DE1772721A1 - Fotographisches Abbildungsverfahren unter Verwendung einer Blitzlichtquelle - Google Patents

Description

IBM Deutschland Internationale Büro-MasMnen Geeelhchafi mbH

Böblingen, 21. Juni 1968 sa-sch

Anmelderin:

Amtl. Aktenzeichen:

Aktenz. der Anmelderin:

International Business Machines Corporation, Armonk, N. Y. 10 504

Neuanmeldung

Docket OW 966 002

Fotographisches Abbildungsverfahren unter Verwendung einer Blitzlichtquelle

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur fotographischen Abbildung eines von einer Blitzlichtquelle durchstrahlten Musters auf eine lichtempfindliche Schicht.

Beim fotographischen Prozess entsteht bekanntlich durch Belichtung ein latentes Bild in der fotographischen Emulsion, das bei der Entwicklung zum Vorschein kommt. Durch die übliche Negativ-Entwicklungstechnik erscheinen dabei die belichteten Bereiche dunkler als die unbelichteten Bereiche. Wird die Emulsion andererseits nach dem Verfahren der Umkehrtechnik, auch direkte oder positive Technik genannt, entwickelt, so wird die umgekehrte Wirkung erzielt, d. h. die belichteten Bereiche erscheinen heller und die unbelichteten Bereiche dunkler. Ist die Emulsion auf einem durchsichtigen Träger aufgebracht, so sind in jedem

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Falle von den durch die Konturen des abzubildenden Gegenstandes abgegrenzten hellen und dunklen Bereichen die hellen Bereiche durchsichtig und die dunklen Bereiche undurchsichtig.

Es hat sich nun herausgestellt, daß innerhalb der unbelichteten Bereiche fehlerhaft belichtete Stellen in Form von kleinen Flecken auftreten, welche dazu führen können, daß die tatsächlichen Konturen der unbelichteten Bereiche verwischt werden. Diese Flecke sind dunkel, wenn die Negatiy-Entwicklungstechnik angewendet wird. Auf einem transparenten Substrat erscheinen sie daher als undurchsichtige Stellen. Bei Anwendung der Positiv-Entwicklungstechnik sind diese Flecke hell und erscheinen daher bei der Durchstrahlung als helle Stellen innerhalb der dunklen Bereiche. Diese Flecke können, wie sich gezeigt hat, die Brauchbarkeit der erzeugten Bilder in Frage stellen. Dies trifft insbesondere bei den fotolithographischen Verfahren zur Erzeugung von gedruckten oder integrierten Schaltungen zu. Bei diesen Verfahren werden bekanntlich Fotomasken verwendet, die eine Vielzahl von Abbildungen des jeweiligen Schaltungsmusters enthalten, das auf die fotolithographische Schicht zu übertragen ist. Zur Herstellung dieser Fotomasken wird üblicherweise eine vergrößerte Zeichnung des jeweiligen Schaltkreises stark verkleinert auf dem Trägermaterial der Maske abgebildet. Gewöhnlich werden dabei mindestens zwei Verkleinerungen vorgenommen, wobei die letzte Verkleinerung sodann als Fotomaske dient.

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Es ist bisher kein Weg bekannt, das Auftreten der erwähnten Flecke bei der Herstellung der Fotomasken zu eliminieren oder auch nur zu vermindern. Infolgedessen hat es sich bisher nicht vermeiden lassen, daß die in den Fotomasken enthaltenen Flecke bei der Belichtung auf die fotolithographische Schicht der Schaltplatten abgebildet wurden. Somit enthielt auch die fertige Schaltplatte fehlerhafte Bereiche des Materials, welches das Schaltungsmuster bildete. Das hatte jedoch zum Ergebnis, daß die elektrischen Parameter der Schaltplatte nachteilig beeinflußt wurden. So können beispielsweise die durch die Flecken der Fotomaske entstandenen fehlerhaften Bereiche, die Wirk- und/oder Blind-Wider stands charakteristik der Schaltelemente nachteilig beeinflussen und sogar Kurzschlüsse zwischen den Schaltelementen herbeiführen. Bei der Herstellung von mikrominiaturisierten integrierten Schaltungen, bei denen die Abmessungen der Flecke in der Größenordnung der endgültigen Schaltelemente liegen, fällt das Auftreten dieser fehlerhaften Flecke noch nachteiliger ins Gewicht.

