DE1646795C3 - Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung und Verfahren zu seiner Herstellung

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Description

35
Die Erfindung bezieht sich auf einen Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung, der eine Metallbedeckung aufweist, welche wenigstens örtlich mit einer Goldschicht versehen ist sowie auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägerkörpers.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Metallbedeckung zu schaffen, die einerseits eine gut leitende Verbindung mit den: Halbleiterkörper und andererseits eine feste Verbindung zwischen Halbleiterkörper und keramischer Unterlage ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Trägerkörper aus einem keramischen Material besteht und teilweise mit einer Nickel-Niob-Schicht als Metallbedeckung versehen ist.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Trägerkörpers
der genannten Art ist dadurch gekennzeichnet, daß zunächst übereinanderliegende Schichten aus Niob und Nickel auf die Oberfläche der keiamischen Unterlage aufgebracht werden, dann die Anordnung in einer nicht oxidierenden Atmosphäre erhitzt wird, bis das Nion und das Nickel ineinanderdiffundiert sind und schließlich die Goldschicht auf die auf diese Weise bedeckte Fläche aufgebracht wird.
Vorzugsweise werden die Nion-, Nickel- und Goldschichten mittels Kathodenzerstäubung aufgebracht
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile liegen insbesondere darin, daß mit der Niob-Nickelschicht sowohl eine gute Haftung mit der keramischen Unterlage als auch mit der Goldbedeckung erreicht wird, während mit dem Gold, ggf. unter Benutzung von Lot, z. B. Hartlot oder anderen geeigneten Legierungen, eine gute Verbindung mit dem Halbleiterkörper ermöglicht wird.
Anhand der Zeichnung wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben und ihre Wirkungsweise erläutert Die Figur zeigt einen Transistor mit einem Halbleiterkörper auf einem Trägerkörper. Ein Halbleiterkörper 1, der mit Emitter- und Kollektorelektroden 2 und 3 versehen ist, ist an einer keramischen Unterlage 4 befestigt die mit einer Niob-Nickelschicht 5 und einer Goklschicht 6 bedeckt ist
Entsprechend dem Verfahren werden zunächst dünne Niob- und Nickelschichten durch Kathodenzerstäubung aufgebracht
Anschließend werden diese Schichten eine halbe Stunde in Vakuum oder in einer nicht oxidierenden Atmosphäre, nämlich in Wasserstoff oder in einem Gemisch aus Wasserstoff und Stickstoff, die z.B. erhalten werden durch Cracken von Ammoniak, auf eine Temperatur von e;wa 1100 bis 1200°C erhitzt, um die Niob- und Nickelschichten ineinander zu diffundieren und eine aus ineinanderdiffundiertem Niob und Nickel bestehende Schicht 5 zu bilden.
Diese Schicht 5 aus ineinanderdiffundiertem Niob und Nickel wird mit einer aus Gold bestehenden Deckschicht 6, ebenfalls durch Kathodenzerstäubung, versehen.
Der Halbleiterkörper 1 wird anschließend auf die Goldschicht gestellt und unter Benutzung von Lot oder Hartlötmetallen dadurch mit ihr verbunden, daß die ganze Anordnung auf den Schmelzpunkt des Lots oder des Hartlötmetalls erhitzt wird. Dieser Vorgang kann an Luft durchgeführt werden, was einen Vorteil der Erfindung bildet.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung, der eine Metallbedeckung S aufweist, welche wenigstens örtlich mit einer Goldschicht versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper aus einem keramischen Material besteht und teilweise mit einer Nickel-Niob-Schicht als Metallbedeckung versehen ist
2. Verfahren zur Herstellung eines Trägerkörpers nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst übereinanderliegende Schichten aus Niob und Nickel auf die Oberfläche der keiamischen Unterlage aufgebracht werden, dann die Anordnung in Vakuum oder in einer nicht oxidierenden Atmosphäre erhitzt wird, bis das Niob und das Nickel ineinanderdiffundiert sind, und schließlich die Goldschicht auf die auf diese Weise bedeckte Fläche aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Nion-Nickelschichten mittels Kathodenzerstäubung aufgebracht werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Goldschicht mittels Kathodenzerstäubung aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als nicht oxidierende Atmosphäre Wasserstoff oder Wasserstoff mit Zusatz von Stickstoff verwendet wird.
DE1646795A 1965-11-26 1966-11-22 Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung und Verfahren zu seiner Herstellung Expired DE1646795C3 (de)

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