters
herabgelassen werden, soweit nur alle Schaltkreisanschlüsse 11 dabei in Kontakt mit den Prüfspitzen
14 gelangen können. Wie in F i g. 4 gezeigt, wird jeder der Schaltkreisanschlüsse 11 von zumindest zwei
der Prüfspitzen 14 kontaktiert, da der Prüfspitzenabstand in bezug auf die jeweilige Fläche der Schaltkreisanschlüsse
entsprechend dimensioniert ist. Der Kontakt mit zwei der Prüfspitzen 14 auf einem der Schaltkreisanschlüsse
11 ist im einzelnen in F i g. 2 gezeigt.
Sind die Schaltkreisanschlüsse U in Kontakt mit entsprechenden Prüfspitzen 14, dann liefert der Rechner 22,
der auf die Belegung des zu prüfenden Halbleiterchips mit den Schaltkreisanschlüssen 11 programmiert ist, Signale
auf den Matrixdecodierer 23, um alle Prüfspitzen 14 in einer Zeile 25 des Prüfspitzenmusters mit einem
der Stifte 20 und alle Prüfspitzen 14 in Zeile 26, die der Zeile 25 benachbart ist, mit eir.em. anderen Ηργ Stifte 20
des Schaltungsprüfgeräts 21 zu verbinden. Wird anschließend Betriebsspannung an die Zeilen 25 und 26
angelegt, dann läßt sich ziemlich leicht feststellen, ob einer der Schaltkreisanschlüsse H in Kontakt mit beiden
Prüfspitzenzeilen steht, vorausgesetzt, daß das Schaltungsprüfgerät 21 entweder konstante Spannung
oder konstanten Strom an beide Zeilen 25 und 26 des Prüfspitzenmusters 14 anlegt. Ist einer der Schaltkreisanschlüsse
11 mit einer der Prüfspitzen 14 in Zeile 25 und mit einer der Prüfspitzen 14 in Zeile 26 bei angelegter
konstanter Spannung in Kontakt, dann ergibt sich ein Kurzschluß zwischen beiden Prüfspitzenreihen, so
daß ein sehr viel höherer Strom bei vorgegebener konstanter Spannung auftritt, als wenn keiner der Schaltkreisan.iChlüsse
11 mit einer der Prüfspitzen 14 in den Zeilen 25 und 26 in elektrisch leitender Verbindung
steht. Es versteht sich jedoch, daß die Stromstärke oder der Spannungwert seitens des Schaltungsprüfgeräts 21
hinreichend klein ist, um sicherzustellen, daß die zu prüfenden Schaltkreise auf dem Halbleiterchip 10 nicht beschädigt
werden, wenn zwei der Schaltkreisanschlüsse 11 mit benachbarten Zeilen der Prüfspitzen 14 in elektrische
Verbindung kommen.
Stellt sich bei einer derartigen Prüfung heraus, daß
keiner der Schaltkreisanschlüsse 11 mit einer der Prüfspitzen 14 in den Zeilen 25 und 26 in elektrisch leitender
Verbindung steht, also hierzwischen kein Kurzschluß vorliegt, dann schaltet der Rechner 22 die Halbleiterbauelemente
18 von den Leitungen 17 ab, die mit den Prüfspitzen in der Zeile 25 in Verbindung stehen. Es
werden dann die Zeilen 26 und 27 mit den entsprechenden Ausgangssf:ften 20 des Schaltungsprüfgeräts 21
verbunden, um die Prüfung fortzusetzen. Dann wird wiederum Konstantspannung angelegt Bei angelegter
Konstantspannung führt ein Kurzschluß zwischen zwei Prüfspitzenzei'en zu höherem Strom, wie bereits erwähnt
Das Prüfen benachbarter Prüfspitzenzeilen im Prüfspitzenmuster wird fortgesetzt, bis ein Kurzschluß zwischen
zwei benachbarten Prüfspitzenzeilen festgestellt wird In diesem Fall verbindet der Rechner 22 die beiden
Prüfspitzen, die am weitesten links in einer der beiden Prüfspitzenjreilen sind, die Kurzschluß an den betreffenden
Schaltkreisanschlüssen 11 zeigen. Jede der beiden benachbarten Prüfspitzen 14 wird mit den beiden Ausgangsstiften
20 über die Halbleiterbauelemente 18 verbunden, um dann durch den Rechner 22 über den Matrixdecodierer
23 gesteuert zu werden, bis sich Kurzschluß zwischen beiden benachbarten Prüfspitzen 14 in
einer der Prüfspitzenzeiien ergibt Tritt dies ein, dann ist
die Lage des SchaltkreisanschEusses 11 an einem der Ränder des Halbleiterchips 10 ermittelt.
