DE2312061B2 - Transistorherstellungsverfahren und nach diesem verfahren hergestellter transistor - Google Patents

Description

ίο Die Erfindung bezieht sich auf ein Transistorherstellungsverfahren, bei dem in einem Halbleiterkörper des einen Leitungstyps eine Basiszone mit Dotierstoff des entgegengesetzten Leitungstyps und innerhalb der Basiszone eine Emitterzone mit Dotierstoff wiederum des einen Leitungstyps erzeugt werden.

Im Zusammenhang mit Entwicklung und Aufbau von Mikrowellenübertragungsanlagen, Hochgeschwindigkeitsspeichern und Logikbausteinen, außerdem wegen des Bedarfes an Kleinsignaldetektoren und -verstärkern für die Fernmeldeübertragung über Koaxialkabel ist das Bedürfnis nach wirtschaftlich tragbaren Verfahren zur Herstellung von Hochfrequenztransistoren zunehmend größer gewordea Diese Transistoren werden derzeit im Doppeldiffusionsverfahren hergestellt. Das

bedeutet daß sowohl die Emitter- a's auch die Basiszone nach üblichen chemischen Diffusionsverfahren erzeugt werden. Weil das chemische Diffusionsverfahren bei Transistoren, die flach aufgebaut oder mit kleinen Toleranzen hergestellt werden sollen, nur schwer zu steuern ist bietet sich die Ionen-Implantation als ein vorteilhaftes alternatives Dotierungsverfahren an. Nacli diesem Verfahren können sowohl die Konzentration der Dotierstoffe als auch deren Verteilung über einer weiten Bereich sehr genau kontrolliert werden. Es sine deshalb verschiedene Versuche gemacht worden Hochfrequenztransistoren unter Anwendung vor Ionen-Implantationsverfahren herzustellen, und zwai entweder als doppeltes Implantat bei dem sowohl die Emitter- als auch die Basiszone in das Halbleitersubstrai implantiert werden, oder in einem Hybridverfahren, be dem die Basis implantiert und der Lmitter eindiffundier wird. Hierher gehört auch das nach der DT-OS 20 58 442 bekannte Doppeldiffusionsverfahren, bei den sowohl Emitter- als auch Basiszone je durch eine thermische Diffusion, je gefolgt von einer Ionenimplan tation, hergestellt werden. In der Basiszone stellt siel dabei ein Dotierstoffkonzentrationsprofil ein. das zun Halbleiterinnern hin über eine stark verschilffene Stuft abfällt, wobei der Basis/Emitterübergang in den Bereicl dieser verschliffenen Stufe gewählt wird.

Jedoch blieben die bekannten Versuche, die sich au die gleichmäßige Herstellung hochverstärkender Tran sistoren mit einem geringen Leckstrom richteten, bishe ohne nennenswerten Erfolg. Insbesondere war es dabe

nicht möglich, pn-Übergänge mit steilerem Verlau herzustellen.

Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, ein leich reproduzierbares Verfahren zur Herstellung hochver stärkender Transirtoren mit geringem Leckstrom um

insbesondere mit steilen pn-Übergängen herzustellen.

Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist fü das Verfahren der einleitend beschriebenen Art in kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 angegeben. Im Prinzip wird nach der Erfindung die Basiszone ii einem zweistufigen Implantationsverfahren hergestell dergestalt, daß des resultierende Dotierungsprofil zwe Dotierstoffkonzentrationsspitzen mit einem dazwi schenliegenden Dotierstoffkonzentratir>nsminimun

aufweist, wobei die tieferliegende der beiden Konzentrationsspitzen die kleinere ist Der Emitter wird gleichfalls durch Ionenimplantation erzeugt, und es folgt eine Warmbehandlung dergestalt, daß der Emitter/Basis-Obergang bei dem erwähnten Konzentrationsminimum oder zwischen diesem und der tieferliegenden Konzentrationsspitze gelegen ist

Wegen des vorhandenen Dotierstoffkonzentrationsminimum in -der Basiszone können ersichtlich sehr steile Emitter/Basis-pn-Übergänge mit äußerst geringer Herstellungstoleranz erzeugt werden.

