DE19536465A1 - Integrierbarer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Integrierbarer Kondensator und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen integrierbaren Kondensator mit
zwei Kondensatorelektroden sowie ein Verfahren zum Herstellen
eines solchen.
Gattungsgemäße integrierbare Kondensatoren sind allgemein als
sogenannte Plattenkondensatoren bekannt. In integrierter
Form, zum Beispiel als Speicherkondensatoren von Speicherzel
len dynamischer Halbleiterspeicher (allgemein als "DRAM"
bezeichnet) sind darüber hinaus noch Kondensatoren in der
sogenannten Trenchform und in der Form als "Stacked Capaci
tor" bekannt. Auch bei diesen beiden Kondensatortypen handelt
es sich im wesentlichen um Plattenkondensatoren mit zwei
Kondensatorelektroden.
Bei all diesen integrierbaren Kondensatoren besteht die
Forderung, daß sie bei möglichst geringem Flächen- bzw.
Volumenverbrauch möglichst viele Ladungen speichern können
sollen, damit sie in integrierten Halbleiterschaltungen
verwendbar sind, insbesondere in dynamischen Halbleiterspei
chern, die ja bekanntlich die zu speichernden Informationen
in Form von elektrischen Ladungen in Kondensatoren speichern
(bei heute bekannten Halbleiterspeichern beträgt allein die
Anzahl der bei Speicherzellen verwendeten Kondensatoren eine
zwei- bis dreistellige Millionenzahl {z. B. 256MB-Speicher};
eine Erhöhung auf eine vierstellige Millionenzahl ist abseh
bar {IGB-, 4GB-Speicher} und in Labormustern bereits vorge
stellt).
Aus diesem Grund ist es wünschenswert, einen integrierten
Kondensator zu schaffen, der bei angenommenermaßen gleichem
Volumen bzw. gleicher Fläche wie bekannte integrierbare
Kondensatoren eine höhere Speicherkapazität aufweist als
bekannte integrierbare-Kondensatoren bzw. der bei angenom
menermaßen gleicher Speicherkapazität wie bekannte integrier
bare Kondensatoren ein geringeres Volumen bzw. eine geringere
Fläche benötigt (das heißt, der einen höhere Integrationsgrad
aufweist bei Integration in einen Halbleiterchip) als die
bekannten Speicherkondensatoren. Darüber hinaus ist es auch
wünschenswert, einen solchen Kondensator herstellen zu kön
nen.
Diese Aufgabe wird bei gattungsgemäßen Kondensatoren bzw.
Verfahren gelöst durch die kennzeichnenden Merkmale der
Patentansprüche 1 und 12. Vorteilhafte Aus- und Weiterbildun
gen sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.
Nachstehend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher
erläutert. Es zeigen:
Die Fig. 1, 2 erfindungsgemäße Kondensatoren im Quer
schnitt,
Fig. 3 stark schematisiert eine vorteilhafte
Verwendung in einem dynamischen Halblei
terspeicher,
Fig. 4 mehrere Kondensatoren mit gemeinsamer
anderer Elektrode,
die Fig. 5 bis 7 Stadien bei der Herstellung des Konden sators.
die Fig. 5 bis 7 Stadien bei der Herstellung des Konden sators.
Fig. 1 zeigt einen integrierbaren Kondensator mit zwei
Kondensatorelektroden E1, E2, die, wie bei Kondensatoren
allgemein üblich, mittels eines Dielektrikums D elektrisch
voneinander getrennt sind. Der Kondensator ist auf einer
Schicht L angeordnet, die Kontaktierungsmaterial CON enthält,
welches einer elektrischen Verbindung des Kondensators mit
anderen elektrischen oder elektronischen Elementen dient.
Erfindungsgemäß ist nun vorgesehen, daß die eine Elektrode E1
(und damit das auf ihrer Oberfläche angeordnete Dielektrikum
D, das im allgemeinen eine Oxidschicht ist oder eine Verbund
schicht aus Oxid und anderen Stoffen wie z. B. Nitriden)
vollständig von der anderen Elektrode E2 umschlossen ist,
abgesehen von demjenigen Bereich der Oberfläche der einen
Elektrode E1, der auf der Schicht L mit dem Kontaktierungsma
terial CON angeordnet ist. Die andere Elektrode E2 weist
dabei einen Anschlußkontakt A auf, der irgendwo an der an
deren Elektrode E2 angebracht sein kann. Er ist in Fig. 1
(und auch in Fig. 2) nur schematisch angedeutet. Er kann
insbesondere auch, wie in Fig. 1 dargestellt, in der Schicht
L mittels eines weiteren Kontaktierungsmaterials CON1 ange
ordnet sein. Die beim erfindungsgemäßen Kondensator höhere
spezifische Speicherkapazität gegenüber herkömmlichen Plat
tenkondensatoren und letztendlich gegenüber (integrierten)
Kondensatoren vom Trench- und Stack-Typ basiert nun auf
folgendem: Bei Kondensatoren ist die Speicherkapazität unter
anderem abhängig von der Fläche F der Elektroden, soweit
diese über das Dielektrikum elektrostatisch miteinander in
Wirkung stehen. Wenn nun, wie bei herkömmlichen Plattenkon
densatoren allgemein üblich, eine Elektrode zwei relativ
große Grundflächenbereiche der Oberfläche und zwei relativ
kleine Seitenflächenbereiche der Oberfläche aufweist, so ist
lediglich einer der beiden Grundflächenbereiche beitragswirk
sam bezüglich der Kapazität des Kondensators.