Aufgabe der Erfindung ist es, die Bildqualität bei der fotographischen Aufzeichnung zu verbessern und die Bildung der beschriebenen fehlerhaften Bereiche zu verringern oder ganz zu eliminieren. Durch die Erfindung soll ferner die Linienschärfe des abzubildenden Musters erhöht werden. Aufgabe der Erfindung ist weiterhin die Schaffung eines fotographischen Verfahrens, durch das verbesserte Fotomasken bei der Herstellung von gedruckten oder integrierten Schaltungen erhalten werden, die im wesentlichen frei von fehlerhaft belichteten Stellen sind.

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Gemäß der Erfindung wird dies dadurch erreicht, daß die Belichtung der Schicht mit dem Muster durch eine Vielzahl von aufeinanderfolgenden Lichtblitzen geringer Energie erfolgt.

Das erfindungsgemäße Verfahren wird in besonders vorteilhafter Weise angewendet zur Herstellung von Fotomasken bei der Erzeugung von integrierten Schaltungen mittels vielfacher, verkleinerter fotographischer Abbildung eines Schaltkreise darstellenden Musters auf eine auf einem verschiebbar angeordneten, durchsichtigen Träger aufgebrachte, lichtempfindliche Schicht, wobei die Belichtung jeder Abbildungsposition durch eine Vielzahl von aufeinanderfolgenden Lichtblitzen geringer Energie erfolgt.

In vorteilhafter Weise werden die Lichtblitze durch eine Xenon-Blitzlampe über ein mit ihr verbundenes Steuergerät erzeugt. Dabei hat es sich als vorteilhaft erwiesen, daß bei Verwendung einer orthochromatischen Platte mit ultrasteiler ' Gradation das Muster in jeder Abbildungsstellung mit 40 bis 80 Lichtblitzen von je 0, 014 bis 0, 0018 Wattsec. Energie bestrahlt wird.

Die Erfindung wird anhand eines durch die Zeichnungen erläuterten Ausführungsbeispieles beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 in schematischer, teilweise schaubildlicher Darstellung das

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Ausgangsmuster und die fotographische Einrichtung zur Herstellung der ersten Verkleinerung,

Fig. 2 die erhaltene erste Verkleinerung, vergrößert in schaubildlicher

Ansi cht dargestellt,

Fig. 3 in schematischer Darstellung einen fotographischen Apparat,

durch den nach dem erfindungs gemäßen Verfahren aus der ersten Verkleinerung die Fotomaske hergestellt wird,

Fig. 4 die unentwickelte Fotomaske in schaubildlicher Ansicht,

Fig. 5a, 5b vergrößerte Ausschnitte der in Fig. 4 dargestellten Fotomaske, die nach dem Negativ- bzw. Positiv-Verfahren entwickelt wurde,

Fig. 6a die Wiedergabe eines mikroskopischen Bildes, in welchem die

bei einer nach den bisher üblichen Verfahren hergestellten Fotomaske auftretenden, fehlerhaft belichteten Stellen zu erkennen g sind und

Fig. 6b - 6d die Wiedergabe mikroskopischer Bilder zur Erläuterung der fortschreitenden Verminderung der Bildung fehlerhaft belichteter Stellen in den Fotoemulsionen der Masken bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens.

