DE19832565C2 - Mit einem Verstärker und einer Impedanzanpassungsspule ausgestattete Duplexerschaltung - Google Patents
Mit einem Verstärker und einer Impedanzanpassungsspule ausgestattete DuplexerschaltungInfo
- Publication number
- DE19832565C2 DE19832565C2 DE19832565A DE19832565A DE19832565C2 DE 19832565 C2 DE19832565 C2 DE 19832565C2 DE 19832565 A DE19832565 A DE 19832565A DE 19832565 A DE19832565 A DE 19832565A DE 19832565 C2 DE19832565 C2 DE 19832565C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit
- fet
- switched
- preferred
- during
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 85
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 18
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 18
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- PCLIRWBVOVZTOK-UHFFFAOYSA-M 2-(1-methylpyrrolidin-1-ium-1-yl)ethyl 2-hydroxy-2,2-diphenylacetate;iodide Chemical compound [I-].C=1C=CC=CC=1C(O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)OCC[N+]1(C)CCCC1 PCLIRWBVOVZTOK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 240000008881 Oenanthe javanica Species 0.000 description 1
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/42—Amplifiers with two or more amplifying elements having their dc paths in series with the load, the control electrode of each element being excited by at least part of the input signal, e.g. so-called totem-pole amplifiers
- H03F3/423—Amplifiers with two or more amplifying elements having their dc paths in series with the load, the control electrode of each element being excited by at least part of the input signal, e.g. so-called totem-pole amplifiers with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/72—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier stage being a common gate configuration MOSFET
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Transceivers (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Duplexerschal
tung zum selektiven Verbinden entweder eines Senders oder
eines Empfängers mit einer Antenne, wobei die
Duplexerschaltung mit einer Ausgangsstufe eines integrier
ten Kaskodenverstärkers versehen ist.
Herkömmlicherweise wurden GaAs-Duplexerschaltungen häu
fig in tragbaren Telefonen und dergleichen verwendet. Fig.
11 zeigt ein Schaltungsdiagramm einer Duplexerschaltung ei
nes seriellen und parallelen Typs nach dem Stand der Tech
nik.
Entsprechend Fig. 11 bezeichnen Bezugszeichen F1 bis F4
Feldeffekttransistoren eines Verarmungstyps für einen Du
plexer (Feldeffekttransistoren werden im folgenden mit FET
bzw. FET's bezeichnet), während Bezugszeichen Rd1 bis Rd4
Widerstände mit einem Widerstandswert im Kiloohmbereich be
zeichnen, welche dafür sorgen, daß die Drain- und Source
elektroden der FET's äquivalente elektrische Potentiale
oder Spannungen besitzen. Die Bezugszeichen Rg1 bis Rg4 be
zeichnen Gatewiderstände mit Widerstandswerten im Kiloohm
bereich der FET's , während Bezugszeichen C1 bis C4 Konden
satoren zum gleichstrommäßigen Abtrennen der Sourceelektro
den der FET's F1 bis F4 von Masse bezeichnen, wobei die
Sourceelektroden bezüglich einer Hochfrequenz geerdet sind.
In der Beschreibung bedeutet ein gleichstrommäßiges Ab
trennen bzw. ein Abtrennen A von B bezüglich Gleichstrom,
daß der Gleichstrom nicht zwischen A und B fließt, und Er
den von A bezüglich einer Hochfrequenz bedeutet, daß ein
Hochfrequezsignal von A zur Masse fließt.
Bezugszeichen 1 bezeichnet einen Senderverbindungsan
schluß, Bezugszeichen 2 bezeichnet einen Empfängerverbin
dungsanschluß, und Bezugszeichen 3 bezeichnet einen Anten
nenverbindungsanschluß. Bezugszeichen 4 und 5 bezeichnen
Anschlüsse, an welche Steuerspannungen VTX und VRX für ein
Umschalten zwischen der Sendung bzw. dem Empfang angelegt
werden. Des weiteren ist der Senderverbindungsanschluß 1
mit einer Pull-up-Spannung VUP über einen Pull-up-Wider
stand RUP mit einem Widerstandswert im Kiloohmbereich ver
bunden, um das elektrische Potential oder die Spannung ei
ner zwischen den Anschlüssen 1 und 3 lokalisierten Sende
zweigschaltung ebenso wie das elektrische Potential oder
die Spannung einer zwischen den Anschlüssen 2 und 3 lokali
sierten Empfangszweigschaltung nach oben zu ziehen, wodurch
es ermöglicht wird, daß die Duplexerschaltung durch eine
Steuerspannung gesteuert wird, welche einen positiven Wert
oder 0 Volt aufweist. Ein Betrieb der Duplexerschaltung ist
in Tabelle 1 dargestellt.
Aus Tabelle 1 ist ersichtlich, daß während der Sendung
die Pull-up-Spannung VUP und die Steuerspannung VTX auf die
Versorgungsspannung Vdd der FET's F1 und F4 festgelegt
sind, während die Steuerspannung VRX auf 0 V festgelegt
ist, um die FET's F1 und F3 auszuschalten und die FET's F2
und F4 einzuschalten, so daß ein von dem Sender über den
Anschluß 1 eingegebenes Hochfrequenzsignal über den FET F2
und den Anschluß 3 der Antenne 103 gesendet wird. In dieser
Stufe befinden sich der FET F3 in einem gesperrten Zustand
und der FET F4 in einem leitenden Zustand, daher wird kein
Hochfrequenzsendesignal von dem Sender 101 dem Empfänger
102 gesendet. Während des Empfangs sind die Pull-up-Span
nung VUP und die Steuerspannung VRX auf die Versorgungs
spannung Vdd der FET's F1 und F4 festgelegt, während die
Steuerspannung VTX auf 0 V festgelegt ist, um die FET's F2
und F4 auszuschalten und die FET's F1 und F3 einzuschalten,
so daß das Hochfrequenzsignal, welches von der Antenne 103
empfangen und über den Anschluß 3 eingegeben wurde, über
den FET F3 und den Anschluß 2 dem Empfänger 102 gesendet
wird. In dieser Stufe befinden sich der FET F2 in einem ge
sperrten Zustand und der FET F1 in einem leitenden Zustand,
daher wird das Hochfrequenzempfangssignal nicht von der An
tenne 103 dem Empfänger 101 gesendet. In diesem Fall wird
jede der Abschnürspannungen VP der FET's F1 bis F4 auf ei
nen niedrigeren Wert als denjenigen der Versorgungsspannung
Vdd festgelegt.
Fig. 12 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches die An
ordnung eines Kaskodenleistungsverstärkers eines zweiten
bekannten Stands der Technik darstellt.
Entsprechend Fig. 12 bezeichnen Bezugszeichen F1 und F2
FET's eines Verarmungstyps für die Leistungsverstärkung,
Bezugszeichen Rg1 und Rg2 bezeichnen Gatewiderstände zum
Anlegen einer Gatespannung an die FET's F1 und F2, während
Bezugszeichen Cg1 und Cg2 Hochfrequenzüberbrückungskonden
satoren bezeichnen. Die Bezugszeichen Ld und Cd bezeichnen
eine Spule und einen Kondensator, welche eine Ausgangsimpe
danzanpassungsschaltung des Kaskodenleistungsverstärkers
bilden, Bezugszeichen Ct und Ca bezeichnen Hochfrequenz
kopplungskondensatoren, und Bezugszeichen Ld2 bezeichnet
eine Hochfrequenzblockierspuleinduktivität zum Zuführen ei
ner Spannung. Bezugszeichen 81 bezeichnet einen Eingangsan
schluß, welchem ein zu verstärkendes Hochfrequenzsignal
eingegeben wird, während Bezugszeichen 82 einen Ausgangsanschluß
zum Ausgeben eines nach der Verstärkung erhaltenen
Hochfrequenzsignals bezeichnet. Des weiteren bezeichnet Be
zugszeichen Vd2 eine Versorgungsspannung, und die Bezugs
zeichen Vg1 und Vg2 bezeichnen an die FET's F1 bzw. F2 anzu
legende Gatespannungen.
Es wird festgestellt, daß der GaAs-Kaskodenleistungs
verstärker üblicherweise eine komplizierte Struktur oder
Schaltung aufweist und eine höhere Spannung erfordert, um
die verlangte Spannung auszugeben. Daher wird der GaAs-Kas
kodenleistungsverstärker selten in der Endstufe eines Lei
stungsverstärkers verwendet, und es wird häufig eine Ver
stärkerschaltung mit einem FET, dessen Source geerdet ist,
verwendet, welche lediglich durch den FET F1 gebildet wird
und durch Entfernen des FET's F2 aus der in Fig. 12 darge
stellten Schaltung erlangt wird.
In einem Fall jedoch, bei welchem der in Fig. 12 darge
stellte Leistungsverstärker und die in Fig. 11 dargestellte
Duplexerschaltung auf einem identischen Chip integriert
sind, trat bei der Duplexerschaltung nach dem Stand der Te
chnik, welche durch Verbinden des in Fig. 1 dargestellten
Anschlusses 1 mit dem in Fig. 12 dargestellten Anschluß 82
gebildet wird, die Schwierigkeit auf, daß die Schaltungsdi
mensionen relativ groß wurden. Mit anderen Worten, wenn der
in Fig. 12 dargestellte Leistungsverstärker und die in Fig.
11 dargestellte Duplexerschaltung ohne Modifizierung inte
griert werden, steigen die Schaltungsdimensionen weiter an,
was dazu führt, daß die Schaltung nicht kompakt ausgebildet
werden kann.
Aus der US 5,054,114 ist eine Duplexerschaltung für
einen Sende-Empfangsumschalter gemäß dem gemeinsamen
Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche 1 und 3 bekannt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Du
plexerschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 oder
3 derart weiterzubilden, daß die Typgröße und der Einfü
gungsverlust der Sendezweigschaltung verringert werden
können.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die kennzeich
nenden Merkmale der unabhängigen Ansprüche 1 und 3.
