DE2312061B2 - Transistorherstellungsverfahren und nach diesem verfahren hergestellter transistor - Google Patents
Transistorherstellungsverfahren und nach diesem verfahren hergestellter transistorInfo
- Publication number
- DE2312061B2 DE2312061B2 DE19732312061 DE2312061A DE2312061B2 DE 2312061 B2 DE2312061 B2 DE 2312061B2 DE 19732312061 DE19732312061 DE 19732312061 DE 2312061 A DE2312061 A DE 2312061A DE 2312061 B2 DE2312061 B2 DE 2312061B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zone
- dopant
- base
- emitter
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 84
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 11
- -1 boron ion Chemical class 0.000 claims description 11
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
- H01L21/2652—Through-implantation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/04—Dopants, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/041—Doping control in crystal growth
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/067—Graded energy gap
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/085—Isolated-integrated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/145—Shaped junctions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/151—Simultaneous diffusion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
ίο Die Erfindung bezieht sich auf ein Transistorherstellungsverfahren,
bei dem in einem Halbleiterkörper des einen Leitungstyps eine Basiszone mit Dotierstoff des
entgegengesetzten Leitungstyps und innerhalb der Basiszone eine Emitterzone mit Dotierstoff wiederum
des einen Leitungstyps erzeugt werden.
Im Zusammenhang mit Entwicklung und Aufbau von Mikrowellenübertragungsanlagen, Hochgeschwindigkeitsspeichern
und Logikbausteinen, außerdem wegen des Bedarfes an Kleinsignaldetektoren und -verstärkern
für die Fernmeldeübertragung über Koaxialkabel ist das Bedürfnis nach wirtschaftlich tragbaren Verfahren
zur Herstellung von Hochfrequenztransistoren zunehmend größer gewordea Diese Transistoren werden
derzeit im Doppeldiffusionsverfahren hergestellt. Das
bedeutet daß sowohl die Emitter- a's auch die Basiszone
nach üblichen chemischen Diffusionsverfahren erzeugt werden. Weil das chemische Diffusionsverfahren bei
Transistoren, die flach aufgebaut oder mit kleinen Toleranzen hergestellt werden sollen, nur schwer zu
steuern ist bietet sich die Ionen-Implantation als ein vorteilhaftes alternatives Dotierungsverfahren an. Nacli
diesem Verfahren können sowohl die Konzentration der Dotierstoffe als auch deren Verteilung über einer
weiten Bereich sehr genau kontrolliert werden. Es sine deshalb verschiedene Versuche gemacht worden
Hochfrequenztransistoren unter Anwendung vor Ionen-Implantationsverfahren herzustellen, und zwai
entweder als doppeltes Implantat bei dem sowohl die Emitter- als auch die Basiszone in das Halbleitersubstrai
implantiert werden, oder in einem Hybridverfahren, be dem die Basis implantiert und der Lmitter eindiffundier
wird. Hierher gehört auch das nach der DT-OS 20 58 442 bekannte Doppeldiffusionsverfahren, bei den
sowohl Emitter- als auch Basiszone je durch eine thermische Diffusion, je gefolgt von einer Ionenimplan
tation, hergestellt werden. In der Basiszone stellt siel
dabei ein Dotierstoffkonzentrationsprofil ein. das zun Halbleiterinnern hin über eine stark verschilffene Stuft
abfällt, wobei der Basis/Emitterübergang in den Bereicl dieser verschliffenen Stufe gewählt wird.
Jedoch blieben die bekannten Versuche, die sich au die gleichmäßige Herstellung hochverstärkender Tran
sistoren mit einem geringen Leckstrom richteten, bishe
ohne nennenswerten Erfolg. Insbesondere war es dabe
nicht möglich, pn-Übergänge mit steilerem Verlau herzustellen.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, ein leich reproduzierbares Verfahren zur Herstellung hochver
stärkender Transirtoren mit geringem Leckstrom um
insbesondere mit steilen pn-Übergängen herzustellen.