Bei der vorliegenden Erfindung hingegen ist es so, daß zum
einen die einzelnen Oberflächenbereiche nicht dieses krasse
Mißverhältnis zueinander aufweisen wie die obengenannten
Grund- und Seitenflächenbereiche. Zum anderen ist es aber
auch so, daß vorliegend drei der vier Oberflächenbereiche der
einen Elektrode E1 (zusammen mit entsprechenden Oberflächen
bereichen der anderen Elektrode E2) ihren Beitrag zur Kapazi
tät des Kondensators liefern, nämlich die drei Bereiche der
einen Elektrode E1, die mittels des Dielektrikums D von der
anderen Elektrode E2 getrennt sind.
Fig. 1 zeigt auch bereits eine vorteilhafte Weiterbildung
der Erfindung, nämlich den Aufbau der einen Elektrode E1 aus
mehreren elektrisch leitenden Schichten 1 bis 7. In nochmali
ger Weiterbildung, ebenfalls bereits gezeigt in Fig. 1, sind
die mehreren Schichten 1 bis 7 aus verschiedenen Materialien
aufgebaut wie Aluminium Al, Titan Ti, Titannitrid TiN. Weite
re Titanverbindungen wie Titanwolfram TiW sowie Aluminiumver
bindungen sind möglich. Über diese genannten Materialien
hinaus sind auch andere elektrisch leitende Materialien
verwendbar, soweit sie einer Integrierbarkeit nicht entgegen
stehen.
Weiterhin zeigt Fig. 1 eine geometrische Ausgestaltung der
einzelnen elektrisch leitenden Schichten 1 bis 7 der einen
Elektrode E1 dergestalt, daß aneinander angrenzende Schichten
(z. B. die Schichten 2 und 3) voneinander verschiedene Quer
schnitte aufweisen. Diese Maßnahme vergrößert, im Vergleich
zu der in Fig. 2 dargestellten Ausführungsform, bei der
diese Schichten 1 bis 7 alle gleich sind, die über das
Dielektrikum D mit der anderen Elektrode E2 in kapazitiver
Wirkung stehende Gesamtfläche nochmals, woraus gegenüber
Fig. 2 eine nochmals erhöhte Kapazität resultiert.
Der geschilderte integrierbare Kondensator ist demzufolge
hervorragend dazu geeignet, bei vorgenommener Integration in
eine integrierte Halbleiterschaltung beispielsweise als
Speicherkondensator C von Speicherzellen MC eines dynamischen
Halbleiterspeichers verwendet zu sein, wie in Fig. 3 schema
tisch gezeigt. Dabei ist es auch möglich, zwei benachbarte
Speicherzellen MC folgendermaßen auszugestalten (ebenfalls in
Fig. 3 stark schematisiert dargestellt): Innerhalb des bei
Halbleiterspeichern üblichen Substrat es S oder auf diesem
sind angeordnet: Ein Speicherkondensator von einem anderen
Typ als den erfindungsgemäßen Kondensator, zum Beispiel ein
Speicherkondensator CT vom Trenchtyp (angeordnet innerhalb
des Substrates) oder ein Speicherkondensator CP vom Platten
typ (angeordnet auf dem Substrat), ein erster Auswahltran
sistor T1, der zusammen mit dem Kondensator CT bzw. CP eine
erste Speicherzelle MC bildet, und ein zweiter Auswahltran
sistor T2. Oberhalb des Substrates S ist die heutzutage
übliche Mehrlagenverdrahtung Wire für Wortleitungen und
Bitleitungen des Halbleiterspeichers angeordnet, ggf. ergänzt
um weitere Ebenen (z. B. für eine Ebene, mittels derer die
anderen Elektroden E2 von bezüglich ihrer Anordnung noch zu
beschreibenden Kondensatoren vom erfindungsgemäßen Typ an
schließbar sind). Darüber wiederum sind die bereits beschrie
bene elektrisch isolierende Schicht L und ein Speicherkonden
sator C vom erfindungsgemäßen Typ (vgl. z. B. Fig. 1) ange
ordnet. Dieser bildet nun zusammen mit dem zweiten Auswahl
transistor T2 eine zweite Speicherzelle MC des dynamischen
Halbleiterspeichers, welche in etwa oberhalb der ersten
Speicherzelle angeordnet ist. Somit lassen sich unter Verwen
dung des erfindungsgemäßen Kondensators C auf einer Fläche
eines Halbleitersubstrats, die wesentlich kleiner ist als die
von zwei Speicherzellen mit bekannten Speicherkondensatoren
beanspruchte Fläche, zwei Speicherzellen anordnen, wobei der
Kondensator C der zweiten Speicherzelle MC ein Speicherkon
densator vom Typ des erfindungsgemäßen Kondensators ist.