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In Fig. 1 ist mit 1 die Ausgangszeichnung bezeichnet, von der mit Hilfe der Kamera 3 die schematisch angedeutete, erste fotographische Verkleinerung 2 hergestellt wird. Zur Herstellung der Ausgange zeichnung 1 wird beispielsweise eine lichtempfindliche Schicht 4 auf die ebene Oberfläche 5 eines Glas substrates aufgebracht. Die Schicht 4 wird dann ohne Belichtung fotographisch fixiert. Sodann wird die Platte in eine handelsübliche, wasserlösliche rote Färbelösung eingetaucht. Zur Verfestigung der Farbe wird die Platte schließlich in eine 2 %ige Essigsäurelösung getaucht und danach getrocknet. Nunmehr wird mit Hilfe eines Diamantschreibwerkzeuges und einer Positioniereinrichtung, in welcher die Platte vorübergehend befestigt wird, in die Schicht 4 mit großer Präzision ein bestimmtes Schaltungsmuster in vergrößertem Maßstab eingraviert. Danach werden die dem S chaltungs muster entsprechenden Teile der Schicht 4 von der Oberfläche 5 entfernt, so daß die übrigbleibenden Teile der Schicht 4 das von den durchsichtigen Bereichen der Glasfläche 5 gebildete Schaltungsmuster begrenzen. Der Einfachheit halber ist das Schaltungsmueter in Fig. 1 als Rechteck I mit der horizontalen Seitenlänge L dargestellt.

Das lichtempfindliche Element 2 besitzt eine lichtempfindliche Schicht 7 hohen Auflösungsvermögens, die auf der ebenen Oberfläche der durchsichtigen Glasplatte 8 aufgebracht wurde. Nach Belichtung der Emulsion 7 mit der Zeichnung 1 in der Kamera 3 wird die Platte 2 nach dem Positiv-Verfahren entwickelt, so daß das verkleinerte Bild der Zeichnung 1 so wie im einzelnen in Fig. 2 dar ge-

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stellt in der Schicht 7 erscheint. Das Schaltungsmuster entspricht somit dem Rechteck II in Fig. 2, dessen Dimensionen dem gewählten Verkleinerungsfaktor entsprechen. Der Verkleinerungsfaktor im beschriebenen Beispiel beträgt 12. Infolgedessen beträgt die horizontale Kantenlänge des Rechtecks II ein zwölftel der horizontalen Kantenlänge L des Rechtecks I.

Die Platte 2 dient nunmehr zur Herstellung der zweiten Verkleinerung 9» die im beschriebenen Beispiel gleichzeitig als Fotomaske verwendet wird. Wie in Fig. dargestellt, wird die Platte 2 in den schematisch dargestellten, fotografischen Apparat 10 eingesetzt. Der Apparat 10 enthält die gasgefüllte Blitzlampe 11 und ein an sich bekanntes, steuerbares Regelgerät 12 für die Blitzlampe. Das Regelgerät 12 steuert die Anzahl und die Intensität der Lichtblitze der Röhre 11. Das Regelgerät 12 ist über die Leitungen 12a mit einer, nicht dargestellten Energiequelle verbunden. Der Apparat 10 enthält ferner das Kondensor-Linsensystem 13, welches das Licht der Röhre 11 sammelt und eine einheitliche Ausleuchtung dee Gegenstandes insbesondere der Platte 2 bewirkt. Es projiziert ferner die Wendel 14 in die schematisch dargestellte Blendenebene 15. Das Objektiv-Linsensystem 16, 17, 18 fokussiert das Bild der Platte 2 auf die lichtempfindliche Schicht 19, die auf die ebene Oberfläche der durchsichtigen Glasplatte 20 des Elementes 9 aufgebracht ist. In dem beschriebenen Ausführungsbeispiel besteht das Element 9 aus einer handelsüblichen orthochromatischen, lithographischen Platte mit ultrasteiler Gradation. Zur Belichtung der Emulsion 19 mit nahezu monochro-

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matischem Licht kann ein Farbfilter, wie z. B. das Grünfilter 21, zwischengeschaltet sein. Zusätzlich kann auch eine Blende 22, wie schematisch angedeutet -vorgesehen sein. Die Elemente des Apparates 10 sowie die Platten 2 und 9 sind sb zueinander angeordnet, daß die Belichtung der Schicht 19 durch die Platte 2 ein verkleinertes Bild auf dieser erzeugt.

Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Emulsion 19 durch eine Vielzahl von einzelnen Lichtblitzen geringer Intensität der Röhre 11 exponiert. Dadurch wird auf die Emulsion 19 ein reduziertes Bild der Platte 2 übertragen, bei dem die Bildung der erwähnten fehlerhaften Flecke vermindert oder ganz eliminiert ist. Das in der Emulsion 19 erzeugte Bild der Platte 2 ist im vorliegenden Falle um den Reduktionsfaktor fünfeinhalb verkleinert. Somit ist mit dem ersten Reduktionsfaktor zwölf und dem folgenden Reduktionsfaktor fünfeinhalb das Bild in der Schicht 19 Sechsundsechzig mal kleiner als die ursprüngliche Zeichnung 1.

Die Platte 9 ist im Apparat 10 in einer zur optischen Achse 23 senkrechten Ebene verschiebbar angeordnet. Sie wird in die einzelnen AbbildungsStellungen verschoben, in denen jeweils ein verkleinertes Bild der Platte 2 oder einer ent.

* sprechenden anderen Platte mit einem anderen Schaltungsmuster fotographisch auf die Schicht 19 übertragen wird. Nach diesem schrittweisen Verfahren entsteht auf der Fotomaske 9 eine Reihe von Bildern. Dabei wird die Schicht 9

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in jeder Position mit einer Vielzahl von einzelnen Lichtblitzen geringer Energie der Blitzlampe 11 exponiert, so daß die Bildung der erwähnten fehlerhaften Flecke verringert oder ganz eliminiert wird. Wenn die schrittweise Belichtung beendet ist, befindet sich auf der Schicht 19 in jeder Position in welche die Platte 9 bewegt wurde ein einzelnes Schaltungsbild, und die Gesamtheit aller Schaltungsbilder bildet die Fotomaske. Der Einfachheit halber ist in der in Fig. 4 dargestellten Schicht 19 nur für eine Position der Maske 19 das verkleinerte, latente Bild ΠΙ des Musters Π der Platte 2.

Das erforderliche Entwicklungsverfahren für die Fotomaske 9 hängt von der auf der nicht dargestellten Schaltplatte verwendeten fotolithographischen Schicht ab. Wird z. B. eine positive fotolithographische Emulsion für die Schaltplatte benutzt, so müssen die undurchsichtigen Teile der Maske das Schaltungsmuster bilden. Infolgedessen muß die Fotomaske nach dem Negativ-Verfahren entwickelt werden, damit auf der Schaltplatte das Schaltungsmuster erzeugt werden kann. Wenn die positive fotolithographische Schicht der Schaltplatte danach durch die durchs chei- \

nenden Bereiche der negativen Fotomaske hindurch mit ultraviolettem Licht belichtet wird, zerstört sozusagen das ultraviolette Licht die belichteten Bereiche der positiven fotolithographischen Schicht. Die belichteten Bereiche werden danach entfernt, so daß die unbelichteten Bereiche in Form der gewünschten Schaltung übrig bleiben. Wird andererseits eine negative fotolithographische Schicht für die Schaltplatte benutzt, so müssen die durchsichtigen Teile der

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Fotomaske das Schaltungemuster auf der Schaltplatte bilden. Infolgedessen muß für die Entwicklung der Fotomaske ein positives Verfahren angewendet werden, um das Muster auf der Schaltplatte zu erzeugen. Im letzteren Falle werden durch die ultraviolette Belichtung der negativen fotolithographischen Schicht der Schaltplatte durch die durchscheinenden Bereiche der Fotomaske hindurch die belichteten Bereiche der negativen fotolithograpidechen Schicht sozusagen gehärtet. Die unbelichteten Bereiche werden anschließend entfernt, so daß die belichteten und gehärteten Bereiche in Form des gewünschten Schaltung smu β te rs übrig bleiben.

In Fig. 5a ist angenommen, daß die Fotomaske 9 der Fig. 4 in Verbindung mit einer positiven fotolithographischen Schicht der Schaltplatte verwendet wird. Demzufolge wird die Fotomaske 9 nach dem üblichen Negativ-Verfahren entwickelt. Demzufolge entspricht nach der Entwicklung der Maske 9 der teilweise dargestellte undurchsichtige Bereich der entwickelten Schicht 19 dem Schaltungsmuster III. Wird andererseits die Fotomaske 9 der Fig. 4 in Verbindung mit einer negativen fotolithographischen Schicht der Schaltplatte benutzt, so wird die Maske 9 nach dem positiven Verfahren entwickelt. Somit entspricht, wie in Fig. 5b dargestellt, nach der Entwicklung der Maske 9 der teilweise dargestellte Bereich 20, der von der entwickelten Emulsion 19 umgeben ist, dem Schaltung smuster III.

