DE2165274A1 - Hochfrequenztransistor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Hochfrequenztransistor und Verfahren zu dessen Herstellung

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DE2165274A1
DE2165274A1 DE19712165274 DE2165274A DE2165274A1 DE 2165274 A1 DE2165274 A1 DE 2165274A1 DE 19712165274 DE19712165274 DE 19712165274 DE 2165274 A DE2165274 A DE 2165274A DE 2165274 A1 DE2165274 A1 DE 2165274A1
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David Stanley Flemington; Duclos Ronald Albert Lebanon; NJ. Jacobson (V.St.A.)
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Description

Dipl.-Ing. H. Sauerland · Dr.-Ing. R. König · Dipl.-Ing. K. Bergen
Patentanwälte · 4ooo Düsseldorf · Cecilienallee 76 . Telefon
Unsere Akte: 27 146 2165274 28O Dezember 1971
RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N0Y. 10020 (V.St.A.)
"Hochfrequenztransistor und Verfahren zu dessen
Herstellung"
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiter-Bauteile und insbesondere auf Leistungstransistoren, die im UHF— und Mikrowellen-Bereich betrieben werden«,
Die Entwicklung der sogenannten "Overlay"-(Überzugs-)Transistoren erwies sich als bedeutender Fortschritt in den Leistungs- und Frequenzeigenschaften von HF-Transistoren, Bei einem "Overlay"-Transistor besteht der Emitter aus mehreren getrennten Emitterabschnitten, die von der Oberseite der Halbleitereinheit in das Basisgebiet hineinreichenβ Der Basisstrom verteilt sich gleichmäßig um die Emitterabschnitte aufgrund eines eindiffundierten, hochleitenden Gitters im Basisgebiet, das jeden der Emitterabschnitte umgibt.
Es wurde bereits vorgeschlagen, das leitende Gitter im Basisgebiet eines "Overlay"-Transistors durch ein leitendes Metallgitter zu ersetzen, das auf der Oberfläche des Basisgebietes angeordnet ist. Die zu diesem Zweck bisher benutzten Metalle haben jedoch verschiedene Nachteile, von denen der wesentlichste in deren schlechten Temperatureigenschaften besteht«, Da diese Metalle bei Temperaturen schmelzen, die wesentlich unter der Temperatur liegen, bei der die Emitterabschnitte in das Basisgebiet eindiffundiert werden,·
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können die leitenden Gitter aus diesen Metallen erst nach dem lilindiffundieren des Emitters niedergeschlagen werdeno Aus diesem Grunde können die Emitter-Anschlußöffnungen erst nach dem Niederschlagen des Gitters geöffnet werden,, Da bei UHF- und Mikrowellen-Transistoren sehr schmale Emitterabschnitte, in der Größenordnung von 1,0 Mikron Breite, verwendet werden, erhöht diese Einschränkung wesentlich die Wahrscheinlichkeit, daß einer der Emitter-Basis-Übergänge freigelegt und kurzgeschlossen wird, wenn die Emitter-Anschlußöffnungen in einem nachfolgenden Schritt geöffnet | werden.
Die Erfindung macht von einem Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterkörper Gebrauch, in welchem ein Kollektorgebiet eines ersten Leitungstyps ausgebildet ist, wobei eine bis zu einer Oberfläche des Halbleiterkörpers reichende Basiszone über einen Basis-Kollektor PN-Übergang an das Kollektorgebiet angrenzt. Das Halbleiterbauteil weist außerdem mehrere einzelne Emitterabschnitte des ersten Leitungstyps auf, die von der Oberfläche des Halbleiterkörpers aus in die Basiszone eindringen und mit dieser jeweils einen Emitter-Basis PN-Übergang bilden. Erfindungsgemäß steht ein leitendes Gitter aus einer intermetallischen Hochtemperatur- W Verbindung eines Halbleiters mit der Basiszone an der Oberfläche in Verbindung und ist derart angeordnet, daß es jedes der Emitterabschnitte umgibt„
Die Erfindung ist außerdem auf ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils gerichtet, wobei ein Halbleiterkörper mit über einen PN-Übergang aneinander angrenzenden Gebieten eines ersten und eines zweiten Leitungstyps gebildet wird β Danach wird ein Leitungsgitter, das den nachfolgend wirksamen Verfahrenstemperaturen standhalten kann, auf einem ersten Teil des Gebiets des zweiten Leitungstyps ausgebildete Sodann wird ein Abschnitt des ersten Leitungstyps in einen zweiten Teil des Gebiets des zweiten Leitungstyps
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mit Abstand vom Gitter eindiffundiertβ
In der Zeichnung sind Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellte Es zeigen:
0 1 eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen Transistor, teilweise gebrochen;
β 2 eine vergrößerte Querschnittansicht eines Teils des in Fig. 1 dargestellten Transistors entsprechend der Linie 2-2;
Fig,3a bis 3f perspektivische Darstellungen der maßgeblichen Fabrikationsschritte bei der Herstellung des Transistors nach Fig,, 1 und 2; und
Fig. 4 eine Draufsicht auf eine abgewandelte Ausführungs« form des Transistorse
Im folgenden wird der vorgeschlagene HF—Transistor unter Bezugnahme auf die Figuren 1 und 2 beschrieben«.
