DE3314996C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein zusammengesetztes Substrat aus keramischem und metallischem Material mit hoher Wärmeleitung, das besonders als Sockel in einem Gehäuse für eine Halbleiter- Schaltanordnung verwendbar ist.

Elektronische Bauelemente oder Schaltungen einer Halbleiter- Schaltanordnung sind gewöhnlich eingeschlossen in einem Gehäuse, das einen Sockel oder ein Substrat und einen am Sockel hermetisch befestigten Deckel aufweist, wobei der Deckel oder die Befestigung die Ausgangsanschlüsse der Schaltung hindurchtreten lassen.

Die Wärmeabgabe solcher in einem Gehäuse gekapselter Schaltungen bereitet Schwierigkeiten besonders im Fall von hochintegrierten Schaltungen und Leistungs-Bauelementen mit sehr erheblicher Wärmeabgabe. Die Hauptbedingungen, denen ein solches Gehäuse genügen muß, sind die folgenden:

• - der Wärmeausdehnungskoeffizient des Substrats muß so nahe wie möglich bei dem des verwendeten Halbleiters liegen;
• - die das Gehäuse bildenden Teile, und besonders sein Sockel (das Substrat) müssen eine möglichst hohe Wärmeleitung haben, um die Wärmeabführung zu ermöglichen;
• - das Substrat muß mindestens teilweise elektrisch isolierend sein, um jeden Kurzschluß zwischen den Ausgangsanschlüssen der Schaltung zu vermeiden;
• - bei bestimmten Anwendungen muß das Substrat sogar vollständig isolierend sein.

Es ist bekannt, im Hinblick auf diese Bedingungen, ein solches Substrat aus Berylliumoxid herzustellen. Dieses Material ist elektrisch isolierend, hat einen Ausdehnungskoeffizienten nahe bei dem des Siliciums und zeigt eine gute Wärmeleitung. Es ist jedoch ein seltenes und sehr giftiges Material, dessen techni­ sche Herstellung und Handhabung zahlreiche Sicherheitsprobleme aufwirft, und ein solches Substrat ist infolgedessen teuer.

Aus US-A-32 96 501 ist eine Kontaktplatte auf Keramikbasis zur Verbindung einer tablettenförmigen Halbleiter-Schalt­ anordnung mit einer metallischen Anschlußplatte bekannt, wobei die Kontaktplatte einen ähnlichen Wärmeausdehnungskoeffizien­ ten wie die Halbleiterplatte und eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweist. Diese bekannte Kontaktplatte aus Keramik, wie BeO oder Al₂O₃, ist zu diesem Zweck mit senkrecht zur Plattenober­ fläche verlaufenden Löchern oder Schlitzen und einer ihre gesamte Oberfläche, auch die Wände der Löcher oder Schlitze bedeckenden Metallisierung versehen, und die Löcher oder Schlitze sind mit einem metallischen wärmeleitenden Material gefüllt. Die Halbleiter-Tablette soll sich ohne Beschädigung mittels einer solchen elektrisch leitenden Kontaktplatte durch Löten an einer metallischen Anschlußplatte befestigen lassen, aber eine solche Kontaktplatte isoliert nicht gegenüber dem Gehäuse.

Aus DE-OS 28 55 494 ist eine elektrisch isolierende Wärmeab­ leitscheibe auf der Basis von Keramik als Trag- und/oder An­ schlußplatte für elektrische und elektronische Bauelemente, integrierte Schaltungen und Leiterbahnen bekannt, bei der die Keramik, z. B. Al₂O₃, durch Kunststoff in einzelne Keramik­ scheibenbereiche getrennt ist, die von Scheibenoberfläche zu Scheibenoberfläche durchlaufen. Diese Keramikbereiche mit beispielsweise sechseckigem Querschnitt sind also in eine Kunststoff-Matrix eingebettet, was die Herstellung von Lötverbindungen mit den Bauelementen ausschließt.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein zusammenge­ setztes Substrat aus keramischem und metallischem Material mit hoher Wärmeleitung zu schaffen, das frei von den erwähnten Nachteilen des Berylliumoxids ist, elektrisch isoliert und gut wärmeleitend ist und sich mit einer Halbleiter-Schaltanordnung gut verbinden läßt und dabei mit geringem Aufwand herstellbar ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein zusammengesetztes Substrat aus keramischem und metallischem Material mit hoher Wärmeleitung, das die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale aufweist.

Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben.

Ein weiterer Anspruch richtet sich auf die Verwendung dieses Substrats als Sockel in einem Gehäuse für eine Halbleiter- Schaltanordnung.

Die Erfindung wird weiter erläutert durch die folgende Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die in den beigefügten Figuren dargestellt sind. Diese zeigen

Fig. 1 eine Ansicht einer bekannten Ausführungsform eines Substrats, und Fig. 1a eine Abwandlung einer Einzelheit der Fig. 1;

Fig. 2 einen Schnitt einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrats;

Fig. 3 eine Variante der Fig. 2;

Fig. 4 einen Schnitt einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrats;

Fig. 5 eine Variante der Fig. 4;

Fig. 6 einen Schnitt einer dritten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrats;

Fig. 7 eine Variante der Fig. 6;

Fig. 8 eine weitere Variante der Fig. 6;

Fig. 9 einen Schnitt einer ersten Anwendungsform des erfin­ dungsgemäßen Substrats zur Herstellung eines Gehäuses einer Halbleiter-Schaltanordnung;

Fig. 10 einen Schnitt einer zweiten Anwendungsform des erfindungsgemäßen Substrats zur Herstellung eines Gehäuses einer Halbleiter-Schaltanordnung.

In diesen verschiedenen Figuren bezeichnen die gleichen Bezugszahlen gleiche Teile.

Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform eines Substrats liegt dieses im wesentlichen in Form einer Platte 10 vor, die mit durchgehenden Löchern 20 versehen ist, die beispielsweise zylindrisch und von kreisförmigem Querschnitt sind.

Die Platte 10 ist hergestellt aus einem elektrisch isolierenden Material 10′, z. B. Aluminiumoxid, das ein billiger Werkstoff ist und den Vorteil eines Ausdehnungskoeffizienten in der Nähe des Ausdehnungskoeffizienten des Siliciums aufweist, welches das gegenwärtig in der Fertigung von elektronischen Bauelementen meist gebrauchte Halbleitermaterial ist. Man kann reines Aluminiumoxid oder ein Standardmaterial verwenden, das 94% oder 96% Aluminiumoxid enthält, wobei der Rest aus Glas mit einem Gehalt an Titanoxid, Magnesiumoxid oder Siliciumoxid besteht.

Die Löcher 20 sind gefüllt mit einem gut wärmeleitenden Material 20′. Dieses Material kann Kupfer, Aluminium, ein hitzebeständiges Material, wie Wolfram, eine Legierung von Molybdän und Mangan oder Molybdän und Wolfram, oder auch Silber sein. Die Aufgabe des Materials 20′ ist, die Wärmeleitfähigkeit des erhaltenen zusammengesetzten Substrats bezüglich der der Platte 10′ allein zu erhöhen. Es sei bemerkt, daß im Fall das Material 20′ Aluminium ist, dieses sich oxidiert und einen elektrischen Isolator bildet, so daß man ein isolierendes zusammengesetztes Substrat erhalten kann.

Die Löcher 20 sind in Reihen oder in Zickzack versetzt angeordnet, und ihre Dichte wird in Abhängigkeit von den für die Platte und das Füllmaterial der Löcher gewählten Werkstoffen festgelegt entsprechend einem Kompromiß zwischen einer maximalen Wärmeleitung, d. h. einer maximalen Dichte der Löcher, und der Verträglichkeit der thermischen Eigenschaften der Werkstoffe 10′ und 20′ untereinander und mit denen des Halbleitermaterials. Wie bekannt (Prinzip der Perkolation), führt die Gegenwart des Materials 20′ zu einem Gesamtausdehnungskoeffizienten des zusammengesetzten Substrats, der etwas größer ist als der des Materials 10′ allein; dieser Effekt wächst zunächst langsam, dann rascher mit dem Anteil des Materials 20′ im Substrat 10′ bis zu einer Schwelle, bei deren Überschreiten das zusammengesetzte Substrat im Falle der Temperaturerhöhung zerstört wird. Man muß also diesseits dieser Schwelle bleiben. Außerdem muß das Substrat, wie oben angegeben, global einen Ausdehnungskoeffizienten haben, der nahe bei dem des Halbleiterbauelements bleibt, welches das Substrat aufnehmen soll. Schließlich ist es erwünscht, daß das Substrat eine genügende Dicke aufweist, damit es eine genügende mechanische Festigkeit gewährleistet, besonders wenn es zur Aufnahme einer Schaltung mit verhältnismäßig großen Abmessungen oder mehrerer Schaltungen bestimmt ist. Allgemeiner gesagt werden die Formen und Abmessungen der Platte und der Zellen bestimmt durch die Berechnung der Wärmeflüsse in jeder Masche des so gebildeten Netzes.

