DE2624313A1 - Verfahren zur ausfuehrung von warmpressverbindungen von leiterstrukturen auf einem halbleiter- schaltungsbaustein - Google Patents
Verfahren zur ausfuehrung von warmpressverbindungen von leiterstrukturen auf einem halbleiter- schaltungsbausteinInfo
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Description
N 76051 DH
National Semiconductor Corp. 2900, Semiconductor Drive
Santa Clara, Kalif.,V.St.A.
Verfahren zur Ausführung von Warmpreß-Verbindungen von Leiterstrukturen auf
einem Halbleiter-Schaltungsbaustein.
Pur die vorliegende Anmeldung wird die Priorität aus der entsprechenden
US-Anmeldung Serial-No. 582 620 vom 2.6.1975 in
Anspruch genommen.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ausführung von Warmpreßverbindungen von Leiterstrukturen auf einem Halbleiter-Schaltungsbaustein,
der eine Vielzahl von Verbindungskappen aufweist, die sich über die Oberfläche dieses Halbleiter-Schaltungsbausteins
erheben und an ihrem Unterteil mit darunterliegenden Metallisierungsmustern auf dem Halbleiter-Schaltungsbaustein
verbunden sind, und wobei zumindest ein Teil aus Kupfer einer ersten, dem Halbleiter-Schaltungsbaustein zugeordneten
Struktur mit einem Teil aus Gold einer zweiten, dem Halbleiter-Schaltungsbaustein zugeordneten Struktur verbunden
wird.
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Die vorliegende Erfindung betrifft insbesondere Warmpreßverbindungen
zwischen Teilen aus Kupfer aus Gold bei Strukturen zur
Verbindung des Halbleiter-Schaltungsbausteins mit einer äußeren Betriebsschaltung. Derartige Verbindungsstrukturen pflegen
beispielsweise den Leiterrahmen, Verbindungsleiter und die Verbindungskappen auf dem Halbleiter-Schaltungsbaustein zu
umfassen.
Warmpreßverbindungen sind bereits ausgeführt worden. Bei diesen vorbekannten Verbindungen wurde ein Metallmuster aus Kupfer mit
bandförmigen Verbindungsleitern mit einer Nickelschicht plattiert, und diese Nickelschicht wurde mit Gold bis zu einer Stärke im
Bereich von 0,762 bis 1,f?24· /um (JO bis 6OxIO"6 Zoll) beschichtet.
Die vergoldeten, bandförmigen Verbindungsleiter wurden durch einen Warmpreßvorgang mit Verbindungskappen aus Gold verbunden,
die von der Oberfläche des Halbleiter-Schaltungsbausteins getragen wurden und sich über diese erhoben. Während des Verfahrensschrittes des Warmpreßvorgangs diente die Nickelschicht als Sperrschicht
gegen eine Diffusion unterhalb der Goldschicht, so daß eine Verbindung "von Gold zu Gold" zwischen dem vergoldeten
kupfernen Verbindungsleiter und der Verbindungskappe aus Gold
erhalten wurde. Eine ähnliche Warmpreßverbindung "von Gold zu Gold" wurde am äußeren Ende des Verbindungsleiters, zwischen
diesem ebenfalls vergoldeten Verbindungsleiter und einem vergoldeten Leiterrahmen erzielt»
Einer der Nachteile dieser Warmpreßverbindungen "von Gold zu Gold"
liegt darin, daß der Kostenaufwand aufgrund des für die Herstellung der Verbindungen verwendeten Goldes verhältnismäßig
2 ORKHNAL INSPEGTE©
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hoch ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren für die Ausführung von demgegenüber weniger kostspieligen und
gleichzeitig stärker beanspruchbaren Warmpreßverbindungen von Leiterstrukturen auf einem Halbleiter-Schaltungsbaustein zu
schaffen.
