DE1272900B - Vorrichtung zum Ziehen einkristalliner Staebe aus einer Schmelze - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

BOIj

Deutsche Kl.: 12 g-17/18

Nummer: 1272900

Aktenzeichen: P 12 72 900.9-43 (N 23970)

Anmeldetag: 23. November 1957

Auslegetag: 18. Juli 1968

Vorrichtungen zur Herstellung einkristalliner Stäbe, insbesondere aus einem Halbleitermaterial, wie Germanium oder Silicium, durch Ziehen eines einkristallinen Stabes durch einen auf einer Schmelze des Materials schwimmenden Körper, die aus einem Schmelztiegel, einer Heizung für die Schmelze und einer Einrichtung zum Emporziehen eines mit seinem Ende die Schmelze berührenden Einkristalls bestehen, sind bekannt. Vielfach wird ein Tiegel aus Graphit angewendet, der mittels einer Hochfrequenzspule geheizt wird. Dieser Tiegel hat eine zylindrische Seitenwand mit einem Innendurchmesser, der viel größer als der Durchmesser des gezogenen Kristalls ist. Meistens ist ein solcher Tiegel anfangs nicht ganz mit der Schmelze ausgefüllt. Während des Ziehvorganges des Kristalls senkt sich der Schmelzpegel im Tiegel. Auf der Schmelze schwimmt ein Körper, durch dessen Öffnung der Stab gezogen wird.

Die auf diese Weise hergestellten einkristallinen Stäbe werden vielfach, insbesondere wenn es sich um halbleitende Stäbe handelt, in kleinere Körper unterteilt und für halbleitende Vorrichtungen, wie Transistoren oder Kristalldioden, verwendet.

Die mit den erwähnten bekannten Vorrichtungen hergestellten einkristallinen Stäbe haben einen verhältnismäßig hohen Gehalt an Kristallbaufehlern, z. B. Verwerfungen und Gitterversetzungen, die außerdem ungleichmäßig auf dem Querschnitt des Stabes verteilt sind. Diese Verwerfungen und Versetzungen beeinträchtigen die physikalischen Eigenschaften des Einkristalls, z. B. seine Leitfähigkeit. Die Ungleichmäßigkeit des Stabes über den Querschnitt kann sich störend bei der Weiterverarbeitung, z. B. bei Diffusions- oder Legierungsvorgängen, auswirken.

Es ist weiter bekannt, beim Hochziehen, insbesondere von Halbleiterkristallen, zwei Tiegel anzuwenden, bei dem der kleinere Tiegel auf der Schmelze im größeren Tiegel schwimmt. Durch einen Kanal in der Wand des kleineren Tiegels gelangt die Schmelze in den kleineren Tiegel, aus dem der einkristalline Stab hochgezogen wird. Weil das Volumen der Schmelze im kleinen Tiegel konstant bleibt, kann ein einkristalliner Stab mit einer über seiner Länge konstanten Dotierung gezogen werden. Bei einer derartigen bekannten Anordnung weist der Tiegel eine ziemlich hoch über die Schmelze im inneren Tiegel hinausragende zylindrische Innenwand auf, die zur leichteren Zuführung von Material am oberen Rand etwas konisch ausgebildet ist. Der Durchmesser des aufgezogene Stabes ist jedoch viel kleiner als der Innendurchmesser des kleineren Vorrichtung zum Ziehen einkristalliner Stäbe
aus einer Schmelze

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,

Eindhoven (Niederlande)

Vertreter:

Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,

2000 Hamburg 1, Mönckebergstr. 7

Als Erfinder benannt:

Marcel Pieter Alfons Frangois, Brüssel

Beanspruchte Priorität:

Niederlande vom 28. November 1956 (212 549)

Tiegels. Der konische Teil der Innenwand des kleineren Tiegels ist bei dieser Vorrichtung so hoch über dem Schmelzpegel gelegen, daß dieser Teil zum Einstrahlen auf die Oberfläche desjenigen Stabteiles, in dem die Temperatur über der Erweichungstemperatur liegt, nicht beiträgt. Der konische Teil bildet mit der Stabachse einen Winkel von weniger als 30°.