Entsprechend einem ersten Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung wird eine Duplexerschaltung bereitgestellt
mit:
einer Sendezweigschaltung, welche zwischen einem Sender und einer Antenne angeschlossen ist, wobei die Sendezweig schaltung eine erste Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung eingeschaltet ist und während des Emp fangs ausgeschaltet ist; und
einer Empfangszweigsschaltung, welche zwischen einem Empfänger und der Antenne angeschlossen ist, wobei die Emp fangszweigschaltung eine zweite Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschaltet ist,
wobei entweder der Sender oder der Empfänger selektiv an die Antenne angeschlossen ist,
wobei die Sendezweigschaltung:
einen Kaskodenleistungsverstärker; und
eine Impedanzanpassungsspule aufweist, welche zwischen dem Kaskodenleistungsverstärker und der Antenne angeschlos sen ist.
einer Sendezweigschaltung, welche zwischen einem Sender und einer Antenne angeschlossen ist, wobei die Sendezweig schaltung eine erste Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung eingeschaltet ist und während des Emp fangs ausgeschaltet ist; und
einer Empfangszweigsschaltung, welche zwischen einem Empfänger und der Antenne angeschlossen ist, wobei die Emp fangszweigschaltung eine zweite Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschaltet ist,
wobei entweder der Sender oder der Empfänger selektiv an die Antenne angeschlossen ist,
wobei die Sendezweigschaltung:
einen Kaskodenleistungsverstärker; und
eine Impedanzanpassungsspule aufweist, welche zwischen dem Kaskodenleistungsverstärker und der Antenne angeschlos sen ist.
Entsprechend einem weiteren Gesichtspunkt der vorlie
genden Erfindung wird eine Duplexerschaltung bereitgestellt
mit:
einer Sendezweigschaltung, die zwischen einem Sender und einer Antenne angeschlossen ist, wobei die Sendezweig schaltung eine erste Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung eingeschaltet und während des Empfangs ausgeschaltet ist; und
einer Empfangszweigschaltung, welche zwischen einem Empfänger und der Antenne angeschlossen ist, wobei die Emp fangszweigschaltung eine zweite Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingschaltet ist,
wobei entweder der Sender oder der Empfänger selektiv an die Antenne angeschlossen ist,
wobei die Sendezweigschaltung:
einen Verstärker mit geerdetem Source; und
eine Impedanzanpassungsspule aufweist, welche zwischen dem Verstärker mit geerdetem Source und der Antenne ange schlossen ist.
einer Sendezweigschaltung, die zwischen einem Sender und einer Antenne angeschlossen ist, wobei die Sendezweig schaltung eine erste Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung eingeschaltet und während des Empfangs ausgeschaltet ist; und
einer Empfangszweigschaltung, welche zwischen einem Empfänger und der Antenne angeschlossen ist, wobei die Emp fangszweigschaltung eine zweite Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingschaltet ist,
wobei entweder der Sender oder der Empfänger selektiv an die Antenne angeschlossen ist,
wobei die Sendezweigschaltung:
einen Verstärker mit geerdetem Source; und
eine Impedanzanpassungsspule aufweist, welche zwischen dem Verstärker mit geerdetem Source und der Antenne ange schlossen ist.
Bei der oben beschriebenen Duplexerschaltung enthält
die zweite Umschalteschaltung vorzugsweise eine Mehrzahl
von FET's, welche parallel zueinander angeschlossen sind,
wobei jeder der FET's derart betrieben wird, daß er während
der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs abge
schaltet wird bzw. ist.
Bei der oben beschriebenen Duplexerschaltung enthält
die zweite Umschalteschaltung vorzugsweise eine Mehrzahl
von FET's, die in Serie miteinander verbunden sind, wobei
jeder der FET's derart betrieben wird, daß er während der
Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschal
tet wird.
Bei der oben beschriebenen Duplexerschaltung enthält
die zweite Umschalteschaltung vorzugsweise eine Mehrzahl
von FET's, die parallel und in Serie miteinander verbunden
sind, wobei jeder der FET's derart betrieben wird, daß er
während der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs
eingeschaltet wird bzw. ist.
Entsprechend einem weiteren Gesichtspunkt der vorlie
genden Erfindung wird eine Duplexerschaltung zum selektiven
Verbinden entweder eines ersten oder zweiten Senders oder
eines Empfängers mit einer Antenne bereitgestellt mit:
einer ersten Sendezweigschaltung, welche zwischen dem ersten Sender und der Antenne angeschlossen ist, wobei die erste Sendezweigsschaltung eine erste Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung eingeschaltet und wäh rend des Empfangs ausgeschaltet ist; und
einer zweiten Sendezweigschaltung, welche zwischen dem zweiten Sender und der Antenne angeschlossen ist, wobei die zweite Sendezweigschaltung eine zweite Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung eingeschaltet und wäh rend des Empfangs ausgeschaltet ist; und
einer Empfangszweigschaltung, welche zwischen dem Emp fänger und der Antenne angeschlossen ist, wobei die Emp fangszweigschaltung eine dritte Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschaltet ist,
wobei jede der ersten und zweiten Sendezweigschaltun gen:
einen Kaskodenleistungsverstärker; und
eine Impedanzanpassungspule aufweist, welche zwischen dem Kaskodenleistungsverstärker und der Antenne angeschlos sen ist.
einer ersten Sendezweigschaltung, welche zwischen dem ersten Sender und der Antenne angeschlossen ist, wobei die erste Sendezweigsschaltung eine erste Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung eingeschaltet und wäh rend des Empfangs ausgeschaltet ist; und
einer zweiten Sendezweigschaltung, welche zwischen dem zweiten Sender und der Antenne angeschlossen ist, wobei die zweite Sendezweigschaltung eine zweite Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung eingeschaltet und wäh rend des Empfangs ausgeschaltet ist; und
einer Empfangszweigschaltung, welche zwischen dem Emp fänger und der Antenne angeschlossen ist, wobei die Emp fangszweigschaltung eine dritte Umschalteschaltung enthält, welche während der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschaltet ist,
wobei jede der ersten und zweiten Sendezweigschaltun gen:
einen Kaskodenleistungsverstärker; und
eine Impedanzanpassungspule aufweist, welche zwischen dem Kaskodenleistungsverstärker und der Antenne angeschlos sen ist.
Bei der oben beschriebenen Duplexerschaltung enthält
die dritte Umschalteschaltung vorzugsweise eine Mehrzahl
von FET's, welche parallel zueinander angeschlossen sind,
wobei die FET's derart betrieben werden, daß sie während
der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs einge
schaltet werden.
Bei der oben beschriebenen Duplexerschaltung enthält
die dritte Umschalteschaltung eine Mehrzahl von FET's, die
in Serie miteinander verbunden sind, wobei jeder der FET's,
derart betrieben wird, daß er während der Sendung ausge
schaltet und während des Empfangs eingeschaltet wird bzw.
ist.
Dementsprechend kann durch Aufnahme des Kaskodenlei
stungsverstärkers in die Sendezweigschaltung der Duplexer
schaltung die Chipgröße spürbar in dem Chip verringert wer
den, welcher durch Integrieren des Leistungsverstärkers mit
der Duplexerschaltung erlangt wird, und es kann der Einfü
gungsverlust während der Sendung der Duplexerschaltung ver
ringert werden. Des weiteren kann die Impedanzanpassung der
Antenne an den Empfänger leichter erzielt werden.
Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Be
schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert,
wobei ähnliche Teile mit ähnlichen Bezugszeichen versehen
sind.
Fig. 1 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer ersten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 2 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer zweiten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 3 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer dritten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 4 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer vierten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 5 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer fünften bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 6 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer sechsten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 7 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer siebenten bevorzug
ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 8 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer achten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 9 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer neunten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 10 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer zehnten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 11 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung eines ersten bekannten
Stands der Technik darstellt; und
Fig. 12 zeigt ein Schaltungsdiagramm einer Struktur
eines Kaskodenleistungsverstärkers eines zweiten bekannten
Stands der Technik.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden unten
unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben.
Fig. 1 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer ersten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. In
Fig. 1 werden Komponenten ähnlich den in Fig. 11 und Fig.
12 dargestellten Komponenten mit denselben Bezugszeichen
bezeichnet.
Die Duplexerschaltung der vorliegenden bevorzugten Aus
führungsform ist dadurch charakterisiert, daß der in Fig.
12 dargestellte Kaskodenleistungsverstärker und eine Impe
danzanpassungsspule bzw. -induktivität Ld in eine Sende
zweigschaltung eingesetzt sind, die zwischen einem Sender
verbindungsanschluß 1 und einem Antennenverbindungsanschluß
3 lokalisiert ist.
Entsprechend Fig. 1 enthält die zwischen dem Anschluß 1
und dem Anschluß 3 lokalisierte Sendezweigschaltung eine
erste Umschalteschaltung, welche während der Sendung einge
schaltet und während des Empfangs ausgeschaltet ist, wäh
rend die zwischen dem Anschluß 2 und dem Anschluß 3 lokali
sierte Empfangszweigschaltung eine zweite Umschalteschal
tung enthält, die während der Sendung ausgeschaltet und
während des Empfangs eingeschaltet ist. In diesem Fall ist
die erste Umschalteschaltung durch einen Kaskodenleistungs
verstärker gebildet, während die zweite Umschalteschaltung
durch die Empfangszweigschaltung nach dem ersten bekannten
Stand der Technik gebildet ist.
Die Bezugszeichen der FET's F1 bis F4 bezeichnen FET's
eines Verarmungsstyps, während die Bezugszeichen Rd2, Rd3
und Rd4 Widerstände mit einem Widerstandswert im Kiloohmbe
reich bezeichnen, wobei die Widerstände Rd2, Rd3 und Rd4
zwischen den Drain- und Sourceelektroden der FET's F2, F3
bzw. F4 angeschlossen sind, so daß der Drain und das Source
jedes der FET's F2, F3 und F4 äquivalente elektrische Po
tentiale oder Spannungen zueinander besitzen. Die Bezugs
zeichen Rg1, Rg2, Rg3 und Rg4 bezeichnen eine Gatespannung
anlegende Widerstände, welche jeweils einen Widerstandswert
im Kiloohmbereich zum Anlegen einer Gatespannung an das Gate
jedes der FET's F1 bis F4 aufweist, während die Bezugs
zeichen C1 und C2 Hochfrequenzüberbrückungskondensatoren
bezeichnen und Bezugszeichen C4 einen Kondensator zum Erden
des Source des FET's F4 bezüglich einer Hochfrequenz be
zeichnet. Bezugszeichen Ld bezeichnet eine Impedanzanpas
sungsinduktivität zum Erzielen einer Impedanzanpassung der
Ausgangsstufe des Kaskodenleistungsverstärkers mit der An
tenne 103. Bezugszeichen Ct, Ca und Cr bezeichnen Hochfre
quenzkopplungskondensatoren, während Bezugszeichen Ld2 eine
Hochfrequenzblockierspule bzw. -induktivität für die Ver
sorgungsspannung bezeichnet. Des weiteren bezeichnet Be
zugszeichen Vd2 eine Spannungsquelle, während Bezugszeichen
Vg1 bis Vg4 die Gatespannungen der FET's F1 bis F4 jeweils
bezeichnen. Des weiteren ist ein Ende des Kondensators Cr
mit dem Empfängerverbindungsanschluß 2 verbunden, und das
andere Ende davon ist an eine Pull-up-Spannung VUP über ei
nen Pull-up-Widerstand RUP angeschlossen, welcher einen Wi
derstandswert im Kiloohmbereich aufweist, zum Nachobenzie
hen des elektrischen Potentials oder der Spannung der zwi
schen dem Sendeverbindungsanschluß 1 und dem Antennenver
bindungsanschluß 3 lokalisierten Sendezweigschaltung ebenso
wie des elektrischen Potentials oder der Spannung der zwi
schen den Anschlüssen 2 und 3 lokalisierten Empfangszweig
schaltung, wodurch es der Duplexerschaltung ermöglicht
wird, durch eine Steuerspannung eines positiven Werts oder
eines Werts von 0 V gesteuert zu werden.