Weiterbildungen des erflndungsgemäßen Verfahrens sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet und nachstehend ist das erfindungsgemäße Verfahren an Hand der Zeichnung im einzelnen erläutert; es zeigen:

Γ i g. 1A — 1F Schnittansichten eines Ausführungsbeispiels für verschiedene Herstellungsschrittc;

Fig.2A-2D Dotierstoffkonzentrattonsproffle desselben Ausführungsbeispiels für verschiedene Fertigungsschriue;und

F i g- 3 ein Diagramm der Gleichstromverstärkungsverteilung für verschiedene Bauelemente desselben Ausführungsbeispieles.

In einem Ausführungsbeispiel werden Hochfrequenz-Transistoren mit verbesserten Verstärkungseigenschaften und hohem Verstärkungsgewinn hergestellt. Die Basis wird in zwei getrennten Verfahrensschritten, deren Reihenfolge beliebig ist gebildet Bei dem einen Verfahrensschritt wird innerhalb eines als Substrat dienenden Halbleiterkörpers durch Ionen-Implantation eine Dotierstoffzone erzeugt um den spezifischen Flächenwiderstand und die Dotierstoffkonzentration an der Oberfläche der Basiszone festzulegen. Bei dem anderen Verfahrensschritt werden die Dotierstoffe innerhalb derselben Zone des Halbleitersubstrates implantiert, liegen aber tiefer im Halbleitersubstrat als die erste Dotierstoff-Zone, so daß eine Basiszone mit einem Dotierstoffprofil erzeugt wird, das ein Minimum und zwei Konzentrationsspitzen aufweist. Die Emitterzone wird durch eine Ionen-Implantation mit einer nachfolgenden thermischen Diffusion der implantierten Dotierstoffe so erzeugt daß sich der Emitter-Basis-Übergang im oder nahe beim Minimum des Dotierstoffprofils der Basiszone befindet Die Reihenfolge, in der die Emitter- und Basiszone gebildet werden, ist umkehrbar.

Die Fig. 1A-IF demonstrieren das Verfahren am besten. Sie sind nicht maßstabgetreu. Die F i g. 2A -2D zeigen die Dotierstoffkonzentrationen des Bauelementes für verschiedene Verfahrensschritte. Obwohl die Herstellung eines diskreten Transistors gezeigt wird, sollte es klar sein, daß sich das Verfahren auch auf die Herstellung planarer Plättchen für verschiedene Transistoren auf einer Halbleiterscheibe and auf die Herstellung von Transistoren als Teil einer integrierten Schaltung anwenden läßt

Wie aus Fig.IA hervorgeht, wurde auf einem N+ -leitenden Halbleitersubstrat 10 aus Silicium nach üblichen Verfahren eine η-leitende Epitaxieschicht gezüchtet. Das Halbleitersubstrat ist vorzugsweise mit Antimon- oder Arsen-Dotierstoffen bis zu einem spezifischen Widerstand von weniger als oder ungefähr gleich 0,01 Ohm · cm dotiert, während die n-leitende Schicht, die die Kollektorzone des Transistors aufnehmen soll, vorzugsweise mit Arsen-Dotierstoffen bis zu einem spezifischen Widerstand von ungefähr 1 Ohm · cm dotiert wird, während ein brauchbarer Rereich zwischen 0.1 und 10 Ohm · cm liegt.

Die Epitaxieschicht 11 ist ungefähr 7 μπι dick. Eine Siliziumdioxidschicht 12 wird auf dem Halbleitersubstrat bis zu einer Dicke von ungefähr 1400 A gezüchtet oder niedergeschlagen, obwohl jede beliebige Oxiddikke brauchbar sein würde, solange die durch Ionenstrah lung implantierten Basisdotierstoffe noch durch das Oxid implantiert werden können.

Die Basiszone wird nach üblichen photolithographischen Methoden bestimmt So wird auf der Siliziumdioxidschicht eine Photolackschicht aufgebracht durch eine Maske hindurch belichtet und dann entwickelt um ein Fenster im Photolack festzulegen, durch das die Basisdotierstoffe in den Halbleiter eindringen können. Dieser Verfahrensschritt ist in F i g. Ib dargestellt in der ι S die Photolackschicht mit der Ziffer 13 gekennzeichnet ist Alternativ könnte anstelle des Photolacks ein Metalloder Isolatorniederschlag verwendet werden.