Beim tiegelfreien Zonenschmelzen ist bekannt, zum Erwärmen der geschmolzenen Zone einen den Stab umgebenden Heizring anzuwenden, der nach der Innenseite verjüngt ist und kurze konische Flächen aufweist. Bei dieser bekannten Vorrichtung lag die Aufgabe vor, die Wärme sehr eng zu konzentrieren und damit die geschmolzene Zone auf eine sehr kleine Länge des Stabes einzugrenzen. Ein Ausgleich der Strahlung an der Oberfläche des schon erstarrten Stabteiles wurde dadurch nicht bezweckt und wegen der geringen Größe der Fläche auch nicht erreicht.

Bekanntlich entstehen Versetzungen nach der Kristallisation im wesentlichen infolge thermischer Spannungen in dem sich immer noch auf hoher Temperatur befindenden, frisch angewachsenen einkristallinen Stab. Ferner ist es bekannt, daß thermische Spannungen in einem kreiszylindrischen Stab der radialen Wärmeabfuhr im Stab zuzuschreiben sind und daß sie vermieden werden können, indem

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im Stab längs seiner Achse ein konstanter Tem- flachen Ringscheibe mit rechteckigem Querschnitt, peraturgradient erzeugt und aufrechterhalten wird. Besonders gute Ergebnisse werden mit einer Ring-Die Erfindung zielt darauf ab, eine Vorrichtung scheibe erzielt, die dünner als 5 mm ist. zum Ziehen einkristalliner Körper aus einer Schmelze Wesentlich ist vor allem, daß sich die Strahlungsanzugeben, bei dem diese Aufgabe wenigstens an- 5 fläche so dicht, wie es praktisch ohne Berührung genähert gelöst ist, ohne daß die geschilderten möglich ist, an den Stab anschließt, weil gerade die Schwierigkeiten auftreten. Sie stützt sich auf die Teile dieser Fläche, die in der Nähe des Stabes Erkenntnis, daß in demjenigen Teil des bereits an- liegen, zu einem beträchtlichen Teil zum Ausgleich gewachsenen einkristallinen Stabes, in dem durch beitragen. Theoretische Erwägungen haben ferner thermische Spannungen Verwerfungen und Ver- io ergeben, daß ein praktisch idealer Ausgleich bei Setzungen auftreten können, ein konstanter Tem- einem bestimmten Temperaturgradienten im Stab peraturgradient aufrechterhalten werden kann. Die- durch die Wahl eines bestimmten Verhältnisses des ser konstante Temperaturgradient verhütet dann das Außendurchmessers zum Innendurchmesser der ring-Auftreten thermischer Spannungen und beseitigt scheibenförmigen Strahlungsfläche erreichbar ist. In demnach die Ursache der Verwerfungen und Ver- 15 der Praxis werden vorzügliche Ergebnisse erhalten, Setzungen. Hierzu muß die durch Ausstrahlung an wenn dieses Verhältnis zwischen 2 und 3 liegt, mit der Oberfläche des bereits angewachsenen ein- anderen Worten, wenn der Außendurchmesser der kristallinen Stabes, der eine Temperatur hat, welche Strahlungsfläche das Zweifache bis Dreifache des die Erweichungstemperatur des Stoffes übersteigt, Stabdurchmessers beträgt, wobei weiter bemerkt sei, auftretende Verlustwärme durch Einstrahlung von 20 daß die Ringbreite, d. h. der halbe Unterschied Wärme möglichst ausgeglichen werden. Mit der zwischen Außendurchmesser und Innendurchmesser, Erweichungstemperatur eines Stoffes ist die niedrigste in dem Maße größer gewählt werden muß, als der Temperatur gemeint, bei der in diesem Stoff infolge Temperaturgradient kleiner ist. Es kann unter Umthermischer Spannungen noch Verwerfungen herbei- ständen vorteilhaft sein, anstatt die Abmessungen geführt werden. Die Erweichungstemperatur des 25 der Strahlungsfläche an den Temperaturgradienten Germaniums beträgt etwa 400° C und die des anzupassen, durch Kühlung des. Stabteiles, der sich Siliciums etwa 800° C. bereits auf einer niedrigeren Temperatur als der Bei den bekannten Anordnungen strahlt nun Erweichungstemperatur befindet, den Temperatar-Wärme von der Oberfläche der Schmelze und von gradienten den Abmessungen der Strahlungsfläche der über die Schmelze hinausragenden Tiegelwand 30 anzupassen, zweckmäßig durch Kühlung in einem auf den Stab ein. Der Strahlungskoeffizient der festen Abstand von dem Strahlungskörper, so daß üblichen Schmelzen ist aber sehr gering und trägt stets ein durch Kühlung erzwungener, konstanter wenig zum Ausgleich der Abstrahlung bei. Es hat Temperaturgradient sich ausbildet, sich weiter herausgestellt, daß die senkrechte innere Bei dem Körper, dessen obere Begrenzung eine Oberfläche der Tiegelwandung ungeeignet ist, eine 35 Fläche ist, die vom Schmelzpegel aus schräg nach derart verteilte Wärmeeinstrahlung auf die Ober- oben geneigt ist, soll die Neigung des konischen fläche des angewachsenen Stabes zu bewirken, daß Teiles, d. h. der Winkel, den die Erzeugende dieses der erwünschte konstante Temperaturgradient erhai- konischen Teiles mit der Achse des Stabes bildet, ten wird. insbesondere größer als 30°, zweckmäßig zwischen