Mit gesteuerter Zuführung der Betriebsspannung zu den Zeilen der Prüfspitzen 14, beginnend mit den Prüf-Spitzenzeilen
25 und 26 und von da fortfahrend durch die anderen Prüfspitzenzeilen sowie unter Nachprüfung
von links nach rechts in einer bestimmten Zeile der Prüfspitzen 14 läßt sich der betreffende Schaltkreisen Schluß
11 in der oberen linken Ecke des Halbleiterchips
to 10 zu Anfang ermitteln. Nach Ermittlung dieser Schaltkreisanschlußlage
und unter der Voraussetzung, daß der Rechner 22 die Lagen sämtlicher Schaltkreisanschlüssc
sowie das Layout zu prüfenden Halbleiterchips 10 eingespeichert bzw. programmiern hat, lassen sich hiervon
ausgehend auch die anderen Schaltkreisanschlüsse 11 auf dem Halbleiterchip 10 in ihrer jeweiligen Lage leicht
ermitteln, indem der Rechner 22 die entsprechenden Halbleiterbauelemente 18 mit dem Schaltungsprüfgerät
21 verbindet. Haben die Schahkreisanschiusse ii nicht
den vorgesehenen Abstand zueinander, dann läßt sich das ebenfalls durch den Rechner 22 feststellen. Ist die
Lage aller Schaltkreisanschlüsse 11 auf dem Halbleitcrchip 10 ermittelt, dann kann die Funktionsprüfung der
integrierten Schaltkreise, die mit jedem der Schaltkreisanschlüsse 11 verbunden sind, beginnen. Hierzu verbindet
der Rechner 22 die Prüfspitzen 14 über die Halbleiterbaue'emente
18 mit den betreffenden Anschlußstiften 20 des Schaltungsprüfgeräts 21, um die Prüfung der
integrierten Schaltkreise durchzuführen.
Dadurch, daß der Zeilen- und Spaltenabstand der Prüfspitzen im Verhältnis zum Durchmesser der Schaltkreisanschlüsse
11 kleingehaken wird, ist es durchaus möglich, daß jeweils zwei der Prüfspitzen 14 mit einem
der Schaltkreisanschlüsse 11 in Kontakt kommen können, wenn die Schaltkreisanschlüsse 11 insgesamt mit
dem Prüfspitzenmuster in Berührung gebracht werden. Wenn auch hier ausgeführt ist, daS es zweckmäßig sein
kann, wenn zwei Prüfspitzen jeweils mit einem der Schaltkreisanschlüsse in Konitakt kommen, so ist dies
jedoch nicht hierauf beschränkt, da ohne weiteres auch mehr als zwei Prüfspitzen mit einem einzigen Schaltkreisanschluß
zur Kontaktgabe vorgesehen sein können.
Für die Erfindung ist vor allen Dingen erforderlich, daß eine ausreichende Anzahl von Schaltkreisanschlüssen 11 mit mindestens zwei der Prüfspitzen 14 kontaktiert werden, um eine Orientierung des Halbleiterchips 10 zu erhalten.