Dabei kann die andere Elektrode E2 nach oben hin (wie in
Fig. 2 schematisch angedeutet) mit einer Potentialplatte
verbunden sein oder aber auch durch die Schicht L hindurch
nach unten hin (vgl. Fig. 1 mit dem weiteren Kontaktierungs
material CON1).
Eine solche räumliche Anordnung zweier Speicherzellen über
einander ist bislang nicht möglich, weil beispielsweise bei
einer Kombination von mittels eines Trenchkondensators gebil
deter erster Speicherzelle mit einer mittels eines Stacked
Capacitor gebildeten zweiten Speicherzelle die Mehrlagenver
drahtung insbesondere der Wortleitungen und Bitleitungen
oberhalb des Stacked Capacitors erfolgen müßte (dies insbe
sondere dann, wenn, wie bei der vorliegenden Erfindung in
einer Ausführungsform vorgesehen, mehrere Schichten 1 . . . der
einen Elektrode E1 vorhanden wären, da dann der räumliche
Aufbau des Stacked Capacitors so hoch würde für eine Mehrla
genverdrahtung oberhalb desselben, daß die Chipoberfläche so
zerklüftet würde (große Höhenunterschiede), daß eine sichere,
qualitativ hochwertige Herstellung der Mehrlagenverdrahtung
nicht mehr sichergestellt wäre.
Fig. 4 zeigt die Verwendung mehrere erfindungsgemäßer Kon
densatoren im Querschnitt (zwei Kondensatoren) und in Drauf
sicht (drei Kondensatoren), die als die andere Elektrode E2
eine allen Kondensatoren gemeinsame Elektrode aufweisen.
Der erfindungsgemäße Kondensator läßt sich nach folgendem
Verfahren herstellen (vgl. unter anderem die Fig. 5 bis
7): Auf eine Schicht L, die in einem Bereich Kontaktierungs
material CON aufweist (vgl. die Fig. 1, 5) wird oberhalb
dieses Bereiches eine elektrisch leitende Schicht 1 als die
eine Elektrode E1 aufgebracht (in Fig. 5 sind insgesamt 7
Schichten 1 bis 7 dargestellt). Anschließend wird die eine
Elektrode E1 (in Fig. 5 also alle sieben Schichten 1 bis 7
gemeinsam), mit Ausnahme desjenigen Oberflächenbereiches, der
an die Schicht L und das Kontaktierungsmaterial CON angrenzt,
mit einem Dielektrikum D überzogen (siehe Fig. 7), bei
spielsweise mit einem Oxid oder mit einer Oxid-Nitrid-Ver
bundschicht. Abschließend wird dann die andere Elektrode E2
so auf die Schicht L aufgebracht, daß sie (oberhalb der
Schicht L) die eine Elektrode E1 samt Dielektrikum D voll
ständig umhüllt (siehe Fig. 1, 2, 4). Eine elektrische
Kontaktierung der anderen Elektrode E2 mit einem elektrischen
Potential oder einem Signal kann dann entweder direkt über
einen Anschluß A erfolgen (vgl. Fig. 2) oder über einen
weiteren Bereich der Schicht L, der weiteres Kontaktierungs
material CON1 enthält (siehe Fig. 1). Beim Herstellen der
einen Elektrode E1 in Form von mehreren leitenden Schichten 1
bis 7 (siehe Fig. 1, 2 sowie 5 bis 7), die ggf. auch
unterschiedlich groß sein können (siehe Fig. 1), werden vor
dem umhüllen mit dem Dielektrikum D die einzelnen Schichten 1
bis 7 entsprechend ihrer gewünschten Größe strukturiert (vgl.