Es wurde gefunden, daß es für einen annähernd 40 40 und 50°, gewählt werden.

vollständigen Ausgleich erforderlich ist, einen Der Strahlungsring ist zweckmäßig aus leitendem rotationssymmetrischen Strahlungskörper anzuwen- Material mit einem möglichst hohen Strahlungsden, der möglichst dicht am Rand der Erstarrungs- koeffizienten hergestellt. Vorzugsweise wird ein aus fläche anfängt und sich radial in eine große Ent- Graphit bestehender Strahlungsring verwendet, fernung vom Stab erstreckt. Es soll daher bei einer 45 Die Vorrichtung nach der Erfindung wird an Hand Vorrichtung zur Herstellung einkristalliner Stäbe, einiger in der schematischen Zeichnung dargestellter insbesondere aus einem Halbleitermaterial, durch Ausführungsbeispiele näher erläutert. Ziehen eines einkristallinen Stabes durch einen auf Fig. 1, 2, 3 und 4 zeigen im Schnitt einige Auseiner Schmelze des Materials schwimmenden Körper bildungen einer Vorrichtung nach der Erfindung zum erfindungsgemäß die Ziehöffnung des Körpers mit 50 Aufziehen eines einkristallinen Stabes; etwas Spielraum um den Stab passen, der Außen- F i g. 5 ist eine graphische Darstellung des Verdurchmesser des Körpers mindestens das Zweifache laufes der Ätzgrubendichte als Funktion des Abdes Stabdurchmessers betragen und die obere Be- Standes von der Achse für einen Stab, der mittels grenzung des Körpers eine Fläche sein, die in der einer Vorrichtung nach F i g. 1 hergestellt worden Ebene der Phasengrenze fest—flüssig oder, von dem 55 ist, und für einen Stab, der auf bekannte Weise ohne Schmelzpegel an der Ziehstelle ausgehend, schräg Verwendung eines Strahlungskörpers hergestellt ist. nach oben geneigt dazu liegt und dessen Strahlungs- In Fig. 1 enthält der z. B. aus Graphit bestehende koefflzient größer als der Strahlungskoeffizient der Tiegel 10 eine Germaniumschmelze 11 und wird Oberfläche der Schmelze ist. mittels eines von der Hochfrequenzspule 3 erzeugten Unter dem Ausdruck »Strahlungskoeffizient« wird 60 elektromagnetischen Hochfrequenzfeldes erhitzt, dabei das Verhältnis zwischen den von einem Ober- Durch die Öffnung der Graphit-Ringscheibe 2, die flächenelement eines normalen heißen Körpers und auf der Schmelze 11 schwimmt, wird ein eiil·- der von einem Oberflächenelement gleicher Größe kristalliner Stab 1 mit einem Durchmesser hoch- und gleicher Temperatur eines vollkommen schwär- gezogen, der bis auf etwas Spielraum den Innenzen Körpers emittierten Strahlungsmengen verstau- 65 durchmesser der Scheibe hat. Die Strahlungsfläche den (Emissionsverhältnis). an der oberen Seite der Scheibe bewirkt den Aus-Nach einer bevorzugten Ausfühiiungsform der gleich der vom Stab ausgestrahlten Wärme. Der Erfindung hat der Strahlungskörper die Form einer innerhalb der Scheibe 2 befindliche Stabteil ist im