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist fü das Verfahren der einleitend beschriebenen Art in
kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 angegeben. Im Prinzip wird nach der Erfindung die Basiszone ii
einem zweistufigen Implantationsverfahren hergestell dergestalt, daß des resultierende Dotierungsprofil zwe
Dotierstoffkonzentrationsspitzen mit einem dazwi schenliegenden Dotierstoffkonzentratir>nsminimun
aufweist, wobei die tieferliegende der beiden Konzentrationsspitzen die kleinere ist Der Emitter wird
gleichfalls durch Ionenimplantation erzeugt, und es folgt eine Warmbehandlung dergestalt, daß der Emitter/Basis-Obergang bei dem erwähnten Konzentrationsminimum oder zwischen diesem und der tieferliegenden
Konzentrationsspitze gelegen ist
Wegen des vorhandenen Dotierstoffkonzentrationsminimum in -der Basiszone können ersichtlich sehr steile
Emitter/Basis-pn-Übergänge mit äußerst geringer Herstellungstoleranz erzeugt werden.
Weiterbildungen des erflndungsgemäßen Verfahrens
sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet und nachstehend ist das erfindungsgemäße Verfahren an
Hand der Zeichnung im einzelnen erläutert; es zeigen:
Γ i g. 1A — 1F Schnittansichten eines Ausführungsbeispiels für verschiedene Herstellungsschrittc;
Fig.2A-2D Dotierstoffkonzentrattonsproffle desselben Ausführungsbeispiels für verschiedene Fertigungsschriue;und
F i g- 3 ein Diagramm der Gleichstromverstärkungsverteilung für verschiedene Bauelemente desselben
Ausführungsbeispieles.
In einem Ausführungsbeispiel werden Hochfrequenz-Transistoren mit verbesserten Verstärkungseigenschaften und hohem Verstärkungsgewinn hergestellt. Die
Basis wird in zwei getrennten Verfahrensschritten, deren Reihenfolge beliebig ist gebildet Bei dem einen
Verfahrensschritt wird innerhalb eines als Substrat dienenden Halbleiterkörpers durch Ionen-Implantation
eine Dotierstoffzone erzeugt um den spezifischen Flächenwiderstand und die Dotierstoffkonzentration an
der Oberfläche der Basiszone festzulegen. Bei dem anderen Verfahrensschritt werden die Dotierstoffe
innerhalb derselben Zone des Halbleitersubstrates implantiert, liegen aber tiefer im Halbleitersubstrat als
die erste Dotierstoff-Zone, so daß eine Basiszone mit einem Dotierstoffprofil erzeugt wird, das ein Minimum
und zwei Konzentrationsspitzen aufweist. Die Emitterzone wird durch eine Ionen-Implantation mit einer
nachfolgenden thermischen Diffusion der implantierten Dotierstoffe so erzeugt daß sich der Emitter-Basis-Übergang im oder nahe beim Minimum des Dotierstoffprofils der Basiszone befindet Die Reihenfolge, in der
die Emitter- und Basiszone gebildet werden, ist umkehrbar.
Die Fig. 1A-IF demonstrieren das Verfahren am
besten. Sie sind nicht maßstabgetreu. Die F i g. 2A -2D zeigen die Dotierstoffkonzentrationen des Bauelementes für verschiedene Verfahrensschritte. Obwohl die
Herstellung eines diskreten Transistors gezeigt wird, sollte es klar sein, daß sich das Verfahren auch auf die
Herstellung planarer Plättchen für verschiedene Transistoren auf einer Halbleiterscheibe and auf die
Herstellung von Transistoren als Teil einer integrierten Schaltung anwenden läßt
Wie aus Fig.IA hervorgeht, wurde auf einem
N+ -leitenden Halbleitersubstrat 10 aus Silicium nach üblichen Verfahren eine η-leitende Epitaxieschicht
gezüchtet. Das Halbleitersubstrat ist vorzugsweise mit Antimon- oder Arsen-Dotierstoffen bis zu einem
spezifischen Widerstand von weniger als oder ungefähr gleich 0,01 Ohm · cm dotiert, während die n-leitende
Schicht, die die Kollektorzone des Transistors aufnehmen soll, vorzugsweise mit Arsen-Dotierstoffen bis zu
einem spezifischen Widerstand von ungefähr 1 Ohm · cm dotiert wird, während ein brauchbarer
Rereich zwischen 0.1 und 10 Ohm · cm liegt.
Die Epitaxieschicht 11 ist ungefähr 7 μπι dick. Eine
Siliziumdioxidschicht 12 wird auf dem Halbleitersubstrat bis zu einer Dicke von ungefähr 1400 A gezüchtet
oder niedergeschlagen, obwohl jede beliebige Oxiddikke brauchbar sein würde, solange die durch Ionenstrah
lung implantierten Basisdotierstoffe noch durch das Oxid implantiert werden können.
