DE1422474C3 - Lichtempfindliches Gemisch - Google Patents

Lichtempfindliches Gemisch

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DE1422474C3 DE1422474A DEK0038574A DE1422474C3 DE 1422474 C3 DE1422474 C3 DE 1422474C3 DE 1422474 A DE1422474 A DE 1422474A DE K0038574 A DEK0038574 A DE K0038574A DE 1422474 C3 DE1422474 C3 DE 1422474C3
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Fritz Dr. 6200 Wiesbaden Endermann (Verstorben)
Wilhelm Dr. Neugebauer
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
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Description

entspricht, in der
D einen Naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-4-sulfonylrest oder Naphthochinone,2)-diazid-(2)-5-sulfonylrest und
R eine Arylgruppe, die substituiert sein kann,
bedeuten.
2. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich einen alkalilöslichen Phenol-Aldehyd-Novolak enthält.
3. Lichtempfindliches Gemisch nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Mengenanteil an alkalilöslichem Phenol-Aldehyd-Novolak mindestens gleich groß ist wie der Anteil an Naphthochinon-(l^)-diazid-(2)-sulfonsäureester.
4. Lichtempfindliches Kopiermaterial, bestehend aus einem Schichtträger und einer lichtempfindlichen Schicht, die einen Naphthochinone,2)-diazid-(2)-sulfonsäureester enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Ester der allgemeinen Formel
OD
OD
entspricht, in der
D einen Naphthochinone 1,2)-diazid-(2)-4-sulfonylrest oder Naphthochinone 1,2)-diazid-(2)-5-sulfonylrest und
R eine Arylgruppe, die substituiert sein kann,
bedeuten.
Trocknen der aufgebrachten Schicht unter einer Vorlage belichtet und die belichtete Schicht mit Hilfe von verdünnten wäßrig-alkalischen Lösungen zu einem Bild entwickelt Wird eine positive Vorlage benutzt, so ist das Bild eine positive Wiedergabe der Vorlage, das fette Druckfarbe annimmt. Man erhält so Druckformen, von denen in einer Druckmaschine Kopien der Vorlage gedruckt werden können.
Es sind für diese Zwecke auch Ester von Benzochinon-l^-diazidsulfonsäuren oder Naphthochinon-1,2-diazidsulfonsäuren mit solchen 2-Hydroxy-aryl-benzimidazolen oder 2-Hydroxy-aryl-naphthoimidazolen verwendet worden, die anstelle des am Stickstoff des Imidazolringes haftenden Wasserstoffatoms einen Substituenten tragen. Diese Schichten ergeben jedoch negative Bilder. Man hat auch schon Ester aus 2,2'-Dioxy-Ι,Γ-dinaphthylmethan bzw. 7'-Oxy-2-äthyl-N-(n-propyl)-naphtho-l',2': 4,5-imidazolen und Naphthochinondiazidsulfonsäuren hergestellt und diese als lichtempfindliche Substanzen verwendet, wobei man jedoch gezwungen ist, einen aus wasserlöslichen Substanzen bestehenden Schutzüberzug auf die lichtempfindliche Schicht aufzubringen, um ein Ankleben an das Glas des Kopierrähmens und das dadurch bewirkte Tonen zu verhindern. Die voranstehend beschriebenen bekannten Diazoverbindungen haben außerdem die Eigenschaft, daß sie mit Harzen nicht oder nur in sehr geringer Menge verträglich sind. Außerdem hat man schon Naphthochinondiazidsulfonsäureester von aromatischen Hydroxyketonen hergestellt. Diese wurden jedoch ohne Harzzusatz für Kopierschichten von Flachdruckformen verwendet. Solche Schichten sind nicht ätzfest und daher für Tief- und Hochdruckformen nicht geeignet. Sie liefern auch im Flachdruck nur begrenzte Auflagenhöhen. Will man Schichten herstellen, die ätzfest sind bzw. die Flachdruckformen mit hoher Auflagenleistung ergeben, so müssen diese einen relativ großen Gehalt an Harz aufweisen. Da die Diazoverbindungen allein nicht ausreichend ätzfest sind, braucht man Verbindungen, die mit Harzen gut verträglich sind und die bei Zimmertemperatur in organischen Lösungsmitteln eine ausreichende Löslichkeit besitzen.
Aufgabe der Erfindung ist es, lichtempfindliche Gemische mit lichtempfindlichen Diazoverbindungen und daraus hergestellten Kopiermaterialien bereitzustellen, wobei die Diazoverbindungen mit Harzen gut verträglich sein und sich in organischen Lösungsmitteln in ausreichendem Maße lösen sollen.
- Die Lösung der Aufgabe erfolgt mit einem lichtempfindlichen Gemisch, das einen Naphthochinone 1,2)-diazid-(2)-sulfonsäureester enthält und das dadurch gekennzeichnet ist, daß der Ester der allgemeinen Formel
Die Erfindung betrifft ein lichtempfindliches Gemisch, das für die Herstellung von Druckformen und Photoresists, insbesondere Ätzschablonen, geeignet ist, sowie ein damit hergestelltes lichtempfindliches Kopiermaterial.