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wesentlichen noch geschmolzen. Um zu verhindern, das Hochfrequenzfeld direkt erwärmt; die Bildung daß der Kontakt zwischen dem Stab und der der Schmelze kann durch die Wärmestrahlung Schmelze beim Hochziehen unterbrochen wird, wird der Strahlungsscheibe eingeleitet und gesteuert die Dicke der Strahlungsscheibe zweckmäßig kleiner werden.

als 5 mm gewählt. 5 Die beiden letztgenannten Maßnahmen nach der

Berechnungen ergeben, daß ein praktisch voll- Erfindung haben außerdem den Vorteil, daß die kommen idealer Ausgleich mit einer Strahlungs- senkrechte Wand des Schmelztiegels nur auf eine scheibe erreichbar ist, die sich bis an den Stab verhältnismäßig niedrige Temperatur erwärmt wird, erstreckt und auf eine Temperatur von so daß die von ihr ausgestrahlte Wärme, welche die

ίο Oberfläche des einkristallinen Stabes erreicht und. die gewünschte Strahlungsverteilung stört, herabgesetzt wird. Die der Erfindung zugrunde liegenden Erwägungen haben nämlich auch zu der Erkenntnis geführt, daß durch eine senkrechte Strahlungswand, erwärmt wird, wobei T_sm die Schmelztemperatur des 15 z. B. die die Schmelze überragende Tiegelwand, beim Stabes in Grad Kelvin und ε der Strahlungs- Hochziehen des Stabes eine die gewünschte Strahkoeffizient der Strahlungsfläche ist. Für eine Strah- lungskompensation störende Strahlungsverteilung lungsscheibe aus Graphit, die einen Strahlungs- entsteht; die Abweichungen treten insbesondere im koeffizienten von rund 1 hat, bedeutet dies eine empfindlichsten Teil des Stabes, in dem direkt an die Temperatur von 20 Erstarrungsfläche grenzenden Teil, auf. Es ist des

halb erwünscht, die Strahlung einer solchen Wand möglichst herabzusetzen.

= 1,191 sm· Fig. 2 ist eine schematische Darstellung einer

Vorrichtung, die entsteht, wenn die Erfindung bei Wenn dem Rechnung getragen wird, daß ideale 25 einer bekannten Vorrichtung zum Aufziehen ein-Umstände in der Praxis nicht auftreten, wird in der kristalliner Stäbe angewendet wird, mit der ein einPraxis zweckmäßig eine noch etwas höhere Tem- kristalliner Stab herstellbar ist, der in Längsrichtung peratur zwischen 1,2 T_sm und 1,5 T_sm bevorzugt. einen im wesentlichen konstanten spezifischen Wider-Weil die Tiegelwand aus Graphit in hohem Maße stand hat. Der einkristalline Stab 1 wird aus einem die Strahlungsscheibe 4 vor dem hochfrequentierten 30 Ziehtiegel 15 aufgezogen, der in der Schmelze 11 elektromagnetischen Feld abschirmt, wird die Strah- eines größeren Tiegels 16 schwimmt und durch einen lungsscheibe im wesentlichen indirekt von der Kanal 17 mit der Schmelze 11 des größeren Tiegels Schmelze erwärmt. Die Strahlungsscheibe hat daher 16 in Verbindung steht. Die Flüssigkeitspegel in den eine Temperatur, die der Temperatur der Schmelze beiden Tiegeln sind gleich oder nahezu gleich. Nach entspricht oder nur wenig höher ist. Hierdurch wird 35 ^der Erfindung hat der schwimmende Tiegel 15 an zwar kein idealer Ausgleich erreicht, trotzdem aber seiner Öffnung eine ringscheibenförmige Randfläche bereits eine wesentliche Verbesserung gegenüber dem 18, vorzugsweise mit dem obengenannten Außenbekannten Verfahren ohne besonderen Strahlungs- durchmesser, deren obere Seite die ausgleichende ring erhalten. Beim Fehlen, der Strahlungsscheibe Strahlungsfläche bildet und deren untere Seite auf fungiert nur die Oberfläche der Schmelze als aus- 40 der Schmelze 11 schwimmt, so daß der Flüssigkeitsgleiehender Wärmestrahlungskörper. Dieser Aus- pegel im Tiegel ungefähr bis an die ebene Randgleich hat sich aber in der Praxis infolge des niedri- fläche reicht; dabei ist der Ziehtiegel 15,18 derart gen Strahlungskoeffizienten des geschmolzenen Stof- bemessen oder die Ziehgeschwindigkeit des einfes als unzulänglich erwiesen. Durch Steigerung des kristallinen Stabes derart eingestellt, daß der Durch-Strahlungskoeffizienten der Strahlungsfläche, im vor- 45 messer des einkristallinen Stabes bis auf einen geliegenden Fall durch Verwendung einer schwimmen- ringen Spielraum dem Innendurchmesser der ebenen den Graphitscheibe, wird der Ausgleich bereits Tiegelrandfläche entspricht.