Das zur Lösung der gestellten Aufgabe vorgeschlagene, erfindungsgemäße
Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß der Teil aus Kupfer der ersten Struktur warm gegen den Teil aus Gold der
zweiten Struktur gepreßt wird, und eine Diffusion in der Feststoffphase aus dem Teil aus Kupfer in den Teil aus Gold hervorgerufen
wird, um nach Abkühlung der Teile eine Verbindungsschicht zwischen dem Teil aus Gold und dem Teil aus Kupfer zu
erhalten, und daß diese Verbindungsschicht eine Diffusion in der Feststoffphase von Kupfer in den Teil aus Gold umfaßt·
Nach einem Merkmal der Erfindung wird also ein Teil aus Kupfer, der zu einer Verbindungsstruktur eines Halbleiter-Schaltungsbausteins
mit einer äußeren Betriebsschaltung gehört, durch einen Warmpreßvorgang mit einem aus Gold bestehenden Teil einer weiteren
derartigen Verbindungsstruktur verbunden, um eine Diffusion des Teils aus Kupfer in der Feststoffphase in den Teil aus Gold zu
bewirken, und um nach der Abkühlung eine Verbindungsschicht zwischen den Teilen aus Kupfer und Gold zu erhalten,
Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung umfaßt der Teil aus Gold, der durch einen WarrapreßVorgang mit dem Teil aus Kupfer
6 0 G Z '■ V f ^ 6
26243:3
verbunden ist, eine Goldschicht auf einem kupfernen Teil,.wobei
eine Sperrschicht gegen Diffusion zwischen der Goldschicht und dem kupfernen Teil selbst angeordnet ist.
Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung wird eine Goldschicht
auf einer Leiterrahmenstruktur durch einen Warmpreßvorgang mit einem Verbindungsleiter aus Kupfer verbunden.
Nach einem anderen Merkmal der Erfindung werden die inneren Enden von Verbindungsleiterstrukturen aus Kupfer mit den goldenen
Teilen der Verbindungskappen durch einen zwischen diesen ausgeführten WarmpreßVorgang verbunden.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung von Ausführungsbeispielen und anhand der beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
Es ζeigens
S"ig.1: eine Draufsicht auf ein Trägerband von der Art eines
Kunststofffilms, das die metallischen Verbindungsleitermuster für gruppenweise durch eine automatisch arbeitende
Einrichtung auszuführende Warmpreßverbindungen auf HaIbleiterplättchen
trägt,
Fig. 2* eine vergrößerte !Draufsicht auf einen Teil der Anordnung
nach Fig., 1, der dort durch die ausgezogene Linie 2-2
eingegrenzt wird,
Fig.5: eine vergrößerte Teilschnittansicht eines Stempels oder
Kopfes zur Ausführung der Warmpreßverbindungen zwischen
6 0 9 r- ^2 / ;;i; 6 6 orkmnal. inspected
Verbindungsleiterstrukturen und Verbindungskappen auf dem Halbleiterplättcben,
Pig.4: eine vergrößerte Schnittansicht eines Teils der Anordnung
nach Pig· 5» der dort durch die ausgezogene Linie 4-4
eingegrenzt wird,
Pig.5s eine TeilSchnittansicht ei4er integrierten Schaltungsbaugruppe,
die ein Halbleiterplättchen aufweist, das an einer
Leiterrahmenstruktur innerhalb dieser Schaltungsbaugruppe angebracht ist,
Pig.6: eine vergrößerte Schnittansicht eines Teils der Anordnung
nach Pig, 5, der dort durch die ausgezogene Linie 6-6 eingegrenzt wird, und
Pig.7s eine Teilschnittansicht einer anderen Ausführungsform der
Anordnung nach Pig. 6, die dort durch die ausgezogene Linie ?-7 eingegrenzt wird.
