DE4444680A1 - Mehrfachsubstrat für elektrische Bauelemente, insbesondere für Leistungs-Bauelemente - Google Patents

Mehrfachsubstrat für elektrische Bauelemente, insbesondere für Leistungs-Bauelemente

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Mehrfachsubstrat gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1 oder 14.
Gehäuse sind bekannt, bei denen der Gehäuseboden aus mehreren Schichten und Lagen besteht, von denen die unterste, die Außenfläche des Gehäusebodens bildende Lage eine Kupferlage ist, mit der das Gehäuse an einer Grundplatte oder an einem Kühlkörper befestigt werden kann. Eine zweite Kupferlage bildet die aus dem Gehäuse herausgeführten elektrischen Anschlüsse und eine dritte Kupferlage das Layout für Kontakt und/oder Montageflächen für die Bauelemente (beispielsweise Chips) sowie für Leiterbahnen. Durch jeweils eine Keramikschicht oder Keramiklage sind die Kupferlagen voneinander getrennt. Auf der das Layout für die Kontakt- und/oder Montageflächen sowie Leiterbahnen bildenden Kupferlage ist ein rahmenartiges Gehäuseteil befestigt, welches den Gehäuseraum zur Aufnahme der Bauelemente am Umfang des Gehäuses umschließt. Dieser Raum wird nach der Montage der Halbleiterbauelemente durch einen Gehäusedeckel verschlossen und/oder mit einem geeigneten Material (Kunststoff) ausgegossen.
Der grundsätzliche Vorteil dieses Gehäuses gegenüber anderen Gehäuseformen besteht darin, daß die Metallage für das Layout der Kontakt- und Montageflächen und der Leiterbahnen und die Kupferlage für die seitlich aus dem Gehäuse herausgeführten Anschlüsse in verschiedenen Ebenen vorgesehen sind, so daß die erstgenannte Kupferlage für das Layout tatsächlich auch vollständig genutzt werden kann und die Möglichkeit besteht, dieses Layout weitestgehend unabhängig von den Anschlüssen zu gestalten. Die elektrische Verbindung zwischen den Leiterbahnen und den Anschlüssen erfolgt durch elektrische Durchkontaktierungen in der dazwischenliegenden Keramiklage. Ein weiterer grundsätzlicher Vorteil dieses Gehäuses besteht auch darin, daß die Anschlüsse gasdicht aus dem Gehäuse herausgeführt werden können, der gesamte Innenraum des Gehäuse also hermetisch verschlossen ist.
Diese Art des Gehäuses läßt sich auch relativ einfach und preiswert fertigen. Nachteilig ist aber, daß wenigstens zwei Keramiklagen notwendig sind, was eine verschlechterte Wärmeleitfähigkeit bei Ableiten der Verlustwärme von den Bauelementen bzw. Kontakt­ und/oder Montageflächen an die die Außenfläche des Gehäusebodens bildende erste Metallage zur Folge hat.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Mehrfachsubstrat aufzuzeigen, welches in DCB-Technik hergestellt werden kann und die vorgenannten Nachteile nicht aufweist bzw. eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit besitzt.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Mehrfachsubstrat entsprechend dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 oder 14 ausgebildet.
Durch die wenigstens eine thermische Brücke zwischen den Metalliesierungen und speziell bei einem Gehäuse zwischen der Metallisierung und der ersten Metallage, wird eine weitestgehende thermische Überbrückung zumindest einer Keramiklage erreicht, wodurch die thermische Leitfähigkeit zur Ableitung der Verlustwärme insgesamt wesentlich verbessert wird.