Bei der in Fig. 1 dargestellten Sendezweigschaltung ist
der Senderverbindungsanschluß 1, an welchem ein Sender 101
angeschlossen ist, über den Kopplungskondensator Ct mit dem
FET F1 verbunden, dessen Source geerdet ist, und das Gate
ist über den Gatespannung anlegenden Widerstand Rg1 mit ei
nem Gatespannung anlegenden Anschluß 11 verbunden. Der An
schluß 11 ist über einen Hochfrequenzüberbrückungskonden
sator C1 geerdet. Der Drain des FET's F1 ist mit einem Ver
bindungspunkt 4 über das Source und den Drain des FET's F2,
einen Verbindungspunkt 5 und die Impedanzanpassungsindukti
vität Ld verbunden, und der Verbindungspunkt 4 ist über ei
nen Kopplungskondensator Ca mit einem Antennenverbindungs
anschluß 3 verbunden, an welchen die Antenne 103 ange
schlossen ist. Das Gate des FET's F2 ist mit einem Gate
spannung anlegenden Anschluß 12 über den Gatespannung anle
genden Widerstand Rg2 verbunden, und das Gate davon ist be
züglich einer Hochfrequenz über einen Hochfrequenzüber
brückungskondensator C2 geerdet. In diesem Fall ist der
zwischen dem Drain des FET's F2 und der Induktivität Ld lo
kalisierte Verbindungspunkt 5 über eine Hochfrequenz
blockierinduktivität Ld2 mit einem Versorgungsspannung an
legenden Anschluß 22 verbunden.
Demgegenüber ist bei der in Fig. 1 dargestellten Emp
fangszweigschaltung der Verbindungspunkt 4 über den Drain
und das Source des FET's F3, einen Verbindungspunkt 6 und
einen Kopplungskondensator Cr mit dem Empfängerverbindungs
anschluß 2 verbunden, an welchen der Empfänger 102 ange
schlossen ist. In diesem Fall ist das Gate des FET's F3
über den Gatespannung anlegenden Widerstand Rg3 mit einem
Gatespannung anlegenden Anschluß 13 verbunden, während das
Gate des FET's F4 über den Gatespannung anlegenden Wider
stand Rg4 mit einem Gatespannung anlegenden Anschluß 14
verbunden ist. Der Verbindungspunkt 6 ist über den Drain
und das Source des FET's F4 und einen Kopplungskondensator
C4 geerdet. Der Verbindungspunkt 6 ist über den Pull-up-Widerstand
RUP mit einer Spannungsquelle zum Zuführen der
Pull-up-Spannung VUP verbunden.
Tabelle 2 stellt die Pull-up-Spannung VUP und die an
die Gatespannung angelegenden Anschlüsse 11 bis 14 anzule
genden Spannungen in der Sendebetriebsart und der Empfangs
betriebsart der Duplexerschaltung dar. Bezugszeichen Vdd
bezeichnet eine Versorgungsspannung, und Bezugszeichen Vga
und Vgb bezeichnen Gatespannungen, welche zum Betrieb jedes
der FET's F1 und F2 als Spannungsverstärker erfordert wird,
wobei in diesem Fall die Beziehungen Vp < Vga < 0 V und
Vp < Vgb < 0 V erfüllt werden. Es wird angenommen, daß die Ab
schnürspannung Vp jedes der FET's F1 und F2 kleiner als die
Versorgungsspannung Vdd ist. Diese Bedingungen werden auf
eine Weise festgelegt, die ähnlich zu derjenigen der später
beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen ist.
Entsprechend Fig. 1 bilden der FET F1 und der FET F2
einen Kaskodenspannungsverstärker, welcher als Ausgangs
stufe des Leistungsverstärkers arbeitet. Als Ergebnis wird
ein Leistungsverlust in der Sendezweigschaltung nach dem in
Fig. 11 dargestellten ersten bekannten Stand der Technik im
wesentlichen zu null, so daß der Einfügungsverlust in den
Umschalteschaltungen reduziert wird. In diesem Fall werden
eine Spule bzw. Induktivität Ld3 zwischen dem Source und
Drain des FET's F3 und die Gatebreite des FET's F3 derart
bestimmt und festgelegt, daß die Ausgangsimpedanzanpassung
des Leistungsverstärkers durch die Spule Ld mit einer In
duktivität im Nanohenrybereich und einer Kapazität C3 im
Pikofaradbereich des FET's F3 erzielt werden. Ein Ende des
Kondensators C3 im gesperrten Zustand ist bezüglich einer
Hochfrequenz durch Einschalten des FET's F4 geerdet, und
daher arbeitet der Kondensator C3 im gesperrten Zustand
ähnlich wie der in Fig. 12 dargestellt Kondensator Cd.
Während des Empfangs ist die Gatespannung Vg2 auf 0 V
festgelegt, wodurch der FET F2 ausgeschaltet ist. Des wei
teren wird durch Einschalten des FET's F3 und durch Aus
schalten des FET's F4 das durch die Antenne 103 empfangene
Hochfrequenzsignal über die FET's F3 und F4 dem Empfänger
102 gesendet und erscheint kaum am Anschluß 1.
Wie oben bezüglich der ersten bevorzugten Ausführungs
form beschrieben kann durch Aufnahme des Kaskodenleistungs
verstärkers in die Sendezweigschaltung der Duplexerschal
tung die Chipgröße spürbar in dem Chip reduziert werden,
welcher durch Integrieren des Leistungsverstärkers mit der
Duplexerschaltung erlangt wird, und es kann der Einfügungs
verlust während der Sendung der Duplexerschaltung reduziert
werden.
Fig. 2 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer zweiten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die
zweite bevorzugte Ausführungsform ist dahingehend charakte
risiert, daß bei der in Fig. 1 dargestellten ersten bevor
zugten Ausführungsform der FET F2 mit geerdetem Gate und
dessen periphere Schaltung (Widerstand Rd2, Widerstand Rg2
und der Kondensator C2) entfernt sind und die Sendezweig
schaltung mit einem durch den FET F1 gebildeten Verstärker
mit geerdetem Source versehen ist.
Bei der Duplexerschaltung der wie oben beschrieben
strukturierten zweiten bevorzugten Ausführungsform ist die
Isolierung zwischen der Antenne 103 und dem Sender 101 wäh
rend des Empfangs im Vergleich mit derjenigen der Struktur
der in Fig. 1 dargestellten ersten bevorzugten Ausführungs
form reduziert, jedoch besitzt die vorliegende Schaltung
einen vorteilhaften Effekt dahingehend, daß die vorliegende
Schaltung kompakter als die Struktur der ersten bevorzugten
Ausführungsform ausgebildet werden kann.
Tabelle 3 stellt die Pull-up-Spannung VUP der an die
Gatespannung anlegenden Anschlüsse 11, 13 und 14 anzulegen
den Spannungen in der Sendebetriebsart und der Empfangsbe
triebsart der Duplexerschaltung dar. Wie in Tabelle 3 dar
gestellt wird es erfordert, den FET F1 vollständig in die
Abschnürstufe durch Festlegen der Gatespannung Vg1 auf eine
bestimmte Gatespannung Vgp zu versetzen, die niedriger als
die Abschnürspannung Vp des FET's während des Empfangs ist.
Wie oben bezüglich der zweiten bevorzugten Ausführungs
form beschrieben kann durch Aufnahme des Kaskodenleistungs
verstärkers, aus welchem der FET F2 mit geerdetem Gate und
dessen periphere Schaltung entfernt sind, d. h. der Verstär
ker mit geerdetem Source des FET's F1, in die Sendezweig
schaltung der Duplexerschaltung die Chipgröße des Chips
spürbar reduziert werden, welcher durch Integrieren des
Leistungsverstärkers mit der Duplexerschaltung erlangt
wird, und es kann der Einfügeverlust während der Sendung
der Duplexerschaltung reduziert werden.
Fig. 3 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer dritten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die
dritte bevorzugte Ausführungsform basiert auf der in Fig. 1
dargestellten ersten bevorzugten Ausführungsform und ist
dadurch charakterisiert, daß das Source und der Drain eines
FET's F5 parallel mit dem Source bzw. Drain des FET's F3
verbunden sind und das Gate des FET's F5 über einen Gate
spannung anlegenden Widerstand Rg5 mit einem Gatespannung
anlegenden Anschluß 15 verbunden ist.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Duplexerschaltung kann
durch Ändern einer Gatespannung Vg5 eine Kapazität bzw. ein
Kondensator C5 im gesperrten Zustand des FET's F5 gesteuert
werden. Üblicherweise ist die Kapaztität im gesperrten Zu
stand eines FET's oft kleiner als die für die Anpassung des
Leistungsverstärkers verlangte Kapazität, und die elektro
statische Kapazitität der Kapazität im gesperrten Zustand
C3 für die Impedanzanpassung kann erhöht werden, und danach
kann die Impedanzanpassung des FET's F1 und des FET's F2,
welche eine große Gatebreite für einen großen Ausgang auf
weisen, leicht erzielt werden. Durch Festlegen eines impe
danzangepaßten Zustands kann entweder (a) ein leistungs-
bzw. spannungsangepaßter Zustand, bei welchem die Impe
danzanpassung zum Erlangen einer großen Leistung bzw. Span
nung erzielt wird, oder (b) ein effizienzangepaßter Zustand
festgelegt werden, bei welchem die Impedanzanpassung zum
Erlangen einer größeren Effizienz erzielt wird.