wesentlich verbessert. Statt den Strardungskoeffizien- In den F i g. 3 und 4 sind Vorrichtungen nach

ten der Strahlungsfläche zu vergrößern, kann man der Erfindung dargestellt, bei denen der Wärmemit gleicher Wirkung ihre Temperatur erhöhen. Nach 50 Strahlungskörper aus einem zum Stab koaxialen der Erfindung kann die Temperatur der Strahlungs- Strahlungskörper besteht, dessen Innenseite wenigscheibe noch dadurch erhöht werden, daß in den stens in dem Teil sich konisch in der Ziehrichtung senkrechten Wänden des Tiegels z. B. zehn Ein- erweitert, der die Erstarrungsfläche und einen an schnitte vorgesehen werden, die so schmal, z. B. diese angrenzenden, bereits angewachsenen ein-0,25 mm, sind, daß die Schmelze infolge ihrer Ober- 55 kristallinen Stabteil, der sich auf einer die Erweiflächenspannung noch nicht durch sie aus dem Tiegel chungstemperatur übersteigenden Temperatur befinfließen kann. Kreisförmige Hochfrequenzströme in det, umgibt.

der Tiegelwand werden hierdurch in hohem Maße Bei der schematisch in Fig. 3 im Schnitt darunterbunden. Ein verhältnismäßig großer Teil des gestellten Vorrichtung nach der Erfindung, die zum Hochfrequenzfeldes kann dann die Strahlungsscheibe 60 Aufziehen eines einkristallinen Stabes bestimmt ist, erreichen und sie direkt erwärmen. kommt entsprechend der Vorrichtung nach F i g. 1

Nach der Erfindung kann die Temperatur der ein auf der Schmelze schwimmender Strahlungsring schwimmenden Strahlungsscheibe auch bis oberhalb zur Verwendung. Dieser Strahlungsring 30 hat einen der Schmelztemperatur erhöht werden, in dem ein in der Ziehrichtung des Stabes, d. h. von der Tiegel aus Isolierstoff, z. B. ein Quarztiegel, zu- 65 Schmelze weg, sich konisch erweiternden Teil, der samman mit einer Strahlungsscheibe aus leitendem unten in einen zylindrischen Teil übergeht. Der Material, z. B. aus Graphit, verwendet wird. Auch Strahlungsring schwimmt derart auf der Schmelze, in diesem Fall wird die Strahlungsscheibe durch daß nur der konische Teil die Schmelze überragt.

Die Vorrichtung nach Fig. 4 entspricht im wesentlichen der nach Fig. 2; lediglich ist die ebene ringscheibenförmige Randfläche 18 des Ziehtiegels 15 nach Fig.2 in Fig.4 durch einen konisch verlaufenden Teil 35 der Innenwand des Ziehtiegels 15 ersetzt. Nach der Erfindung schwimmt der Ziehtiegel 15 so in der Schmelze, daß sich oberhalb des Flüssigkeitspegels 36 im Ziehtiegel lediglich der konisch verlaufende Teil 35 der Innenwand befindet. Auf diese Weise empfängt der hochgezogene Stabl nur die Strahlung von der konischen Innenwand.

Die bei der Erläuterung der Fig. 1 beschriebenen Mittel zur Temperaturerhöhung des schwimmenden Strahlungskörpers können sehr vorteilhaft auch bei den Vorrichtungen nach den Fig. 2, 3 und 4 angewendet werden.

Die Wirkung der Erfindung wird an Hand der Fig. 5 näher erläutert, die eine graphische Darstellung der Ergebnisse mit der Vorrichtung nach F i g. 1 ist. Senkrecht ist die Dichte der Ätzgruben je Quadratzentimeter in einer beliebigen Einheit aufgetragen; diese Dichte ist ein Maß für die Störstellendichte im Kristall. Der Abstand von der strichpunktiert dargestellten Achse X-X des Stabes ist waagerecht aufgetragen.

Die Kurve A stellt die Ätzgrubenverteilung über der Querschnittsfläche dar, die bei einem einkristallinen Stab auftritt, der in einer Vorrichtung nach F i g. 1 erhalten ist. Die Kurve B stellt die Ätzgrubenverteilung bei einem ohne einen Strahlungskörper aufgezogenen einkristallinen Stab dar. Es ist ersichtlich, daß bei dem in der Vorrichtung nach der Erfindung erhaltenen einkristallinen Stab die Ätzgrubendichte kleiner ist und die Ätzgruben gleichmäßiger auf der Querschnittsfläche verteilt sind. Nur am Rand RR des Stabes nimmt die Ätzgrubendichte beträchtlich zu. In diesem Zusammenhang wird aber darauf hingewiesen, daß hierbei die Temperatur des schwimmenden Strahlungskörpers niedriger als die zur idealen Kompensation erforderliche Temperatur war. Trotzdem kam bereits eine beträchtliche Verbesserung zustande.

Claims (12)

Patentansprüche:

1. Vorrichtung zur Herstellung einkristalliner Stäbe, insbesondere aus einem Halbleitermaterial, durch Ziehen eines einkristallinen Stabes durch einen auf einer Schmelze des Materials schwimmenden Körper, dadurch gekennzeichnet, daß die Ziehöffnung des Körpers mit etwas Spielraum um den Stab paßt, daß der Außendurchmesser des Körpers mindestens das Zweifache des Stabdurchmessers beträgt und die obere Begrenzung des Körpers eine Fläche ist, die in der Ebene der Phasengrenze fest—flüssig oder, von dem Schmelzpegel an der Ziehstelle ausgehend, schräg nach oben geneigt dazu liegt und dessen Strahlungskoeffizient größer als der Strahlungskoeffizient der Oberfläche der Schmelze ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlungskörper die Form einer flachen Ringscheibe (2) mit rechteckigem Ringquerschnitt hat.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ringscheibe (2) dünner als 5 mm ist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ringscheibe als Rand.-fläche (18) eines zum Stab koaxialen, auf der Schmelze schwimmenden Ziehtiegels (15) mit einer unteren Öffnung (17) ausgebildet ist.

5. Vorrichtung nach Anspruch 1 bei Verwendung eines Körpers mit schräg nach oben geneigter oberen Begrenzungsfläche, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper sich unterhalb des Schmelzpegels als ein auf der Schmelze schwimmender, zum Stab koaxialer Ziehtiegel mit einer unteren Öffnung (17) fortsetzt.

6. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Neigung dei oberen Begrenzungsfläche des Körpers gegenüber der Stabachse mehr als 30° beträgt.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Neigung 40 bis 50° beträgt.

8. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die durch hochfrequente Induktionsströme erwärmte Schmelze hi einem Schmelztiegel angeordnet ist, der aus einem elektrisch leitenden Stoff und dessen Wandung mit Einschnitten versehen ist, die so bemessen sind, daß die Schmelze im Tiegel verbleibt, die Hochfrequenzströme jedoch unterbrochen sind.

9. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die durch hochfrequente Induktionsströme erwärmte Schmelze in einem Schmelztiegel aus einem elektrischen Isolierstoff angeordnet ist und daß der Strahlungskörper aus einem elektrischen Leiter besteht.

10. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlungskörper aus Graphit besteht.

11. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß an dem erstarrten Teil des Stabes, der eine Temperatur oberhalb der Erweichungstemperatur des Stabmaterials hat, eine Kühleinrichtung angeordnet ist.

12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinrichtung in einem konstanten Abstand von dem Strahlungskörper angeordnet ist.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Britische Patentschrift Nr. 754767;

In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1044 768.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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