Bei der Erfindung sind die Metallagen vorzugsweise wiederum solche aus Kupfer.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist zwischen der die elektrischen, aus dem Gehäuse herausgeführten Anschlüsse bildenden Metallage und der das Layout für die Kontakt- und Montageflächen sowie für die Leiterbahnen bildenden Metallage eine Keramikschicht oder -lage vorgesehen, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, beispielsweise AlN oder BeO, deren mechanische Festigkeit (Bruchfestigkeit) aber gering ist. Um dennoch für das Gehäuse insgesamt die erforderliche mechanische Stabilität zu erreichen, ist die zwischen der ersten Metallage und der zweiten Metallage vorgesehene Keramikschicht aus einer besonders hochbelastbaren Keramik, wie beispielsweise ZrO₂, die mit Y₂O₃ stabilisiert ist, hergestellt, die allerdings eine geringere thermische Leitfähigkeit besitzt, was sich aber durch die wenigstens eine thermische Brücke nicht nachteilig auswirkt.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird in Folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 in vereinfachter perspektivischer Explosionsdarstellung die einzelnen Elemente einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Gehäuses;
Fig. 2 in perspektivischer Darstellung das Gehäuse in zusammengebauten Zustand;
Fig. 3 in vergrößerter Darstellung einen Schnitt durch die erste Keramik-Lage;
Fig. 4 in vereinfachter Darstellung die zweite metallage bei einer weiteren Ausführungsform;
Fig. 5 einem Schnitt entsprechend der Linie I-I der Fig. 4;
Fig. 6-9 in vereinfachter Darstellung und im Schnitt, weitere mögliche Ausführungsformen von thermischen Brücken.
Das in den Fig. 1 und 2 dargestellte Gehäuse G besteht im wesentlichen aus einer ersten, flachen Schicht oder Lage 1 aus Kupfer, aus einer zweiten flachen Schicht oder Lage 2 aus Keramik, aus einer dritten Lage 3 aus Kupfer, aus einer vierten Lage 4 aus Keramik, aus einer Lage 5 aus Kupfer sowie aus einem aus Kupfer oder Keramik hergestellten einen quadratischen Rahmen bildenden Gehäuseelemente 6. Die vorgenannten Elemente des Gehäuses G sind in der in den Bezugsziffern entsprechenden Reihenfolge übereinander angeordnet und zu dem Gehäuse miteinander verbunden, und zwar durch die dem Fachmann bekannte DCB-Technik, wobei die Lagen 1, 2, 4 und 5 in ihren äußeren Abmessungen jeweils den Abmessungen entsprechen, die das Gehäuseelement 6 in Draufsicht aufweist. Im einzelnen bildet die Lage 3 mehrere Anschlüsse 7, die über zwei voneinander abgewandte Umfangsseiten des Gehäuses G vorstehen. In der Mitte bildet die Lage 3 eine rechteckförmige Metallisierung 8, die selbstverständlich von den inneren Abständen der Anschlüsse 7 jeweils getrennt ist.
An den die Anschlüsse 7 nicht aufweisenden Seiten bildet die Lage 3 jeweils eine langgestreckte bzw. leistenartige Metallisierung 9, die mit ihrer außenliegenden Längsrand bei fertiggestellten Gehäuse G in einer Ebene mit der betreffenden Außenseite des Gehäuses liegt.
Die Lage 5 bildet elektrische Kontakt- oder Montageflächen 10 für nicht dargestellte elektrische Bauelemente, insbesondere Leistungs-Bauelemente sowie Leiterbahnen 10′. Letztere sind über Durchkontaktierungen in der Lage 4 aus Keramik mit den Anschlüssen 7 verbunden. Jede dieser Durchkontaktierungen ist jeweils durch einen Körper 1 2 aus Kupfer gebildet, der in eine Öffnung oder Bohrung 13 der Lage 4 eingesetzt und ebenfalls unter Verwendung der DCB- Technik jeweils mit einer Leiterbahn 10′ und einem Anschluß 7 verbunden ist. Die Lage 5 bildet weiterhin einen äußeren Metallrahmen 11.
Die thermische Verlustleitung der in dem Gehäuse G bzw. auf den Kontakt- und Montageflächen 10 angeordneten Bauelemente wird über die aus Keramik bestehende Lage 4, die Metallisierung 8, die Lage 2 und die aus Kupfer bestehende Lage 1 an einen Kühlkörper abgeführt, auf dem das Gehäuse G mit der Lage 1 befestigt ist.
