DE1121734B - Trockengleichrichterelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Trockengleichrichterelement und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE1121734B
DE1121734B DES36719D DES0036719D DE1121734B DE 1121734 B DE1121734 B DE 1121734B DE S36719 D DES36719 D DE S36719D DE S0036719 D DES0036719 D DE S0036719D DE 1121734 B DE1121734 B DE 1121734B
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Germany
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Georg Hoppe
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Siemens AG
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Siemens AG
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Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
ANMELDETAG:
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABE DER AUSLEGESCHRIFT:
11. DEZEMBER 1953
11. J A N U A R 1962
Es ist bekannt, bei einem Trockengleichrichterelement, insbesondere einem Selengleichrichterelement, an denjenigen Stellen, die durch die Befestigung des Elementes oder durch das Einspannen in einem Stapel auf Druck beansprucht sind, zwischen der Halbleiterschicht und der Trägerelektrode oder der Deckelektrode eine flache Isoliermaterialeinlage vorzusehen. Durch die Isoliereinlage werden die druckbeanspruchten Stellen des Gleichrichters von der Stromführung ausgeschlossen; dadurch wird vermieden, daß aktive Teile der Sperrschicht unter Druck stehen und damit das Sperrvermögen des Gleichrichters herabgesetzt wird.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Trockengleichrichte relement, mindestens bestehend aus Grundplatte, Halbleiterschicht und Deckelektrode und mit einer oder mehreren flachen Isoliermaterialeinlagen an den durch die Befestigung des Elementes oder durch das Spannen in einem Stapel auf Druck beanspruchten Stellen. Sie besteht darin, daß die Isoliermaterialeinlage derart innerhalb der Halbleiterschicht angebracht ist, daß beide Oberflächen der Isoliereinlage an Halbleitermaterial grenzen. Das hat den Vorteil, daß die isolierende Einlage während des Fertigungsprozesses des Gleichrichterelementes gleichzeitig mit den Halbleiterschichten einer Wärmebehandlung unterworfen wird und bei einem wesentlichen Teil der Wärmebehandlung bereits gegen die Außenluft geschützt ist. Außerdem ist vermieden, daß die Isoliermaterialeinlage an eine Elektrode grenzt, so daß nicht durch ein Arbeiten der Isolierschicht ein Abheben der Elektrode von der Halbleiterschicht und damit eine Kontaktstörung auftreten kann.
Die gemäß der Erfindung innerhalb der Halbleiterschicht angeordnete Isoliermaterialeinlage kann beispielsweise nach dem folgenden Verfahren angebracht werden:
Auf die mit einem Nickelüberzug versehene Trägerplatte des Gleichrichterelementes wird eine Schicht kolloidalen Selens aufgestäubt und dann zur Bildung einer Nickelselenidschicht auf etwa 350° C erhitzt, wobei noch eine Schicht elementaren Selens von dem aufgebrachten Selen erhalten bleibt. An den später auf Druck beanspruchten Stellen, z. B. um die Löcher für die Durchführungsbolzen herum oder in den Zonen am äußeren oder/und inneren Rand der Gleichrichterplatte, wird eine weitere Schicht kolloidalen Selens in solcher Menge aufgebracht, daß beim nachfolgenden Schmelzen eine Selenschicht von etwa 10 μ Dicke entsteht. Auf diese Stellen bzw. an diesen Zonen der Selenschicht wird nunmehr ein Ring aus wärmebeständigem Isoliermaterial aufgebracht oder Trockengleichrichterelement
und Verfahren zu seiner Herstellung
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Georg Hoppe, Berlin-Siemensstadt,
ist als Erfinder genannt worden
aufgelegt, z. B. aus Papier. Das Aufbringen dieses Isolierringes, wenn er aus festem Material, wie z. B. Papier, besteht, erfolgt zweckmäßig mittels einer mechanischen Druckeinrichtung, wie z. B. einer Kniehebelpresse. Die entsprechende Isoliereinlage legt sich dann auf alle Fälle gut an die Unterlage an, denn die Trägerplatte kann während des Aufbringens der Isoliereinlage erwärmt werden, so daß die Isoliermaterialeinlage gegen erweichtes und bildsames Selen gepreßt wird. Außerdem haftet dabei das Papier gut am Selen. Das in dieser Weise hergestellte Gleichrichterelement wird dann nach Aufbringen der eigentlichen Halbleiterschicht wie üblich fertiggestellt.
In dem Ausführungsbeispiel nach der Zeichnung mit der Anschaulichkeit halber vergrößertem Maßstab bezeichnet 1 eine Eisenplatte mit einer Bohrung la. Sie ist zweckmäßig mit einem Nickelüberzug versehen. Auf diesen Nickelüberzug ist zunächst eine Schicht amorphen Selens aufgebracht worden, die im wesentlichen zur Bildung einer Nickelselenidschicht 2 a dient, und einer Restschicht 2b von amorphem Selen. Um das Loch la herum wurde nunmehr eine weitere Schicht amorphen Selens aufgebracht und zu einer Schicht 3 geschmolzen. Auf diese wird in noch warmem bildsamem Zustand die Papierscheibe 4 aufgelegt und mittels einer Presse in die bildsame Selenschicht an- bzw. eingepreßt. Auf diese Anordnung werden die Halbleiterschicht 5 und die Deckelektrode 6 aufgebracht. Das auf die Deck- bzw. Abnahmeelektrode wirkende Druckstück ist mit 7 bezeichnet.
109 759/348

Claims (3)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Trockengleichrichterelement, mindestens bestehend aus Grundplatte, Halbleiterschicht und Deckelektrode und mit einer oder mehreren flachen IsoHennaterialeinlagen an den durch die Befestigung des Elementes oder durch das Spannen in einem Stapel auf Druck beanspruchten Stellen, dadurch gekennzeichnet, daß die Isoliermaterialeinlage derart innerhalb der Halbleiterschicht angebracht ist, daß beide Oberflächen der Isoliereinlage an Halbleitermaterial grenzen.
2. Trockengleichrichterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isoliermaterialeinlage aus einer Papierschicht besteht.
3. Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichterelementes nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Papierschicht mittels einer Presse auf eine erwärmte, bildsame Halbleiterschicht aufgedrückt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Britische Patentschrift Nr. 526 482;
schweizerische Patentschrift Nr. 269 324;
»Auszüge deutscher Patentanmeldungen«, 1. 11. 1948, Vol. 5, S. 634; S 156141 VIIIc/21g.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
G 109 759/348 1.62
DES36719D 1953-12-11 1953-12-11 Trockengleichrichterelement und Verfahren zu seiner Herstellung Pending DE1121734B (de)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB526482A (en) * 1939-01-22 1940-09-19 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to selenium rectifiers
CH269324A (fr) * 1945-04-07 1950-06-30 Standard Telephone & Radio Sa Elément à conductibilité électrique asymétrique.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB526482A (en) * 1939-01-22 1940-09-19 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to selenium rectifiers
CH269324A (fr) * 1945-04-07 1950-06-30 Standard Telephone & Radio Sa Elément à conductibilité électrique asymétrique.

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