Beispielsweise wurde ein oben genanntes Substrat mittels einer Platte 10 aus 96%igem Aluminiumoxid von einer normalisierten Dicke 0,635 mm mit Löchern 20, deren Durchmesser zwischen 0,8 und 2 mm liegt, wobei die Löcher mit einer Schrittweite zwischen 1 und 4 mm ausgerichtet und mit Kupfer gefüllt waren, hergestellt.

Ein solches Substrat kann auf folgende Weise erhalten werden:

• - Gießen einer Aluminiumoxidfolie auf jede bekannte Weise;
• - Prägen dieser verhältnismäßig nachgiebigen Folie, um Stücke kleiner Abmessungen, welche die Löcher 20 enthalten, zu erhalten;
• - Abscheidung des leitenden Materials in den Löchern 20, beispielsweise durch Serigraphie, wenn dieses Material aus einem der obengenannten wärmefesten Metalle besteht;
• - Brennen des Aluminiumoxids (zwischen 1450 und 1650°C).

Wenn das gewählte leitende Material 20′ kein hitzebeständiges Metall ist, brennt man zunächst das Aluminiumoxid und bringt dann das Material 20′ auf.

Ein anderes Verfahren besteht darin, Aluminiumoxidfolien durch Pressen eines Pulvers herzustellen, wobei die Löcher im gleichen Arbeitsgang erhalten werden können, der also die zwei oben erwähnten ersten Arbeitsgänge ersetzt.

Die Fig. 1a zeigt eine Einzelheit einer Abwandlung der Ausführungsform der Zellen in der isolierenden Platte 10.

Diese Zelle 23 hat ebenfalls eine gerade prismatische Form und ist nach beiden Seiten der Platte 10 hin offen, jedoch hier von sechseckigem Querschnitt.

Der Vorteil dieser Form liegt in einer Verbesserung der mechanischen Festigkeit der Gesamtanordnung, jedoch möglicherweise um den Preis einer geringfügig komplizierteren Herstellung.

Fig. 2 zeigt eine erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrats.

In dieser Ausführungsform besteht das Substrat aus einer Platte 11 entsprechend der Platte 10 der Fig. 1, d. h. durchbohrt von Löchern 20, die mit einem gut wärme­ leitenden Material gefüllt sind, wobei auf die eine Seite der Platte eine Isolierschicht 12 von geringer Dicke (e₁) bezüglich der Dicke der Platte 11 gelegt ist, und diese Isolierschicht keine Löcher aufweist. Die Schicht 12 kann beispielsweise durch Serigraphie einer Glasschicht; welche die erwähnten Oxide enthält, hergestellt werden. Sie kann auch aus dem gleichen Material wie das Substrat, z. B. aus Aluminiumoxid, bestehen, wobei die beiden Platten zusammen­ gesintert werden, beispielsweise beim Glühen des Aluminium­ oxids. Der Vorteil der Verwendung von Aluminiumoxid für die Schicht 12 liegt darin, daß die Wärmeleitfähigkeit des Aluminiumoxids besser als die von Glas ist.

In dieser Ausführungsform und in den folgenden, unabhängig von dem die Zellen ausfüllenden Material, ist das erhaltene Substrat außerdem elektrisch isolierend, was für bestimmte Anwendungen notwendig ist, wie für Leistungs- Halbleiter oder Hybrid-Schaltungen, und zwar bezüglich Fig. 1 um den Preis eines höheren Wärmewiderstands, der umso geringer ist, je geringer die Dicke (e₁) der Schicht 12 ist. Beispielsweise kann das Verhältnis der Schichtdicken im Fall, daß die Platte 11 aus Aluminiumoxid und die Schicht 12 aus Glas besteht, zwischen 15 und 25 liegen, und im Fall, daß die beiden Platten aus Aluminiumoxid bestehen und die Platte 11 die gleiche Dicke wie im erstgenannten Fall hat, in der Größenordnung von 12 liegen.

