CH421911A - Verfahren zur tiegelfreien Schmelzzonenbehandlung eines Stabes aus kristallinem Halbleitermaterial, Induktionsheizspulenanordnung zur Durchführung des Verfahrens und nach diesem Verfahren hergestellter Siliciumstab - Google Patents

Verfahren zur tiegelfreien Schmelzzonenbehandlung eines Stabes aus kristallinem Halbleitermaterial, Induktionsheizspulenanordnung zur Durchführung des Verfahrens und nach diesem Verfahren hergestellter Siliciumstab

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CH421911A
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R Crosby Lloyd
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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