Tabelle 4 zeigt die Pull-up-Spannung VUP und die an die
Gatespannung anlegenden Anschlüsse 11 bis 15 anzulegenden
Spannungen in der Sendebetriebsart und der Empfangsbe
triebsart der Duplexerschaltung.
Wie oben beschrieben kann bei der dritten bevorzugten
Ausführungsform durch Aufnahme des Kaskodenleistungsver
stärkers in die Sendezweigschaltung der Duplexerschaltung
die Chipgröße des Chips spürbar reduziert werden, welcher
durch Integrieren des Leistungsverstärkers mit der Duple
xerschaltung erlangt wird, und es kann der Einfügungsver
lust während der Sendung der Duplexerschaltung reduziert
werden. Des weiteren kann die Impedanzanpassung der Antenne
103 mit dem Empfänger 102 leichter erzielt werden.
Obwohl die zwei FET's F3 und F5 parallel miteinander
bei der oben beschriebenen dritten Ausführungsform verbun
den sind, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf be
schränkt, und es kann eine Mehrzahl von FET's parallel mit
dem FET F3 verbunden werden.
Fig. 4 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer vierten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die
vierte bevorzugte Ausführungsform ist dadurch charakteri
siert, daß in die in Fig. 1 dargestellte erste bevorzugte
Ausführungsform eine durch die drei FET's F3, F3' und F3''
gebildete Serienverbindungschaltung anstelle des FET's F3
eingesetzt wird. In diesem Fall ist der Verbindungspunkt 4
mit dem Verbindungspunkt 6 über den Drain und das Source
des FET's F3, den Drain und das Source des FET's F3' und
den Drain und das Source des FET's F3" verbunden, und des
weiteren sind die Gates der FET's F3, F3' und F3" mit dem
Gatespannung anlegenden Anschluß 13 über die Widerstände
Rg3, Rg3 ' bzw. Rg3" verbunden. Es wird festgestellt, daß
die Widerstände Rd3, Rd3' und Rd3" die Widerstände sind,
welche über das Source und den Drain für die Bereitstellung
eines gleichen Potentials oder einer Spannung über dem
Source und Drain jedes der FET's F3, F3' und F3" ange
schlossen sind.
Tabelle 5 zeigt die Pull-up-Spannung VUP und die an die
Gatespannung anlegenden Anschlüsse 11 bis 14 anzulegenden
Spannungen in der Sendebetriebsart und der Empfangsbe
triebsart der Duplexerschaltung.
Üblicherweise wird ein Sendesignalleistungshandhabungs
vermögen P (was das Vermögen der Duplexerschaltung bezüg
lich der Größe der Sendesignalleistung bedeutet, welche von
der Duplexerschaltung gesendet werden kann) der Duplexer
schaltung durch die folgende Gleichung ausgedrückt:
P = 2N2(Vc + Vp)2/Z0 (1)
In dieser Gleichung (1) ist Vp die Abschnürspannung (<
V) des FET's (F3, F3' und F3" bei der vorliegenden bevor
zugten Ausführungsform), Vc ist eine Steuerspannung zum
Steuern des Gates des FET's (F3, F3' und F3" bei der vor
liegenden bevorzugten Ausführungsform) in dem gesperrten
Zustand, und N ist die Anzahl von Stufen der Serienverbin
dung der FET's (F3, F3' und F3" bei der bevorzugten Aus
führungsform) in dem gesperrten Zustand, wobei die Anzahl N
bei der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform auf N = 3
festgelegt wird. Des weiteren ist Z0 die charakteristische
Anpassung des Systems.
Aus Gleichung (1) ergibt sich, daß durch Erhöhen der
Anzahl N von Stufen der Serienverbindung der FET's in dem
gesperrten Zustand die übertragbare Leistung P des Sendesi
gnals ansteigt. Es wird festgestellt, daß das Ansteigen der
Anzahl N ein Ansteigen des Einfügungsverlusts der FET's F3,
F3' und F3" während des Empfangs hervorruft, und daher
wird der Wert der Anzahl N auf der Grundlage eines Kompro
misses bestimmt.
Wie oben beschrieben kann bei der vierten bevorzugten
Ausführungsform durch Aufnahme des Kaskodenleistungsver
stärkers in die Sendezweigschaltung der Duplexerschaltung
die Chipgröße des in dem durch Integrieren des Leistungs
verstärkers mit der Duplexerschaltung erlangten Chips spür
bar reduziert werden, und der Einfügungsverlust während der
Sendung der Duplexerschaltung kann reduziert werden. Da des
weiteren die Anzahl N von Stufen der Serienverbindung der
FET's in dem gesperrten Zustand im Vergleich mit der ersten
bevorzugten Ausführungsform erhöht ist, kann die übertrag
bare Leistung P des Sendesignals erhöht werden.
Obwohl die Anzahl N von Stufen der Serienverbindung der
FET's in dem gesperrten Zustand bei der oben beschriebenen
vierten bevorzugten Ausführungsform auf N = 3 festgelegt
ist, kann die Anzahl N auf die ganze Zahl 2 oder gleich
oder größer als 4 festgelegt werden.
Fig. 5 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer fünften bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Diese
fünfte bevorzugte Ausführungsform ist eine Kombination der
Merkmale der in Fig. 2 dargestellten zweiten bevorzugten
Ausführungsform und der Merkmale der in Fig. 3 dargestell
ten dritten bevorzugten Ausführungsform. Die fünfte bevor
zugte Ausführungsform ist dadurch charakterisiert, daß bei
der zweiten bevorzugten Ausführungsform das Source und der
Drain des FET's F5 parallel mit dem Source bzw. dem Drain
des FET's F3 verbunden sind und das Gate des FET's F5 über
den Gatespannung anlegenden Widerstand Rg5 mit dem Gate
spannung anlegenden Anschluß 15 verbunden ist.
Bei der fünften bevorzugten Ausführungsform mit der
oben beschriebenen Struktur kann durch Aufnahme des Ver
stärkers mit geerdetem Source, welcher der Kaskodenlei
stungsverstärker ist, von dem der FET F2 mit geerdetem Gate
und dessen periphere Schaltung entfernt sind, in die Sende
zweigschaltung der Duplexerschaltung die Chipgröße des
durch Integrieren des Leistungsverstärkers mit der Duple
xerschaltung erlangten Chips spürbar reduziert werden. Des
weiteren kann die Impedanzanpassung der Antenne 103 mit dem
Empfänger 102 leichter erzielt werden.
Obwohl die zwei FET's F3 und F5 parallel miteinander
bei der oben beschriebenen fünften bevorzugten Ausführungs
form verbunden sind, ist die vorliegende Erfindung nicht
darauf beschränkt, und eine Mehrzahl von FET's kann paral
lel mit dem FET F3 verbunden sein.
Fig. 6 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer sechsten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die
sechste bevorzugte Ausführungsform ist eine Kombination der
Merkmale der in Fig. 2 dargestellten zweiten bevorzugten
Ausführungsform und der Merkmale der in Fig. 4 dargestell
ten vierten bevorzugten Ausführungsform. Die sechste bevo
rzugte Ausführungsform ist dadurch charakterisiert, daß bei
der in Fig. 2 dargestellten zweiten bevorzugten Ausfüh
rungsform eine durch die drei FET's F3, F3' und F3" gebil
dete Serienverbindungsschaltung anstelle des FET's F3 ein
gesetzt ist.
Wie oben beschrieben kann bei der sechsten bevorzugten
Ausführungsform durch Aufnahme des Verstärkers mit geerde
tem Source, welcher der Kaskodenverstärker ist, von welchem
der FET F2 mit geerdetem Gate und dessen periphere Schal
tung entfernt sind, in die Sendezweigschaltung der Duple
xerschaltung die Chipgröße des durch Integrieren des Lei
stungsverstärkers mit der Duplexerschaltung erlangten Chips
spürbar reduziert werden, und es kann der Einfügungsverlust
während der Sendung der Duplexerschaltung reduziert werden.
Da des weiteren die Anzahl N von Stufen der Serienverbin
dung der FET's in dem gesperrten Zustand im Vergleich mit
denjenigen der ersten und zweiten bevorzugten Ausführungs
form erhöht ist, kann die übertragbare Leistung P des Sen
designals erhöht werden.
Fig. 7 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer siebenten bevorzug
ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt.
Die siebente bevorzugte Ausführungsform ist eine Kombina
tion der Merkmale der in Fig. 3 dargestellten dritten be
vorzugten Ausführungsform und der Merkmale der in Fig. 4
dargestellten vierten bevorzugten Ausführungsform. Die sie
bente bevorzugte Ausführungsform ist dadurch charakteri
siert, daß bei der in Fig. 3 dargestellten dritten bevor
zugten Ausführungsform eine durch die drei FET's F3, F3'
und F3" gebildete Serienverbindungsschaltung anstelle des
FET's F3 eingesetzt ist und eine durch die drei FET's F5,
F5' und F5" gebildete Serienverbindungsschaltung anstelle
des FET's F5 eingesetzt ist.
Entsprechend Fig. 7 ist der Verbindungspunkt 4 mit dem
Verbindungspunkt 6 über den Drain und das Source des FET's
F5, den Drain und das Source des FET's F5' und den Drain
und das Source des FET's F5" verbunden, und die Gates der
FET's F5, F5' und F5" sind mit dem Gatespannung anlegenden
Anschluß 15 über die Widerstände Rg5, Rg5' und Rg5" verbun
den. Es wird festgestellt, daß die Widerstände Rd5, Rd5'
und Rd5" die Widerstände sind, welche über dem Source und
Drain zur Bereitstellung eines gleichen Potentials oder ei
ner Spannung über den Source und Drain jedes der FET's F5,
F5' und F5" angeschlossen sind. Es wird festgestellt, daß
die Serienverbindungsschaltung der drei FET's F3, F3' und
auf eine ähnliche Weise wie bei der in Fig. 3 darge
stellten dritten bevorzugten Ausführungsform gebildet sind.
