DE3406542A1 - Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes

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DE3406542A1 DE19843406542 DE3406542A DE3406542A1 DE 3406542 A1 DE3406542 A1 DE 3406542A1 DE 19843406542 DE19843406542 DE 19843406542 DE 3406542 A DE3406542 A DE 3406542A DE 3406542 A1 DE3406542 A1 DE 3406542A1
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Description

  • Verfahren zum Herstellen eines
  • Halbleiterbauelementes Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, bei dem der Halbleiterkörper mit einem Rückseitenkontakt aus Aluminium und Nickel versehen und auf einen Trägerkörper aus Kupfer nufjielötct wird.
  • Halbleiterhauelemente wie Transistoren, NF-Schaltkreise oder N-MOS-Schaltkreise werden bekanntlich auf Streifen aufgelötet, die beispielsweise aus Kupfer bestehen. Das Auflöten erfolgt mittels einer Lötfolie. Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß die Verwendung von Lötfolien zu unerwünschten Lunkerbildungen führt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen anzugeben, bei dem die Gefahr der Lunkerbildung nicht besteht.
  • Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung dadurch gelöst, daß die Nickelschicht verzinnt und der Halbleiterkörper mit der verzinnten Nickelschicht unmittelbar auf den Kupferträger aufgelötet wird.
  • U ie Erfindung vermeidet nicht nur Lunkerbildungen, sondern sie spart auch den Lötfolientransport, bei dem die Lötfolien angesaugt und an den vorgesehenen Platz transportiert werden.
  • Beim Verfahren nach der Erfindung wird der Flalbleiterkörper des Halbleiterbauelementes mit seinem verzinnten Rückseitenkontakt direkt auf die gesäuberte Oberfläche des Kupferträgers aufgelötet. Das Löten erfolgt vorzugsweise unter Schutzgas. Das Verfahren nach der Erfindung findet vorzugsweise bei IJaibleiterbauelementen mit einem lblciterrpershstrat vom p-l,eitungstyp Anwendung, obwohl es nicht auf diese tialbleiterbauelemente beschränkt ist.
  • Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.
  • Die Figur 1 zeigt den Halbleiterkörper 1 eines Halbleiterbauelementes, der auf seiner Unterseite mit einem Rückseitenkontakt versehen ist. Der Rückseitenkontakt besteht nach der Figur 1 aus einer Aluminiumschicht 2 und einer Nickelschicht 3, wobei die A1uminiumschicht 2 auf den Halbleiterkörper 1 und die Nickelschicht 3 auf die Aluminiumschicht 2 aufgebracht ist. Es empfiehlt sich, gemäß der Figur 4 zwischen dem Halbleiterkörper 1 und der Aluminiumschicht 2 einen Haftvermittler 4 vorzusehen, der beispielsweise aus Titan besteht. Die Titanschicht 4 hat beispielsweise eine Dicke von 100 bis 300 Angström, die Aluminiumschicht 2 hat beispielsweise eine Dicke von 0,5 bis 2,0 zm und die- Nickelschicht 3 hat beispielsweise eine Dicke von 4 bis 10 zm.
  • Gemäß der Figur 2 wird der aus der Altl,niniumsctricht 2 und der Nickelschicht 3 bestehende Rückseitenkontakt verzinnt und dabei mit einer Zinnschicht 5 versehen.
  • Unter dem tlalbleiterkörper 1 befindet sich bei der Figur 2 ein Träger 6 aus Kupfer, auf den der Halbleiterkörper 1 aufzulöten ist. Der Kupferträger 6, der in den Figuren einen massiven Eindruck macht, ist in Wirklichkeit ein dünnes Streifenstück.
  • Bei der Anordnung der Figur 3 ist der Halbleiterkörper 1 mit seinem verzinnten Rückseitenkontakt auf den Träger 6 ohne Verwendung einer Lötfolie unmittelbar aufgelötet. Das Auflöten erfolgt in einer Schutzgasatmosphäre. Auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 befindet sich eine schützende SiO2-Schicht 7 sowie die Elektroden 8 und 9 für das Bauelement. Das Halbleiterbauelement kann, wie bereits erwähnt, ein Einzelbauelement oder auch eine integrierte Schaltungsanordnung sein.
  • Der Rückseitenkontakt der Figur 4 unterscheidet sich, wie bereits erwähnt, vom Rückseitenkontakt der Figur 2 dadurch, daß der Rückseitenkontakt der Figur 4 zwischen dem Halbleiterkörper 1 und der Aluminiumschicht 1 eine Titanschicht 4 als Haftvermittler aufweist, die für eine bessere Haftung sorgt.
  • Bei der Anordnung der Figur 5 ist das Halbleiterbauelement mit seinem Träger 6 in eine Kunststoffmasse 10 eingebettet.
  • In der Kunststoffmasse 10 befinden sich außerdem noch Teile, die beispielsweise zusammen mit dem Träger 6 aus einem Metallband (Gitterstreifen) herausgestanzt werden.
  • Die nicht in der Moldmasse 10 befindLichen Teile der Zuleitungen 11 und 12 werden nach dem Molden verzinnt, um an der dabei entstehenden Zinnschicht 13 besser Zuleitungen anbringen zu können. Die Zuleitungen 11 und 12 sind mit den auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 befindlichen Elektroden durch Zuleitungsdrähte 14 und 15 verbunden. Die Zuleitungsdrähte 14 und 15 werden beispielsweise durch Ultraschallschweißen angeschweißt.
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Claims (5)

  1. Patentansprüche » Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, bei dem der Halbleiterkörper mit einem Rückseitenkontakt aus Aluminium und Nickel versehen und auf einen Trägerkörper aus Kupfer nufgelötet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Nickelschicht verzinnt und der H.llbleiterk(5rper mit der verzinnten Nickelschicht unmittelbar auf den Kupferträger aufgelötet wird.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Löten unter Schutzgas erfolgt.
  3. 3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägerkörper ein Kupferstreifen verwendet wird.
  4. 4) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Titanschicht als Haftvermittler zwischen dem Halbleiterkörper und der Aluminium schicht verwendet wird.
  5. 5) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper zusammen mit dem Trägerkörper in eine Kunststoffmasse eingebettet wird.
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