Es ist bekannt, Druckformen, besonders Flachdruckformen, dadurch herzustellen, daß man auf Schichtträgern, hauptsächlich Metallplatten oder Metallfolien, beispielsweise aus Aluminium oder Zink, Schichten bildet, die aus Naphthochinone l,2)-diazid-sulfonsäureestern bestehen oder diese Ester enthalten. Das so erhaltene lichtempfindliche Material wird nach dem R-C H
OD
OD
entspricht, in der
D
einen Naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-4-sulfonylrest oder Naphthochinon-(1^)-diazid-(2)-5-sulfonylrest und
R eine Arylgruppe, die substituiert sein kann,
bedeuten.
Als Substituenten im Arylrest R sind ζ. Β. Alkyl-, Alkoxy-, Naphthochinondiazidsulfonylreste oder HaIogenatome geeignet.
Das erfindungsgemäße Gemisch kann in bekannter Weise entweder in flüssiger Lösung in einem organisehen Lösungsmittel oder in fester Form vorliegen.
Erfindungsgemäß wird ferner ein lichtempfindliches Kopiermaterial vorgeschlagen, das aus einem Schichtträger und einer lichtempfindlichen Schicht besteht, die einen Naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-sulfonsäureester der oben angegebenen Zusammensetzung enthält.
Die der oben angegebenen allgemeinen Formel entsprechenden, erfindungsgemäß zur Bildung der lichtempfindlichen Schicht zu verwendenden Naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-sulfonsäureester mit einer OH-Gruppe in Nachbarstellung zu einer CO-Gruppe sind wasserunlöslich. Um eine einwandfreie Schicht auf dem Schichtträger zu erhalten, ist es vorteilhaft, solche organischen Lösungsmittel für die Naphthochinone 1,2)-diazid'sulfonsäureester obiger Formel zur Herstellung der Beschichtungslösung zu gebrauchen, in denen die Ester in ausreichender Menge bei Raumtemperatur löslich sind. Beim Lösen der Ester in zu stark erwärmten Lösungsmitteln würde teilweise Zersetzung der Diazogruppen erfolgen. Als geeignete Lösungsmittel werden beispielsweise genannt: Glykolmonomethyläther, GIykolmonoäthyläther, aliphatische Ester, wie Butylacetat, aliphatische Ketone, wie Methyl-isobutylketon oder Aceton, Dioxan. Diese Lösungsmittel sind auch brauchbar, wenn den Beschichtungslösungen alkalilösliche Harze zugesetzt werden, was bei der technischen Herstellung von ätzfähigen Schichten besonders wichtig ist.
Die Naphthochinon-(l,2)-diazid-sulfonsäureester entsprechend der oben angegebenen allgemeinen Formel lassen sich zur Herstellung der lichtempfindlichen Schicht allein oder in Mischung miteinander verwenden. Sie können auch in Mischung mit anderen aus der Literatur bereits bekannten ortho-Chinon-diazid-sulfonsäureestern auf die Schichtträger aufgetragen werden. Die Bildung der erfindungsgemäßen Schichten erfolgt in an sich bekannter Weise durch Aufschleudern, Aufbürsten, Aufgießen der die erfindungsgemäßen Sulfonsäureester enthaltenden Beschichtungslösungen auf die vorgesehenen metallischen Schichtträger oder auf sonst geeignete Weise, worauf die aufgebrachte Schicht getrocknet wird.
Die Naphthochinone ,2)-diazid-(2)-sulfonsäureester der oben angegebenen allgemeinen Formel bilden auf dem Trägermaterial Schichten, die keine Kristallisationserscheinungen zeigen und demgemäß für die Herstellung von lichtempfindlichem Material für die photomechanische Herstellung von Druckformen und Ätzbildern hervorragend geeignet sind. Eine Flachdruckform erhält man aus dem lichtempfindlichen Material photomechanisch in bekannter Weise, indem man auf die lichtempfindliche Schicht durch eine Vorlage hindurch Licht einwirken läßt und die belichtete Schicht mit verdünnten alkalischen Lösungen zu einem Bild entwickelt, das im allgemeinen mehr oder weniger intensiv gelbgefärbt ist. Anschließend wird die entwickelte Schicht mit Wasser gespült und der metallische Schichtträger durch Behandlung mit einer etwa 1 %igen Phosphorsäurelösung, der gegebenenfalls Dextrin oder Gummi arabicum zugesetzt wird, an den durch den Entwickler freigelegten Stellen wasserführend gemacht. Beim Einfärben der Druckform mit fetter Druckfarbe wird diese von den haftengebliebenen Teilen der ursprünglichen lichtempfindlichen Schicht festgehalten und man erhält nach positiven Vorlagen positive Kopien.