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Wie in Fig. 6a dargestellt, hat es sich herausgestellt, daß unerwünschte belichtete Bereiche in der Bildfläche der Emulsion 19 entstehen, wenn ein Lichtblitz hoher Intensität von der Blitzröhre 11 benutzt wird, um die Emulsion 19 der Maske 9 in der bisher üblichen Weise zu belichten. Fig. 6a ist die Wiedergabe eines mikroskopischen Bildes eines Teiles 91 der Fotomaske, die nach dem bisher üblichen Verfahren belichtet und nach dem Negativ-Verfahren entwickelt wurde. In diesem Bild erscheinen die fehlerhaft belichteten Bereiche als undurchsichtige Flecke 25 innerhalb des belichteten Bereiches 26. Der Bereich 27 entspricht dem belichteten Bereich der Fotomaske, der einen Teil des Schaltungsmusters darstellt. Zusätzlich ergibt sich, daß die Schärfe der Trennungslinie zwischen den Bereichen 26 und 27 sehr gering ist.

In Fig. 6b ist ein mikroskopisches Bild dargestellt, das sich ergibt, wenn nach dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Vielzahl von diskreten Lichtblitzen geringer Energie von der Lampe 11 verwendet wurde, um die Fotoemulsion 19 eines anderen Bereiches 92 zu belichten. Die Zahl der Flecke 25' ist dabei ver- f ringert und die Schärfe der Trennungslinie 28' zwischen den Bereichen 26' und 27* ist verbessert. Wird die Anzahl der Lichtblitze weiter gesteigert, so verringert sich auch die Zahl der Flecke, und die Linienschärfe wird weiter verbessert. In Fig. 6c ist ein anderer Bereich der Fotomaske 93 ausschnittsweise dargestellt, der den Bereichen 91 und 92 ähnlich ist. Dieser Bereich ist mit einer vergrößerten Anzahl von Lichtblitzen exponiert worden, so daß die Zahl

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der Flecke 25' weiter abgenommen hat und die Schärfe der Trennungslinie 28" weiter verbessert wurde. Eine weitere Vergrößerung der Anzahl der Lichtblitze bei einem anderen, aus Schnitts weise dargestellten und im Aufbau den Bereichen 91 bis 93 entsprechenden Bereich 94, ergibt, wie in Fig. 6d dargestellt, eine weitere Eliminierung der Flecke 25'" und eine weitere Verbesserung der Schärfe der Trennungslinie 28'" . Bei den vier Maskenbeispielen 91 bis 94'ist die optische Dichte der die Schaltung bildenden Bereiche 27 bis 27*" gleich groß. Die in den Fig. 6a bis 6d dargestellten mikroskopischen Bilder entsprechen entwa dem durch den gestrichelten Kreis A in Fig. 5a begrenzten Bereich der jeweiligen Fotomasken 91 bis 94. Bei Entwicklung der Fotomasken 91 bis 94 nach dem direkten Positiv-Verfahren wären die fehlerhaften Flecke als durchsichtige Stellen oder Löcher in der entwickelten Emulsion 19 in Erscheinung getreten. In Fig. 5b ist ein solcher durchsichtiger Fleck 25a stark vergrößert dargestellt. Auch die Bildung solcher fehlerhafter Flecke wird durch das erfindungsgemäße Verfahren vermindert oder ganz eliminiert.