Um diese Wärmeableitung zu verbessern, sind in der Lage 2 unterhalb der Metallisierung 8 mehrere Öffnungen oder Bohrungen 14 vorgesehen, von denen jede einen Körper 15 aus Kupfer aufnimmt. Die Körper 12 und 15 sind bei der dargestellten Ausführungsform Kugeln, die ebenso, wie alle übrigen, aus Kupfer bestehenden Teile des Gehäuses G für den DBC-Prozeß an den Oberflächen eine Schicht aus Kupferoxid aufweisen. Um zu gewährleisten, daß die Körper 12 und 15 jeweils in Richtung der Dicke der Lagen 2 bzw. 4 exakt die gleiche Abmessung wie die Dicke dieser Lagen aufweisen, werden diese Körper vorzugsweise nach dem Einsetzen in die entsprechende Öffnung 13 bzw. 14 durch bleibende Verformung auf das exakte Maß der Dicke der Lage 2 bzw. 4 gebracht, wie dies in der Fig. 3 für die Körper 15 in der Lage 2 angedeutet ist. Hierbei wird beispielsweise so verfahren, daß vor dem Einsetzen der Körper 15 in die Öffnungen 14 zunächst die Lage 1 mit der Lage 2 unter Verwendung des DCB-Prozesses verbunden wird. Anschließend werden die Körper 15 in die Öffnungen 14 eingesetzt und mittels eines oberen Stempels 16 und eines unteren Gegenstempels 17 werden die eingesetzten Körer 15 so flach gedrückt bzw. beleibend verformt, daß sie exakt das Maß der Dicke der Schicht bzw. Lage 2 aufweisen, also auch die Lage 3 bzw. die dortigen Metallisierung 8 absolut flach und flächig auf der Oberseite der Schicht 2 aufliegend an dieser befestigt werden kann, und zwar unter Sicherstellung einer einwandfreien Verbindung jedes Körpers 15 mit der Unterseite der Metallisierung 8 zur Herstellung einer einwandfreien thermischen Brücke zwischen dieser Metallisierung und der unteren Lage 1.
In gleicher Weise wie die Körper 15 werden auch die Körper 12 durch bleibende Verformung auf das genaue Maß der Dicke der Lage 4 gebracht. Hierfür wird beispielsweise so vorgegangen, daß zunächst die Lage 5 auf der Oberseite der Lage 4 mittels des DCB- Verfahrens flächig befestigt wird. Anschließend werden die Körper 12 in die Öffnungen 13 eingesetzt und auch das Maß der Dicke der Lage 4 verformt, so daß bei Sicherstellung einer einwandfreien Durchkontaktierung zugleich auch gewährleistet ist, daß sowohl die Leiterbahnen 11 als auch die Anschlüsse 7 einwandfrei und flächig mit der Oberseite und Unterseite der Lage 4 verbunden sind, und zwar bei fertiggestellten Gehäuse G und insbesondere auch im Bereich der jeweiligen Öffnung 13.
Während die Körper 12 eine elektrische Durchkontaktierung bzw. elektrische Verbindung zwischen den Leiterbahnen 11 und den Anschlüssen 7 bewirken, dienen die Körper 15 nur zur Herstellung einer thermischen Brücke zwischen der Metallisierung 8 und der Lage 1.
Die erfindungsgemäße Ausbildung gestattet die Herstellung des Gehäuses G in relativ einfacher Weise bei einer wesentlichen Verbesserung der thermischen Leitfähigkeit bzw. der Abführung von Verlustwärme von den im Gehäuse untergebrachten elektrischen Bauelementen. Beträgt beispielsweise der Anteil der von den Körpern 15 gebildeten Fläche 20% der Gesamtfläche der für die Wärmeübertragung maßgeblichen Fläche der Schicht 2, und besteht beispielsweise die Schicht 2 aus einer Aluminiumoxid-Keramik (Al₂O₃), die eine thermische Leitfähigkeit von etwa 20 W/m K aufweist, so erhöht sich die Wärmeleitfähigkeit dieser Schicht oder Lage auf 96 W/mK.
Da die Öffnungen 14 in der Schicht oder Lage 2 nur einen Teil der Gesamtfläche dieser Lage einnehmen, bleiben die mechanischen Eigenschaften, aber auch die thermomechanischen Eigenschaften der Aluminiumoxid-Keramik der Lage 2 erhalten, so daß sich ein robustes Gehäuse mit wesentlich verbesserter Wärmeableiteigenschaften für die Verlustleistung der Halbleiterbauelemente, insbesondere der Leistungs-Bauelemente bei der Möglichkeit einer vereinfachten Herstellung und der Möglichkeit ergibt, die Metallisierung bzw. Lage 5 vollständig für das Layout der Kontaktflächen 10 und Leiterbahnen 10′ zu nutzen, und zwar in einer von den Anschlüssen 7 weitestgehend unabhängigen Konfiguration.