Man erhält die neuen Naphthochinone,2)-diazid-(2)-sulfonsäureester der obigen allgemeinen Formel dadurch, daß man die Lösung von 1 Mol einer Verbindung der allgemeinen Formel
R-CO
OH OH
OH
mit der Lösung von zwei Mol eines Naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-sulfonylhalogenids — als Lösungsmittel verwendet man vorteilhaft Dioxan — vereinigt und bei normaler Temperatur durch Zutropfen der wäßrigen Lösung eines Alkalicarbonats oder Alkalibicarbonats die Acylierung herbeiführt. Um die Bildung von Farbstoffen bzw. unerwünschten Nebenprodukten zu vermeiden, wird das Kondensationsmittel dem Reaktionsgemisch in der Weise zugesetzt, daß die wäßrige DioxanlösungTiach Beendigung der Kondensation nur schwach alkalisch oder neutral reagiert Im allgemeinen verdienen die Alkalicarbonate den Vorzug als Kon- . densationsmittel.
Die vorstehenden allgemeinen Angaben über die Herstellung der Naphthochinon-(l,2)-diazid-sulfonsäureester werden ergänzt durch folgende Angaben für die Herstellung einiger Verbindungen.
2,3,4-Trihydroxybenzophenon-3,4-bis-[naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäureester] entsprechend Formel 1:
Man löst in 75 ecm Dioxan 11,5 g (1/20 Mol) 2,3,4-Trihydroxybenzophenon, gibt etwas Tierkohle hinzu und filtriert die Lösung.
Man löst in 160 ecm Dioxan 27 g (1/10 Mol) Naphthochinone l,2)-diazid-(2)-5-sulfonylchlorid, gibt etwas Tierkohle hinzu und filtriert die Lösung.
Zu den vereinigten Filtraten läßt man unter gutem Rühren 150 ecm 10%ige Sodalösung im Verlauf von fünf Minuten zutropfen und gibt zu dem Reaktionsgemisch, nachdem man es bei Raumtemperatur noch 20 Minuten gerührt hat, 50 ecm 15%ige Salzsäure und 300 ecm Wasser hinzu. Zunächst fällt ein dunkelbraun gefärbtes harzartiges Produkt aus. Man hebert die Mutterlauge ab und gibt so oft frisches Wasser zum ausgefällten Produkt, bis es in ein gelb gefärbtes, gut filtrierbares Material übergeht. Dieses wird abfiltriert und in 400 ecm einer 5°/oigen Dinatriumphosphatlösung gegeben, dfe bei Zimmertemperatur 14 Stunden gerührt und dann filtriert wird. Der Filterrückstand wird mit Wasser neutral gewaschen. Zur weiteren Reinigung rührt man den noch feuchten Rückstand in 500 ecm Äthanol drei Stunden bei Raumtemperatur, filtriert, wäscht kurz mit Äthanol und befreit das Produkt von eingeschlossenem Lösungsmittel durch halbstündiges Digerieren mit 500 ecm destilliertem Wasser. Dann filtriert man, wäscht den Rückstand mit Wasser und trocknet ihn.
2,3,4-Trihy'droxybenzophenon-3,4-bis-[naphthochinon-( 1,2)-diazid-(2)-4-sulfonsäureester] entsprechend der Formel 2 und 4'-Methoxy-23,4-trihydroxybenzo-
phenonS^bisfnaphthochinoe^diazd^ fonsäureester] werden in analoger Weise unter Verwendung von Natriumbicarbonat als Kondensationsmittel hergestellt.
Verwendet man bei analoger Arbeitsweise anstelle von 1/30 Mol 4'-Methoxy-2,3,4-trihydroxy-benzophenon 8,8g (=1/30 Mol) 2'-ChIor-2,3,4-trihydroxybenzophenon bzw.
8,2 g (=1/30 Mol) 4'-Methyl-2,3,4-trihydroxybenzophenon, so erhält man
2'-Chlor-2,3,4-trihydroxybenzophenon-3,4-bis-[naphthochinon-( 1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäureester] entsprechend der Formel 4 bzw.
4'-Methyl-2,3,4-trihydroxybenzophenon-3,4-bis-[naphthochinon-(l ,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäureester] entsprechend der Formel 5.
2,3,4-Trihydroxyphenyl-naphthyl-( 1 ')-keton-3,4-bis-[naphthochinon-( 1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäureester] entsprechend der Formel 6 wird aus 1/50 Mol 2,3,4-Trihydroxy-phenyl-naphthyl-(l')-keton und 1/25 Mol Naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-5-sulfochIorid in analoger Weise erhalten.