Der mit 10 bezeichnete Transistor wird in einem Halbleiterkörper 12 mit den einander gegenüberliegenden Oberflächen 14 bzw. 16 ausgebildete Die Abmessungen und die Zusammensetzung des Körpers 12 sind nicht kritisch«, So kann der Körper 12 beispielsweise eine Siliziumscheibe von 1,5 mm Länge, 0,76 mm Breite und zwischen 0,1 bis 0,2 mm Dicke auf weisenβ Der Transistor 10 kann als NPN- oder PNP-Bauelement ausgebildet sein; nachfolgend wird ein NPN-Bauelement unter Bezugnahme auf die Fig«, 1 und 2 beschriebene
Der Transistor 10 hat ein Kollektorgebiet eines ersten Leitungstyps (in diesem Falle N—leitend) im Halbleiterkörper 12«, Vorzugsweise umfaßt das Kollektorgebiet eine hochleitende (N+) Unterlage 18 und eine der Unterlage 18 benachbarte Zone 20 geringerer Leitfähigkeit (N)„
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Der Transistor weist ferner ein Basisgebiet 22 eines zweiten Leitfähigkeitstyps (P-leitend) auf, das von der Oberfläche 14 aus in das Kollektorgebiet 20 hineinreicht und von dem Kollektorgebiet durch einen Basis-Kollektor PN-Übergang 24 (in Fig« 1 durch eine gestrichelte Linie angedeutet) getrennt ist«, Mehrere einzelne Emitterabschnitte 26 des ersten Leitfähigkeitstyps (N-leitend) erstrecken sich von der Oberfläche 14 aus in die Basiszone 22, wobei ein Emitter-Basis PN-Übergang zwischen jedem Emitterabschnitt 26 und der Basiszone 22 (ebenfalls in gestrichelten Linien dargestellt) P ausgebildet ist« Die Form und Abmessungen jedes Emitterabschnitts 26 können unterschiedlich sein. Bekanntlich hängen jedoch die Frequenz- und Leistungsübertragungseigenschaften von HF-Transistoren zum wesentlichen Teil von der Optimierung des Verhältnisses des Gesamtumfangs aller Emitterab— schnitte 26 zur Fläche der Basiszone 22 ab„ Bevorzugt werden daher in der in Fige 1 dargestellten Weise Emitterabschnit— te verwendet, welche relativ lang und dünn ausgeführt sinde So kann jeder Emitterabschnitt 26 beispielsweise eine Länge von 75 Mikron bei einer Breite von 1 Mikron haben. Dünnere Emitterabschnitte sind zwar erwünscht, mit den derzeitigen Photolithographie—Techniken jedoch nicht erzielbarβ
Der Transistor 10 weist ferner einen ersten Isolierüberzug 30, z.B. aus Siliziumdioxid auf der Oberseite 14 aufo Der Überzug 30 hat einen Verbindungsschlitz 32, welcher jeden der Emitterabschnitte 26 umgibt und einen Teil der Basiszone 22 an der Oberseite 14 freilegt» Eine leitende Schicht aus einer intermetallischen Hochtemperaturverbindung des Halbleiters ist nur im Schlitz 32 angeordnet, berührt die Basiszone 22 und bildet ein leitendes Gitter 34, welches jeden der Emitterabschnitte 26 umgibt. Ein integraler Teil 44 des Gitters 34 erstreckt sich unterhalb der Oberfläche 14 in die Basiszone 22„ Basisanschlußstreifen 37 (Fige 1) sind auf der Oberseite eines Teils des Gitters 34 angeordnet und
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zwischen den Emitter-Anschlußstreifen 40 und 41 eingesetzt, welche in Fig. 1 gezeigt sind und nachfolgend beschrieben werden. Eine Basis-Verbindungslasche 35, die auf dem oberhalb des .Kollektorgebiets 20 liegenden Teil des Isolierüberzugs 30 angeordnet istj verbindet alle Basis-Anschlußstreifen 37.