Es wird nunmehr auf Fig. 1 und Pig. 2 bezug genommen, dort ist
ein Trägerband 11 für den Einsatz in einer automatisch arbeitenden Einrichtung für die Ausführung von Warmpreßverbindungen zur
Befestigung der Verbindungsleiter auf dem Halbleiterplättchen dargestellt. Das Trägerband 11 schließt eine gewalzte Kupferfolie
12 ein , die bei 13 an ihren einander gegenüberliegenden
Rändern durchbrochen ist, ua eine Transport-Stachelrolle zur Vorwärtsbewegung des Trägerbandes von einer Vorratsrolle, durch
die automatisch arbeitende Warepreßeinrichtung hindurch, aufzu-
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nehmen. Eine Vielzahl von bandförmigen Verbindungsleitermustern 14 ist in der gewalzten Kupferfolie 12 ausgebildet, ein typisches
Leitermuster 14 ist in Fig. 2 dargestellt. Ein Kunststofffilm 15
(Polyamid) haftet auf der Unterseite der gewalzten Kupferfolie und hält die Verbindungsleiterteile 16 des Verbindungsleitermusters
14 in den gewünschten Stellungen fest, eine reehteckförmige,
mittige Ausnehmung 18 ist in dem Kunstofffilm 15 vorgesehen,
wobei die inneren Enden der bandförmigen Verbindungsleiter 16 über den Rand dieser rechteckförmigen Ausnehmung 18 hinausragen.
Eine Vielzahl von Durchbrüchen 19 ist um den Umfang eines jeden der Verbindungsleitermuster 14 herum angeordnet, um das
Abtrennen der Kupferfolie 12 und des Kunststofffilms 15 in einem
nachfolgenden Schritt des Warmpreßverfahrens zu erleichtern.
Es wird nunmehr auf Fig. 3 und Fig. 4 bezug genommen,dort ist
ein Teil der Einrichtung zur Ausführung der Warmpreßverbindung an den inneren Enden der Verbindungsleiter 16 mit einer Vielzahl
von Verbindungskappen 21 dargestellt, die am Umfang eines Halbleiterplättchens'entlang angeordnet sind.
Die einzelnen Halbleiterplättchen 22 schließen nach Fig. 4 einen halbleitenden Substratteil 23 ein, auf dem eine epitaxiale
Schicht 24 vom n-Leitungstyp gezüchtet worden ist. Eine Vielzahl von Gebieten 25 vom p+-Leitungstyp ist in diese epitaxiale
n-Schicht 24 eindiffundiert. Ein Gebiet 26 vom n+-Leitungstyp
ist in die epitaxiale Schicht 24 vom n-Leitungstyp zur Kontaktierung derselben eindiffundiert. Die obere Oberfläche der
epitaxialen n-Schicht 24 ist mit einer ersten Passivierungsschicht 27, beispielsweise aus Siliziumdioxid, beschichtet.
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In Überdeckung bestimmter ρ - und η -Gebiete 25 und 26 ist eine
Vielzahl von Ausnehmungen 29 in der Passivierungsschicht 27 aus Siliziumdioxid vorgesehen. Ein metallisiertes Verbindungsleiter-Schichtrauster
28, beispielsweise aus Aluminium, wird auf der Passivierungsschicht 27 aus Siliziumdioxid und durch die Ausnehmungen
29 hindurch zur Kontaktierung der n+- und p+-Gebiete
26 und 25 aufgebracht· In bestimmten Gebieten werden Verbindungskappen 21, beispielsweise durch Aufgalvanisierung, über der
Metallisierungsschicht des Verbindungsleitermusters 28 zur Kontaktierung derselben aufgebracht. Bei einem typischen Ausführungsbeispiel
sind die Verbindungskappen 21 25,4· bis 50,8 /um
(1-2 mil) hoch und weisen an ihrem Fuß eine Querschnittsfläche
2 2
von etwa 0,0305 mm (12 mil ) auf. In allen anderen Gebieten des Halbleiterplättchens 22 wird die Verbindungsleiter-Musterschicht 28 mit einer zweiten Passivierungsschicht 31, beispielsweise aus Siliziumdioxid, überdeckt·
von etwa 0,0305 mm (12 mil ) auf. In allen anderen Gebieten des Halbleiterplättchens 22 wird die Verbindungsleiter-Musterschicht 28 mit einer zweiten Passivierungsschicht 31, beispielsweise aus Siliziumdioxid, überdeckt·
Das Halbleiterplättchen 22 wird nach Pig. 3 von einer Glasplatte Mittels einer hoch temperaturbeständigen Schicht 34·» die mit der
Glasplatte 33 über eine Wachsschicht 35 verbunden ist, getragen. Mittels einer Ablösungsschicht 36 aus Wachs wird das Halbleiterplättchen.