Die Basiszone wird nach üblichen photolithographischen Methoden bestimmt So wird auf der Siliziumdioxidschicht eine Photolackschicht aufgebracht durch
eine Maske hindurch belichtet und dann entwickelt um ein Fenster im Photolack festzulegen, durch das die
Basisdotierstoffe in den Halbleiter eindringen können. Dieser Verfahrensschritt ist in F i g. Ib dargestellt in der
ι S die Photolackschicht mit der Ziffer 13 gekennzeichnet ist Alternativ könnte anstelle des Photolacks ein Metalloder Isolatorniederschlag verwendet werden.
In der bereits erwähnten Fig. IB ist der erste
Verfahrensschritt zur Erzeugung der Basiszone dargestellt Die Anordnung wird mit einer Borionenstrahlung
bei einer Energie von ungefähr 50 keV so bestrahlt, daß die Borionen die Oxidschicht aber nicht den Photolack
durchdringen um innerhalb der Halbleiterschicht 11 in
der durch das Photolackfenster abgegrenzten Zone eine p-Zone 14 zu erzeugen. Die zur Einstellung des
spezifischen Flächenwiderstandes benötigte lonenstrahlungsdosierung beträgt ungefähr 2,8 χ 1014 Ionen/
cm2, obwohl die Ionenstrahlung von 10I2-5 χ 1014 Ionen/cm2 dosiert werden könnte. Das
sich aus dem Borionenimplantat ergebende Dotierstoffprofil ist in K i g. 2A dargestellt die die Dotierstoffkonzentration C in Abhängigkeit von der Eindringtiefe X
unter die Oberfläche des Halbleitersubstrats zeigt. Die Kurve B folgt einer Gauß'schen Verteilungscharakteristik mit einer etwa 0,02 μπι tiefen Dotierstoffkonzentra-
tionsspitze von ungefähr 1019 Ionen/cm3. Die Energie
der lonenstrahlung muß ausreichen, um die Oxidschicht zu durchdringen, jedoch nicht so tief, daß sich daraus in
Verbindung mit den nachfolgenden Verfahrensschritten eine Dotierstoffkonzentration ergibt die nach der
ersten Dotierstoffkonzentrationsspitze stetig abnimmt.
Wenn man von einer 1400 A dicken SiO2-Schicht
ausgeht liegt die Energie der lonenstrahlung für dieses Implantat ungefähr im Bereich von 5-100 keV.
In der Fig. IC ist der zweite Verfahrensschritt zur
Erzeugung der Basiszone dargestellt. Auch hier werden wieder Borionen in die durch das Photolackfenster
festgelegte Zone implantiert. Jedoch bestimmt dieses Implantat letzten Endes die Dotierstoffkonzentration
unter der Emitterzone und ist in der Regel geringer als beim vorhergehenden Verfahrensschritt dosiert. Ir
diesem Ausführungsbeispiel wurde mit einer Dosierung von 8 χ 10'2 Ionen/cm2 gearbeitet obwohl ein brauch
barer Dosierungsbereich zwischen 8 χ lO"bis5 χ ΙΟ1
Ionen/cm2 Ifegt Die Energie der bei diesem Verfahrens
schritt implantierten Ionen muß ausreichen, diese tiefe1
als beim vorausgegangenen Verfahrensschritt in da: Halbleitersubstrat zu injizieren, um eine zusammenge
s°tzte p-Zone 15 mit dem durch die gestrichelte Linie 11
dargestellten Kollektor-Basis-Übergang zu bilden. Ii
diesem speziellen Ausführungsbeispiel betrug dl Energie der Borionenstrahlung ungefähr 250 ke\
Wenn man von einer 1400 A dicken SiO2-Schich ausgeht, ist eine Strahlungsenergie zwischen 100 un
400 keV für dieses Implantat geeignet.
Die F i g. 2 B zeigt das zusammengesetzte Dotierstofl profil der beiden Borimplantate. Die Dotierstoffkonzer
trationsspitze des Borimplantats mit der geringere
r.