In der bereits erwähnten Fig. IB ist der erste Verfahrensschritt zur Erzeugung der Basiszone dargestellt Die Anordnung wird mit einer Borionenstrahlung bei einer Energie von ungefähr 50 keV so bestrahlt, daß die Borionen die Oxidschicht aber nicht den Photolack durchdringen um innerhalb der Halbleiterschicht 11 in der durch das Photolackfenster abgegrenzten Zone eine p-Zone 14 zu erzeugen. Die zur Einstellung des spezifischen Flächenwiderstandes benötigte lonenstrahlungsdosierung beträgt ungefähr 2,8 χ 10¹⁴ Ionen/ cm², obwohl die Ionenstrahlung von 10^I2-5 χ 10¹⁴ Ionen/cm² dosiert werden könnte. Das sich aus dem Borionenimplantat ergebende Dotierstoffprofil ist in K i g. 2A dargestellt die die Dotierstoffkonzentration C in Abhängigkeit von der Eindringtiefe X unter die Oberfläche des Halbleitersubstrats zeigt. Die Kurve B folgt einer Gauß'schen Verteilungscharakteristik mit einer etwa 0,02 μπι tiefen Dotierstoffkonzentra- tionsspitze von ungefähr 10¹⁹ Ionen/cm³. Die Energie der lonenstrahlung muß ausreichen, um die Oxidschicht zu durchdringen, jedoch nicht so tief, daß sich daraus in Verbindung mit den nachfolgenden Verfahrensschritten eine Dotierstoffkonzentration ergibt die nach der ersten Dotierstoffkonzentrationsspitze stetig abnimmt. Wenn man von einer 1400 A dicken SiO₂-Schicht ausgeht liegt die Energie der lonenstrahlung für dieses Implantat ungefähr im Bereich von 5-100 keV. In der Fig. IC ist der zweite Verfahrensschritt zur

Erzeugung der Basiszone dargestellt. Auch hier werden wieder Borionen in die durch das Photolackfenster festgelegte Zone implantiert. Jedoch bestimmt dieses Implantat letzten Endes die Dotierstoffkonzentration unter der Emitterzone und ist in der Regel geringer als beim vorhergehenden Verfahrensschritt dosiert. Ir diesem Ausführungsbeispiel wurde mit einer Dosierung von 8 χ 10'² Ionen/cm² gearbeitet obwohl ein brauch barer Dosierungsbereich zwischen 8 χ lO"bis5 χ ΙΟ¹ Ionen/cm² Ifegt Die Energie der bei diesem Verfahrens schritt implantierten Ionen muß ausreichen, diese tiefe¹ als beim vorausgegangenen Verfahrensschritt in da: Halbleitersubstrat zu injizieren, um eine zusammenge s°tzte p-Zone 15 mit dem durch die gestrichelte Linie 11 dargestellten Kollektor-Basis-Übergang zu bilden. Ii diesem speziellen Ausführungsbeispiel betrug dl Energie der Borionenstrahlung ungefähr 250 ke\ Wenn man von einer 1400 A dicken SiO2-Schich ausgeht, ist eine Strahlungsenergie zwischen 100 un 400 keV für dieses Implantat geeignet.

Die F i g. 2 B zeigt das zusammengesetzte Dotierstofl profil der beiden Borimplantate. Die Dotierstoffkonzer trationsspitze des Borimplantats mit der geringere

r.

Dotierstoffkonzentration beträgt ungefähr 3 χ ΙΟ¹⁷ Ionen/cm³ und liegt ungefähr 0,5 μηι tief. Es ist wichtig, festzustellen, daß die Dotierstoffkonzentration zwei getrennte Konzentrationsspitzen und ein ein zwischenliegendes Konzentrationsminimum aufweisen muß. S Folglich muß die Energie der beiden Implantate so gewählt werden, daß die Dotierstoffverteilungen einander überlappen, um die Bildung einer η-Zone zwischen den beiden Implantaten zu verhindern. Jedoch dürfen sich die Dotierstoffverteilungen nicht so weit überlappen, daß in der Überlappungszone kein Konzentrationsminimum gebildet wird. Mit anderen Worten muß in der Zone, in der der mit höheren Konzentration verteilte Dotierstoff (oberflächennahes Implantat) den mit geringerer Konzentration verteilten (tiefer liegendes ij Implantat) überlappt, die Summe der Verteilungen kleiner als die Dotierstoffkonzentrationsspitze des Implantates mit der geringeren Konzentration sein. Folglich überschneiden sich die Dotierstoffprofile an einem Punkt, wo die Dotierstoffkonzentration jedes to Implantates weniger als die Hälfte der Dotierstoffkonzentrationsspitze des zweiten Implantates beträgt.