Der in Verbindung mit dem Gitter 34 verwendete Ausdruck "intermetallische Hochtemperaturverbindung des Halbleiters" soll eine intermetallische Verbindung des Halbleiters kennzeichnen, deren Schmelztemperatur oberhalb der nach dem Niederschlagen des Gitters angewandten Verfahrenstemperaturen liegt. In der Regel übersteigen diese Temperaturen 9500C nicht. Vorzugsweise besteht der Halbleiterkörper 12 aus Silizium, und die intermetallische Hochtemperaturverbindung des Siliziums ist aus der aus Platin-Silizid oder Rhodium-Silizid bestehenden Gruppe ausgewählt. Diese Verbindungen haben Schmelztemperaturen von etwa 9800C bzw* 14000C0 Ein Platinsilizid-Gitter 34 wird bevorzugt verwendet«, Die Abmessungen des Gitters 34 sind unkritischj so kann das Gitter etwa 1,0 bis 5,0 Mikron breit und 0,1 bis 1,0 Mikron dick sein und von jedem Emitterabschnitt 26 in einem einheitlichen Abstand von 1,0 bis 5,0 Mikron entfernt angeordnet sein.
Eine zweite Isolierschicht 36 überzieht das leitende Gitter 34, um eine Isolierung für die überkreuzenden Emitter-Anschlußstreifen zu bilden. Die ersten und zweiten Isolierüberzüge 30 und 36 weisen Emitter-Anschlußöffnungen 38 aufβ Jede der Emitter-Anschlußöffnungen 38 legt einen Teil eines der Emitterabschnitte 26 an der Oberfläche 14 frei; die Emitter-Anschlußstreifen, die auf dem zweiten Isolierüberzug 36 angeordnet sind, greifen in die Emitter-Anschlußöffnungen ein. Sie bestehen aus einer polykristallinen Halbleiterschicht 40, z.B. aus Silizium, und einer auf letzterer aufliegenden Metallschicht 41· Zu dem Emitteranschluß gehört
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ferner eine Emitter-Verbindungslasche (nicht gezeigt), welche auf dem über dem Kollektorgebiet 20 liegenden Teil der Isolierüberzüge 30 und 36 angeordnet ist und alle metallischen Emitter-Anschlußstreifen 41 miteinander verbindet. Vervollständigt wird der Transistor durch einen an der Unterseite 14 angeordneten Kollektoranschluß 46β
Die Herstellung des Transistors 10 wird im folgenden anhand der Figo 3a bis 3f beschrieben. Das Ausgangsmaterial ist eine relativ große Siliziumscheibe, aus welcher mehrere Bauteile hergestellt werden« Zur Vereinfachung der Beschreibung wird im folgenden jedoch nur die Herstellung eines einzigen Transistors beschrieben; daher ist nur ein Teil der Scheibe in den Fig«, 3a bis 3f gezeigt«, Die in Fig. 3a gezeigte Scheibe ist hochleitend (N+) und dient als Kollektorunterlage 18 für den Transistor 10. Eine epitaktische Schicht aus Silizium wird auf der Unterlage bzw* dem Substrat 18 mit Hilfe bekannter Methoden niedergeschlagen; diese Schicht dient als Kollektorgebiet 20 „
Nach dem epitaktischen Abscheiden wird ein Isolierüberzug 30 aus Siliziumdioxid auf der Oberseite 14 des Kollektorgebiets 20, ΖβΒ«, durch thermische Oxydation der epitaktischen P Siliziumschicht aufgebrachte Wie in Fig, 3b gezeigt ist, wird der Überzug 30 mit einer geeigneten Maskier- und Photoresist-Ätzfolge behandelt, um den Überzug 30 in demjenigen Bereich der Oberseite 14 zu entfernen, welcher als Basiszone 22 vorgesehen ist. Die Scheibe wird sodann in einen Diffusionsofen gelegt und mit einer Quelle eines P-leitenden Dotierstoffs, zeB. Bornitrid, wärmebehandelt, um die Basiszone 22 in das Kollektorgebiet 20 (Fig. 3c) einzudiffundieren.