Ein weiterer Vorteil des beschriebenen Gehäuses besteht auch darin, daß unter Aufrechterhaltung der für ein robustes Gehäuse notwendigen mechanischen Eigenschaften eine Wärmeableitung erreicht wird, die bei Gehäuseabmessungen von 10 × 10 mm Grundfläche eine Ableitung von 100 Watt Verlustleistung ermöglicht, so daß Gehäuse mit kleinen Abmessungen selbst für Halbleiterbauelemente oder Schaltkreise mit hoher Leistung unter Verwendung der preiswerten und auch aus dem Gesichtspunkt der Umweltbelastung vorteilhaften Aluminiumoxid-Keramik (Al₂O₃) realisiert werden können.
Grundsätzlich besteht aber die Möglichkeit, die Lage 4 aus einer Keramik herzustellen, die eine höhere Wärmeleitfähigkeit aufweist, beispielsweise aus einer Aluminiumnitrid-Keramik (AlN) oder aber aus (BeO). Weiterhin besteht die Möglichkeit, die Lage 2 aus einer Keramik herzustellen, die zwar eine hohe mechanische Festigkeit aufweist, deren thermische Leitfähigkeit aber gering ist, beispielsweise aus ZrO₂ (mit Y₂O₃ stabilisiert) mit einer Bruchfestigkeit größer als 800 N/mm².
Die Fig. 4 zeigt in vereinfachter perspektivischer Darstellung nochmals zwei von der Lage 3 gebildete Anschlüsse 7 und eine ebenfalls von dieser Lage gebildete Metallisierung 8a bei einer weiteren möglichen Ausführungsform. In der Fig. 5 ist ein Schnitt durch die Metallisierung 8a entsprechend der Linie I-I wiedergegeben. Die Metallisierung 8a entspricht insoweit der Metallisierung 8, als sie ebenfalls einen rechteckförmigen Zuschnitt aufweist. Allerdings ist in der Metallisierung 8a entlang der Umfangslinie bzw. des Randes und von diesem beabstandet ein durchgehender, in sich geschlossener bzw. umlaufender Schlitz oder Spalt 18 gebildet so daß die Metallisierung 8 aus einem inneren Flächenabschnitt 1 9 und aus einem äußeren, rechteckförmigen den inneren Abschnitt umschließenden Rahmen 20 besteht. Die Öffnungen 14 mit den Körpern 15 sind dann nur im Bereich der Fläche 19 vorgesehen. Hierdurch wird eine verbesserte elektrische Spannungsfestigkeit zwischen den Anschlüssen 7 und der unteren Lage bzw. Metallisierung 1 erreicht.
Die elektrischen Leistungsbauelemente sind in Fig. 1 mit 21 mit unterbrochenen Linien angedeutet. Weiterhin zeigt die Fig. 1 auch den das Gehäuse an der Oberseite hermetisch bzw. gasdicht abschließenden Deckel 22, der beispielsweise auf das Gehäuseteil 6 aufgeschweißt ist (Laserschweißen). Der Durchmesser D der Öffnungen 14 ist maximal 3 × d, wobei d die Dicke der Lage 2 ist. Bei der dargestellten Ausführungsform ist die Dicke d etwa 0,25 bis 2,0 mm. Die Schichtdicke der Lage 4 ist dabei etwa im Bereich zwischen 0,1 bis 1,0 mm.
Die Fig. 6-9 zeigen jeweils in sehr vereinfachter Schnittdarstellung weitere Ausführungsformen von thermischen Brücken, die in der Lage 2 anstelle der von den Körpern 15 gebildeten Brücken oder zusätzlich zu diesen vorgesehen sind und jeweils aus Diamant bestehen.
Bei der in der Fig. 6 wiedergegebenen Ausführungsform sind anstelle der Öffnung 14 Öffnungen 14a vorgesehen, die einen sich nach oben hin kegelstumpfförmig erweiternden Querschnitt aufweist.
Beidseitig auf die Lage 2 wird jeweils eine Diamantlage 23 aufgebracht, und zwar durch Abscheiden aus der Gasphase nach dem PVD-Verfahren (Plasma-Vakuum-Dampf-Verfahren). Durch die Ausbildung der Öffnungen 14a ist gewährleistet, daß die beiden Diamantlagen 23 auch in der Öffnung 14a durch einen Bereich aus Diamant bzw. eine thermische Brücke 24 aus Diamant zuverlässig miteinander verbunden sind. Auf die freiliegende Fläche jeder Diamantlage 23 erfolgt eine Metallisierung 25 bzw. 26 derart, daß letztere eine glatte ebene Außenfläche bildet. Ist dies nach dem Aufbringen der Metallisierung nicht gewährleistet, wie dies in der Fig. 6 in der Position a für die Metallisierung 25 dargestellt ist, so folgt ein Einebenen der Metallisierung beispielsweise durch nachträgliches mechanisches Abtragen (Position b) der Fig. 6.