Fig. 6). Diese Strukturierung kann entweder für jede einzel
ne Schicht erfolgen nach ihrem jeweiligen Aufbringen oder
aber (zum Beispiel durch selektives Atzen) erst dann, wenn
mehrere oder alle gewünschten Schichten 1 bis 7 aufgebracht
sind (dieses ist bei den Fig. 5, 6 angenommen).
Claims (13)
1. Integrierbarer Kondensator mit zwei Kondensatorelektro
den (E1, E2),
dadurch gekennzeichnet, daß die eine Elektrode (E1), abgese
hen von einem Oberflächenanteil, der einer Kontaktierung der
einen Elektrode (E1) dient, in der anderen Elektrode (E2)
eingebettet ist.
2. Integrierbarer Kondensator nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die eine Elektrode
(E1) aus wenigstens zwei elektrisch leitenden Schichten (1,
2, 3, . . . ) aufgebaut ist.
3. Integrierbarer Kondensator nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß aneinander angrenzende elektrisch
leitende Schichten (1, 2, 3, . . . ) aus verschiedenen Materia
lien aufgebaut sind.
4. Integrierbarer Kondensator nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eines der Materialien
Aluminium (Al) oder eine elektrisch leitende Aluminiumverbin
dung ist.
5. Integrierbarer Kondensator nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eines der Materialien
Titan (Ti) oder eine elektrisch leitende Titanverbindung
(TiW, TiN) ist.
6. Integrierbarer Kondensator nach einem der Ansprüche 2
bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß aneinander angrenzende elektrisch
leitende Schichten (1 bis 7), im Querschnitt zur jeweiligen
Schicht (1 bis 7) betrachtet, verschieden breit sind.
7. Integrierbarer Kondensator nach einem der Ansprüche 2
bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß aneinander angrenzende
elektrisch leitende Schichten (1 bis 7), im Querschnitt zur
jeweiligen Schicht (1 bis 7) betrachtet, gleich breit sind.
8. Integrierbarer Kondensator nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß er als Speicherkondensator (C) in
Speicherzellen (MC) eines integrierten dynamischen Halblei
terspeichers verwendet ist.
9. Integrierbarer Kondensator nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß der Speicherkondensator (C) bei
einer von zwei einander benachbarten Speicherzellen (MC) des
integrierten dynamischen Halbleiterspeichers verwendet ist
und daß die andere der beiden benachbarten Speicherzellen
(MC) einen Speicherkondensator (CT, CP) einer anderen Bauart
aufweist.
10. Integrierbarer Kondensator nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die andere Bauart vom Plattentyp
(CP) oder vom Trenchtyp (CT) ist.
11. Integrierbarer Kondensator nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß seine andere Elektrode (E2)
weiteren integrierbaren Kondensatoren, die gemäß einem der
vorhergehenden Ansprüche gestaltet sind, jeweils als andere
Elektrode (E2) dient, so daß diese mehreren integrierbaren
Kondensatoren eine einzige gemeinsame Elektrode als andere
Elektrode (E2) aufweisen.
12. Verfahren zum Herstellen eines integrierbaren Kondensa
tors mit zwei Kondensatorelektroden (E1, E2),
dadurch gekennzeichnet, daß
- - zur Herstellung der einen Elektrode (E1) auf eine ein Kontaktierungsmaterial (CON) enthaltende Schicht (L) eine elektrisch leitende Schicht (1) aufgebracht wird,
- - daß die eine Elektrode (E1), mit Ausnahme desjenigen Be reiches, der an die das Kontaktierungsmaterial (CON) ent haltende Schicht (L) und das Kontaktierungsmaterial (CON) angrenzt, vollständig mit einem Dielektrikum (D) überzogen wird, und
- - daß die andere Elektrode (E2) so auf die das Kontaktie rungsmaterial (CON) enthaltende Schicht (L) aufgebracht wird, daß sie die eine Elektrode (E1) samt Dielektrikum (D) oberhalb der Schicht (L) vollständig umhüllt.
13. Verfahren nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß bei der Herstellung der einen
Elektrode (E1) wenigstens eine weitere elektrisch leitende
Schicht (2, 3, . . . ) oberhalb der einen elektrisch leitenden
Schicht (1) aufgebracht wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19536465A DE19536465A1 (de) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Integrierbarer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19536465A DE19536465A1 (de) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Integrierbarer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19536465A1 true DE19536465A1 (de) | 1997-04-03 |
Family
ID=7773667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19536465A Ceased DE19536465A1 (de) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Integrierbarer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19536465A1 (de) |
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