Ebenso werden die Verbindungen der Formeln 7 und 8 hergestellt. Zur Herstellung der Verbindung der Formel 9 wird 1/20 MoI 2,3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenon . mit 3/20 Mol Naphthochinone,2)-diazid-(2)-5-sulfochiorid unter Verwendung von 350 ecm einer bei Raumtemperatur gesättigten Natriumbicarbonatlösung und anschließend von 50 ecm einer 10%igen Sodalösung als Kondensationsmittel umgesetzt.
Beispiele
1. Man löst 2 g der Substanz entsprechend der Formel 1 in 100 ecm Glykolmonomethyläther, beschichtet mit der filtrierten Lösung eine aufgerauhte Aluminiumfolie und trocknet die Schicht mit heißer Luft. Zur Herstellung einer Druckplatte belichtet man die beschichtete Seite der Folie unter einer Vorlage und behandelt die belichtete Schicht mit einem Wattebausch, der mit einer etwa l,5°/oigen wäßrigen Trinatriumphosphatlösung getränkt ist, wobei an den vom Licht nicht getroffenen Stellen ein gelbgefärbtes Bild der Vorlage haften bleibt. Nach dem Abspülen der Folie mit Wasser macht man das Bild druckfertig, indem man es mit einem Wattebausch, der mit einer gummiarabicum- oder dextrinhaltigen l°/oigen Phosphorsäure getränkt ist, überwischt und dann mit Druckfarbe einfärbt.
2. Man löst 2 g der Substanz entsprechend der Formel 2 in 100 ecm Glykolmonomethyläther und verfährt weiter gemäß Beispiel 1. Nach der Belichtung unter einer Vorlage entwickelt man die belichtete Schicht mit einem Entwickler, der in einem Liter Wasser 20 g kristallisiertes Trinatriumphosphat und 40 g kristallisiertes Dinatriumphosphat gelöst enthält. Nach dem Abspulen der Folie mit Wasser macht man das Bild druckfertig, indem man es mit einem Wattebausch, der mit l°/oiger Phosphorsäure, getränkt ist, überwischt und mit Druckfarbe einfärbt.
3. In dem Gemisch von 80 ecm Glykolmonomethyläther und 20 ecm Butylacetat löst man 2 g der Substanz entsprechend der Formel 3 und verfährt weiter gemäß Beispiel 2.
4. Man mischt im Verhältnis 4 :1 die Substanzen entsprechend den Formeln 1 und 5 und löst 2,5 g des Gemisches in 100 ecm Glykolmonoäthyläther, beschichtet mit der filtrierten Lösung eine angerauhte Aluminiumfolie und trocknet die Schicht mit heißer Luft. Man verfährt dann weiter gemäß Beispiel 1.
5. Man löst unter Rühren in dem Gemisch von 80 ecm
Glykolmonomethyläther und 20 ecm Butylacetat 7 g m-Kresol-Formaldehydharz-Novolak, 1,4 g 2,3,4-Trioxybenzophenon-naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-5-sulfon- säureester (deutsche Patentschrift 9 38 233 — Formel 10) und 1,4 g 2,3,4-Trioxybenzophenon-naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-5-sulfosäurebis-ester (Formel 1). Mit der filtrierten Lösung beschichtet man eine angerauhte Aluminiumfolie und trocknet die Schicht mittels eines warmen Luftstromes. Nach dem Belichten unter
ίο einem Diapositiv löst man an den belichteten Stellen das Lichtzersetzungsprodukt und das Harz durch Überwischen mit einer 2,5%igen wäßrigen Trinatriumphosphatlösung, die 10—15 Volumteile Glykolmonomethyläther enthält, und fixiert das Bild anschließend durch Tamponieren mit einer l,3°/oigen Phosphorsäure. Nach dem Einfärben von Hand oder in einer Offsetdruckmaschine ist die Druckfolie für den Druckprozeß fertig.
6. Man löst 2 g 2,3,4-Trioxy-benzophenon-naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäure-bis-ester entsprechend der Formel 1, Ig 2,3,4-Trioxybenzophenonnaphthochinon-(l ,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäureester und 10 g m-Kresölformaldehydharz-Novolak (siehe Beispiel 5) in 100 ecm Glykolmonomethyläther, setzt zu der Lösung 0,3~g Ricinusöl und 0;5 g Methylviolett (Schultz Farbstofftabellen, 7. Ausgabe, I. Band [1931], Seite 327, Nr. 783) hinzu, filtriert die Lösung, beschichtet damit in bekannter Weise, zum Beispiel auf einer Schleuder, eine saubere, polierte Zinkplatte und trocknet die Schicht mit heißer Luft. Zur Herstellung eines Klischees belichtet man die Schichtseite der Zinkplatte unter einem Diapositiv und behandelt die bildmäßig belichtete Schichtfläche mit einem Wattebausch, welcher mit einer etwa 2,5%igen Trinatriumphosphatlösung, vdie noch 10—15 Volumprozent Glykolmonomethyläther enthält, getränkt ist. Die vom Licht getroffenen Anteile der Schicht werden dabei von der Zinkoberfläche entfernt, während die unter der Vorlage geschützten Anteile der Schicht (Bild) auf dem metallischen Schichtträger zurückbleiben. Nach dem Abspülen der entwickelten Zinkplatte mit fließendem Leitungswasser wird die Platte in einem Steinzeugtrog, welcher Schaufelräder besitzt, mit 7—8%iger Salpetersäure entweder nach dem üblichen Mehrstufenätzverfahren oder nach der modernen Arbeitsweise der Einstufenätze entsprechend tief geätzt.