Fig. 7 zeigt eine Ausführungsform, bei der in der Lage 2 wiederum die Öffnungen 14 vorgesehen sind. In jeder Öffnung ist als thermische Brücke 27 Diamant abgeschieden, und zwar wiederum aus der Gasphase nach dem PVD-Verfahren. Die thermische Brücke aus Diamant ist durch Aktivlot mit der Metallisierung 8 oder 8a und mit der untersten Lage 1 aus Kupfer oder Metall verbunden.
Fig. 8 zeigt eine Ausführungsform, die der Ausführungsform der Fig. 6 entspricht, wobei allerdings anstelle der sich kegelförmig erweiternden Öffnungen 14a die zylinderförmigen Öffnungen 14 vorgesehen sind.
Fig. 9 zeigt schließlich eine Ausführungsform, die der Ausführungsform der Fig. 6 entspricht, bei der allerdings anstelle der Öffnungen 14a Öffnungen 14b vorgesehen sind, deren Querschnitt sich ausgehend von der Mittelebene der Lage 2 nach beiden Seiten hin kegelstumpfförmig vergrößert.
Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es versteht sich, daß zahlreiche Änderungen sowie Abwandlungen möglich sind, ohne daß dadurch der der Erfindung zugrundeliegende Erfindungsgedanke verlassen wird.
Bezugszeichenliste
1-5 Lage
6 Gehäuseelement
7 Anschluß
8, 8a, 9 Metallisierung
10 Kontaktfläche
10′ Leiterbahn
11 Rahmen
12 Körper
13, 14, 14a, 14b Öffnung
15 Körper
16 Stempel
17 Gegenstempel
18 Spalt
19 Flächenabschnitt
20 Rahmen
21 Leistungsbauelemente
22 Deckel
23 Diamantlage
24 thermische Brücke aus Diamant
25, 26 Metallisierung
27 thermische Brücke aus Diamant

Claims (18)

1. Mehrfachsubstrat als Gehäuse für elektrische Bauelemente, insbesondere Leistungs- Bauelemente, mit einem von mehreren Schichten oder Lagen (1-5) aus Keramik und Metall gebildeten Gehäuseboden, dessen aus Keramik bestehende Keramik-Lagen (2, 4) und teilweise aus Metall, vorzugsweise aus Kupfer bestehende Metall-Lagen (1, 3, 4) haftfest mittels der DCB-Technik miteinander flächig zu dem Gehäuseboden verbunden sind, dessen außenliegende Fläche von einer ersten Metall-Lage (1) gebildet ist und bei dem zwischen einer zweiten Metall-Lage (3) für seitlich aus dem Gehäuse (G) herausgeführte Anschlüsse (7) und der ersten Metall-Lage (1) wenigstens eine erste Keramik-Lage (2) vorgesehen ist, und bei dem wenigstens eine dritte Metall-Lage (5) für elektrische Kontaktflächen (10) und/oder Leiterbahnen (10′) vorgesehen ist, zwischen der und der zweiten Metall-Lage (3) wenigstens eine zweite Keramik-Lage (4) angeordnet ist, wobei die zweite Metall-Lage (3) unter wenigstens einer Montage- oder Kontaktfläche (10) eine Metallisierung (8, 8a) bildet, die in einem Übertragungsweg für die Verlustwärme von der wenigstens einen Kontakt- oder Montagefläche (10) an die erste Metall-Lage (1) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Keramik-Lage (2) im Bereich der Metallisierung (8) wenigstens eine durchgehende Öffnung (14) aufweist, und das durch die Öffnung (14) hindurch eine sowohl mit der Metallisierung (8, 8a) als auch mit der ersten Metallage (1) verbundene thermische Brücke (15, 23, 27) gebildet ist.
2. Mehrfachsubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine thermische Brücke (15) aus Metall besteht.
3. Mehrfachsubstrat nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als thermische Brücke in die wenigstens eine Ausnehmung (14) ein Körper (15) aus Metall eingesetzt ist, der mittels des DCB-Verfahrens mit der Metallisierung (8, 8a) und mit der ersten Metallage (1) verbunden ist.