Als Beispiel ist auf der Ausführungsform der Fig. 2 die Montage einer Halbleitervorrichtung 32 gezeigt, die durch eine Schicht 31 geklebt oder vorzugsweise gelötet ist auf eine Metallisierungsschicht 30, die auf der Oberseite der Platte 11 ausgebildet ist. Die Unterseite der Schicht 12 trägt wiederum als Beispiel einen mittels einer Metallisierung 33 befestigten Radiator 34, um die Wärmeabführung zu verbessern. Die Metallisierungen 30 und 33 sind vorzugsweise aus dem gleichen Metall hergestellt, wie das, welches die Zellen 20 ausfüllt.

Fig. 3 zeigt eine Abwandlung der Fig. 2.

Das Substrat liegt hier in Form einer einzigen Platte 13 vor, in der die Zellen in Form von Blindlöchern 25 ausgebildet sind, welche eine der oben für die Löcher 20 beschriebenen Formen aufweisen und eine Wandstärke e₁ der Platte stehen lassen, welche der Dicke e₁ der Fig. 2 ent­ spricht und die gleiche Funktion wie diese hat.

In dieser Ausführungsform sind die Blindlöcher 25 vorzugsweise in ungeglühtem Aluminiumoxid hergestellt, beispielsweise durch Eindrücken, und werden anschließend vor oder nach dem Glühen mit einem gut wärmeleitenden Material gefüllt.

Fig. 4 zeigt eine zweite Ausführungsform des erfin­ dungsgemäßen Substrats.

Das Substrat liegt hier in Form von drei unterschied­ lichen Schichten vor: die zwei ersten sind die Platte 11 mit den Löchern 20 und die Schicht 12, die in Fig. 2 ge­ zeigt sind, und die dritte ist eine Platte 14 entsprechend der Platte 11 (oder der Platte 10 der Fig. 1), in der je­ doch die Löcher 21 bezüglich der Löcher 20 der Platte 11 versetzt sind, entweder auf derselben Linie, wie in Fig. 4 gezeigt, oder auch in Zickzack-Anordnung (5-Punkt-Anordnung) bezüglich der Löcher 20.

In dieser Ausführungsform bestehen die Platten 11 und 14 vorzugsweise aus Aluminiumoxid, und die Schicht 12 kann, wie Fig. 2 zeigt, entweder aus Glas oder ebenfalls aus Aluminiumoxid bestehen, wobei in diesem letztgenannten Fall die Gesamtanordnung in einem Arbeitsgang gebrannt werden kann, um die mechanische Festigkeit zu erhalten.

Die Schicht 12 kann auch durch die Restschichtdicke e₁ der Platte 13 (Fig. 3) hergestellt sein.

Fig. 5 zeigt eine Variante der Fig. 4.

In dieser Abwandlung, ebenfalls mit drei Schichten, findet man wieder die Platte 11 und die Schicht 12, und eine Platte 15 ist an der Schicht 12 befestigt und weist Löcher 22 auf, die den Löchern 20 entsprechen, jedoch in diesem Fall in einer Linie mit den Löchern 20 angeordnet sind.

Fig. 6 zeigt eine dritte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrats.

Dieses Substrat weist die Form einer Platte 17 von einer Dicke und einem Material entsprechend denen der Platte 10 der Fig. 1 auf, worin Zellen in Form von Blindlöchern 23 auf jeder ihrer Seiten so angeordnet wurden, daß sie sich nicht berühren. Wie zuvor, sind diese Zellen 23 mit einem leitenden Material gefüllt.

Fig. 7 zeigt eine Abwandlung der vorangehenden Figur, worin die Löcher 23 in einer isolierenden Platte so ausgebildet sind, daß ihre Böden in einer Linie liegen (in dieser Figur in Richtung einer Achse X-X).

Der Vorteil dieser Abwandlung liegt vor allem in der einfachen Herstellung. Das Substrat kann nämlich durch Zu­ sammensetzen zweier Platten 10 hergestellt werden, die mit 18 und 19 bezeichnet sind und in denen man jeweils Löcher hergestellt hat, die sich bis zu den beiden Seiten er­ strecken, wobei die beiden Platten anschließend vereinigt werden, beispielsweise durch gemeinsames Brennen.

Fig. 8 zeigt eine Variante der vorangehenden Fig. 6 und 7 hinsichtlich der Form der Zellen.