7. In 100 ecm Glykolmonamethyläther löst man 2 g 2,3,4-Trioxy-benzophenon-naphthochinon-( 1,2)-diazid-
(2)-5-sulfonsäureester, 2 g 2,3,4-Trioxy-benzophenonnaphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäure-bis-ester entsprechend der Formel 1 und 10 g m-Kresol-Formaldehydharz-Novolak, setzt 0,3 g Sesamöl und 0,5 g Rosänilin-Hydrochlorid (Schultz Farbstofftabellen, 7. Auflage [1931] I. Band, Seite 324, Nr. 780) zu, filtriert die Lösung und beschichtet damit eine glatt polierte Kupferplatte. Nach der Belichtung unter einem photographischen Negativ wird die belichtete Schicht mit einem Wattebausch behandelt, welcher mit einer etwa 2,5%igen Trinatriumphosphatlösung, die noch 10—15 Volumprozent Glykolmonomethyläther enthält, getränkt ist. Dabei werden die vom Licht getroffenen Teile der Schicht von der Kupferplatte entfernt. Die dadurch bildmäßig freigelegte Kupferfläche wird nun bei 20—22° C mit einer Eisenchloridlösung von 40° Be geätzt. Man erhält eine für den Tiefdruck hervorragend geeignete Druckform.
Die lichtempfindliche Lösung eignet sich auch für die Direktbeschichtung rotierender Kupferzylinder, auf die sie mit einer Spritzpistole aufgetragen wird.
Die Spritzpistole wird dabei zweckmäßigerweise durch einen gesteuerten Mechanismus vor dem rotierenden Kupferzylinder vorbeigeführt. Die Belichtungsvorlage wird nach dem Trocknen der Schicht auf den Zylinder aufgespannt. Dies kann in verhältnismäßig einfacher Weise dadurch erfolgen, daß die folienförmige Vorlage mittels einer Anpreßfolie gegen den Druckzylinder in der Zone angepreßt wird, in der die Belichtung erfolgt. Die Belichtung geschieht mit einer Lichtquelle, deren Licht in eine schmale, über die ganze Länge des Druckzylinders reichende Zone gestrahlt wird. Zur Belichtung wird die gegen den Druckzylinder angepreßte Vorlage mit dem Zylinder langsam gedreht, so daß die Belichtungsvorlage allmählich durch die Belichtungszone wandert. Nach der Belichtung wird die zylindrische Oberfläche mit der Entwicklungslösung Übergossen und mit einem Wattebausch abgewischt. Danach erfolgt das Ätzen des Druckzylinders in an sich bekannter Weise.
•Anstelle des Gemisches aus 2,3,4-Trioxybenzophenonnaphthochinon-( 1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäureester und 2,3,4-Trioxybenzophenon-naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäure-bis-ester entsprechend der Formel 1 verwendet man mit gleich gutem Ergebnis ein Gemisch aus 2,3,4-Trioxy-benzophenon-naphthochinon-( 1,2)-diazid-(2)-4-sulfonsäureester (deutsche Patentschrift 9 38 233 — Formel 9) und 2,3,4-Trioxybenzophenonnaphthochinon-( 1,2)-diazid-(2)-4-sulfonsäure-b is-ester entsprechend der Formel 2.
8. Man löst 2 g 2,3,4-Trioxy-benzophenon-naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäure-bis-ester entsprechend der Formel 1, 2 g 2,3,4-Trioxy-benzophenonnaphthochinon-( 1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäureester und 5 g m-Kresol-Formaldehydharz-Novolak in einem Gemisch aus 80 ecm Glykolmonomethyläther und 20 ecm Glykolmonoäthyläther, setzt 0,3 g Sesamöl und 0,5 g Rosanilin-Hydrochlorid (Schultz Farbstofftabellen, 7.Auflage [1931] I.Band, Seite 324, Nr. 780) hinzu, filtriert die Lösung und beschichtet damit eine Aluminium-Kupfer-Bimetallfolie in bekannter Weise auf der Schleuder. Nach der Belichtung unter einem Diapositiv werden die vom Licht getroffenen Anteile der belichteten Schicht durch Behandlung mit einer etwa 2,5%igen Trinatriumphosphatlösung, die 10—15 Volumprozent Glykolmonomethyläther enthält, mit Hilfe eines Wattebausches entfernt. Die freigelegte Kupferfläche wird dann mit einer Eisennitratlösung, welche 160 g Fe(NO3)3 x 9 H2O in 100 ecm Wasser enthält, weggeätzt. Man erhält eine Druckform für den Flach- und Offsetdruck, mit welcher sehr hohe Auflagen erhalten werden. Anstelle von Aluminium-Kupfer kann mit gleich gutem Ergebnis eine Bimetallfolie aus Stahl-Kupfer verwendet werden.
