DE19749987A1 - Gehäuse für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Leistungsbauelemente - Google Patents
Gehäuse für Halbleiterbauelemente, insbesondere für LeistungsbauelementeInfo
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Description
- - Oxidieren einer Kupferfolie derart, daß sich eine gleichmäßige Kupferoxidschicht ergibt,
- - Auflegen des Kupferfolie auf die Keramikschicht;
- - Erhitzen des Verbundes auf eine Prozeßtemperatur zwischen etwa 1070 bis 1075°C, z. B. auf ca. 1071°C;
- - Abkühlen auf Raumtemperatur.
Claims (16)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19749987A DE19749987B4 (de) | 1997-07-11 | 1997-11-12 | Gehäuse für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Leistungshalbleiterbauelemente |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997129677 DE19729677B4 (de) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | Gehäuse für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Leistungshalbleiterbauelemente |
DE19749987A DE19749987B4 (de) | 1997-07-11 | 1997-11-12 | Gehäuse für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Leistungshalbleiterbauelemente |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19749987A1 true DE19749987A1 (de) | 1999-06-02 |
DE19749987B4 DE19749987B4 (de) | 2008-09-25 |
Family
ID=26038215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19749987A Expired - Fee Related DE19749987B4 (de) | 1997-07-11 | 1997-11-12 | Gehäuse für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Leistungshalbleiterbauelemente |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19749987B4 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1104024A2 (de) * | 1999-11-29 | 2001-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Halbleitergehäuse und seine Herstellung |
DE102004024920A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-15 | Trafag Ag | Verfahren zum Herstellen eines Sensors oder Aktors sowie damit herstellbarer Sensor oder Aktor |
WO2009144224A1 (de) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Epcos Ag | Hermetisch geschlossenes gehäuse für elektronische bauelemente und herstellungsverfahren |
CN104603933A (zh) * | 2012-08-31 | 2015-05-06 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板及功率模块 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3744120A (en) * | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
DE2319854C2 (de) * | 1972-04-20 | 1983-12-29 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Verfahren zum direkten Verbinden eines Metallteiles mit einem aus nichtmetallischem Material bestehenden Substraten |
US4646129A (en) * | 1983-09-06 | 1987-02-24 | General Electric Company | Hermetic power chip packages |
DE4010370A1 (de) * | 1989-04-12 | 1990-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterbauteil mit plattierter waermesenke und verfahren zu dessen herstellung |
US5057376A (en) * | 1988-11-15 | 1991-10-15 | Asahi Glass Company Ltd. | Hybrid package, glass ceramic substrate for the hybrid package, and composition for the glass ceramic substrate |
US5148264A (en) * | 1990-05-02 | 1992-09-15 | Harris Semiconductor Patents, Inc. | High current hermetic package |
DE4338706A1 (de) * | 1993-08-24 | 1995-05-04 | Schulz Harder Juergen | Mehrschicht-Substrat |
DE4444680A1 (de) * | 1994-12-15 | 1996-06-27 | Schulz Harder Juergen | Mehrfachsubstrat für elektrische Bauelemente, insbesondere für Leistungs-Bauelemente |
EP0743131A1 (de) * | 1995-05-17 | 1996-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Metallkeramik Verbindung |
-
1997
- 1997-11-12 DE DE19749987A patent/DE19749987B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3744120A (en) * | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
DE2319854C2 (de) * | 1972-04-20 | 1983-12-29 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Verfahren zum direkten Verbinden eines Metallteiles mit einem aus nichtmetallischem Material bestehenden Substraten |
US4646129A (en) * | 1983-09-06 | 1987-02-24 | General Electric Company | Hermetic power chip packages |
US5057376A (en) * | 1988-11-15 | 1991-10-15 | Asahi Glass Company Ltd. | Hybrid package, glass ceramic substrate for the hybrid package, and composition for the glass ceramic substrate |
DE4010370A1 (de) * | 1989-04-12 | 1990-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterbauteil mit plattierter waermesenke und verfahren zu dessen herstellung |
US5148264A (en) * | 1990-05-02 | 1992-09-15 | Harris Semiconductor Patents, Inc. | High current hermetic package |
DE4338706A1 (de) * | 1993-08-24 | 1995-05-04 | Schulz Harder Juergen | Mehrschicht-Substrat |
DE4444680A1 (de) * | 1994-12-15 | 1996-06-27 | Schulz Harder Juergen | Mehrfachsubstrat für elektrische Bauelemente, insbesondere für Leistungs-Bauelemente |
EP0743131A1 (de) * | 1995-05-17 | 1996-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Metallkeramik Verbindung |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
BURGESS, J.F., et al., in: Solid State Technology, May 1975, S. 42-44 * |
INTRATER, J., in: MACHINE DESIGN, Bd. 61, November 23, 1989, S. 95-100 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1104024A2 (de) * | 1999-11-29 | 2001-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Halbleitergehäuse und seine Herstellung |
DE102004024920A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-15 | Trafag Ag | Verfahren zum Herstellen eines Sensors oder Aktors sowie damit herstellbarer Sensor oder Aktor |
DE102004024920B4 (de) * | 2004-05-19 | 2009-06-10 | Trafag Ag | Drucksensor |
WO2009144224A1 (de) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Epcos Ag | Hermetisch geschlossenes gehäuse für elektronische bauelemente und herstellungsverfahren |
US8759677B2 (en) | 2008-05-27 | 2014-06-24 | Epcos Ag | Hermetically sealed housing for electronic components and manufacturing method |
CN104603933A (zh) * | 2012-08-31 | 2015-05-06 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板及功率模块 |
US20150223317A1 (en) * | 2012-08-31 | 2015-08-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Power-module substrate and power module |
EP2892074A4 (de) * | 2012-08-31 | 2016-04-13 | Mitsubishi Materials Corp | Strommodulsubstrat und strommodul |
US9615442B2 (en) | 2012-08-31 | 2017-04-04 | Mitsubishi Materials Corporation | Power module substrate and power module |
CN104603933B (zh) * | 2012-08-31 | 2018-09-18 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板及功率模块 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19749987B4 (de) | 2008-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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AF | Is addition to no. |
Ref country code: DE Ref document number: 19729677 Format of ref document f/p: P |
|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 2315 |
|
8178 | Suspension cancelled | ||
AF | Is addition to no. |
Ref document number: 19729677 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: CURAMIK ELECTRONICS GMBH, 92676 ESCHENBACH, DE |
|
AF | Is addition to no. |
Ref document number: 19729677 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRAF GLUECK KRITZENBERGER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: ROGERS GERMANY GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: CURAMIK ELECTRONICS GMBH, 92676 ESCHENBACH, DE Effective date: 20140729 |
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R082 | Change of representative |
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R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
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