In dieser Variante sind die mit 24 bezeichneten Zellen kegelstumpfförmig mit kreisförmiger, rechteckiger oder hexa­ gonaler Basis, wobei die Basis an der Außenseite des Sub­ strats liegt. Wie zuvor, kann das Substrat aus einer ein­ zigen Schicht oder, wie in der Figur gezeigt, aus zwei Schichten 18 und 19 bestehen, wobei die Löcher 24 getrennt in jeder der Schichten hergestellt werden, durch welche sie hindurchgehen.

Beispielsweise kann das Substrat in dieser vierten Ausführungsform eine Dicke in der Größenordnung von 0,6 mm haben, der Durchmesser der Zellen (23 oder 24) zwischen beispielsweise 0,6 und 1 mm und ihr Schritt- oder Netzab­ stand (p in Fig. 8) zwischen 1 und 1,4 mm liegen.

Das erfindungsgemäße Substrat kann beispielsweise zur Herstellung des Substrats für Hybrid-Leistungsschaltungen oder Gehäuse für Leistungs-Halbleiter-Schaltanordnungen oder hochintegrierte Schaltungen verwendet werden.

Fig. 9 zeigt eine Anwendungsweise des erfindungsgemäßen Substrats zur Herstellung eines Gehäuses vom Typ "Chip- Träger" für eine Halbleiter-Schaltanordnung, das im wesent­ lichen dadurch gekennzeichnet ist, daß die Ausgangsan­ schlüsse durch einfache Metallisierungen und nicht durch Stifte gebildet werden.

Wie bekannt, müssen diese Gehäuse hermetisch schließen und soweit wie möglich die Abführung der vom Halbleiter ab­ gegebenen Wärme ermöglichen.

In dieser Figur erkennt man das erfindungsgemäße Substrat, beispielsweise in seiner Ausführungsform der Fig. 8, das hier allgemein mit 1 bezeichnet ist und den Sockel des Gehäuses bildet. Dieser weist also Löcher 24 auf, die mit einem leiten­ den Material gefüllt und im Zickzack nur im Bereich der Halbleiter-Schaltanordnung 32 verteilt sind. In einer (nicht gezeigten) Abwandlung kann man die Löcher 24 in der Gesamtheit des Substrats herstellen.

Das Gehäuse weist in üblicher Weise einen Sockel mit drei Schichten auf, d. h. der Halbleiter 32 ist (durch Löten oder Kleben) auf dem metallisierten Boden 30 des Substrats 1 befestigt, und die Ränder dieses Substrats 3 erheben sich an seiner Peripherie nacheinander auf zwei Höhen, die mit 41 und 42 bezeichnet sind. Auf dieser letzten Höhe 42 ist ein Deckel 43 im allgemeinen aus Metall, hermetisch, im allgemeinen durch Lötung 44, am Substrat 1 befestigt.

Die Peripherie des Substrats 1 weist Halblöcher 47 auf, die so angeordnet sind, daß eine auf der Höhe 41 abgeschiedene Metallisierung 45 mittels dieser Halblöcher in Richtung auf den unteren Teil des Substrats 1 austreten kann, wo sie einen Ausgangsanschluß der Vorrichtung 32 bildet. Beispielsweise liegt der Schnitt der Figur auf der Höhe dieser Anschlüsse 45. Schließlich verbinden Anschlußdrähte 46 die Ausgangspunkte der Halbleitervorrichtung 32 mit den Metallisierungen 45.

Wie bekannt, werden die drei Höhen des Substrats 1 im allge­ meinen erhalten durch Zusammenbrennen von drei Aluminiumoxid­ platten. Vorzugsweise sollte daher zuvor in den Löchern 24 ein mit den Brennbedingungen verträgliches Material abgeschieden sein, wie eines der oben erwähnten feuerfesten Materialien.

Fig. 10 zeigt eine zweite Anwendungsform des erfindungsgemäßen Substrats zur Herstellung eines Gehäuses für eine Halbleiter- Schaltanordnung ebenfalls vom Typ "Chip-Träger".