Wie oben beschrieben kann bei der siebenten bevorzugten
Ausführungsform durch Aufnahme des Kaskodenleistungsver
stärkers in die Sendezweigschaltung der Duplexerschaltung
die Chipgröße des in dem durch Integrieren des Leistungs
verstärkers mit der Duplexerschaltung erlangten Chips spür
bar reduziert werden, und es kann der Einfügungsverlust
während der Sendung der Duplexerschaltung reduziert werden.
Des weiteren kann die Impedanzanpassung der Antenne 103 mit
dem Empfänger 102 leichter erzielt werden. Da des weiteren
die Anzahl N von Stufen der Serienverbindung der FET's in
dem gesperrten Zustand im Vergleich mit derjenigen der er
sten bevorzugten Ausführungsform erhöht ist, kann die über
tragbare Leistung P des Sendesignals erhöht werden.
Obwohl parallele Verbindungen der zwei FET's F3 und F4,
der zwei FET's F3' und F5' und der zwei FET's F3" und F5"
bei der oben beschriebenen siebenten bevorzugten Ausfüh
rungsform nicht begrenzt ist, kann eine Mehrzahl von FET's
parallel zu den FET's F3, F3' und F3" angeschlossen wer
den.
Fig. 8 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer achten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die
achte bevorzugte Ausführungsform ist dadurch charakteri
siert, daß zwei Paare von in Fig. 1 dargestellten Sende
zweigschaltungen enthalten sind und diese zwei Paare von
ersten und zweiten Sendezweigschaltungen an dem Verbin
dungspunkt 4 angeschlossen sind. In diesem Fall ist den Be
zugszeichen der jeweiligen Anschlüsse und der jeweiligen
Elemente der ersten Sendezweigschaltung ein Suffix "a" an
gefügt, während ein Suffix "b" den Bezugszeichen der jewei
ligen Anschlüsse und den jeweiligen Elementen der zweiten
Sendezweigschaltung hinzugefügt ist. In diesem Fall ist ein
Sender 101a mit einem Senderverbindungsanschluß 1a verbun
den, und der Anschluß 1a ist mit dem Verbindungspunkt 4
über einen Kopplungskondensator Cta, einen FET F1a, einen
FET F2a, einen Verbindungspunkt 5a und eine Impedanzanpas
sungsspule Lda verbunden. Ein Sender 101b ist mit einem
Senderverbindungsanschluß 1b verbunden, und der Anschluß 1b
ist mit dem Verbindungspunkt 4 über einen Kopplungskonden
sator Ctb, einen FET F1b, einen FET F2b, einen Verbindungs
punkt 5b und eine Impedanzanpassungsspule Ldb verbunden.
Tabelle 6 stellt die Pull-up-Spannung VUP und an die
Gatespannung anlegenden Anschlüsse 11a, 11b, 12a, 12b, 13
und 14 anzulegenden Spannungen in der Sendebetriebsart und
der Empfangsbetriebsart der Duplexerschaltung dar.
In der in Fig. 8 dargestellten Duplexerschaltung wird
es zum Zwecke, lediglich den Sender 101a in den Sendezu
stand zu versetzen und denselben mit der Antenne 103 zu
verbinden, bevorzugt, eine Gatespannung Vgb lediglich an
den Anschluß 12a anzulegen und einen Anschluß 12b auf das
Erdungspotential oder die Erdungsspannung zu legen. Zum
Zwecke, lediglich den Sender 101b in den Sendezustand zu
versetzen und denselben mit der Antenne 103 zu verbinden,
wird es bevorzugt, eine Gatespannung Vgb lediglich an den
Anschluß 12b anzulegen und den Anschluß 12a auf das Er
dungspotential oder die Erdungsspannung zu legen. Mit die
ser Anordnung können entweder der Sender 101a oder der Sen
der 101b selektiv in den Sendezustand umgeschaltet werden.
Wie oben beschrieben kann bei der achten bevorzugten
Ausführungsform durch Aufnahme des Kaskodenleistungsver
stärkers in die Sendezweigschaltung der Duplexerschaltung
die Chipgröße des durch Integrieren des Leistungsverstärker
mit der Duplexerschaltung erlangten Chips spürbar reduziert
werden, und es kann der Einfügungsverlust während der Sen
dung der Duplexerschaltung reduziert werden. Des weiteren
kann durch Aufnahme der zwei Kaskodenleistungsverstärker in
die Duplexerschaltung eine kompakte Duplexerschaltung be
reitgestellt werden, welche auf ein System zweier unterschiedlicher
Frequenzen wie beispielsweise bei einem soge
nannten Dualbandempfänger angewandt werden kann.
Obwohl die zwei Sender 101a und 101b bei der achten be
vorzugten Ausführungsform miteinander verbunden sind, ist
die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, und es
ist annehmbar, drei oder mehr Paare von in Fig. 1 darge
stellten Sendezweigschaltungen bereitzustellen und diese in
einer Mehrzahl vorkommenden Paare von Sendezweigschaltungen
mit dem Verbindungspunkt 4 zu verbinden.
Fig. 9 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer neunten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die
neunte bevorzugte Ausführungsform ist eine Kombination der
Merkmale der in Fig. 8 dargestellten achten bevorzugten
Ausführungsform und der Merkmale der in Fig. 3 dargestell
ten dritten bevorzugten Ausführungsform. Die neunte bevo
rzugte Ausführungsform ist dadurch charakterisiert, daß bei
der achten bevorzugten Ausführungsform das Source und der
Drain des FET's F5 parallel mit dem Source und Drain des
FET's F3 verbunden sind und das Gate des FET's F5 über den
Gatespannung anlegenden Widerstand Rg5 mit dem Gatespannung
anlegenden Anschluß 15 verbunden sind.
Wie oben beschrieben kann bei der neunten bevorzugten
Ausführungsform durch Aufnahme des Kaskodenleistungsver
stärkers in die Sendezweigschaltung der Duplexerschaltung
die Chipgröße des durch Integrieren des Leistungsverstär
kers mit der Duplexerschaltung erlangten Chips spürbar re
duziert werden, und es kann der Einfügungsverlust während
der Sendung der Duplexerschaltung reduziert werden. Des
weiteren kann durch Aufnahme der zwei Kaskodenleistungsver
stärker in die Duplexerschaltung eine kompakte Duplexer
schaltung bereitgestellt werden, welche für ein System
zweier unterschiedlicher Frequenzen ähnlich wie beispiels
weise bei dem sogenannten Dualbandempfänger verwendet wer
den. Des weiteren kann die Impedanzanpassung der Antenne
103 an den Empfänger 102 einfacher erzielt werden.
Obwohl zwei Sender 101a und 101b bei der neunten bevor
zugten Ausführungsform verbunden sind, ist die vorliegende
Erfindung nicht darauf beschränkt, und es ist annehmbar,
drei oder mehr von Paaren von in Fig. 1 dargestellten Sen
dezweigschaltungen bereitzustellen und diese in einer Mehr
zahl vorkommenden Paare von Sendezweigschaltungen mit Ver
bindungspunkt 4 zu verbinden.
Fig. 10 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches eine
Struktur einer Duplexerschaltung einer zehnten bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die
zehnte bevorzugte Ausführungsform ist eine Kombination der
Merkmale der in Fig. 8 dargestellten achten bevorzugten
Ausführungsform und der Merkmale der in Fig. 4 dargestell
ten vierten bevorzugten Ausführungsform. Die zehnte bevor
zugte Ausführungsform ist dadurch charakterisiert, daß bei
der achten bevorzugten Ausführungsform eine durch die drei
FET's F3, F3' und F3" gebildete Serienverbindungsschaltung
anstelle des FET's F3 eingesetzt ist. In diesem Fall ist
der Verbindungspunkt 4 mit dem Verbindungspunkt 6 über den
Drain und das Source des FET's F3, den Drain und das Source
des FET's F3' und den Drain und das Source des FET's F3"
verbunden, und des weiteren sind die Gates der FET's F3,
F3' und F3" mit dem Gatespannung anlegenden Anschluß 13
über die Widerstände Rg3, Rg3' bzw. Rg3" verbunden. Es wird
festgestellt, daß die Widerstände Rd3, Rd3' und Rd3" Wider
stände sind, welche über dem Source und Drain zur Bereit
stellung eines gleichen Potentials oder Spannung über dem
Source und Drain jedes der FET's F3, F3' und F3" ange
schlossen sind.
Wie oben beschrieben kann bei der zehnten bevorzugten
Ausführungsform durch Aufnahme des Kaskodenleistungsver
stärkers in die Sendezweigschaltung der Duplexerschaltung
die Chipgröße des durch Integrieren des Leistungsverstär
kers mit der Duplexerschaltung erlangten Chips spürbar re
duziert werden, und es kann der Einfügungsverlust während
der Sendung der Duplexerschaltung reduziert werden. Des
weiteren kann durch Aufnahme der zwei Kaskodenleistungsver
stärker in die Duplexerschaltung eine komplexe Duplexer
schaltung bereitgestellt werden, welche auf ein System
zweier unterschiedlicher Frequenzen ähnlich wie beispiels
weise bei dem sogenannten Dualbandempfänger angewandt wer
den kann. Da des weiteren die Anzahl N von Stufen der Seri
enverbindungsschaltung der Serienverbindung der FET's in
dem gesperrten Zustand im Vergleich mit derjenigen der er
sten bevorzugten Ausführungsform erhöht ist, kann die üb
ertragbare Leistung P des Sendesignals erhöht werden.
Obwohl die zwei Sender 101a und 101b bei der oben be
schriebenen neunten bevorzugten Ausführungsform miteinander
verbunden sind, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf
beschränkt, und es ist annehmbar, drei oder mehr Paare von
in Fig. 1 dargestellten Sendezweigschaltungen bereitzustel
len und die in der Mehrzahl vorkommenden Paare von Sende
zweigschaltungen mit dem Verbindungspunkt 4 zu verbinden.
Wie oben beschrieben kann bei der Duplexerschaltung des
ersten und zweiten Gesichtspunkts der Erfindung durch Auf
nahme des Kaskodenleistungsverstärkers in die Sendezweig
schaltung der Duplexerschaltung die Chipgröße des durch In
tegrieren des Leistungsverstärkers mit der Duplexerschal
tung erlangten Chips spürbar reduziert werden, und es kann
der Einfügungsverlust während der Sendung der Duplexer
schaltung reduziert werden.