Nach der Erzeugung der Basiszone wird der Photolack abgezogen und zusätzlich eine ungefähr 5500 Ä dicke Isolierschicht über der SiO₂-Schicht niedergeschlagen. Diese Schicht soll die Streukapazität der später vorzusehenden Kontaktelektioden verringern und bei der anschließend vorgenommenen Bildung der Emitterzone als Maske wirken. Die Isolatorschicht wird eine halbe Stunde lang bei ungefähr 900⁰C verdichtet Diese Warmbehandlung dient auch dazu, jeden Schaden, den der Halbleiter durch die Basisimplantationen erlitt, auszuheilen. Auf diesen Ausheilungsschritt kann verzichtet werden, wenn keine Verdichtung der niedergeschlagenen Isolatorschicht für eine besonders genaue Festlegung des Emitterfensters nötig ist. Der Fachmann wird erkennen, daß sich während und nach den Warmbehandlungen das Dotierstoffprofil der Basiszone etwas auseinanderzieht. Jedoch ist dieser Effekt bei den verwendeten Dotierstoffkonzentrationen und Temperaturen ohne Bedeutung. Bei der figürlichen Darstellung der einzelnen Verfahrensschritte in Form von Dotierstoffprofilen wurde dieses Phänomen ignoriert. Die Mittel zur Bestimmung der Borionenkonzentration als Funktion von Temperatur und Zeit sind bekannt. Daraus kann, wenn gewünscht, die Wirkung der Warmbehandlungen exakt abgeleitet werden. Sämtliche Eigenschaften der Dotierstoffprofile beziehen sich, genauer gesagt, auf die Dotierstoff profile nach allen Warmbehandlungen. so

Das Emitterfenster wird dann auf photolithographischem Wege ähnlich den Verfahren bestimmt, die im Zusammenhang mit der Erzeugung der Basiszone beschrieben worden sind. In diesem Falle wird jedoch ein Fenster durch die niedergeschlagene Isolierschicht and die ersten Oxidschichten bis hinunter zur Oberfläche der Siliciumschicht geätzt und der Phototack vor der Implantation entfernt Alternativ dazu kann die Ätzung vor Erreichen der Sifidumoberflache gestoppt werden, wobei in der geätzten Zone einige Rest- oder Isolatoroxide übrig bleiben. Der tmgeätzte Teil der Isolatoroxidschichten dient bei der ach anschließenden Implantation als Maske.

Das in Fig. ID dargestellte Bauteil mit der zusätzlichen Isolatorschicht 21 wird dann mit Arsenionenstrahlung beschossen, die eine N -1- -leitende Zone 17 im bestrahlten Halbleitergebiet erzeugt Die Dosierung beträgt in diesem Ausführungsbeispiel 2 χ ΙΟ¹⁶ Ionen/cm² und die Energie der lonenstrahlung beträgt 150 keV. Die Dosierung dieses Implantats muß ausreichend groß sein, damit die Verteilung des n-leitenden Dotierstoffes die p-leitenden Dotierstoffe ausgleicht, die infolge der hohen Dotierstoffkonzentration des Borionenimplantates injiziert wurden. Ein geeigneter Dosierungsbereich bestimmt sich deshalb zu 10¹⁴-5 χ ΙΟ¹⁶ Ionen/cm². Die Energie der lonenstrahlung wurde so gewählt, daß die Konzentrationsspitze der Verteilung des Dotierstoffes Arsen dicht unter der Oberfläche des Halbleiters liegt, d. h. ungefähr 0,01 bis 0,2 μπι tief. Die Energie kann deshalb zwischen 30-450keV gewählt werden. Das Dotierstoffprofil für diesen Verfahrensschritt ist in Fig.2C dargestellt In diesem Beispiel beträgt die Dotierstoffkonzentrationsspitze der Emitterzone ungefähr 10²¹ Ionen/cm³ und liegt etwa 0,07 μπι tief.