Dotierstoffkonzentration beträgt ungefähr 3 χ ΙΟ17
Ionen/cm3 und liegt ungefähr 0,5 μηι tief. Es ist wichtig,
festzustellen, daß die Dotierstoffkonzentration zwei getrennte Konzentrationsspitzen und ein ein zwischenliegendes
Konzentrationsminimum aufweisen muß. S Folglich muß die Energie der beiden Implantate so
gewählt werden, daß die Dotierstoffverteilungen einander überlappen, um die Bildung einer η-Zone zwischen
den beiden Implantaten zu verhindern. Jedoch dürfen sich die Dotierstoffverteilungen nicht so weit überlappen,
daß in der Überlappungszone kein Konzentrationsminimum gebildet wird. Mit anderen Worten muß in der
Zone, in der der mit höheren Konzentration verteilte Dotierstoff (oberflächennahes Implantat) den mit
geringerer Konzentration verteilten (tiefer liegendes ij
Implantat) überlappt, die Summe der Verteilungen kleiner als die Dotierstoffkonzentrationsspitze des
Implantates mit der geringeren Konzentration sein. Folglich überschneiden sich die Dotierstoffprofile an
einem Punkt, wo die Dotierstoffkonzentration jedes to Implantates weniger als die Hälfte der Dotierstoffkonzentrationsspitze
des zweiten Implantates beträgt.
Nach der Erzeugung der Basiszone wird der Photolack abgezogen und zusätzlich eine ungefähr
5500 Ä dicke Isolierschicht über der SiO2-Schicht
niedergeschlagen. Diese Schicht soll die Streukapazität der später vorzusehenden Kontaktelektioden verringern
und bei der anschließend vorgenommenen Bildung der Emitterzone als Maske wirken. Die Isolatorschicht
wird eine halbe Stunde lang bei ungefähr 9000C verdichtet Diese Warmbehandlung dient auch dazu,
jeden Schaden, den der Halbleiter durch die Basisimplantationen erlitt, auszuheilen. Auf diesen Ausheilungsschritt kann verzichtet werden, wenn keine Verdichtung
der niedergeschlagenen Isolatorschicht für eine besonders genaue Festlegung des Emitterfensters nötig ist.
Der Fachmann wird erkennen, daß sich während und nach den Warmbehandlungen das Dotierstoffprofil der
Basiszone etwas auseinanderzieht. Jedoch ist dieser Effekt bei den verwendeten Dotierstoffkonzentrationen
und Temperaturen ohne Bedeutung. Bei der figürlichen Darstellung der einzelnen Verfahrensschritte in Form
von Dotierstoffprofilen wurde dieses Phänomen ignoriert. Die Mittel zur Bestimmung der Borionenkonzentration
als Funktion von Temperatur und Zeit sind bekannt. Daraus kann, wenn gewünscht, die Wirkung
der Warmbehandlungen exakt abgeleitet werden. Sämtliche Eigenschaften der Dotierstoffprofile beziehen
sich, genauer gesagt, auf die Dotierstoff profile nach
allen Warmbehandlungen. so
Das Emitterfenster wird dann auf photolithographischem Wege ähnlich den Verfahren bestimmt, die im
Zusammenhang mit der Erzeugung der Basiszone beschrieben worden sind. In diesem Falle wird jedoch
ein Fenster durch die niedergeschlagene Isolierschicht and die ersten Oxidschichten bis hinunter zur Oberfläche der Siliciumschicht geätzt und der Phototack vor
der Implantation entfernt Alternativ dazu kann die Ätzung vor Erreichen der Sifidumoberflache gestoppt
werden, wobei in der geätzten Zone einige Rest- oder Isolatoroxide übrig bleiben. Der tmgeätzte Teil der
Isolatoroxidschichten dient bei der ach anschließenden Implantation als Maske.
Das in Fig. ID dargestellte Bauteil mit der
zusätzlichen Isolatorschicht 21 wird dann mit Arsenionenstrahlung beschossen, die eine N -1- -leitende Zone 17
im bestrahlten Halbleitergebiet erzeugt Die Dosierung beträgt in diesem Ausführungsbeispiel 2 χ ΙΟ16
Ionen/cm2 und die Energie der lonenstrahlung beträgt
150 keV. Die Dosierung dieses Implantats muß ausreichend groß sein, damit die Verteilung des n-leitenden
Dotierstoffes die p-leitenden Dotierstoffe ausgleicht, die infolge der hohen Dotierstoffkonzentration des Borionenimplantates
injiziert wurden. Ein geeigneter Dosierungsbereich bestimmt sich deshalb zu 1014-5 χ ΙΟ16
Ionen/cm2. Die Energie der lonenstrahlung wurde so gewählt, daß die Konzentrationsspitze der Verteilung
des Dotierstoffes Arsen dicht unter der Oberfläche des Halbleiters liegt, d. h. ungefähr 0,01 bis 0,2 μπι tief. Die
Energie kann deshalb zwischen 30-450keV gewählt werden. Das Dotierstoffprofil für diesen Verfahrensschritt ist in Fig.2C dargestellt In diesem Beispiel
beträgt die Dotierstoffkonzentrationsspitze der Emitterzone ungefähr 1021 Ionen/cm3 und liegt etwa
0,07 μπι tief.