22 von deE hoch temperaturbeständigen Schicht 34 getragen. Die Baugruppe wird durch Säge-Einschnitte 37 geritzt,
die durch die Ablösungsschicht 36 und teilweise durch die hoch temperaturbeständige Schicht 34· hindurchgehen.
Die Warmpreßeinrichtung bringt die einzelnen, zu verbindenden Halbleiterplättchen 22 in Deckung mit einem Preßstempel 38, beispielsweise
aus Kohlenstoff, der nach dem Ausführungsbeispiel für den WarmpreßVorgang auf eine Temperatur von 55O0C erhitzt
6 0 a- - r ? ■ ο η R 6
worden ist. Es wird bewirkt, daß der Preßstempel 38 die inneren
Enden der Verbindungsleiter 16 nach unten auf die Verbindungskappen 21 preßt, und zwar mit einem Druck von etwa 100 g pro
2 2
Verbindungskappe oder 12,4 kg/mm (S g/mil ) während eines
Zeitraumes von annähernd 0,2 Sekunden» Bei einem typischen Ausführungsbeispiel führt <äsr Preßsteapal 38 gleichzeitig die
Verbindung an 14 Verbindungskappen aus®
Jede der Verbindungskappen 21 schließt nach ]?ige 4 eine verhältmäßig
starke Grundschicht 39 aus Kupfer ein, die eine Härte von mehr als 50 amerikanischen "ICnoop"-Härteeinheiten aufweist.
Eine Goldschicht 41, beispielsweise mit einer Stärke von 0,381
bis 1,524 /um (15 bis 60x10~6 Zoll) wird, auf der Grundschicht
39 aus Kupfer liegend, angeordnet, und eine Diffusions-Sperrschicht 40, beispielsweise aus Nickel, wird zwischen der Goldschicht
41 und der darunterliegenden Grundschicht 39 aus Kupfer
angeordnet. Bei einem typischen Ausführungsbeispiel weist die
Goldschicht 41, auf welcher die Warmpreßverbindung auszuführen ist, eine Schichtstärke von mehr als 0,381 /um (15x10" Zoll)
und vorzugsweise im Bereich von 0,362 bis 1,524 ,um (30 bis 60x10 Zoll) aufβ Die Nickelschicht weist eine Stärke von
2,54 bis 17,76 ^um (0,1 bis 0,7 mil) auf, und die Gesamthöhe
der Verbindungskappe 21 fällt in den Bereich von 7,62 bis 50,8 /um (0,3 bis 2,0 mil). Der Verbindungsleiter 16 aus
Kupfer ist vorzugsweise mit einem sehr dünnen Anti-Oxidationsbelag,
wie beispielsweise Gold, Kupferphosphat oder Ohromat beschichtet, so daß eine Warmpreßverbindung durch diesen sehr
dünnen Anti-Oxidationsbelag 42 ausgeführt werden kann. Der Einsatz eines Anti-Oxidationsbelages über Kupfer bei der Ausführung
einer Warmpreßverbindung auf Kupfer ist in der Anmeldung
6 0 9 8 ? ?. / 0 R B 6
No. derselben Anmelderin offenbart und beansprucht.
Eine Warmpreßverbindung zwischen Kupfer und Gold wird zwischen
dem inneren Ende des Verbindungsleiters 16 aus Kupfer und der
Goldschicht 41 auf der Verbindungskappe 21 dadurch erzielt, daß der kupferne Verbindungsleiter 16 in eine Warmpreßverbindung mit
der Goldschicht 41 gebracht wird, und zwar in der zuvor beschriebenen Weise, derart, daß eine Diffusion des Kupfers in der Feststoff
phase, von dem Verbindungsleiter 16 in die Goldschicht 41 hinein, erfolgt, um nach de- Abkühlung eine Verbindungsschicht
zwischen den Teilen aus Kupfer und aus Gold zu erhalten, wobei diese Verbindungsschicht eine Diffusion in der Peststoffphase
in den Teil aus Gold umfaßt.