9. Man löst 2 g 2,3,4-Trioxy-2'-chlor-benzophenonnaphthochinon-( 1,2)-diazid-5-sulfonsäure-bis-ester entsprechend der Formel 4, 2 g 2,3,4-Trioxy-2',5'-dimethoxy-benzophenon-naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)- 5-sulfonsäureester (deutsche Patentschrift 9 38 233 — Formel 19) und 8 g m-Kresol-Formaldehydharz-Novolak in einem Gemisch, bestehend aus 50 ecm Glykolmonomethyläther, 30 ecm Glykolmonoäthyläther und 20 ecm Butylacetat, setzt 0,2 g Ricinusöl und 0,5 g Rosanilin-Hydrochlorid (Schultz Farbstofftabellen, 7. Auflage [1931], I. Band, Seite 324, Nr. 780) hinzu, filtriert die Lösung und beschichtet damit eine Metallfolie, welche aus Aluminium-, Kupfer- und Chromschichten besteht. Nach der Belichtung unter einem photographischen Negativ werden die vom Licht getroffenen Anteile der belichteten Schicht mit einer 2,5%igen Trinatriumphosphatlösung, die noch etwa 10—15 Volumprozent Glykolmonomethyläther enthält, mit Hilfe eines Wattebausches entfernt. Anschließend wird die Platte mit fließendem Wasser gespült, mit Warmluft getrocknet und dann geätzt. Die Ätze für Chrom erfolgt mittels eines Gemisches aus Calciumchlorid, Salzsäure und Glycerin nach dem amerikanischen Patent 26 87 345, wobei die unter der Chromschicht befindliche Kupferfläche nicht ίο angegriffen wird. Man erhält eine Druckform für den Flach- und Offsetdruck, bei der die Druckelemente aus Kupfer bestehen, während die nicht-druckende Fläche aus Chrom besteht.
10. Man arbeitet nach der in Beispiel 6 beschriebenen Arbeitsweise, verwendet aber als Schichtträger eine Kupferfolie von etwa 30—70 μ Dicke, die auf eine den elektrischen Strom nicht leitende Kunststoffolie kaschiert ist. Nach der Belichtung unter einem Diapositiv und Entfernung der vom Licht getroffenen Anteile der Schicht mit einer 2,5%igen Trinatriumphosphatlösung, welche etwa 10—15 Volumprozent Glykolmonomethyläther enthält, wird die das Bild tragende Seite der Unterlage mit fließendem Wasser gewaschen, mit Heißluft getrocknet und die-freigelegte Kupferfläche bei Raumtemperatur mit 40° Be Eisenchloridlösung weggeätzt. Man erhält eine kopierte Schaltung für die elektrische Stromführung.
An Stelle einer 'auf einen den elektrischen Strom :ht leitenden Kunststoff kaschierten Metallfolie kann
3c eiue transparente oder mattierte Kunststoffolie, die durch Metallbedampfung im Vakuum mit einem Metallspiegel (Dicke beispielsweise etwa 1 μ) versehen ist, als Schichtträger mir gleich guten Ergebnissen verwendet werden. Man k1 α auf diese Weise sogenannte Bauelemente für den elektrischen Apparatebau vorteilhaft herstellen.
11. M irbeitet nach der in Beispiel 5 beschriebenen Arbeitsweise, jedoch unter Verwendung einer Aluminiumfolie als Schichtträger. Nach der Belichtung unter einer Vorlage, zum Beispiel einem photographischen Negativ, und der Entfernung der vom Licht getroffenen Anteile der Schicht durch Behandlung mit einer 2,5%igen Trinatriumphosphatlösung, welche etwa 10—15 Volumprozent Glykolmonomethyläther enthält, wird die Aluminiumfolie mit fließendem Wasser gewaschen und mit Heißluft getrocknet. Zunächst wird die das Bild tragende Seite der Folie zur Herstellung eines gleichmäßig schwarz gefärbten Ätzbildes auf Aluminium bei Raumtemperatur 1—2 Minuten lang angeätzt
so durch pberwischen mit einem Wattebausch, der mit einer Ätzlösung getränkt ist, die im Liter die nachstehend-angegebenen Bestandteile enthält (Ätzlösung I):
297,0 g Calciumchlorid
255,6 g Eisenchlorid (techn.) 132,0 ecm konzentrierte Salzsäure (techn.)