Des weiteren enthält bei der Duplexerschaltung des er
sten Gesichtspunkts der Erfindung die zweite Umschalte
schaltung vorzugsweise eine Mehrzahl von FET's, welche par
allel miteinander verbunden sind und jeweils während der
Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschal
tet werden bzw. sind. Dementsprechend kann durch Aufnahme
des Kaskodenleistungsverstärkers in die Sendezweigschaltung
der Duplexerschaltung die Chipgröße jedes durch Integrieren
des Leistungsverstärker mit der Duplexerschaltung erhalte
nen Chips spürbar reduziert werden, und es kann der Einfü
gungsverlust während der Sendung der Duplexerschaltung re
duziert werden. Des weiteren kann die Impedanzanpassung der
Antenne an den Empfänger leichter erzielt werden.
Des weiteren enthält bei der Duplexerschaltung des er
sten Gesichtspunkts der Erfindung die zweite Umschalte
schaltung vorzugsweise eine Mehrzahl von FET's, welche in
Serie miteinander verbunden sind und jeweils während der
Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschal
tet werden bzw. sind. Dementsprechend kann durch Aufnahme
des Kaskodenleistungsverstärkers in die Sendezweigschaltung
der Duplexerschaltung die Chipgröße des durch Integrieren
des Leistungsverstärkers mit der Duplexerschaltung erlang
ten Chips spürbar reduziert werden, und es kann der Einfü
gungsverlust während der Sendung der Duplexerschaltung re
duziert werden. Da des weiteren die Anzahl N von Stufen der
Serienverbindung der FET's in dem gesperrten Zustand im
Vergleich mit derjenigen des ersten Gesichtspunkts der Er
findung erhöht ist, kann die übertragbare Leistung P des
Sendesignals erhöht werden.
Des weiteren enthält bei der Duplexerschaltung des
zweiten Gesichtspunkts der Erfindung die zweite Umschalte
schaltung vorzugsweise eine Mehrzahl von FET's, welche par
allel miteinander verbunden sind und jeweils während der
Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschal
tet werden bzw. sind. Dementsprechend kann durch Aufnahme
des Verstärkers mit geerdetem Source in die Sendezweig
schaltung der Duplexerschaltung die Chipgröße des durch In
tegrieren des Leistungsverstärkers mit der Duplexerschal
tung erlangten Chips spürbar reduziert werden, und es kann
der Einfügungsverlust während der Sendung der Duplexer
schaltung reduziert werden. Des weiteren kann die Impe
danzanpassung der Antenne an den Empfänger leichter erzielt
werden.
Des weiteren enthält bei der Duplexerschaltung des
zweiten Gesichtspunkts der Erfindung die zweite Umschalte
schaltung vorzugsweise eine Mehrzahl von FET's, welche in
Serie miteinander verbunden sind und jeweils während der
Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschal
tet werden bzw. sind. Dementsprechend kann durch Aufnahme
des Verstärkers mit geerdetem Source in die Sendezweig
schaltung der Duplexerschaltung die Chipgröße des durch In
tegrieren des Leistungsverstärkers mit der Duplexerschal
tung erlangten Chips spürbar reduziert werden, und es kann
der Einfügungsverlust während der Sendung der Duplexer
schaltung werden. Da des weiteren die Anzahl N von Stufen
der Serienverbindung der FET's in dem gesperrten Zustand im
Vergleich mit derjenigen des ersten und zweiten Gesichts
punkts der Erfindung erhöht ist, kann die übertragbare Lei
stung P des Sendesignals erhöht werden.
Des weiteren enthält bei der Duplexerschaltung des er
sten Gesichtspunkts der Erfindung die zweite Umschalte
schaltung vorzugsweise eine Mehrzahl von FET's, welche par
allel und in Serie miteinander verbunden sind und jeweils
während der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs
eingeschaltet werden bzw. sind. Dementsprechend kann durch
Aufnahme des Kaskodenleistungsverstärkers in die Sende
zweigschaltung der Duplexerschaltung die Chipgröße des
durch Integrieren des Leistungsverstärkers und der Duple
xerschaltung erlangten Chips spürbar reduziert werden, und
es kann der Einfügungsverlust während der Duplexerschaltung
reduziert werden. Des weiteren kann die Impedanzanpassung
der Antenne an den Empfänger leichter erzielt werden. Da
des weiteren die Anzahl N von Stufen der Serienverbindung
der FET's in dem gesperrten Zustand im Vergleich mit derje
nigen des ersten Gesichtspunkts der Erfindung erhöht ist,
kann die übertragbare Leistung P des Sendesignals erhöht
werden.
Des weiteren kann bei der Duplexerschaltung des dritten
Gesichtspunkts der Erfindung durch Aufnahme des Kaskoden
leistungsverstärkers in die Serienverbindungsschaltung der
Duplexerschaltung die Chipgröße des durch Integrieren des
Leistungsverstärkers mit der Duplexerschaltung erlangten
Chips spürbar reduziert werden, und es kann der Einfügungs
verluste während der Sendung der Duplexerschaltung reduziert
werden. Des weiten kann durch Aufnahme der zwei Kaskoden
leistungsverstärker in die Duplexerschaltung eine komplexer
Duplexerschaltung bereitgestellt werden, welche ein System
zweier unterschiedlicher Frequenzen ähnlich wie bei dem
Beispiel der sogenannten Dualbandvorrichtung angewandt wer
den kann.
Des weiteren enthält bei der Duplexerschaltung des
dritten Gesichtspunkts der vorliegenden Erfindung die drit
te Umschalteschaltung vorzugsweise eine Mehrzahl von FET's,
welche parallel miteinander verbunden sind und jeweils wäh
rend der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs
eingeschaltet werden bzw. sind. Dementsprechend kann durch
Aufnahme des Kaskodenleistungsverstärkers in die Sende
zweigschaltung der Duplexerschaltung die Chipgröße in dem
durch Integrieren des Leistungsverstärkers mit der Duple
xerschaltung erlangten Chips spürbar reduziert werden, und
es kann der Einfügungsverlust während der Sendung der Du
plexerschaltung reduziert werden. Des weiteren kann durch
Aufnahme der zwei Kaskodenleistungsverstärker in die Duple
xerschaltung eine kompakte Duplexerschaltung bereitgestellt
werden, welche auf ein System zweier unterschiedlicher Frequenzen
ähnlich wie beispielsweise bei dem sogenannten
Dualbandempfänger angewandt werden kann. Des weiteren kann
die Impedanzanpassung der Antenne an den Empfänger leichter
erzielt werden.
Des weiteren enthält bei der Duplexerschaltung des
dritten Gesichtspunkts der Erfindung die dritte Umschalte
schaltung vorzugsweise eine Mehrzahl von FET's, welche in
Serie miteinander verbunden sind und jeweils während der
Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschal
tet werden bzw. sind. Dementsprechend kann durch Aufnahme
des Kaskodenleistungsverstärkers in die Sendezweigschaltung
der Duplexerschaltung die Chipgröße in dem durch Integrier
en des Leistungsverstärkers mit der Duplexerschaltung er
langten Chips spürbar reduziert werden, und es kann der
Einfügungsverlust während der Sendung der Duplexerschaltung
reduziert werden. Des weiteren kann durch Aufnahme der zwei
Kaskodenleistungsverstärker in die Duplexerschaltung eine
komplexe Duplexerschaltung bereitgestellt werden, welche
auf ein System zweier unterschiedlicher Frequenzen ähnlich
wie bei dem sogenannten Dualbandempfänger angewandt werden.
Da des weiteren die Anzahl N von Stufen der Serienverbin
dung der FET's in dem gesperrten Zustand im Vergleich mit
derjenigen des ersten Gesichtspunkts der Erfindung erhöht
ist, kann die übertragbare Leistung P des Sendesignals er
höht werden.
Vorstehend wurde eine im Vergleich mit dem Stand der
Technik komplexe Duplexerschaltungsvorrichtung offenbart.
Die Duplexerschaltungsvorrichtung enthält (a) eine Sende
zweigschaltung, welche eine Umschalteschaltung enthält, die
zwischen einem Sender und einer Antenne angeschlossen ist
und während der Sendung eingeschaltet und während des Emp
fangs ausgeschaltet ist und (b) eine Empfangszweigschal
tung, welche eine zweite Umschalteschaltung enthält, die
zwischen einem Empfänger und der Antenne angeschlossen ist
und während der Sendung ausgeschaltet und während des Empfangs
eingeschaltet ist. Bei der Duplexerschaltungsvorrich
tung ist entweder der Sender oder der Empfänger selektiv an
die Antenne angeschlossen, und die Sendezweigschaltung ent
hält einen Kaskodenverstärker und eine Impedanzanpassungs
pule, welche zwischen dem Kaskodenverstärker und der Anten
ne angeschlossen ist. In diesem Fall kann der Kaskodensver
stärker durch einen Verstärker mit geerdetem Source ersetzt
werden, welcher lediglich durch den FET gebildet wird.
Claims (6)
1. Duplexerschaltung für einen Sende-Empfangsumschalter
mit
mindestens einer zwischen einem Sender (101) und einer Antenne (103) angeschlossenen Sendezweigschaltung, die eine Impedanzanpassungsspule (Ld) und einen ersten Schalter (F1, F2) enthält, der während des Sendens ein geschaltet und während des Empfangs ausgeschaltet ist; und mit
einer zwischen einem Empfänger (102) und der Antenne (103) angeschlossenen Empfangszweigschaltung, die einen zweiten Schalter (F3, F4) enthält, der während des Sendens ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste Umschalter durch einen Kaskodeleistungs verstärker (F1, F2) gebildet ist und die Impedanzanpas sungsspule (Ld) zwischen dem Kaskodeleistungsverstärker und der Antenne (103) angeschlossen ist.
mindestens einer zwischen einem Sender (101) und einer Antenne (103) angeschlossenen Sendezweigschaltung, die eine Impedanzanpassungsspule (Ld) und einen ersten Schalter (F1, F2) enthält, der während des Sendens ein geschaltet und während des Empfangs ausgeschaltet ist; und mit
einer zwischen einem Empfänger (102) und der Antenne (103) angeschlossenen Empfangszweigschaltung, die einen zweiten Schalter (F3, F4) enthält, der während des Sendens ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste Umschalter durch einen Kaskodeleistungs verstärker (F1, F2) gebildet ist und die Impedanzanpas sungsspule (Ld) zwischen dem Kaskodeleistungsverstärker und der Antenne (103) angeschlossen ist.
2. Duplexerschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch zwei oder eine Mehrzahl von Sendezweigschaltungen,
wobei die ersten Umschalter der Sendezweigschaltungen
während des Empfangs alle ausgeschaltet sind und minde
stens einer der ersten Umschalter während des Sendens
eingeschaltet ist.
3. Duplexerschaltung für einen Sende-Empfangsumschalter
mit
einer zwischen einem Sender (101) und einer Antenne (103) angeschlossenen Sendezweigschaltung, die eine Impe danzanpassungsspule (Ld) und einen ersten Schalter (F1, F2) enthält, der während des Sendens eingeschaltet und während des Empfangs ausgeschaltet ist; und mit
einer zwischen einem Empfänger (102) und der Antenne (103) angeschlossenen Empfangszweigschaltung, die einen zweiten Schalter (F3, F4) enthält, der während des Sen dens ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste Schalter durch einen als Verstärker arbei tenden Feldeffekttransistor mit geerdeter Source-Elektro de (F1) gebildet ist und die Impedanzanpassungsspule (Ld) zwischen dem Feldeffekttransistor mit geerdeter Source- Elektrode und der Antenne (103) angeschlossen ist.
einer zwischen einem Sender (101) und einer Antenne (103) angeschlossenen Sendezweigschaltung, die eine Impe danzanpassungsspule (Ld) und einen ersten Schalter (F1, F2) enthält, der während des Sendens eingeschaltet und während des Empfangs ausgeschaltet ist; und mit
einer zwischen einem Empfänger (102) und der Antenne (103) angeschlossenen Empfangszweigschaltung, die einen zweiten Schalter (F3, F4) enthält, der während des Sen dens ausgeschaltet und während des Empfangs eingeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste Schalter durch einen als Verstärker arbei tenden Feldeffekttransistor mit geerdeter Source-Elektro de (F1) gebildet ist und die Impedanzanpassungsspule (Ld) zwischen dem Feldeffekttransistor mit geerdeter Source- Elektrode und der Antenne (103) angeschlossen ist.
4. Duplexerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
der zweite Schalter eine Mehrzahl von Feldeffekt
transistoren (F3, F4) aufweist, die parallel miteinander
verbunden sind, und alle Feldeffekttransistoren während
des Sendens ausgeschaltet und während des Empfangs einge
schaltet sind.
5. Duplexerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
der zweite Umschalter eine Mehrzahl von Feldeffekt
transistoren (F3, F4) aufweist, die in Serie geschaltet
sind und die während des Sendens ausgeschaltet und wäh
rend des Empfangs eingeschaltet sind.
6. Duplexerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß
der zweite Schalter eine Mehrzahl von Feldeffekt
transistoren (F3, F4) aufweist, die parallel und in Serie
miteinander verbunden sind, und jeder der Feldeffekttran
sistoren derart betrieben wird, daß er während des
Sendens ausgeschaltet und während des Empfangs einge
schaltet ist. (Fig. 7)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00646898A JP3711193B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 送受信切り換え回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19832565A1 DE19832565A1 (de) | 1999-08-05 |
DE19832565C2 true DE19832565C2 (de) | 2002-03-07 |
Family
ID=11639297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19832565A Expired - Fee Related DE19832565C2 (de) | 1998-01-16 | 1998-07-20 | Mit einem Verstärker und einer Impedanzanpassungsspule ausgestattete Duplexerschaltung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6066993A (de) |
JP (1) | JP3711193B2 (de) |
DE (1) | DE19832565C2 (de) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8405147B2 (en) | 2005-07-11 | 2013-03-26 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink |
US8536636B2 (en) | 2007-04-26 | 2013-09-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand |
US8559907B2 (en) | 2004-06-23 | 2013-10-15 | Peregrine Semiconductor Corporation | Integrated RF front end with stacked transistor switch |
US8583111B2 (en) | 2001-10-10 | 2013-11-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US8604864B2 (en) | 2008-02-28 | 2013-12-10 | Peregrine Semiconductor Corporation | Devices and methods for improving voltage handling and/or bi-directionality of stacks of elements when connected between terminals |
US8742502B2 (en) | 2005-07-11 | 2014-06-03 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
US8954902B2 (en) | 2005-07-11 | 2015-02-10 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
US9397656B2 (en) | 2005-07-11 | 2016-07-19 | Peregrine Semiconductor Corporation | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
US9406695B2 (en) | 2013-11-20 | 2016-08-02 | Peregrine Semiconductor Corporation | Circuit and method for improving ESD tolerance and switching speed |
US9419565B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Hot carrier injection compensation |
US9590674B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-03-07 | Peregrine Semiconductor Corporation | Semiconductor devices with switchable ground-body connection |
USRE48965E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-03-08 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6366564B1 (en) * | 1996-09-26 | 2002-04-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment |
US20030112370A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-19 | Chris Long | Adaptive expanded information capacity for communications systems |
US20030140351A1 (en) * | 1998-04-17 | 2003-07-24 | Hoarty W. Leo | Cable television system compatible bandwidth upgrade using embedded digital channels |
JP3595769B2 (ja) * | 1999-03-15 | 2004-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及び通信装置 |
JP2001177433A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波複合部品及び移動体通信装置 |
US7020450B2 (en) * | 2000-09-05 | 2006-03-28 | Nec Corporation | Active inductors using bipolar silicon transistors |
US6496074B1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-12-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cascode bootstrapped analog power amplifier circuit |
KR100384399B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2003-05-22 | 주식회사 케이이씨 | 듀플렉서의 주파수 격리회로 |
FR2818054B1 (fr) * | 2000-12-08 | 2006-08-11 | St Microelectronics Sa | Tete d'emission-reception |
US20020177417A1 (en) * | 2001-05-25 | 2002-11-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Transmit/receive switch for an RF transceiver |
US7027790B2 (en) * | 2001-08-10 | 2006-04-11 | Broadcom Corporation | Transceiver front-end |
JP2003078441A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路装置および移動体通信装置 |
US7796969B2 (en) * | 2001-10-10 | 2010-09-14 | Peregrine Semiconductor Corporation | Symmetrically and asymmetrically stacked transistor group RF switch |
US7613442B1 (en) | 2001-10-10 | 2009-11-03 | Peregrine Semiconductor Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US6606001B1 (en) | 2001-10-25 | 2003-08-12 | National Semiconductor Corporation | High-speed current-mirror circuitry and method of operating the same |
US20030219085A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-11-27 | Endres Thomas J. | Self-initializing decision feedback equalizer with automatic gain control |
US7180942B2 (en) | 2001-12-18 | 2007-02-20 | Dotcast, Inc. | Joint adaptive optimization of soft decision device and feedback equalizer |
US6611218B1 (en) | 2002-01-09 | 2003-08-26 | Xilinx, Inc. | Transmitter with multiphase data combiner for parallel to serial data conversion |
US6933782B1 (en) | 2002-01-09 | 2005-08-23 | Xilinx, Inc. | Degenerative inductor-based gain equalization |
US6917336B2 (en) * | 2002-01-23 | 2005-07-12 | Dotcast, Inc. | Miniature ultra-wideband active receiving antenna |
US7869770B2 (en) * | 2002-12-17 | 2011-01-11 | M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. | Apparatus, methods and articles of manufacture for a multi-band switch |
US6940363B2 (en) * | 2002-12-17 | 2005-09-06 | Intel Corporation | Switch architecture using MEMS switches and solid state switches in parallel |
CN100365932C (zh) * | 2002-12-17 | 2008-01-30 | M/A-Com公司 | 用于多频带开关的装置、方法和制造产品 |
US7515882B2 (en) * | 2002-12-17 | 2009-04-07 | Kelcourse Mark F | Apparatus, methods and articles of manufacture for a multi-band switch |
JP2004207437A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Nec Corp | 接地スイッチ回路 |
WO2004075469A2 (en) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Dotcast Inc. | Joint, adaptive control of equalization, synchronization, and gain in a digital communications receiver |
US6774701B1 (en) * | 2003-02-19 | 2004-08-10 | Raytheon Company | Method and apparatus for electronic switching with low insertion loss and high isolation |
JP4137814B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2008-08-20 | ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 | スイッチ装置、スイッチ付電力増幅装置及び携帯通信端末装置 |
JP2005311447A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Toshiba Corp | スイッチ回路 |
US7619462B2 (en) * | 2005-02-09 | 2009-11-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Unpowered switch and bleeder circuit |
US9653601B2 (en) | 2005-07-11 | 2017-05-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
CN101228694B (zh) * | 2005-08-09 | 2010-12-08 | 日立金属株式会社 | 高频开关电路 |
JP4877572B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2012-02-15 | 横河電機株式会社 | サンプラー |
JP4939125B2 (ja) | 2006-06-29 | 2012-05-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置および高周波モジュール |
JP2008118624A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅装置 |
JP2009159059A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高周波スイッチ回路 |
DE102008000473B4 (de) * | 2008-02-29 | 2016-04-28 | Maxim Integrated Gmbh | Front-End für RF-Sende-Empfangsanlagen mit implizierter Richtungs-Steuerung und Zeitmultiplex-Verfahren in Submikron-Technologie |
FR2935568B1 (fr) * | 2008-08-29 | 2010-09-03 | Thales Sa | Duplexeur actif hyperfrequence commande |
US7936237B2 (en) * | 2008-11-04 | 2011-05-03 | Redpine Signals, Inc. | Multi-band transmit-receive switch for wireless transceiver |
JP5237842B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2013-07-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8723260B1 (en) | 2009-03-12 | 2014-05-13 | Rf Micro Devices, Inc. | Semiconductor radio frequency switch with body contact |
US8451044B2 (en) * | 2009-06-29 | 2013-05-28 | Sige Semiconductor, Inc. | Switching circuit |
JP5267407B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2013-08-21 | 富士通株式会社 | 増幅回路及び通信装置 |
JP2011193191A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路およびそれを内蔵した高周波モジュール |
US8626084B2 (en) | 2010-05-13 | 2014-01-07 | Qualcomm, Incorporated | Area efficient concurrent matching transceiver |
JP5772581B2 (ja) | 2011-12-28 | 2015-09-02 | 三菱電機株式会社 | スイッチ回路 |
US8829967B2 (en) | 2012-06-27 | 2014-09-09 | Triquint Semiconductor, Inc. | Body-contacted partially depleted silicon on insulator transistor |