Die Diffusions-Sperrschicht 40 dient dazu, die Diffusion von Kupfer aus der darunterliegenden Grundschicht 39 in die Goldschicht
41 infolge der Erwärmung dieser letzteren durch den Preßstempel 38 zu verhindern. Die Diffusions-Sperrschicht 40 verhindert
ebenfalls die Diffusion von Kupfer durch die Goldschicht 41 in die Grundschicht 39 a»*g Kupfer hinein« Die daraus resultierenden
Warmpreßverbindungen zwischen Kupfer und Gold weisen eine
höhere Festigkeit als Warmpreßverbindungen zwischen Kupfer und Kupfer oder Gold und Gold auf. Außerdem können die Verbindungen
"von Kupfer auf Gold" mit weit weniger Material- und Bearbeitungskosten als frühere Verbindungen "von Gold auf Gold" hergestellt
werden, weil die Verbindungsleiter 16 weder mit einer Diffusions-Sperrschicht, noch mit einer verhältnismäßig starken Goldschicht
beschichtet werden müssen, wie sie bei vorbekannten Verbindungen von "Gold zu Gold" anzutreffen waren
In Abwandlung des Einsatzes der Goldschicht oder Goldkappe 41
kann die gesamte Verbindungskappe 21 in Gold ausgeführt werden, und eine Warmpreßverbindung von Kupfer auf Gold darauf in derselben
Weise wie auf der Goldschicht 41 hergestellt werden.
Wenn das Halbleiterplättchen 22 durch einen gruppenweise ausgeführten
Warmpreßvorgang mit den inneren Enden der Verbindungsleiter 16 durch die Erwärmung mittels des Preßstempels 38
verbunden wird, gibt die Ablösungsschicht 36 das Halbleiterplättchen 22 frei, und dieses letztere wird dadurch zu der gewalzten
Kupferfolie 12 übergeleitet. Die Kupferfolie 12 wird mit den daran befestigten Halbleiterplättchen 22 einer zweiten Einrichtung
zugeführt, die die Warmpreßverbindung zwischen den äußeren Teilen der Verbindungsleiter 16 und den inneren Enden der Leiterrahmen
43 gemäß Pig. 5 und Fig. 6 ausführt.
Pur den Fall, daß der Leiterrahmen 43 aus Kupfer hergestellt ist,
wird er zuerst mit einem Sperrschichtmaterial 44, wie beispielsweise Nickel,beschichtet, das sodann selektiv mit einer Goldschicht
45 überzogen wird, mit welcher der kupferne Verbindungsleiter 16 durch einen Warmpreßvorgang verbunden werden soll.
Die obere Oberfläche des Verbindungsleiters 16, die mit der selektiv aufgebrachten Goldschicht 45 verbunden werden soll, wird
vorzugsweise mit einem Anti-Oxidationsbelag, beispielsweise aus Gold, Chromat oder Kupferphosphat, bis zu einer Stärke beschichtet,
die ausreichend dünn ist, um die Ausführung der Warmpreßverbindung durch diese Schicht hindurch zu gestattene
Ein Preßstempel 46 wird gegen die Unterseite des Verbindungsleiters
16 gepreßt, um die obere Oberfläche des Verbindungsleiters
- 10 - ' " '■ '; '■'■■'■- - ' v
■■■ 609852/0666 ; ' ' '■ =
26243 ! 3
fest gegen die nach unten weisende Oberfläche der Goldschicht
zu pressen· Bei einem typischen Ausführungsbeispiel beträgt die Temperatur des Preßstempels 46 4500O, und dieser letztere wird für
einen Zeitraum von annähernd 0,15 Sekunden fest gegen den Verbindungsleiter 16 gepreßt. Der Anpreßdruck ist typischerweise etwa