Nach dem Eindiffundieren der Basiszone bleibt eine dünne Schicht aus Borglas auf den restlichen Teilen des ursprünglichen Siliziumdioxidüberzugs 30 und demjenigen Gebiet der
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Oberfläche 14, wo die Basiszone 22 in das Kollektorgebiet 20 eindiffundiert worden ist, stehen0 Im weiteren Verlauf des Herstellungsverfahrens wird dieser Glasüberzug als Teil des Isolierüberzugs 30 behandelte Gemäß Pig0 3d wird der Isolierüberzug 30 sodann mit einer herkömmlichen Photoresist-Ätzfolge behandelt, um den Basisschlitz 32 zu öffnen und die Basiszone 22 an der Oberfläche 14 im Bereich desjenigen Gebiets freizulegen, das den Kontaktbereich für das leitende Gitter 34 bilden soll.
Danach wird eine Schicht aus einer intermetallischen Verbindung von Silizium, Z0B0 aus Platinsilizid in der im folgenden beschriebenen Weise im Basisschlitz 32 ausgebildete Eine Schicht aus Platin von 1000 bis 2000 & Dicke wird, z.Be durch Zerstäuben, auf dem Isolierüberzug 30 im Schlitz 32 niedergeschlagene Diese Platinschicht wird durch Erwärmen des Körpers 12 auf eine Temperatur zwischen 400 und 9000C in einem Inertgas (z,B, Argon) gesintert. Während dieses Wärmeschritts wird eine Platinsilizid-Verbindung allein im Schlitz 32 gebildet, die sich bis zu einer geringen Tiefe in die Basiszone 22 hineinerstreckt (angedeutet durch den unterhalb der Oberfläche in Fig„ 3e dargestellten Teil 44 des Gitters 34), Das übrige Platin wird sodann durch Behandlung mit einem geeigneten Ätzmittel, zeBo einer Königswasserlösung, entfernt, worauf das Platinsilizidgitter 34 allein im Schlitz 32 (Figo 3e) stehen bleibt„
Wie in Fig., 3f gezeigt ist, wird ein zweiter Isolierüberzug 36 aus Siliziumdioxid über dem Isolierüberzug 30 und dem leitenden Gitter 34 mit Hilfe bekannter Methoden niedergeschlagen. Das Eindiffundieren aller Emitterabschnitte 26 erfolgt danach durch Aufbringen von Photoresistmaterial auf den zweiten Isolierüberzug 36, Maskieren der Scheibe mit einem die Emitter-Anschlußöffnungen 38 enthaltenden Muster. Belichten des Photoresists und Behandeln der Scheibe mit einem Ätzmittel zum Entfernen der Bereiche der ersten und .:
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— ö —
zweiten Isolierüberzüge 30 und 36 in den Emitter—Anschluß— öffnungen 38. Sodann wird die Scheibe erneut in einen Diffusionsofen eingesetzt und mit einem N-leitenden Dotierstoff, z,B, Phosphoroxidchlorid wärmebehandelt, um einen Emitterabschnitt 26 durch jede Emitter-Anschlußöffnung 38 in die Basiszone 22 einzudiffundieren (Fig„ 3f)· Nach dem Eindiffundieren der Emitterabschnitte 26 bleibt ein dünner Überzug aus Phosphorglas in jeder Emitter-Anschlußöffnung 38 und auf den nicht freigelegten Teilen der Isolierschicht 36 stehen«, Dieser Phosphorglasüberzug wird durch kurzes Eintauchen der Scheibe in verdünnte, salpetersaure Flußsäure entfernt„
Vorzugsweise besteht der Emitter-Anschluß aus einem mehrlagigen System, das oben beschrieben wurde und in Fige 2 dargestellt iste Daher wird als nächstes eine polycristalline Siliziumschicht auf dem zweiten Isolierüberzug 36 und in den Emitter-Anschlußöffnungen 38 niedergeschlagen« Diese Siliziumschicht wird sodann mit einer Photoresist—Ätzfolge zur Ausbildung der Emitterstreifen 40 aus polykristallinem Silizium behandelt. Danach werden mit Hilfe einer weiteren Photoresist-Ätzfolge die Öffnungen für die Basisstreifen im zweiten Isolierüberzug 36 hergestellt. Die unbelichteten ψ Photoresistbereiche werden entfernt und eine Metallschicht, ZeB0 aus Aluminium oder Wolfram durch die Basis-Anschlußöffnungen auf die polykristalline Siliziumschicht und die restlichen Teile des zweiten Isolierüberzugs 36 aufgebracht. Diese Metallschicht wird sodann zur Bildung der Emitter- und Basis-Anschlußstreifen 41 und 37 und der Emitter- und Basis-Anschlußlaschen behandelt, worauf sich der in den Fig« 1 und 2 dargestellte Transistor 10 ergibt«