Die Emitterzone wird dann bei einer Temperatur und in einer Zeit, die für das weitere Eindiffundieren des
Dotierstoffes Arsen in das Halbleitersubstrat ausreichen, so behandelt, daß der Emitter-Basis-Übergang im
oder nahe beim Minimum des Dotierstoffprofils der Basiszone liegt. Dieser Emitter-Basis-Übergang wird
durch die unterbrochene Linie 18 in F i g. 1E und in
Fig.2D dargestellt Die Fig.2D zeigt speziell den Bereich der Tiefenverschieblichkeit des Emitter-Basis-Überganges,
innerhalb dessen noch eine optimale Verstärkungs- und Frequenzcharakteristik erzielt wird.
Dieser Bereich Δχ erstreckt sich vom Minimum des Dotierstoffkonzentrationsprofils der Basiszone bis zur
tiefer liegenden Spitze des Dotierstoffkonzentrationsprofils. wo das Implantat der Basiszone eine geringere
Dotierstoffkonzentration hat Weil eine Kompensation aller Dotierstoffe des dicht bei der Oberfläche liegenden
Implantates höherer Dotierstoffkonzentration wünschenswert ist, sollte der Emitter-Basis-Übergang
zur Erzielung bestmöglicher Ergebnisse vorzugsweise nicht auf der dichter bei der Oberfläche liegenden Seite
des erwähnten Profilminimums liegen.
Die Warmbehandlung wurde eine halbe Stunde lang bei 10000C vorgenommen. Sie kann 5 Minuten bis 3
Stunden lang in einem Temperaturbereich von 900- 13000C erfolgen. Unter Verweis auf die Fig. 2D
soll noch festgestellt werden, daß durch ein Eindiffundieren des Dotierstoffes Arsen ein sehr abrupt
verlaufendes Dotierstoffprofil erzeugt wird. Dieser Effekt ist bekannt und in erster Linie darauf
zurückzuführen, daß die Diffusionskonstante von Arsen bei hohen Dotierstoffkonzentraüonen größer als bei
niedrigen Dotierstoffkonzentrationen ist Es könnten auch Antimon oder Phosphor als Dotierstoffe für die
Emitter-Zone verwendet werden, ohne daß aber ein so abrupt verlaufendes Dotierstoffproffl entstehen würde
Das Implantationsverfahren erlaubt eine bessere Steuerung der Dotierstoffverteuang, weil es von
Oberflächenzuständen oder den wechselhaften Verhältnissen bei der Anwendung eines chemischen Diffusionsverfahren unabhängig ist
Bei den letzten Verfarsschi n werden Fenster durch die isolierenden Schichten geätzt, um die
Basiszone freizulegen, und es werden metallische Kontakte 19 und 20 nach bekannten Verfahren
aufgebracht, die die Emitter- bzw. Basiszone entsprechend der Darstellung in F ig. IF anscfafießen.
Die mit Hilfe dieses Verfahrens erzielten gleichförmigen Halbleitereigenschaften and hohen Verstärkungsgewinne sind aus der Fig. 3 zu entnehmen. Dort ist ein
Diagramm abgebildet, das die Verteflunj! der Strom-
verstärkung für mehrere Plättchen zeigt, die nach dem oben beschriebenen Verfahren auf zwei verschiedenen
Scheiben des Halbleitersubstrates chargenweise verarbeitet sind. Es wurden 22 Plättchen der Scheibe 1 und 25
Plättchen der Scheibe 2 getestet. Das Diagramm zeigt eine bemerkenswerte Konsistenz der Plättchen-zu-Plättchen-
und Scheiben-zu-Scheiben-Daten. Die Abweichung vom Mittelwert der Stromverstärkung der
zwei Scheiben und die Durchschnittsabweichung der Stromverstärkung zwischen den Plättchen auf einer
Scheibe betrug nur 1,3. Das bedeutet eine Abweichung von weniger als 1,2% vom Mittelwert. Andere
Transistoreigenschaften wie etwa die Grenzfrequenz des Transistors in Emitterschaltung und die Basis-Emitter-Spannung
bei konstant gehaltenem Kollektorstrom sind auf ähnliche Weise hoch gleichförmig. Außerdem
ist die Stromverstärkung nahezu unabhängig vom Kollektorstrom im Bereich zwischen 10 μΑ und 100 nA.