7,9 ecm 80%ige Salpetersäure Rest Wasser
Ohne die Folie mit Wasser zu spülen, wird die Ätze mit einer Lösung für etwa zwei Minuten fortgesetzt (Ätzlösung II):
450,0 g Calciumchlorid
55,0 g Eisenchlorid (techn.) 12,0 ecm 30%ige Salpetersäure (techn.) 24,0 ecm konzentrierte Salzsäure (techn.) 7,5 g Cuprichlorid (CuCl2 χ 2 H2O) Rest Wasser
909 681/2
Es entsteht ein gleichmäßig schwarz gefärbtes, umgekehrtes Ätzbild der benutzten Vorlage, welches als Farbträger in einer Offsetdruckmaschine verwendet werden kann, wenn nach dem Ätzen die vom Licht nicht getroffenen und auf der Folie verbliebenen Anteile der Schicht zunächst mit einem Lösungsmittel, z. B. Glykolmonoäthyläther, abgelöst und anschließend das freigelegte Aluminium durch Tamponieren mittels eines geeigneten Entwicklers oder einer Fixierung wasserführend gemacht sind. Eine weitere Verbesserung der Leistung dieser so hergestellten Druckplatte kann man erreichen, wenn man nach dem Ätzen das Ätzbild in an sich bekannter Weise lackt und anschließend die durch die Vorlage nicht belichteten Stellen entfernt.
12. Eine im Handel erhältliche, nicht sensibilisierte, gegen organische Lösungsmittel undurchlässige Papierdruckfolie wird mit einer 2%igen Lösung der Diazoverbindung entsprechend der Formel 1 in Glykolmonomethyläther beschichtet und mittels eines Warmluftstromes getrocknet. Man belichtet die auf diese Art sensibilisierte Folie unter einer Vorlage und entfernt an den vom Licht getroffenen Stellen das Lichtzersetzungsprodukt der Diazoverbindung durch Tamponieren mit einem Wattebausch, der mit einer 2°/oigen wäßrigen Trinatriumphosphatiösung getränkt ist. Nach
ίο dem Abspülen des überschüssigen Entwicklers mittels Wasser tamponiert man die Papierdruckfolie mit einem im Handel erhältlichen Feuchtmittel und färbt sie von Hand oder in einer Druckmaschine mit fetter Druckfarbe ein. Die vom Licht nicht getroffenen Stellen der Druckfolie führen Fettfarbe.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Lichtempfindliches Gemisch, das einen Naphthochinone,2)-diazid-(2)-sulfonsäureester enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Ester der allgemeinen Formel
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CH935460A CH383776A (de) 1959-08-29 1960-08-18 Lichtempfindliches Material, insbesondere für die photomechanische Herstellung von Druckformen
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GB29267/60A GB942564A (en) 1959-08-29 1960-08-24 Photosensitive materials for printing plate preparation
FR836827A FR1269878A (fr) 1959-08-29 1960-08-26 Matériel photosensible pour la préparation photomécanique de formes d'impression

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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3868254A (en) * 1972-11-29 1975-02-25 Gaf Corp Positive working quinone diazide lithographic plate compositions and articles having non-ionic surfactants
US4174222A (en) * 1975-05-24 1979-11-13 Tokyo Ohka Kogyo Kabushiki Kaisha Positive-type O-quinone diazide containing photoresist compositions
DE2547905C2 (de) * 1975-10-25 1985-11-21 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
JPS561044A (en) * 1979-06-16 1981-01-08 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photosensitive composition
JPS59165053A (ja) * 1983-03-11 1984-09-18 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
US4499171A (en) * 1982-04-20 1985-02-12 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Positive type photosensitive resin composition with at least two o-quinone diazides
DE3220816A1 (de) * 1982-06-03 1983-12-08 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Lichtempfindliche komponenten fuer positiv arbeitende fotoresistmaterialien
DE3421471A1 (de) * 1984-06-08 1985-12-12 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Perfluoralkylgruppen aufweisende 1,2-naphthochinondiazidverbindungen und reproduktionsmaterialien, die diese verbindungen enthalten
US4596763A (en) * 1984-10-01 1986-06-24 American Hoechst Corporation Positive photoresist processing with mid U-V range exposure
JPS61118744A (ja) * 1984-11-15 1986-06-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
JPS61141441A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US4684597A (en) * 1985-10-25 1987-08-04 Eastman Kodak Company Non-precipitating quinone diazide polymer containing photoresist composition with o-quinone diazide trisester as dissolution inhibitor
US4737437A (en) * 1986-03-27 1988-04-12 East Shore Chemical Co. Light sensitive diazo compound, composition and method of making the composition
US4732837A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US5035976A (en) * 1986-05-02 1991-07-30 Hoechst Celanese Corporation Photosensitive article having phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acid halide substituents