Eine alternative Ausführungsform des Transistors 10 ist in Fig. 4 dargestellt. Diese Ausführungsform ist ähnlich dem Transistor 10 gemäß Fig. 1 ausgebildet, mit der Ausnahme, daß alle EmitterrAbschnitte so lang gewählt sind, daß die
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Emitterleitung direkt mit der Emitter-Anschlußschicht verbunden werden kann» Der in Fig0 4 dargestellte Transistor 50 weist ein Kollektorgebiet 52 und eine Basiszone 54 auf, welche sich in das Kollektorgebiet hinein erstreckt, wobei zwischen beiden Gebieten ein Basis-Kollektor PN-Übergang gebildet ist. Mehrere getrennte, relativ lange und dünne Emitterabschnitte 58 erstrecken sich in das Basisgebiet 54 mit je einem Emitter-Basis PN-Übergang 60 zwischen jedem Emitterabschnitt und dem Basisgebiet (der Basis—Kollektor-Übergang 56 und alle Emitter-Basis-Übergänge 60 sind in Figo-4 mit gestrichelten Linien angedeutet)«. Bei dieser Ausführungsform ist es wesentlich, daß jeder Emitterabschnitt 58 wenigstens so lang wie die Breite einer Leitungsverbindung ist, die nachfolgend beschrieben wird. Ein Platinsilizid-Gitter 62 ist auf dem Basisgebiet 54 angeordnet und umgibt jeden Emitterabschnitt 58; dieses Gitter 62 erstreckt sich auch um ein kurzes Stück in das Basisgebiet 54, und zwar in derselben Weise wie das Gitter 34 bei der Ausführungsform gemäß den Fige 1 und Z0
Ein Isolierüberzug 64 ist über dem Platinsilizid-Gitter 62 angeordnet und hat in der Zeichnung nicht dargestellte Emitter-Anschlußöffnungen, welche jeden Emitterabschnitt an der Oberfläche freilegen. Eine Emitter-Anschlußschicht 66 liegt über der Isolierschicht 64 und greift unter Kontaktgabe mit den Emitterabschnitten 58 in die Öffnungen ein. Ein relativ dicker Draht ist direkt über den Emitterabschnitten 58 mit der Emitter-Anschlußschicht 66 verbunden und hat eine Anschlußbreite (in Fig« 4 mit w bezeichnet) zwischen und 100 Mikron. Basis-Anschlußschichten 70 sind auf entgegengesetzten Seiten des Transistors 50 angeordnet und stehen mit dem Platinsilizid-Gitter 62 in Verbindung«
Der vorgeschlagene Transistor bietet gegenüber bekannten HF—Bauelementen unter anderem die folgenden Vorteile.
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Im Gegensatz zu den eingangs beschriebenen "Overlay"-Bauteilen erfordert der erfindungsgemäße Transistor keine großen Diffusionstiefen des leitenden Gitters in der Basiszone. Dies ermöglicht, die Verwendung relativ dünner Kollektorge« biete, wodurch sich eine Verbesserung der Frequenzeigenschaften unter Beibehaltung der gleichen Spannungs—Durchbruchs— eigenschaft erzielen läßt«,
Außerdem ist das Gitter des Transistors stärker leitend als das eindiffundierte Gitter eines "Overlay"-Bauteilso Dadurch kann die Länge der Emitterabschnitte im Transistor erhöht werden, Z0B0 um den Faktor zwei gegenüber den erreichbaren Längen von Emitterabschnitten in einem "Overlay"-Bauteile Die Möglichkeit der Verwendung längerer Emitterabschnitte erlaubt ferner eine direkte Verbindung der Emitterleitungen über die Emitterabschnitte (Fig„ 4), wodurch die parasitäre Emitter-Kollektor-Kapazität im Vergleich zu Bauteilen mit auf dem Kollektoroxid angeordneten Emitter-Verbindungslaschen reduziert werden kanne Alternativ kann die Emitterlänge bei verbesserter Gleichförmigkeit der Injektion in Längsrichtung des Emitters ungeändert bleiben, da die Leitfähigkeit des Metallgitters größer ist«,
Außerdem diffundiert das leitende Gitter bei einem "Overlay"« Bauteil seitlich und führt damit Beschränkungen hinsichtlich des Abstandes zwischen benachbarten Emitterabschnitten eine Das leitende Gitter bei dem vorgeschlagenen Transistor besitzt demgegenüber diese Beschränkung nicht, sondern gestattet einen engen Abstand zwischen den Emitterabsohnitten, wodurch sich ein hohes Emitterperipherie/Basis-Flächenverhältnis ergibt; so können beispielsweise Verhältnisse von 8,0 erreicht werden.