Gelangen je zwei der Prüfspitzen 14 mit einem der Schaltkreisanschlüsse 11 in Kontakt, dann läßt sich das Thomson-Brückenverfahren zum Messen der Funktionsfähigkeit der integrierten Schaltkreise anwenden, die mit den betreffenden Schaltkreisanschlüssen 11 in Verbindung stehen. Ist nur eine der Prüfspitzen 14 in Kontakt mit einem einzigen Schaltkreisanschluß 11. dann muß in bekannter Weise eine entsprechende Kompensation für die Obergangswiderstände sowie die Widerstände in der Prüfspitze 14 und in den angeschlossenen Leitungen 17 und 19 vorgenommen werden.
Für die Erfindung ist vor allen Dingen erforderlich, daß eine ausreichende Anzahl von Schaltkreisanschlüssen 11 mit mindestens zwei der Prüfspitzen 14 kontaktiert werden, um eine Orientierung des Halbleiterchips 10 zu erhalten.
Gelangen je zwei der Prüfspitzen 14 mit einem der Schaltkreisanschlüsse 11 in Kontakt, dann läßt sich das Thomson-Brückenverfahren zum Messen der Funktionsfähigkeit der integrierten Schaltkreise anwenden, die mit den betreffenden Schaltkreisanschlüssen 11 in Verbindung stehen. Ist nur eine der Prüfspitzen 14 in Kontakt mit einem einzigen Schaltkreisanschluß 11. dann muß in bekannter Weise eine entsprechende Kompensation für die Obergangswiderstände sowie die Widerstände in der Prüfspitze 14 und in den angeschlossenen Leitungen 17 und 19 vorgenommen werden.
im Zusammenhang mit den Darstellungen nach F i g. I und 2 ist gezeigt, daß die Prüfspitzen 14 mit den
Schaltkreisanschlüssen 11 auf dem Halblciterchip 10 Kontakt geben. Es versteht sich jedoch, daß die Prüfspitzen
14 ebensogut auch mit einem der Schaltkreisan-
Schlüsse kontaktieren können, die zwecks Änderung von Schaltkreisen bei späterem Einsatz des betreffenden
Halbleiterchips auf vielschichtigen Keramiksubstraten ansteuerbar sind und kurz Schaltkreisände-
rungsiinschlüssc 28, F i g. 3. genannt werden. Wegen der
Abmessungen eines derartigen Schaltkreisänderungs*
anschlusses 28 relativ zu Größe und Abstand der Prüfspitzen 14 machen 'zum wenigstens zwei dieser Prüfspity.cn
14 immer Kontakt mit einem solchen Schaltkreisändcrungsanschluß
28. Dementsprechend kann das Thomson-Meßbrückenverfahren zum Testen auch derartiger
Schalt^JisänderungsanschlUsse 28 auf vielschichtigen
Keramiksubstraten angewendet werden.
Bei Auswahl der Distanz zwischen den Schaltkreisanschlüssen 11 auf einem Halbleiterchip 10 odÄ zwischen
den Schaltkreisänderungsanschlüssen 28 auf vielschichtigen Keramiksubstraten ist es erforderlich, daß der Abstand
zwischen benachbarten Schaltkreisanschlüssen größer ist als der Durchmesser der Prüfspitzen 14. Wird
eine Prüfspitze mit nicht kreisförmigem Querschnitt angewendet, dann muß noch ausreichender Abstand zwischen
benachbarten Schaltkreisanschlüssen vorgesehen werden, um die Gefahr eines Kurzschlusses hipr/wisehen
auszuschließen.
In der Darstellung nach F i g. 1 sind die Prüfspitzen 14
nur schematisch gezeigt; es versteht sich jedoch, daß jede geeignete Halterung für Prüfspitzen 14 dieser Art
angewendet werden kann, solange, wie die Prüfspitzen 14 in der Lage sind, mit jedem der Schaltkreisanschlüsse
11 auf dem Halbleiterchip 10 Kontakt zu geben, wenn die Schaltkreisanschlüsse 11 auch minimale Höhe aufweisen.