Diese hoch gleichförmigen Eigenschaften sind offensichtlich auf die Ausbildung des Basis-Dotierstoffprofils
und die in Fig. 2D dargestellte Positionierung des Emitterüberganges zurückzuführen. Die Stromverstärkung
ist in erster Linie von der gesamten Dotierung in der Basiszone unter der Emitterzone abhängig (Gebiet
des Dotierstoffprofils der Basiszone rechts vom Arsen-Dotierstoffprofil in Fig. 20). Weil der Emitter-Basis-Übergang
in dem Bereich der Basiszone liegt, in dem die Dotierstoffkonzentration klein ist, führt eine
ίο Verschiebung des Zonenüberganges zwischen dem
Minimum der Dotierstoffkonzentration und der Dotierstoffkonzentrationsspitzc des zweiten Implantates in
einem nur verhältnismäßig schmalen Bereich zu einer Dotierung unter dem Emitter, vergleichbar den in
bekannter Weise eindiffundierten oder implantierten Basiszonen, bei denen kein Dotierstoffkonzentrationsminimum
gebildet wird und der Zonenübergang bei einer deutlich höheren Dotierstoffkonzentration dci
Basiszone liegt.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Transistorherstellungsverfahren, bei dem in einem Halbleiterkörper des einen Leitungstyps eine
Basiszone mit Doliersteff des entgegengesetzten
Leitungstyps und innerhalb der Basiszone eine Emitterzone mit Dotierstoff wiederum des einen
Leitungstyps erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiszone erzeugt wird
durch Bestrahlen des Halbleiterkörpers mit einer ersten Strahlung aus Dotierstoff-Ionen des entgegengesetzten
Leitungstyps, um eine erste Zone zu erzeugen, sowie durch Bestrahlen mit einer zweiten
Strahlung aus Dotierstoff-Ionen gleichfalls des entgegengesetzten Leitungstyps dergestalt, daß im
Bereich der ersten Zone eine zweite Zone von J>otierstoffen gleichfalls des entgegengesetzten
Leitungstyps mit einer Konzentrationsspitze erzeugt wird, die kleiner ist als die der ersten Zone
sowie tiefer im Halbleiterkörper als die der ersten £one gelegen ist, und sich die erste und zweite Zone
einander überlappen, um eine zusammengesetzte Jr.one zu bilden, die ein Dotierstoffkonzentrationsmimimum
zwischen den beiden Dotierstoffkonzentralionsspitzen aufweist, und daß die Emitterzone
gebildet wird durch Bestrahlen des Halbleiterkörfiers
mit einer Dotierstoffionenstrahlung des einen Leitfähigkeitstyps und nachfolgendes Erwärmen des
Halbleiterkörpers, um den Dotierstoff weiter in den Halbleiterkörper einzudiffuivdieren und den Emitter-Kasis-Übergang
in einer Tiefe zu erzeugen, der bei eiern Dotierstoffkonzentrationsminimum oder zwischen
diesem und der tiefe- liegenden Dotierstoffkonzentrationsspitze der Basiszone gelegen ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß mit 1012 bis 5 χ 10uBor-lonenprocm2
tei einer Ionen-Energie von 5-lOOkeV bestrahlt
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß mit Arsen-, Phosphor- oder Antimon-Ionen bestrahlt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß mit 10t4-5 χ ΙΟ16 Arsen-Ionen/cm2
lind Ionen-Energien von 30-450 keV bestrahlt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper 5 Minuten bis 3
Stunden lang auf 900- 13000C erwärmt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit 8 χ 10" + 5 χ ΙΟ13 Bor-Ionen/cm2
und Ionen-Energien zwischen 100 - 400 keV bestrahlt wird.