Ein vierter Vorteil besteht darin, daß das leitende Gitter des Transistors 10 hohen Arbeitstemperaturen nach de%R Aufbringen des Gitters standhalten kann, so daß gs, vor dem
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Eindiffundieren des Emitters gebildet werden kann«, Schließ lieh wird das intermetallische Gitter nur im Gitterschlitz ausgebildet, wodurch sich die Zahl der Herstellungsschrit« te verringert«,
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Claims (1)

  1. RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N0Y. 10020 (V0St0A0)
    Patentansprüche;
    71„yHalbleiterbauteil mit einem Halbleiterkörper, in welchem ein Kollektorgebiet eines ersten Leitungstyps ausgebildet ist, mit einer dem Kollektorgebiet benachbarten, bis zu einer Oberfläche des Halbleiterkörpers reichenden Basiszone eines zweiten Leitungstyps, wobei zwischen Basis und Kollektor ein PN-Übergang gebildet ist, und mit mehreren, von der Oberfläche des Halbleiterkörpers aus in die Basis« zone eindringenden Emitterabschnitten des ersten Leitungstyps, wobei jeder der Emitterabschnitte mit der Basiszone einen Emitter—Basis PN-Übergang bildet, dadurch gekennzeichnet , daß ein Leitungsgitter (34; 62) aus einer intermetallischen Hochtemperatur-Verbindung eines Halbleiters an der Oberfläche (14) des Halbleiterkörpers (12) mit der Basiszone (22; 54) in Kontakt steht und derart angeordnet ist, daß es jedes der Emitterabschnitte (26; 58) umgibt, wobei das Leitungsgitter einen Schmelz— punkt von mehr als 95O0C hato
    2ο Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Oberfläche (14) des Halbleiterkörpers und das intermetallische Gitter (34; 62) mit einem Isolierüberzug (30; 64) versehen sind, in welchem mehrere, die emitterabschnitte (26; 58) freilegende Öffnungen (38) vorhanden sind, und daß eine den Isolierüberzug und das intermetallische Gitter überziehende Emitter-Anschlußschicht (40; 66) mit wenigstens zwei der Emitter-Abschnitte (16; 58) durch die Öffnungen (38) in Kontakt stehtβ
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    J5β Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß ein Draht (68) direkt über den Emitterabschnitten (58) mit der Emitter-Anschlußschicht (66) verbunden ist.
    4β Halbleiterbauteil nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (12) im wesentlichen aus Silizium besteht, und daß das intermetallische Gitter (34; 62) im wesentlichen aus einer intermetallischen Hochtemperatur« Verbindung von Silizium bestehtβ
    5β Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die intermetallische Hochtemperatur-Verbindung von Silizium aus einer aus Platinsilizid und Rhodiumsilizid bestehenden Gruppe gewählt ist«,
    6„ Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß das intermetallische Hochtemperatur-Gitter im wesentlichen aus Platinsilizid besteht«
    7. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils, wobei ein Halbleiterkörper mit über einen PN-Übergang aneinander angrenzenden Gebieten eines ersten und eines zweiten Leitungstyps gebildet wird, dadurch gekennzeichnet , daß ein Leitungsgitter mit Hochtemperatureigensohaften, das der Temperatur eines nachfolgenden Diffusionssohrittes standhalten kann, an einem ersten Teil des Gebiets des zweiten Leitungstyps gebildet wird, und daß nachfolgend ein Gebiet des ersten Leitungstyps in einen zweiten Teil des Gebiets des zweiten Leitungstyps mit Abstand vom Gitter eindiffundiert wird.
    8. Verfahren nach Anspruch 71 dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterkörper und die Gebiete im wesentlichen aus Silizium bestehen, und daß die leitende
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    Schicht eine intermetallische Hochtemperatur-Verbindung
    des Siliziums aufweist.
    9β Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn zeichnet , daß die intermetallische HochtemperatuiWVerbindung des Siliziums im wesentlichen aus Platin« silizid bestehtο
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