dreimal so hoch wie der für die Ausführung der Warmpreßverbindung der inneren Enden des Verbindungsleiters 16 mit den Verbindungskappen
21 aufgewendete Anpreßdruck, d.h. 15>5 bis 46,5 kg/mm
(10-50 g/mil2). Die selektiv aufgebrachte Goldschicht 45 weist
eine Fläche von 0,145 mm2 ( 225 mil2) auf, die in Berührung mit
dem Verbindungsleiter 16 stehte
Die Festigkeit der zwischen dem kupfernen Verbindungsleiter 16 und der Goldschicht 45 auf dem Leiterrahmen 43 erzielten Verbindung
ist gewöhnlich größer als 50 g und liegt in der Höhe von
200 g für eine Verbindungsfläche von 0,145 mm2 (225 mil2) bei
der Warmpreßverbindung von Kupfer zu Gold zwischen dem Leiterrahmen
43 und dem äußeren Ende des Verbindungsleiters 16. Nach
der Verbindung der Leiterrahmen 43 mit den Verbindungsleitern
werden die Leiterrahmen in einem aus Epoxyharz gegossenen Gehäuse, wie in Figo 5 gezeigt, untergebracht·
Bei der Herstellung der Warmpreßverbindung zwischen dem Verbindungsleiter
16 undddem inneren Ende der Leiterrahmen 43 wird das
kupferne Verbindungsleitermuster 14 an der Linie der Durchbrüche 19 entlang abgetrennt und dadurch das an den Leitern befestigte
Halbleiterplättchen 22 von dem Trägerband 11 zu der Leiterrahmenstruktur
43 übergeleitet·
Es wird nunmehr auf Fige 7 bezug genommen, dort ist eine weitere
11 Λρι
β 0 9 P ~ '-' ! Π Ρ β 6 ORIGINAL INSPECTED
■- τ -ι
262/.
Hl
Ausführungsform der Erfindung dargestellt, bei welcher der Leiterrahmen
43 aus Wickel, einer Legierung mit der Bezeichnung
oder Kovar hergestellt ist. In diesem Fall wird die Goldschicht 45 direkt auf dem Leiterrahmen 45 in den ausgewählten Gebieten
aufgebracht, wie zuvor beschrieben, und zwar bis zu einer Stärke, die vorzugsweise in dem Bereich von 12,7 bis 15,2 /um (50 bis
60x10" Zoll) fällt. Wie zuvor wird der kupferne Verbindungsleiter 16 vorzugsweise mit einem Anti-Oxidationsbelag überzogen,
und die Teile werden in eine Warmpreßverbindung gebracht, wie unter Bezugnahme auf 3?ig. 6 beschrieben, um eine Warmpreßverbindung
zwischen der Goldschicht 45 und dem kupfernen Verbindungsleiter
16 zu schaffen.
Der Vorteil der Verwendung von zwischen Kupfer und Gold gemäß
der Erfindung ausgeführten Warmpreßverbindungen zur gruppenweise ausgeführten Verbindung von Leiterstrukturen mit Halbleiter-Schaltungsbausteinen
liegt darin, daß verhältnismäßig kostengünstige Kupferteile verwendet werden können, die mit verhältnismäßig
wenig kostspieligen Goldschichten oder goldenen Verbindungskappen ausgestattet sind. Die Teile aus Gold können
auf die Verbindungskappe 21 und ausgewählte Bereiche des Leiterrahmens 43 beschränkt werden, wodurch der Einsatz von
Gold, und damit die Kosten der Teile auf einen Minimalwert herabgesetzt werden können. Es werden ebenfalls höher beanspruchbare
Verbindungen als bei vorbekannten Verbindungen "von Gold zu Gold" oder "von Kupfer zu Kupfer" erzielt.