US5162510A (en) * 1986-05-02 1992-11-10 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of photosensitive compositions containing a mixed ester o-quinone photosensitizer
US4902785A (en) * 1986-05-02 1990-02-20 Hoechst Celanese Corporation Phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acidic halide substituents
US4732836A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
JP2568827B2 (ja) * 1986-10-29 1997-01-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
US5182183A (en) * 1987-03-12 1993-01-26 Mitsubishi Kasei Corporation Positive photosensitive planographic printing plates containing specific high-molecular weight compound and photosensitive ester of O-napthoquinonediazidosulfonic acid with polyhydroxybenzophenone
JPS6449038A (en) * 1987-08-19 1989-02-23 Mitsubishi Chem Ind Positive type photoresist composition
US5248582A (en) * 1988-09-07 1993-09-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-type photoresist composition
JPH0743534B2 (ja) * 1989-04-21 1995-05-15 東京応化工業株式会社 半導体デバイス用レジストパターンの製造方法
US5075194A (en) * 1990-01-09 1991-12-24 Industrial Technology Research Institute Positive photoresist composition containing 4,4-diester, 4,5-diester, or 5,5-diester of spiroglycol and 1-oxo-2-diazonaphthalene-5-sulfonic acid chloride
US5296330A (en) * 1991-08-30 1994-03-22 Ciba-Geigy Corp. Positive photoresists containing quinone diazide photosensitizer, alkali-soluble resin and tetra(hydroxyphenyl) alkane additive
US6165697A (en) 1991-11-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
JP2944296B2 (ja) 1992-04-06 1999-08-30 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版の製造方法
US5384228A (en) * 1992-04-14 1995-01-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Alkali-developable positive-working photosensitive resin composition
US5401605A (en) * 1992-08-12 1995-03-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive working photosensitive resin composition containing 1,2-naphthoquinone diazide esterification product of triphenylmethane compound
US5645970A (en) * 1995-10-25 1997-07-08 Industrial Technology Research Institute Weak base developable positive photoresist composition containing quinonediazide compound
US5853947A (en) * 1995-12-21 1998-12-29 Clariant Finance (Bvi) Limited Quinonediazide positive photoresist utilizing mixed solvent consisting essentially of 3-methyl-3-methoxy butanol and propylene glycol alkyl ether acetate
US7285422B1 (en) 1997-01-23 2007-10-23 Sequenom, Inc. Systems and methods for preparing and analyzing low volume analyte array elements
US6783914B1 (en) 2000-02-25 2004-08-31 Massachusetts Institute Of Technology Encapsulated inorganic resists
US20050037293A1 (en) * 2000-05-08 2005-02-17 Deutsch Albert S. Ink jet imaging of a lithographic printing plate
US20020142483A1 (en) 2000-10-30 2002-10-03 Sequenom, Inc. Method and apparatus for delivery of submicroliter volumes onto a substrate
US6936398B2 (en) * 2001-05-09 2005-08-30 Massachusetts Institute Of Technology Resist with reduced line edge roughness
JP4001232B2 (ja) 2002-12-26 2007-10-31 Tdk株式会社 マスク形成方法、パターン化薄膜形成方法およびマイクロデバイスの製造方法
US6852465B2 (en) * 2003-03-21 2005-02-08 Clariant International Ltd. Photoresist composition for imaging thick films
US7090958B2 (en) * 2003-04-11 2006-08-15 Ppg Industries Ohio, Inc. Positive photoresist compositions having enhanced processing time
WO2006039810A1 (en) * 2004-10-13 2006-04-20 St-Jean Photochimie Inc. Photoactive compositions and preparation thereof
JP4800321B2 (ja) 2004-12-09 2011-10-26 コーロン インダストリーズ インク ポジティブ型ドライフィルムフォトレジスト及びこれを製造するための組成物
US7255970B2 (en) * 2005-07-12 2007-08-14 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for imaging thick films
US20070105040A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Toukhy Medhat A Developable undercoating composition for thick photoresist layers
US20090180931A1 (en) 2007-09-17 2009-07-16 Sequenom, Inc. Integrated robotic sample transfer device
US20130108956A1 (en) 2011-11-01 2013-05-02 Az Electronic Materials Usa Corp. Nanocomposite positive photosensitive composition and use thereof
US11675266B2 (en) * 2021-04-15 2023-06-13 Industrial Technology Research Institute Photosensitive compound, photosensitive composition, and patterning method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL80628C (de) * 1949-07-23
BE506677A (de) * 1950-10-31
NL185407B (nl) * 1953-03-11 Mitsui Petrochemical Ind Werkwijze voor het polymeriseren of copolymeriseren van 1-alkenen alsmede katalysatorsamenstelling voor toepassing van deze werkwijze.
NL129161C (de) * 1959-01-14

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Publication number Publication date
US3148983A (en) 1964-09-15
NL255348A (de)
SE304174B (de) 1968-09-16
NL131386C (de)
DE1422474B2 (de) 1979-04-19
DE1422474A1 (de) 1972-04-06
BE594235A (de)
CH383776A (de) 1964-10-31
GB942564A (en) 1963-11-27

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