Die Emitterzone wird dann bei einer Temperatur und in einer Zeit, die für das weitere Eindiffundieren des Dotierstoffes Arsen in das Halbleitersubstrat ausreichen, so behandelt, daß der Emitter-Basis-Übergang im oder nahe beim Minimum des Dotierstoffprofils der Basiszone liegt. Dieser Emitter-Basis-Übergang wird durch die unterbrochene Linie 18 in F i g. 1E und in Fig.2D dargestellt Die Fig.2D zeigt speziell den Bereich der Tiefenverschieblichkeit des Emitter-Basis-Überganges, innerhalb dessen noch eine optimale Verstärkungs- und Frequenzcharakteristik erzielt wird. Dieser Bereich Δχ erstreckt sich vom Minimum des Dotierstoffkonzentrationsprofils der Basiszone bis zur tiefer liegenden Spitze des Dotierstoffkonzentrationsprofils. wo das Implantat der Basiszone eine geringere Dotierstoffkonzentration hat Weil eine Kompensation aller Dotierstoffe des dicht bei der Oberfläche liegenden Implantates höherer Dotierstoffkonzentration wünschenswert ist, sollte der Emitter-Basis-Übergang zur Erzielung bestmöglicher Ergebnisse vorzugsweise nicht auf der dichter bei der Oberfläche liegenden Seite des erwähnten Profilminimums liegen.

Die Warmbehandlung wurde eine halbe Stunde lang bei 1000⁰C vorgenommen. Sie kann 5 Minuten bis 3 Stunden lang in einem Temperaturbereich von 900- 1300⁰C erfolgen. Unter Verweis auf die Fig. 2D soll noch festgestellt werden, daß durch ein Eindiffundieren des Dotierstoffes Arsen ein sehr abrupt verlaufendes Dotierstoffprofil erzeugt wird. Dieser Effekt ist bekannt und in erster Linie darauf zurückzuführen, daß die Diffusionskonstante von Arsen bei hohen Dotierstoffkonzentraüonen größer als bei niedrigen Dotierstoffkonzentrationen ist Es könnten auch Antimon oder Phosphor als Dotierstoffe für die Emitter-Zone verwendet werden, ohne daß aber ein so abrupt verlaufendes Dotierstoffproffl entstehen würde Das Implantationsverfahren erlaubt eine bessere Steuerung der Dotierstoffverteuang, weil es von Oberflächenzuständen oder den wechselhaften Verhältnissen bei der Anwendung eines chemischen Diffusionsverfahren unabhängig ist

Bei den letzten Verfarsschi n werden Fenster durch die isolierenden Schichten geätzt, um die Basiszone freizulegen, und es werden metallische Kontakte 19 und 20 nach bekannten Verfahren aufgebracht, die die Emitter- bzw. Basiszone entsprechend der Darstellung in F ig. IF anscfafießen.

Die mit Hilfe dieses Verfahrens erzielten gleichförmigen Halbleitereigenschaften and hohen Verstärkungsgewinne sind aus der Fig. 3 zu entnehmen. Dort ist ein Diagramm abgebildet, das die Verteflunj! der Strom-

verstärkung für mehrere Plättchen zeigt, die nach dem oben beschriebenen Verfahren auf zwei verschiedenen Scheiben des Halbleitersubstrates chargenweise verarbeitet sind. Es wurden 22 Plättchen der Scheibe 1 und 25 Plättchen der Scheibe 2 getestet. Das Diagramm zeigt eine bemerkenswerte Konsistenz der Plättchen-zu-Plättchen- und Scheiben-zu-Scheiben-Daten. Die Abweichung vom Mittelwert der Stromverstärkung der zwei Scheiben und die Durchschnittsabweichung der Stromverstärkung zwischen den Plättchen auf einer Scheibe betrug nur 1,3. Das bedeutet eine Abweichung von weniger als 1,2% vom Mittelwert. Andere Transistoreigenschaften wie etwa die Grenzfrequenz des Transistors in Emitterschaltung und die Basis-Emitter-Spannung bei konstant gehaltenem Kollektorstrom sind auf ähnliche Weise hoch gleichförmig. Außerdem ist die Stromverstärkung nahezu unabhängig vom Kollektorstrom im Bereich zwischen 10 μΑ und 100 nA. Diese hoch gleichförmigen Eigenschaften sind offensichtlich auf die Ausbildung des Basis-Dotierstoffprofils und die in Fig. 2D dargestellte Positionierung des Emitterüberganges zurückzuführen. Die Stromverstärkung ist in erster Linie von der gesamten Dotierung in der Basiszone unter der Emitterzone abhängig (Gebiet des Dotierstoffprofils der Basiszone rechts vom Arsen-Dotierstoffprofil in Fig. 20). Weil der Emitter-Basis-Übergang in dem Bereich der Basiszone liegt, in dem die Dotierstoffkonzentration klein ist, führt eine