US8729952B2 (en) | 2012-08-16 | 2014-05-20 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with non-negative biasing |
JP5743983B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2015-07-01 | 株式会社東芝 | 送受切替回路、無線装置および送受切替方法 |
US8847672B2 (en) | 2013-01-15 | 2014-09-30 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with resistive divider |
US9214932B2 (en) | 2013-02-11 | 2015-12-15 | Triquint Semiconductor, Inc. | Body-biased switching device |
US8977217B1 (en) | 2013-02-20 | 2015-03-10 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with negative bias circuit |
US8923782B1 (en) | 2013-02-20 | 2014-12-30 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with diode-biased field-effect transistor (FET) |
US9203396B1 (en) | 2013-02-22 | 2015-12-01 | Triquint Semiconductor, Inc. | Radio frequency switch device with source-follower |
EP2784816A1 (de) | 2013-03-28 | 2014-10-01 | Nxp B.V. | Kaskodenhalbleiterbauelement |
JP6410007B2 (ja) * | 2013-12-16 | 2018-10-24 | 株式会社村田製作所 | カスコード増幅器 |
US9379698B2 (en) | 2014-02-04 | 2016-06-28 | Triquint Semiconductor, Inc. | Field effect transistor switching circuit |
US9831857B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-11-28 | Peregrine Semiconductor Corporation | Power splitter with programmable output phase shift |
DE112016002477T5 (de) | 2015-06-03 | 2018-02-15 | Sony Corporation | Signalverarbeitungsvorrichtung |
US9705482B1 (en) | 2016-06-24 | 2017-07-11 | Peregrine Semiconductor Corporation | High voltage input buffer |
US9948281B2 (en) | 2016-09-02 | 2018-04-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Positive logic digitally tunable capacitor |
JP2018050127A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体スイッチ |
US10236872B1 (en) | 2018-03-28 | 2019-03-19 | Psemi Corporation | AC coupling modules for bias ladders |
US10886911B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-01-05 | Psemi Corporation | Stacked FET switch bias ladders |
US10505530B2 (en) | 2018-03-28 | 2019-12-10 | Psemi Corporation | Positive logic switch with selectable DC blocking circuit |
JP2020107967A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路及び電力増幅モジュール |
US11476849B2 (en) | 2020-01-06 | 2022-10-18 | Psemi Corporation | High power positive logic switch |
WO2022137799A1 (ja) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 送受信切替回路、および、無線通信端末 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2426506A1 (de) * | 1974-05-31 | 1975-12-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Funk- sende/empfangsgeraet |
US5054114A (en) * | 1988-09-27 | 1991-10-01 | Rockwell International Corporation | Broadband RF transmit/receive switch |
DE19644448A1 (de) * | 1996-01-22 | 1997-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | Integrierte Schaltung |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4637073A (en) * | 1984-06-25 | 1987-01-13 | Raytheon Company | Transmit/receive switch |
JPH01103930U (de) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | ||
JPH04122129A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Hitachi Ltd | 移動無線通信装置 |
US5477184A (en) * | 1992-04-15 | 1995-12-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Fet switching circuit for switching between a high power transmitting signal and a lower power receiving signal |
JP2848502B2 (ja) * | 1992-04-24 | 1999-01-20 | 日本電信電話株式会社 | マイクロ波半導体スイッチ |
JPH05308233A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波増幅装置 |
DE4222190A1 (de) * | 1992-07-07 | 1994-01-13 | Philips Patentverwaltung | Funkgerät mit einer Antennenumschaltvorrichtung |
JPH06224647A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-08-12 | Sharp Corp | 増幅回路 |
JPH0823270A (ja) * | 1994-07-08 | 1996-01-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波スイッチ |
JP3169775B2 (ja) * | 1994-08-29 | 2001-05-28 | 株式会社日立製作所 | 半導体回路、スイッチ及びそれを用いた通信機 |
EP0700169B1 (de) * | 1994-08-30 | 2003-03-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sende-/Empfangsumschaltes für Radiokommunikationsgerät |
JPH0955681A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 時分割複信送受信装置 |
JP3249393B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2002-01-21 | 株式会社東芝 | スイッチ回路 |
EP0878918A4 (de) * | 1995-12-18 | 2002-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Funkkommunikationssende-empfänger und integrierte halbleiterschaltung |
US5777530A (en) * | 1996-01-31 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Switch attenuator |
DE19704151C1 (de) * | 1997-02-04 | 1998-08-27 | Siemens Ag | Sende-Empfangs-Umschalteanordnung |
US5883541A (en) * | 1997-03-05 | 1999-03-16 | Nec Corporation | High frequency switching circuit |
-
1998
- 1998-01-16 JP JP00646898A patent/JP3711193B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-10 US US09/113,284 patent/US6066993A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-20 DE DE19832565A patent/DE19832565C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2426506A1 (de) * | 1974-05-31 | 1975-12-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Funk- sende/empfangsgeraet |
US5054114A (en) * | 1988-09-27 | 1991-10-01 | Rockwell International Corporation | Broadband RF transmit/receive switch |
DE19644448A1 (de) * | 1996-01-22 | 1997-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | Integrierte Schaltung |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8583111B2 (en) | 2001-10-10 | 2013-11-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US9225378B2 (en) | 2001-10-10 | 2015-12-29 | Peregrine Semiconductor Corpopration | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US8649754B2 (en) | 2004-06-23 | 2014-02-11 | Peregrine Semiconductor Corporation | Integrated RF front end with stacked transistor switch |
US9369087B2 (en) | 2004-06-23 | 2016-06-14 | Peregrine Semiconductor Corporation | Integrated RF front end with stacked transistor switch |
US8559907B2 (en) | 2004-06-23 | 2013-10-15 | Peregrine Semiconductor Corporation | Integrated RF front end with stacked transistor switch |
US9397656B2 (en) | 2005-07-11 | 2016-07-19 | Peregrine Semiconductor Corporation | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
US8742502B2 (en) | 2005-07-11 | 2014-06-03 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
US8954902B2 (en) | 2005-07-11 | 2015-02-10 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
USRE48965E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-03-08 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
US9087899B2 (en) | 2005-07-11 | 2015-07-21 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
US8405147B2 (en) | 2005-07-11 | 2013-03-26 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink |
US9130564B2 (en) | 2005-07-11 | 2015-09-08 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink |
US8536636B2 (en) | 2007-04-26 | 2013-09-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand |
US9177737B2 (en) | 2007-04-26 | 2015-11-03 | Peregrine Semiconductor Corporation | Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand |
US9197194B2 (en) | 2008-02-28 | 2015-11-24 | Peregrine Semiconductor Corporation | Methods and apparatuses for use in tuning reactance in a circuit device |
US8669804B2 (en) | 2008-02-28 | 2014-03-11 | Peregrine Semiconductor Corporation | Devices and methods for improving voltage handling and/or bi-directionality of stacks of elements when connected between terminals |
US9293262B2 (en) | 2008-02-28 | 2016-03-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Digitally tuned capacitors with tapered and reconfigurable quality factors |
US9106227B2 (en) | 2008-02-28 | 2015-08-11 | Peregrine Semiconductor Corporation | Devices and methods for improving voltage handling and/or bi-directionality of stacks of elements when connected between terminals |
US8604864B2 (en) | 2008-02-28 | 2013-12-10 | Peregrine Semiconductor Corporation | Devices and methods for improving voltage handling and/or bi-directionality of stacks of elements when connected between terminals |
US9024700B2 (en) | 2008-02-28 | 2015-05-05 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device |
US9590674B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-03-07 | Peregrine Semiconductor Corporation | Semiconductor devices with switchable ground-body connection |
US9419565B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Hot carrier injection compensation |
US9406695B2 (en) | 2013-11-20 | 2016-08-02 | Peregrine Semiconductor Corporation | Circuit and method for improving ESD tolerance and switching speed |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19832565A1 (de) | 1999-08-05 |
US6066993A (en) | 2000-05-23 |
JPH11205188A (ja) | 1999-07-30 |
JP3711193B2 (ja) | 2005-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19832565C2 (de) | Mit einem Verstärker und einer Impedanzanpassungsspule ausgestattete Duplexerschaltung | |
DE102015106509B4 (de) | System und Verfahren für eine integrierte Hochfrequenzschaltung | |
DE69434419T2 (de) | Antennenschalter | |
DE69834679T2 (de) | Antennenweiche | |
DE69835937T2 (de) | Zweifrequenzschalter, anordnung mit gemeinsamer zweifrequenzantenne und mobile zweifrequenz-funkübertragungsausrüstung damit | |
DE69636269T2 (de) | Schaltkreis | |
DE69529869T2 (de) | Sende-/Empfangsumschaltes für Radiokommunikationsgerät | |
DE10105942B4 (de) | Einpoliger Umschalter und Kommunikationseinheit unter Verwendung desselben | |
DE112009005411B4 (de) | Leistungsverstärkerschaltung und Anpassungsschaltung | |
DE4343719C2 (de) | Hochfrequenzschalter | |
DE10150159B4 (de) | Impedanzanpassungsschaltung für einen Mehrband-Leisungsverstärker | |
DE102015108819A1 (de) | System und Verfahren für einen Hochfrequenz-Schalter | |
DE19853484A1 (de) | Hochfrequente Schalteinrichtung | |
DE112019000639T5 (de) | Split-LNA mit Drain-Sharing | |
DE102009004720A1 (de) | Impedanzanpass-Schaltung zur Anpassung von Planarantennen | |
DE112016000525T5 (de) | Funkfrequenz-Schaltkreis mit verteilten Schaltern | |
DE19752216C2 (de) | Mit einem Verstärker und einem Trennfilter ausgerüstete Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung | |
DE102011006269A1 (de) | Hochfrequenzumschaltanordnung, Sender und Verfahren | |
DE10102891A1 (de) | Hochleistungsverstärker mit Verstärkerelement, dazugehörige Funkübertragungseinrichtung und Meßeinrichtung dafür | |
DE60009651T2 (de) | Hochfrequenzschalter | |
DE102020110568A1 (de) | Hochleistungs-hochfrequenz-schalter mit niedrigem leckstrom und niedriger einfügungsdämpfung | |
DE2837817A1 (de) | Vorspannungsschaltung | |
DE68907456T2 (de) | Halbleiterschalter für Mikrowellen. | |
DE102015204606A1 (de) | Sende- und Empfangsschaltung zum Übermitteln von differentiellen und single-ended Signalen über Übertragungsleitungen | |
DE60037147T2 (de) | Sende-Empfangsumschalter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |