DE1802524B1 - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes - Google Patents
Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere HalbleiterstabesInfo
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Description
1 2
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum tiegel- besteht der als Fangschirm ausgebildete Hohlkörper
freien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, ins- eher aus wärmebeständigem als aus alektrisch gut
besondere Halbleiterstabes, mit einer den Stab ring- leitendem Material.
förmig umgebenden, aus einer als Flachspule aus- Gemäß einer besonders günstigen Ausführungsform
gebildeten Induktionsheizspule und einem parallel 5 nach der Lehre der Erfindung kann die Flachspule
zur Spulenachse geschlitzten, sich in axialer Richtung etwa in mittlerer Höhe des Heizkörpers angeordnet
erstreckenden Hohlkörper bestehenden Heizeinrich- sein. Dadurch erhält man einen etwa gleich großen
tung. Vorheizungs- bzw. Nachheizungseffekt. Es ist aber
Beim tiegelfreien Zonenschmelzen mit Induktions- auch möglich, die Flachspule näher am oberen bzw.
heizspulen werden als Energiequelle vielfach Flach- io am unteren Ende des Hohlzylinders anzuorden. Daspulen
verwendet. Als Flachspule soll hier und im durch kann wahlweise entweder die Vorheizwirkung
folgenden eine Spule mit einer Windung oder mit oder aber die Nachheizwirkung verstärkt werden,
mehreren in einer Ebene liegenden Windungen ver- Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung
standen werden. Flachspulen haben gegenüber Zy- werden an Ausführungsbeispielen an Hand der
linderspulen den Vorteil einer wesentlich geringeren 15 Zeichnung näher erläutert.
axialen Erstreckung der Schmelzzone. Dies bedingt F i g. 1 zeigt in perspektivischer Darstellung eine
eine erhöhte Stabilität der Schmelzzone, was ins- Induktionsheizspule gemäß der Erfindung;
besondere bei großen Stabquerschnitten wichtig ist. F i g. 2 zeigt die Induktionsheizspule nach F i g. 1
Nachteilig bei der Verwendung einer Flachspule zum in der Draufsicht;
tiegelfreien Zonenschmelzen ist, daß durch die scharfe 20 F i g. 3 zeigt einen Schnitt durch die Induktions-Begrenzung
der Schmelzzone der Temperaturgradient heizspule nach F i g. 1;
in den anschließenden festen Bereichen des Halbleiter- F i g. 4 zeigt eine abgewandelte Ausführungsform
Stabes hoch ist. Eine häufige Folge hiervon ist die der Induktionsheizvorrichtung gemäß der Erfindung
Bildung von Versetzungen. mit einem Hohlkörper, der sich beiderseits der Flach-
Aus der deutschen Auslegeschrift 1152 269 ist eine 25 spule kegelstumpfartig erweitert.
ähnliche Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen In F i g. 1 ist eine Flachspule mit einer Windung
eines Halbleiterstabes bekannt, bei dem der Stab und mit 1 bezeichnet. Die Flachspule hat eine Öffnung 2
eine ihn ringförmig umgebende und in Richtung seiner für einen zeichnerisch nicht dargestellten Halbleiter-Längsachse
bewegliche Induktionsheizspule in einer stab, beispielsweise aus Silicium. Die Flachspule 1 ist
Vakuumkammer angeordnet sind. Um einen Nieder- 30 von einem geschlitzten Hohlkörper 3, der die Form
schlag von abgedampftem Material auf dem Beobach- eines Zylinders haben kann, umgeben. Die Flachtungsfenster
der Vakuumkammer zu verhindern, ist spule 1 und der Hohlkörper 3 sind fest miteinander
die Heizspule bis auf einen zur Stabachse parallelen verbunden, beispielsweise durch Schweißen oder
Sehschlitz mit etwa der Breite des Stabdurchmessers Löten. Anschlüsse für den elektrischen Strom und den
von einem an der Heizvorrichtung befestigten Fang- 35 Kühlmittelkreislauf sind mit 4 bezeichnet. Der Hohlschirm
umgeben. körper 3 ist beiderseits der Flachspule 1 mit einem Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist dagegen, Sehschlitz 5 bzw. 6 versehen. Um das Streufeld an
eine Heizvorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen dieser Stelle gering zu halten, werden die Sehschlitze 5
eines kristallinen Stabes zu schaffen, die sich dadurch bzw. 6 so klein wie möglich gehalten. Die Länge der
auszeichnet, daß einerseits die Länge der Schmelzzone 40 Sehschlitze 5 bzw. 6 entspricht etwa der Dicke des zu
in Richtung der Stabachse begrenzt und daß anderer- behandelnden Halbleiterstabes. Dies ist zur Überseits
der Temperaturgradient beiderseits der Schmelz- prüfung des Durchmessers des auskristallisierenden
zone in den angrenzenden festen Stabteilen des Halb- Stabteils erforderlich. Der Hohlkörper 3 kann ebenso
leiterstabes niedrig ist. wie die Flachspule 1 aus dünnen Kupferblechen her-Diese
Aufgabe wird bei einer Vorrichtung der ein- 45 gestellt sein, deren Randteile verschweißt oder vergangs
erwähnten Art dadurch gelöst, daß der Hohl- lötet sind. Der Hohlquerschnitt der Flachspule 1 und
körper mit dem Außenrand der Flachspule direkt ver- des Hohlkörpers 3 wird von einem Kühlmedium, beibunden
ist und aus elektrisch gut leitendem Material spielsweise Wasser, durchflossen. Die Flachspule 1
besteht. Die durch die Öffnung der Flachspule tre- kann aus einer oder mehreren in einer Ebene liegenden
tenden magnetischen Kraftlinien können sich nicht 50 Windungen bestehen. Im dargestellten Ausführungsgleich
am Außenrand der Flachspule schließen. Sie beispiel hat die Flachspule nur eine einzige Windung,
müssen vielmehr erst noch das ganze Innere des Hohl- wobei die in der Spulenebene gemessene Breite des
körpers durchlaufen und können sich danach erst im Hohlleiters größer ist als seine Höhe. Um eine mög-Außenraum
schließen. Somit wirkt der Hohlkörper liehst geringe Induktivität zu erhalten, ist ein Verwie
eine Vorheiz- bzw. Nachheizeinrichtung, d. h., er 55 hältnis Außendurchmesser zu Innendurchmesser der
verringert den Temperaturgradienten beiderseits der Flachspule von mindestens 1,5 günstig. Besonders
Schmelzzone. Diese Wirkung der Vergleichmäßigung günstige Bedingungen erhält man, wenn das Verdes
Temperaturgradienten ist noch besser als bei den hältnis Außendurchmesser zu Innendurchmesser der
üblichen Vorheiz- bzw. Nachheizeinrichtungen, die Flachspule 1 etwa 2,0 bis 2,5 beträgt. Um eine schmale
entweder als Strahlungsheizkörper oder als getrennt 60 Schmelzzone bei gleichzeitig intensiver Kühlung der
erregte bzw. durch Induktion der Heizspule beein- Spule zu erhalten, ist es vorteilhaft, wenn die Höhe
flußte Induktionsheizspulen ausgebildet sind. der Flachspule an ihrem äußeren Rand 7 größer ist
Bei der aus der deutschen Auslegeschrift 1152 269 als an ihrem inneren Rand 8 (vgl. F i g. 3).
bekannten Vorrichtung wird keine so enge Kopplung Um einen allmählichen Wärmeübergang auch an
zwischen Hohlkörper und Flachspule erzielt wie beim 65 den in bezug auf die Schmelze entfernteren Stab-Erfindungsgegenstand.
Es wird vielmehr, um Wirbel- teilen zu erreichen, kann es vorteilhaft sein, dem Hohlstromverluste
klein zu halten, eher ein Abstand körper 3 die Form eines Kegelstumpfes mit sich von
zwischen Hohlkörper und Spule angestrebt. Außerdem der Flachspule aus in axialer Richtung erweiternder
Grundfläche zu geben (F i g. 4). Es ist auch möglich, beispielsweise den unterhalb der Flachspule 1 liegenden
Teil des Hohlkörpers 3 zylindrisch und den oberhalb der Flachspule 1 liegenden Teil kegelstumpfförmig
auszubilden oder auch umgekehrt.
Neben dem Vorteil einer Verringerung des Wärmegradienten beiderseits der Schmelzzone bietet die
vorliegende Erfindung den weiteren Vorteil einer hohen Reflexionswirkung des Hohlkörpers 3. Damit
können Abstrahlungsverluste der Schmelzzone weitgehend vermieden werden. Die Flachspule 1 und der
Hohlkörper 3 bestehen aus elektrisch gut leitenden Materialien wie Kupfer oder Silber.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann beim tiegelfreien Zonenschmelzen im Vakuum, aber auch
in einer Schutzgasatmosphäre, beispielsweise in Wasserstoff, verwendet werden. Infolge ihrer geringen
Induktivität ist der Spannungsabfall an der Induktionsheizspule gering und damit auch die Gefahr eines
elektrischen Überschlages zwischen der Induktionsheizspule und dem Halbleiterstab. Besonders vorteilhaft
ist auch die erhöhte Stützwirkung der erfindungsgemäßen InduktionsheizsDule. Dies ist insbesondere
beim sogenannten Aufstauchen, d. h. bei einem Zonenschmelzverfahren, bei dem der auskristallisierende
Stabteil einen größeren Durchmesser als der der Schmelzzone zugeführte Stabteil aufweist, wichtig.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung sei ein Ausführungsbeispiel angeführt:
30 Innendurchmesser der Flachspule ... ck = 29 mm
Außendurchmesser der Flachspule... da = 70 mm
Höhe der Flachspule an ihrem inneren
Rand 8 Zz1 = 2 mm
Rand 8 Zz1 = 2 mm
Höhe der Flachspule an ihrem äußeren
Rand 7 A2 = 6 mm
Höhe des Hohlkörpers 3 It3 = 60 mm
Claims (5)
1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes,
mit einer den Stab ringförmig umgebenden, aus einer als Flachspule ausgebildeten Induktionsheizspule und einem parallel zur Spulenachse geschlitzten,
sich in axialer Richtung erstreckenden Hohlkörper bestehenden Heizeinrichtung, dadurch
gekennzeichnet, daß der Hohlkörper (3) mit dem Außenrand der Flachspule (1)
direkt verbunden ist und aus elektrisch gut leitendem Material besteht.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flachspule (1) etwa in mittlerer
Höhe des Hohlkörpers (3) angeordnet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlkörper (3) die Form
eines Zylinders hat.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenmantelfiäche des
Hohlkörpers (3) einen Kegelstumpf mit sich von der Flachspule (1) aus in axialer Richtung erweiternder
Fläche bildet.
5. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung
aus Kupfer oder Silber besteht.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (9)
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GB49860/69A GB1240074A (en) | 1968-10-11 | 1969-10-10 | Improvements in or relating to the crucible-free zone melting of a crystalline rod |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3625669A1 (de) * | 1986-07-29 | 1988-02-04 | Siemens Ag | Induktionsheizer zum tiegelfreien zonenschmelzen |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2331004C3 (de) * | 1973-06-18 | 1982-02-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen |
FR2599482B1 (fr) * | 1986-06-03 | 1988-07-29 | Commissariat Energie Atomique | Four de fusion a induction haute frequence |
EP0292920B1 (de) * | 1987-05-25 | 1992-07-29 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Vorrichtung für HF-Induktionsheizung |
DE3805118A1 (de) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum tiegelfreien zonenziehen von halbleiterstaeben und induktionsheizspule zu seiner durchfuehrung |
EP1968355B1 (de) * | 2007-03-08 | 2013-02-27 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Induktionsspule und Vorrichtung zum induktiven Erwärmen von Werkstücken |
GB2478275A (en) * | 2010-02-24 | 2011-09-07 | Tubefuse Applic V O F | Induction heating apparatus and method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1152269B (de) * | 1959-04-28 | 1963-08-01 | Siemens Ag | Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes in einer Vakuumkammer |
DE1188043B (de) * | 1962-12-24 | 1965-03-04 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial |
CH421911A (de) * | 1963-01-08 | 1966-10-15 | Dow Corning | Verfahren zur tiegelfreien Schmelzzonenbehandlung eines Stabes aus kristallinem Halbleitermaterial, Induktionsheizspulenanordnung zur Durchführung des Verfahrens und nach diesem Verfahren hergestellter Siliciumstab |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2408229A (en) * | 1943-04-30 | 1946-09-24 | Rca Corp | Electrical heating apparatus |
US2459971A (en) * | 1945-08-30 | 1949-01-25 | Induction Heating Corp | Inductor for high-frequency induction heating apparatus |
US2814707A (en) * | 1954-11-12 | 1957-11-26 | Rca Corp | Induction heating device |
-
1968
- 1968-10-11 DE DE19681802524 patent/DE1802524B1/de not_active Withdrawn
-
1969
- 1969-09-10 NL NL6913795A patent/NL6913795A/xx unknown
- 1969-09-18 JP JP44074331A patent/JPS4817561B1/ja active Pending
- 1969-10-06 SE SE13720/69A patent/SE360277B/xx unknown
- 1969-10-07 US US864360A patent/US3601569A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-10-08 FR FR6934448A patent/FR2020390A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-10-09 CH CH1514969A patent/CH520524A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-10-09 AT AT951569A patent/AT299129B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-10-10 GB GB49860/69A patent/GB1240074A/en not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1152269B (de) * | 1959-04-28 | 1963-08-01 | Siemens Ag | Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes in einer Vakuumkammer |
DE1188043B (de) * | 1962-12-24 | 1965-03-04 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial |
CH421911A (de) * | 1963-01-08 | 1966-10-15 | Dow Corning | Verfahren zur tiegelfreien Schmelzzonenbehandlung eines Stabes aus kristallinem Halbleitermaterial, Induktionsheizspulenanordnung zur Durchführung des Verfahrens und nach diesem Verfahren hergestellter Siliciumstab |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3625669A1 (de) * | 1986-07-29 | 1988-02-04 | Siemens Ag | Induktionsheizer zum tiegelfreien zonenschmelzen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1240074A (en) | 1971-07-21 |
FR2020390A1 (de) | 1970-07-10 |
NL6913795A (de) | 1970-04-14 |
US3601569A (en) | 1971-08-24 |
AT299129B (de) | 1972-06-12 |
SE360277B (de) | 1973-09-24 |
CH520524A (de) | 1972-03-31 |
JPS4817561B1 (de) | 1973-05-30 |
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