ίο Verschiebung des Zonenüberganges zwischen dem Minimum der Dotierstoffkonzentration und der Dotierstoffkonzentrationsspitzc des zweiten Implantates in einem nur verhältnismäßig schmalen Bereich zu einer Dotierung unter dem Emitter, vergleichbar den in bekannter Weise eindiffundierten oder implantierten Basiszonen, bei denen kein Dotierstoffkonzentrationsminimum gebildet wird und der Zonenübergang bei einer deutlich höheren Dotierstoffkonzentration dci Basiszone liegt.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Transistorherstellungsverfahren, bei dem in einem Halbleiterkörper des einen Leitungstyps eine Basiszone mit Doliersteff des entgegengesetzten Leitungstyps und innerhalb der Basiszone eine Emitterzone mit Dotierstoff wiederum des einen Leitungstyps erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiszone erzeugt wird durch Bestrahlen des Halbleiterkörpers mit einer ersten Strahlung aus Dotierstoff-Ionen des entgegengesetzten Leitungstyps, um eine erste Zone zu erzeugen, sowie durch Bestrahlen mit einer zweiten Strahlung aus Dotierstoff-Ionen gleichfalls des entgegengesetzten Leitungstyps dergestalt, daß im Bereich der ersten Zone eine zweite Zone von J>otierstoffen gleichfalls des entgegengesetzten Leitungstyps mit einer Konzentrationsspitze erzeugt wird, die kleiner ist als die der ersten Zone sowie tiefer im Halbleiterkörper als die der ersten £one gelegen ist, und sich die erste und zweite Zone einander überlappen, um eine zusammengesetzte J^r.one zu bilden, die ein Dotierstoffkonzentrationsmimimum zwischen den beiden Dotierstoffkonzentralionsspitzen aufweist, und daß die Emitterzone gebildet wird durch Bestrahlen des Halbleiterkörfiers mit einer Dotierstoffionenstrahlung des einen Leitfähigkeitstyps und nachfolgendes Erwärmen des Halbleiterkörpers, um den Dotierstoff weiter in den Halbleiterkörper einzudiffuivdieren und den Emitter-Kasis-Übergang in einer Tiefe zu erzeugen, der bei eiern Dotierstoffkonzentrationsminimum oder zwischen diesem und der tiefe- liegenden Dotierstoffkonzentrationsspitze der Basiszone gelegen ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit 10¹² bis 5 χ 10^uBor-lonenprocm² tei einer Ionen-Energie von 5-lOOkeV bestrahlt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit Arsen-, Phosphor- oder Antimon-Ionen bestrahlt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit 10^t4-5 χ ΙΟ¹⁶ Arsen-Ionen/cm² lind Ionen-Energien von 30-450 keV bestrahlt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper 5 Minuten bis 3 Stunden lang auf 900- 1300⁰C erwärmt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit 8 χ 10" + 5 χ ΙΟ¹³ Bor-Ionen/cm² und Ionen-Energien zwischen 100 - 400 keV bestrahlt wird.

7. Nach dem Verfahren gemäß Anspruch I hergestellter Transistor mit einer Basiszone von einem Leitungstyp ir einem Halbleiterkörper des entgegengesetzten Leitungstyps und mit einer Emitterzone des entgegengesetzten Leitungstyps innerhalb der Basiszone, dadurch gekennzeichnet, daß das Dotierstoffkonzentrationsprofil in der Basiszone eine dicht bei der Oberfläche liegende Spitze, gefolgt von einem Minimum und einer tiefer liegenden Spitze, aufweist und daß die Emitterzone bis zu einer Tiefe reicht, die zwischen den beiden Spitzen liegt

8. Transistor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone bis zu einer Tiefe reicht, die zwischen dem Dotierstoffkonzentrationsrninimum und der tiefer liegenden Dotierstoffkon-

zentrationsspitzeder Basiszone gelegen ist

9. Transistor nach Anspruch 8; dadurch gekennzeichnet, daß der Basisdotierstoff Bor und der Emitterdotierstoff Arsen, Antimon und Phosphor sind.