So können z. B. die Prüfspitzen als biegsame Kontaktbürsten
ausgebildet sein, die bei Kontaktgabe durch Biege., und aufgrund ihrer Bürstenstruklur einwandfreie
Kontaktgabe gewährleisten. Werden Prüfspitzen dieser Art verwendet, dann läßt sich mit Hilfe des Rechners
22 feststellen, ob einer der Schaltkreisanschlüsse 11
auf dem zu prüfenden Halbleiterchip 10 fehlt. Trifft dies zu, dann wird überhaupt keine Prüfung dieses Halbleiterchips
vorgenommen, da es offensichtlich fehlerhaft ist. In gleicher Weise, wenn einer der Schaltkreisanschlüsse
11 keinen Kontakt mit den Prüfspitzen 14 gibt, weil beispielsweise die Höhe des Schaltkreisanschlusses
im Vergleich zu anderen Schaltkreisanschlüssen 11 nicht
ausreicht, so daß der in Betracht kommende Schaltkreisanschluß 11 nicht in der Lage ist, einen Kontakt auf
einem Schichtschaltungsträger herzustellen, auf welchem das Halbleiterchip 10 befestigt werden soll, dann
läßt sich dies ebenfalls mit Hilfe des Rechners 22 feststellen, so daß auch in diesem Falle keine Prüfung aufgrund
eines fehlerhaften Prüflings stattfindet
Die Erfindung wird oben für ein Ausführungsbeispiel beschrieben, bei dem die Prüfspitzen in einem rechtecki- so
gen Feld in Zeilen und Spalten angeordnet sind; es versteht sich jedoch, daü die Prüfspitzen 14 auch in einem
anderen Anordnungsmuster für den Zweck der Erfindung Anwendung finden können. Es ist lediglich erforderlich,
daß die Prüfspitzen 14 zur Durchführung der Erfindung eine vorgegebene Orientierung bezüglich ihrer
Lage besitzen.
Die Erfindung schließt ein, daß sowohl die Funktionsfähigkeit der auf einem Halbleiterchip enthaltenen integrierten
Schaltkreise als auch die elektrischen Zwiselenverbindungen
zwischen Schaltkreisänderungsanschlüssen auf einem vielschichtigen Keramiksubstrat
durchgeführt werden, um festzustellen, ob die Zwischenverbindungen
offen, also funktionsfähig, oder kurzgeschlossen, also nicht funktionsfähig, sind. Erfindungsgemäß
werden sowohl integrierte Schaltkreise als auch Zwischenverbindungen auf ihre Funktionsfähigkeit
eenrüft.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung liegt darin, daß ein und dieselbe Kontakticr- oder Prüfspitzeneinheit
zum Testen von Halbleilerchips mit unterschiedlichen Belegungen Verwendung finden kann. Ein
weiterer Vorteil der Erfindung ist darin zu sehen, daß kein besonderes Ausrichten bzw. Justieren zwischen
den Prüfspitzen und den Schaltkrcisanschlüssen auf einem Halbleiterchip oder einem vielschichtigen Kenimiksubstrat
vorgenommen werden muß. Als weiterer
ίο Vorteil der Erfindung zeigt sich, daß alle Schaltkreisänderungsanschlüsse
auf einem vielschichtigen Keramiksubstrat während des Prüfens nur einmal kontaktiert zu
werden brauchen, um die Brauchbarkeit von Zwischenverbindungen zu untersuchen. Außerdem besteht ein
Vorteil darin, daß die Erfordernis für irgend eine Schrittschaltvorrichtung oder ein Ausrichtungssystem
zum Prüfen von Zwischenverbindungen zwischen Schaltkreisänderungsanschlüssen auf einem vielschichtigen
Keramiksubstrat entfällt, wobei es außerdem noch als Vorteil anzusehen ist, daß das Prüfen schneller und
mit geringerem Aufwand erfolgt, als es bisher der Fall ist. Schließlich ergibt sich mit der Erfindung noch der
Vorteil, daß größere Toleranzen mit Bezug auf Schaltkreisänderungsanüchlüsse
auf vielschichtigen Keramik-Substraten zulässig sein können.
Hieirzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentansprüche:1. Schaltungsprüfeinrichtung für integrierte Schaltkreise auf Schichtschaltungsträgern, mit einer Prüfspitzenplatte, deren rasterförmig angeordnete und in ihrer jeweiligen Längsrichtung gleitend montierte Prüfspitzen in Kontakt mit den Schaltungsanschlüssen gebracht werden und zur zerstörungsfreien Prüfung von Stromdurchgängen in einem Prüfling über je eine Leitung an ein Schaltungsprüfgerät anschaltbar sind und deren Rasteranordnung der Schichtschaltungsträger-Rasteranordnung angepaßtist, dadurch gekennzeichnet, daQ die Prüfspitzen (14) in die tischartig ausgebildete, zum Aufsetzen der Prüflinge (10) ausgelegte Prüfspitzenplatte (15) in einem Abstand zueinander eingelassen sind, bei dem zumindest zwei Prüfspitzen (14) ein und denselben Schaltkreisanschluß (11) zu kontaktieren vermögen, und daß die Prüfspitzen (14) über die jeweils zugeordneten Leitungen (i/; mit den ersten Elektroden von steuerbaren Halbleiter-Bauelementen (18) verbunden sind, die mit ihren zweiten Elektroden an jeweils eine Zuführungsleitung (19) zum rechner-gesteuerten Schaltungsprüfgerät (21) angeschlossen sind und mit ihren Steuerelektroden jeweils an einer Adreßleitung (23') eines ebenfalls rechner-gesteuerten Matrixdecodierers(23) liegen.ZSchaltungsorüfeinrichtung nach Anspruch l.dadurch gekennzeichnet,daß ein Rechner (22) n,'.ch Ent/nlung der jeweiligen Lage von elektrisch leifenden Verbindungen und/ oder Schaltkreisanschlüssen (11> uif dem zu untersuchenden Prüfling (10) zur Untersuchung der mit den elektrisch leitenden Verbindungen und/oder Schaitkreisanschlüssen (11) in Verbindung stehenden integrierten Schaltkreisen und/oder Schaltkomponenten dient.3. Schaltungsprüfeinrichtung nach Anspruch 1oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Rechner (22) ein Vergleicher vorgesehen isr, der die Sollage der elektrisch leitenden Verbindungen und/oder Schaltkreisanschlüsse (11) auf einem zu untersuchenden Prüfling (10) mit deren Istlage vergleicht und das Ergebnis anzeigt.4. Schaltungsprüfeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,daß der Matrixdecodierer (23) unter Steuerung des Rechners (22) zum zeilenweisen Anlegen der Betriebsspannung an die in der Prüfspitzenplatte (15) nach Zeilen und Spalten geordnet angebrachten Prüfspitzen (14) für die Durchgangsprüfung ausgelegt ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00318155A US3806800A (en) | 1972-12-26 | 1972-12-26 | Method and apparatus for determining the location of electrically conductive members on a structure |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2360801A1 DE2360801A1 (de) | 1974-06-27 |
DE2360801C2 true DE2360801C2 (de) | 1985-08-22 |
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ID=23236906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2360801A Expired DE2360801C2 (de) | 1972-12-26 | 1973-12-06 | Schaltungsprüfeinrichtung für integrierte Schaltkreise auf Schichtschaltungsträgern |
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US (1) | US3806800A (de) |
JP (1) | JPS5122345B2 (de) |
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