In dieser Ausführungsform weist das im ganzen mit 2 bezeichnete Substrat nur eine einzige Höhe und beispielsweise Löcher, wie in Fig. 8 auf, und zwar wiederum beispielsweise über seine ganze Länge. Wie zuvor, ist die Halbleiter-Schaltanordnung 32 durch Löten oder Kleben am metallisierten Boden 30 des Substrats 2 befestigt. An den Rändern des Substrats 2 sind Halblöcher 47 wie in Fig. 9 ausgebildet, durch welche die Ausgangsanschlüsse 45 um das Substrat 2 herumreichen. Eben­ falls wie oben stellen Drähte 46 die elektrische Verbindung zwischen den Ausgängen der Vorrichtung 32 und den Anschlüssen 45 her. Die Vorrichtung wird vervollständigt durch einen Deckel 48, der im allgemeinen aus keramischem Material her­ gestellt ist und mittels einer serigraphischen Glasabscheidung 49, die sich über den ganzen Umfang des Substrats 2 in der Höhe der Anschlüsse 45 erstreckt, angeschmolzen ist.

In dieser Ausführungsform kann im Gegensatz zur vorigen das gut wärmeleitende Material in den Löchern 24 vor oder nach dem Brennen der Aluminiumoxidplatte eingebracht sein.

Es sei bemerkt, daß in der einen oder anderen dieser Ausfüh­ rungsformen des Gehäuses die Halblöcher 47 gegebenenfalls zur gleichen Zeit wie die Löcher 24 hergestellt werden können.

Während die Anwendung des erfindungsgemäßen Substrats besonders zur Herstellung von Gehäusen vom Typ "Chip-Träger" mit einem oder drei Höhen aus beschrieben wurde, kann sie auch für jede Art von bekanntem Gehäuse mit einem, zwei oder drei Höhen aus Metall oder Keramik vom Typ CERDIP oder DIL ange­ wandt werden. In allen Fällen ermöglicht sie in diesen Gehäusen eine ausgezeichnete Wärmeabführung.

Claims (12)

1. Zusammengesetztes Substrat aus keramischem und metallischem Material mit hoher Wärmeleitung, gekennzeichnet durch eine keramische, elektrisch isolierende Platte (10, 11), die zumindest auf einer Seite abgeschlossene Löcher aufweist und ein metallisches wärmeleitendes Material, das in den Löchern (20, 25) angeordnet ist.

2. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher (20, 25) prismatische oder zylindrische Form mit hexagonalem oder kreisförmigen Querschnitt haben.

3. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher (20) auf einer Seite durch eine keramische elektrisch isolierende Schicht (12) verschlossen sind.

4. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die keramische oder isolierende Platte aus zwei getrennten Elementarplatten (11, 14, 15) besteht, deren Löcher (20, 21, 22) sich jeweils durch die ganze Dicke dieser Platten erstrecken und mit dem metallischen wärmeleitenden Material gefüllt sind, wobei die beiden Elementarplatten durch eine keramische Isolierschicht (12) miteinander verbunden sind.

5. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher in Form von Blindlöchern (23) auf den beiden Seiten der keramischen isolierenden Platte (17) ausgebildet sind, so daß sie einander nicht berühren.

6. Substrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Blindlöcher (23) von zylindrischer oder prismatischer Form mit kreisförmigem oder hexagonalem Querschnitt sind.

7. Substrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Blindlöcher (24) Kegelstumpfform mit kreisförmiger, recht­ eckiger oder hexagonaler Basis haben, wobei die Basis an der Außenseite der Platte (18) liegt.

8. Substrat nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß es aus zwei Elementarplatten (18, 19) mit jeweils durchgehenden, mit dem metallischen wärmeleitenden Material gefüllten Löchern (23, 24) besteht, die so zusammen­ gesetzt sind, daß die Löcher (23, 24) einander nicht berühren.

9. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der keramischen elektrisch isolierenden Platte hauptsächlich aus Aluminiumoxid besteht.

10. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische wärmeleitende Material mindestens einen der folgenden Stoffe enthält: Kupfer, Aluminium, Wolfram, Molybdän, Mangan, Silber.

11. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der keramischen elektrisch isolierenden Platte einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der nahe bei dem eines Halbleiters liegt.

12. Verwendung des Substrats nach einem der vorangehenden Ansprüche als Sockel in einem Gehäuse für eine Halb­ leiter-Schaltanordnung, wobei das Gehäuse den die Schalt­ anordnung tragenden Sockel, einen am Sockel hermetisch befestigten Deckel und durch den Sockel oder die Befestigung führende, mit der Schaltanordnung elektrisch verbundene Ausgangsanschlüsse aufweist.