7. Nach dem Verfahren gemäß Anspruch I hergestellter Transistor mit einer Basiszone von
einem Leitungstyp ir einem Halbleiterkörper des entgegengesetzten Leitungstyps und mit einer
Emitterzone des entgegengesetzten Leitungstyps innerhalb der Basiszone, dadurch gekennzeichnet,
daß das Dotierstoffkonzentrationsprofil in der Basiszone eine dicht bei der Oberfläche liegende
Spitze, gefolgt von einem Minimum und einer tiefer liegenden Spitze, aufweist und daß die Emitterzone
bis zu einer Tiefe reicht, die zwischen den beiden Spitzen liegt
8. Transistor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone bis zu einer Tiefe
reicht, die zwischen dem Dotierstoffkonzentrationsrninimum und der tiefer liegenden Dotierstoffkon-
zentrationsspitzeder Basiszone gelegen ist
9. Transistor nach Anspruch 8; dadurch gekennzeichnet, daß der Basisdotierstoff Bor und der
Emitterdotierstoff Arsen, Antimon und Phosphor sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US23402172A | 1972-03-13 | 1972-03-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2312061A1 DE2312061A1 (de) | 1973-10-18 |
DE2312061B2 true DE2312061B2 (de) | 1977-04-14 |
Family
ID=22879545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732312061 Ceased DE2312061B2 (de) | 1972-03-13 | 1973-03-10 | Transistorherstellungsverfahren und nach diesem verfahren hergestellter transistor |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3756861A (de) |
JP (1) | JPS493581A (de) |
BE (1) | BE796460A (de) |
CA (1) | CA963980A (de) |
DE (1) | DE2312061B2 (de) |
FR (1) | FR2175911B1 (de) |
GB (1) | GB1421222A (de) |
IT (1) | IT980547B (de) |
NL (1) | NL155983B (de) |
SE (1) | SE386309B (de) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3862930A (en) * | 1972-08-22 | 1975-01-28 | Us Navy | Radiation-hardened cmos devices and circuits |
FR2209217B1 (de) * | 1972-11-10 | 1977-12-16 | Lignes Telegraph Telephon | |
JPS5633864B2 (de) * | 1972-12-06 | 1981-08-06 | ||
US3887994A (en) * | 1973-06-29 | 1975-06-10 | Ibm | Method of manufacturing a semiconductor device |
US3928081A (en) * | 1973-10-26 | 1975-12-23 | Signetics Corp | Method for fabricating semiconductor devices using composite mask and ion implantation |
US3880676A (en) * | 1973-10-29 | 1975-04-29 | Rca Corp | Method of making a semiconductor device |
US4033788A (en) * | 1973-12-10 | 1977-07-05 | Hughes Aircraft Company | Ion implanted gallium arsenide semiconductor devices fabricated in semi-insulating gallium arsenide substrates |
US3928082A (en) * | 1973-12-28 | 1975-12-23 | Texas Instruments Inc | Self-aligned transistor process |
US3902926A (en) * | 1974-02-21 | 1975-09-02 | Signetics Corp | Method of making an ion implanted resistor |
US3925105A (en) * | 1974-07-02 | 1975-12-09 | Texas Instruments Inc | Process for fabricating integrated circuits utilizing ion implantation |
US3933528A (en) * | 1974-07-02 | 1976-01-20 | Texas Instruments Incorporated | Process for fabricating integrated circuits utilizing ion implantation |
GB1492447A (en) * | 1974-07-25 | 1977-11-16 | Siemens Ag | Semiconductor devices |
JPS5431872B2 (de) * | 1974-09-06 | 1979-10-09 | ||
US3920483A (en) * | 1974-11-25 | 1975-11-18 | Ibm | Method of ion implantation through a photoresist mask |
US3950188A (en) * | 1975-05-12 | 1976-04-13 | Trw Inc. | Method of patterning polysilicon |
US4045250A (en) * | 1975-08-04 | 1977-08-30 | Rca Corporation | Method of making a semiconductor device |
US4025364A (en) * | 1975-08-11 | 1977-05-24 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Process for simultaneously fabricating epitaxial resistors, base resistors, and vertical transistor bases |
US4033787A (en) * | 1975-10-06 | 1977-07-05 | Honeywell Inc. | Fabrication of semiconductor devices utilizing ion implantation |
US4030942A (en) * | 1975-10-28 | 1977-06-21 | International Business Machines Corporation | Semiconductor masking for device fabrication utilizing ion implantation and other methods |
US4001050A (en) * | 1975-11-10 | 1977-01-04 | Ncr Corporation | Method of fabricating an isolated p-n junction |
US4062699A (en) * | 1976-02-20 | 1977-12-13 | Western Digital Corporation | Method for fabricating diffusion self-aligned short channel MOS device |
US4052229A (en) * | 1976-06-25 | 1977-10-04 | Intel Corporation | Process for preparing a substrate for mos devices of different thresholds |
US4069068A (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-17 | International Business Machines Corporation | Semiconductor fabrication method for improved device yield by minimizing pipes between common conductivity type regions |