4. Mehrfachsubstrat nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von Öffnungen (14) mit jeweils wenigstens einem Körper (15).
5. Mehrfachsubstrat nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlüsse (7) elektrisch von der Metallisierung (8) getrennt sind.
6. Mehrfachsubstrat nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisierung (8a) einen Flächenbereich (19) aufweist, der über die wenigstens eine thermische Brücke mit der ersten Metallage (1) verbunden ist, und daß der Flächenbereich (19) durch einen in sich geschlossenen Spalt (18) von den übrigen Teil der Metallisierung (8a) getrennt ist.
7. Mehrfachsubstrat nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Metallage (1) die Außenfläche des Gehäusebodens bildet.
8. Mehrfachsubstrat nach einem der Ansprüche 1-7, gekennzeichnet durch ein rahmenartiges, einen Teil der Umfangsfläche des Gehäuses (G) bildendes Gehäuseelement (6), welches ebenfalls mittels der DCB-Technik mit dem Gehäuseboden bzw. mit einer Lage dieses Gehäusebodens verbunden ist.
9. Mehrfachsubstrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine thermische Brücke (23, 27) aus Diamant gebildet ist, vorzugsweise durch Abscheiden aus der Gasphase nach dem PVD-Verfahren.
10. Mehrfachsubstrat nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das die thermische Brücke (27) bildende Diamant-Material mit einer anschließenden Metallisierung (1, 8, 8a, 25, 26) durch ein Aktivlot verbunden ist.
11. Mehrfachsubstrat nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der die thermische Brücke aufweisenden Lage (2) und einer anschließenden Metallisierung oder Lage aus Metall (1, 8, 8a, 25, 26) auch eine Lage (23) aus Diamant vorgesehen ist, die in den die thermische Brücke (23, 27) bildenden Bereich übergeht.
12. Mehrfachsubstrat nach einem der Ansprüche 9-11, dadurch gekennzeichnet, daß die die thermische Brücke (23, 27) aufnehmenden Öffnungen (14a, 14b) einen sich zu wenigstens einer Seite der die thermische Brücke aufweisenden Lage hin im Querschnitt vergrößert, um ein Abscheiden von Diamant zu verbessern.
13. Mehrfachsubstrat nach einem der Ansprüche 1-12, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine Öffnung (14, 14a, 14b) für die thermische Brücke einen Durchmesser (D) aufweist, der maximal der dreifachen Dicke (d) der diese Brücke aufweisenden Keramiklage (2) ist.
14. Mehrfachsubstrat bestehend aus wenigstens einer ersten Metallage (1), aus einer zweiten Metallage (3) sowie aus einer ersten zwischen diesen Metallagen vorgesehenen Lage aus Keramik dadurch gekennzeichnet, daß in der ersten Keramiklage wenigstens eine eine thermische Brücke dadurch gebildet ist, daß diese Keramiklage (2) eine Öffnung (14, 14a, 14b) aufweist, in der eine die beiden Metallagen thermisch verbindendes Material eingebracht ist, und daß die wenigstens eine thermische Brücke (23, 27) aus Diamant gebildet ist, vorzugsweise durch Abscheiden aus der Gasphase nach dem PVD-Verfahren.
15. Mehrfachsubstrat nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das die thermische Brücke (27) bildende Diamant-Material mit einer anschließenden Metallisierung (1, 8, 8a, 25, 26) durch ein Aktivlot verbunden ist.
16. Mehrfachsubstrat nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der die thermische Brücke aufweisenden Lage (2) und einer anschließenden Metallisierung oder Lage aus Metall (1, 8, 8a, 25, 26) auch eine Lage (23) aus Diamant vorgesehen ist, die in den die thermische Brücke (23, 27) bildenden Bereich übergeht.
17. Mehrfachsubstrat nach einem der Ansprüche 14-16, dadurch gekennzeichnet, daß die die thermische Brücke (23, 27) aufnehmenden Öffnungen (14a, 14b) einen sich zu wenigstens einer Seite der die thermische Brücke aufweisenden Lage hin im Querschnitt vergrößert, um ein Abscheiden von Diamant zu verbessern.
18. Mehrfachsubstrat nach einem der Ansprüche 14-17, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine Öffnung (14, 14a, 14b) für die thermische Brücke einen Durchmesser (D) aufweist, der maximal der dreifachen Dicke (d) der diese Brücke aufweisenden Keramiklage (2) ist.
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