Die Bildqualität der Maske 9 wird durch das beschriebene Verfahren stark verbessert. Infolgedessen wird auch das eine Leitung oder ein Schaltelement bildende Material auf der Schaltplatte eliminiert oder wenigstens verringert, wenn die Maske in Verbindung mit der fotolithographi sehen Schicht der Schaltplatte benutzt wird. Damit wird auch die Tendenz der fehlerhaften Flecke Kurzschlußbrücken zwischen benachbarten Schaltelementen der Schaltplatte zu bilden be-

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seitigt oder zumindesten verringert. Ferner werden durch diese Beseitigung oder Verringerung der Bildung der fehlerhaften Flecke die elektrischen Impedanzwerte der Schaltelemente verbessert und ein Übersprechen zwischen diesen Elementen verhindert. Schließlich wird infolge der durch die Eliminierung der fehlerhaften Flecke und die Erhöhung der Linienschärfe verbesserte Qualität der Fotomaske eine höhere Packungsdichte der einzelnen Schaltkreise ermöglicht.

Die Tabellen I bis IV ermöglichen einen Vergleich der verschiedenen Parameter, die bei der Herstellung der in den Fig. 6a bis 6d dargestellten Fotomasken verwendet wurden. Hierzu ist zu bemerken, daß das fotographische Verfahren, das den Werten der Tabelle I entspricht und in Fig. 6a dargestellt ist, dem Stand der Technik entspricht und daß durch das erfindungsgemäße fotographische Verfahren die Werte der Tabelle II bis IV, die den Fig. 6b bis 6d entsprechen, erhalten wurden.

Tabelle I (Stand der Technik)

Platte 9: Kodak Kodalith Ortho

Platte, Type 3

Xenon Blitzlampe Type: FX- 31 Anzahl der Lichtblitze: 1 Intensität pro Blitz: 1,44 Watts ec.

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Tabelle II

Platte 9:

Xenon Blitzlampe Type: Anzahl der Lichtblitze: Intensität pro Blitz: Kodak Kodalith Ortho Platte, Type 3 FX-31

40

0, 0144 Wattsec.

Tabelle III

Platte 9:

Xenon Blitzlampe Type' Anzahl der Lichtblitze: Intensität pro Blitz: Kodak Kodalith Ortho Platte, Type 3 FX-31

60

0, 0036 Wattsec. .

Tabelle IV

Platte 9:

Xenon Blitzlampe Type: Anzahl der Lichtblitze: Intensität pro Blitz: Kodak Kodalith Ortho Platte, Type 3 FX-31

0, 0018 Wattsec.

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Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf die Herstellung von Fotomasken beschränkt, sondern kann auch bei anderen fotographischen Verfahren, bei denen eine Verbesserung der Bildqualität und insbesondere die Eliminierung der Bildung von fehlerhaft belichteten Bereichen innerhalb von unbelichteten Bereichen und eine Verbesserung der Linienschärfe des Bildes erwünscht ist, angewendet werden. So könnte die Erfindung bei der Herstellung von industriellen, Studiooder wissenschaftlichen Fotographien Anwendung finden.

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Claims (4)

1. Patentansprüche

   .J Verfahren zur fotographischen Abbildung eines von einer Blitzlichtquelle durchstrahlten Musters auf eine lichtempfindliche Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Belichtung der Schicht mit dem Muster durch eine Vielzahl von aufeinanderfolgenden Lichtblitzen geringer Energie erfolgt.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch seine Anwendung zur Herstellung von Fotomasken bei der Erzeugung von integrierten Schaltungen mittels vielfacher, verkleinerter fotographischer Abbildung eines Schaltkreise darstellenden Musters auf eine auf einem, verschiebbar angeordneten, durchsichtigen Träger aufgebrachte lichtempfindliche Schicht, wobei die Belichtung in jeder Abbildungsposition durch eine Vielzahl von aufeinanderfolgenden Lichtblitzen geringer Energie erfolgt.
3. 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die " Lichtblitze durch eine Xenon-Blitzlampe über ein mit ihr verbundenes

   Steuergerät erzeugt werden.
4. 4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei
   Verwendung einer orthochromatischen Platte mit ultrasteiler Gradation das Muster in jeder AbbildungsStellung mit 40 bis 80 Lichtblitzen von je 0, 014 bis 0, 0018 Wattsec. Energie bestrahlt wird.

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