US4140547A (en) * | 1976-09-09 | 1979-02-20 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing MOSFET devices by ion-implantation |
EP0062725B1 (de) * | 1981-04-14 | 1984-09-12 | Deutsche ITT Industries GmbH | Verfahren zum Herstellen eines integrierten Planartransistors |
US4694566A (en) * | 1982-04-12 | 1987-09-22 | Signetics Corporation | Method for manufacturing programmable read-only memory containing cells formed with opposing diodes |
JPS6119520A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-28 | Nippon Denso Co Ltd | 搬送装置 |
JPH0784251B2 (ja) * | 1986-01-16 | 1995-09-13 | 日本電装株式会社 | 整列装填装置 |
JPH0699038B2 (ja) * | 1986-02-27 | 1994-12-07 | 日本電装株式会社 | 連続波状フィンの搬送装置 |
KR900005871B1 (ko) * | 1987-09-21 | 1990-08-13 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리소자의 제조방법 |
US5244821A (en) * | 1991-06-07 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Bipolar fabrication method |
DE602008006579D1 (de) * | 2008-12-12 | 2011-06-09 | Abb Technology Ag | Herstellungsverfahren eines Leistungshalbleiterbauelements |
-
1972
- 1972-03-13 US US00234021A patent/US3756861A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-09-19 CA CA152,079A patent/CA963980A/en not_active Expired
-
1973
- 1973-03-06 SE SE7303123A patent/SE386309B/xx unknown
- 1973-03-07 GB GB1105573A patent/GB1421222A/en not_active Expired
- 1973-03-08 BE BE128527A patent/BE796460A/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-03-09 IT IT67671/73A patent/IT980547B/it active
- 1973-03-09 NL NL7303358.A patent/NL155983B/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-03-10 DE DE19732312061 patent/DE2312061B2/de not_active Ceased
- 1973-03-12 FR FR7308692A patent/FR2175911B1/fr not_active Expired
- 1973-03-13 JP JP48028651A patent/JPS493581A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS493581A (de) | 1974-01-12 |
DE2312061A1 (de) | 1973-10-18 |
FR2175911B1 (de) | 1978-02-10 |
SE386309B (sv) | 1976-08-02 |
IT980547B (it) | 1974-10-10 |
BE796460A (fr) | 1973-07-02 |
NL155983B (nl) | 1978-02-15 |
US3756861A (en) | 1973-09-04 |
FR2175911A1 (de) | 1973-10-26 |
NL7303358A (de) | 1973-09-17 |
CA963980A (en) | 1975-03-04 |
GB1421222A (en) | 1976-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2312061B2 (de) | Transistorherstellungsverfahren und nach diesem verfahren hergestellter transistor | |
DE2652253C2 (de) | Verfahren zur Steuerung der seitlichen Breite eines Dotierungsprofils in einem Halbleiterkörper eines Halbleiterbauelementes | |
EP0032550B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer bipolaren, vertikalen PNP-Transistorstruktur | |
DE2812740A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer vertikalen, bipolaren integrierten schaltung | |
DE10055446A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3734304A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer integrierten mos-halbleiterschaltung | |
DE19704996A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von IGBT-Bauteilen | |
DE112011105826B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung selbiger | |
DE1913052A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1938365A1 (de) | Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltungen | |
DE10205323A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE2354523C3 (de) | Verfahren zur Erzeugung von elektrisch isolierenden Sperrbereichen in Halbleitermaterial | |
DE1965799C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
DE2262024A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen bzw. halbleiterschaltungen | |
DE2605641C3 (de) | Hochfrequenztransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2500728A1 (de) | Verfahren zur verbesserung der dotierung eines halbleitermaterials | |
DE3047342A1 (de) | Polykristalliner siliziumfilm und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2030403A1 (de) | Verfahren ?ur Herstellung von Halb leitervornchtungen | |
DE2124764A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halb leiteranordnung | |
DE2447354A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors | |
DE2231891C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer wannenartigen, amorphen Halbleiterschicht | |
DE2611559C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen | |
DE102004039208A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement | |
DE2058442C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE69619487T2 (de) | Isolierschicht-Feldeffekttransistor mit einem diffundierten Kanal |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8235 | Patent refused |