- Patentansprüche -
12 -
ORiSHNAL INSPECTED 6 0 9 8^?/ 0 R β 6
Claims (1)
- /βPATENTANSPRÜCHE26ο / ο/ L1. Verfahren zur Ausführung von Warmpreßverbindungen von Leiterstrukturen auf einem Halbleiter-Schaltungsbaustein, der eine Vielzahl von Verbindungskappen aufweist, die sich über die Oberfläche dieses Halbleiter-Schaltungsbausteins erheben und an ihrem Unterteil mit darunterliegenden Metallisierungsmustern auf dem Halbleiter-Schaltungsbaustein verbunden sind, und wobei zumindest ein Teil aus Kupfer einer ersten, dem Halbleiter-Schaltungsbaustein zugeordneten Struktur mit einem Teil aus Gold einer zweiten, dem ^albleiter-Schaltungsbaustein zugeordneten Struktur verbunden wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil aus Kupfer (16) der ersten Struktur (14-) warm gegen den Teil aus Gold (21, 4-5) der zweiten Struktur (22, 4-3) ge reßt wird, und eine Diffusion in der Feststoffphase aus dem Teil aus Kupfer (16) in den ^eil aus Gold (21, 4-5) hervorgerufen wird, um nach der Abkühlung der Teile eine Verbindungsschicht zwischen dem Teil aus Kupfer (16) und dem ^eil aus Gold (21, 4-5) zu erhalten, und daß diese Verbindungsschicht eine Diffusion in der Feststoffphase von Kupfer in dem Teil aus Gold (21, 4-5) umfaßt.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der durch einen Warmpreßvorgang mit dem Teil aus Kupfer (16) zu verbindende ij-leil aus Gold eine äußere Goldschicht (4-1) umfaßt, die auf einer Grundschicht (39) der Verbindungskappe aus Kupfer angebracht ist, und daß es den Verfahrensschritt der Einbringung einer Diffusions-Sperrschicht (40) zwischen der darunterliegenden Grundschicht (39) aus Kupfer der Verbindungskappe (21) und der darauf befindlichen Goldschicht (4-1) umfaßt, wobei diese Schicht (40) als Sperre gegen die Diffusion zwischen der Grund-60985 2/06662 6 2 '-:;: 1 3schicht (39) aus Kupfer und der Goldschicht (4-1) dient.3o Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Diffusions-Sperrschicht (40) aus Nickel besteht.4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die genannten Verbindungskappen (21) über eine kupferne Verbindungsleiterstruktur (16), die den genannten Teil aus Kupfer bildet, durch einen Warmpreßvorgang mit einem Teil eines äußeren Leiterrahmens (43) verbunden werden, und daß der genannte Teil aus Gold, der durch einen Warmpreßvorgang mit der genannten Verbindungsleiterstruktur (16) aus Kupfer verbunden wird, eine Goldschicht (45) auf dem genannten Teil des Leiterrahmens (4-3) einschließte5. Halbleiter-Schaltungsbaustein, ausgeführt nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1-4, mit einem Halbleiterplättchen und einem auf dieses aufmetallisiertes Verbindungsleitermuster zur Herstellung der elektrischen Verbindungen zu den verschiedenen darunterliegenden Gebieten des genannten Halbleiterplättchens, und eine Vielzahl von metallischen Verbindungskappen, die sich über die Oberfläche des halbleiterplättchens erheben und an ihrem Unterteil mit dem genannten Verbindungsleitermuster verbunden sind, sowie mit einem äußeren Leiterrahmen zur elektrischen Verbindung des Halbleiter-Schaltungsbausteins mit einer Schaltung zum Betrieb der genannten Halbleiter-Schaltungsbaugruppe ^ dadurch gekennzeichnet, daß metallische Verbindungsleiter (16) zur elektrischen Verbindung mit den genannten Verbindungskappen (21) des genannten Kalbleiterplättchens (22) auf dem genannten Leiterrahmen (43) vorgesehen sind, daß die- 14 6098 5 2/06662 6 ? A :■; ' ;< /Γgenannten Verbindungsleiter (16) einen kupfernen Teil aufweisen, der mit einem Teil aus Gold (41) von zumindest einer der genannten Verbindungskappen (21) über eine Verbindungsschicht verbunden ist, die eine Diffusion von Kupfer aus der feststoffphase aus dem genannten kupfernen Teil (16) in den Teil aus Gold (41) der Verbindungskappe (21) umfaßte6. Halbleiter-Schaltungsbaustein nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß der Teil aus Gold der genannten Verbindungskappen (21) eine Goldschicht (41) umfaßt, die auf einer Grundschicht (59) aus Kupfer der genannten Verbindungskappen (21) liegt, und daß eine metallische Sperrschicht (40) gegen die Diffusion unter Wärmeeinwirkung zwischen der genannten Goldschicht (41) und der genannten Grundschicht (39) aus Kupfer der Verbindungskappe (21) angeordnet isto7o Halbleiter-Schaltungsbaustein nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Sperrschicht (40) gegen die Diffusion aus Nickel bestehto8. Halbleiter-Schaltungsbaustein nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Goldschicht (41) eine Stärke von mehr als 0,381 /um (15x10 Zoll) aufweist.9. Halbleiter-Schaltungsbaustein nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die genannten Verbindungsleiter (16) einen kupfernen Teil aufweisen, der mit einem Teil aus Gold (45) des genannten Leiterrahmens (43) über eine Verbindungsschicht verbunden sind, die eine Diffusion von Kupfer in der Feststoffphase aus dem genannten Teil (16) aus Kupfer in den genannten Teil6(HW. =■ </ .-. :RßINSPECTEDaus Gold (4-5) des genannten Leiterrahmens (43) hinein umfaßt.10. Halbleiter-Schaltungsbaustein nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß der genannte Teil aus Gold des genannten Leiterrahmens (43) eine Goldschicht (4-5) umfaßt, die auf einem Gebiet aus Kupfer des genannten Leiterrahmens (4-3) liegt, und daß eine Sperrschicht (44·) gegen eine Diffusion unter Wärmeeinwirkung zwischen der genannten Goldschicht (45) und dem genannten Gebiet aus Kupfer des genannten Leiterrahmens (43) angeordnet isto11. Halbleiter-Schaltungsbaustein nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Sperrschicht (44) gegen Diffusion aus Nickel besteht.12o Halbleiter-Schaltungsbaustein nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Goldschicht (44) eine Schichtstärke von mehr als 0,381 /um (1^xIO"6 Zoll) aufweist.13. Halbleiter-Schaltungsbaustein nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der genannte Leiterrahmen (43) eine Nickellegierung umfaßte16 -6 O Q P F ' / r' R 6 6Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/582,620 US4000842A (en) | 1975-06-02 | 1975-06-02 | Copper-to-gold thermal compression gang bonding of interconnect leads to semiconductive devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2624313A1 true DE2624313A1 (de) | 1976-12-23 |
Family
ID=24329846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762624313 Withdrawn DE2624313A1 (de) | 1975-06-02 | 1976-05-31 | Verfahren zur ausfuehrung von warmpressverbindungen von leiterstrukturen auf einem halbleiter- schaltungsbaustein |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4000842A (de) |
JP (1) | JPS5936823B2 (de) |
BR (1) | BR7603301A (de) |
CA (1) | CA1050668A (de) |
DE (1) | DE2624313A1 (de) |
FR (1) | FR2313771A1 (de) |
GB (1) | GB1530216A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0152189A2 (de) * | 1984-01-25 | 1985-08-21 | Luc Technologies Limited | Verbindung mit elektrischen Leitern und damit verbundene Bausteine |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4188438A (en) * | 1975-06-02 | 1980-02-12 | National Semiconductor Corporation | Antioxidant coating of copper parts for thermal compression gang bonding of semiconductive devices |
US4115799A (en) * | 1977-01-26 | 1978-09-19 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film copper transition between aluminum and indium copper films |
JPS53123074A (en) * | 1977-04-01 | 1978-10-27 | Nec Corp | Semiconductor device |
FR2402304A1 (fr) * | 1977-08-31 | 1979-03-30 | Int Computers Ltd | Procede de connexion electrique d'une pastille de circuit integre |
US4609936A (en) * | 1979-09-19 | 1986-09-02 | Motorola, Inc. | Semiconductor chip with direct-bonded external leadframe |
US4330790A (en) * | 1980-03-24 | 1982-05-18 | National Semiconductor Corporation | Tape operated semiconductor device packaging |
US4331740A (en) * | 1980-04-14 | 1982-05-25 | National Semiconductor Corporation | Gang bonding interconnect tape process and structure for semiconductor device automatic assembly |
US4413404A (en) * | 1980-04-14 | 1983-11-08 | National Semiconductor Corporation | Process for manufacturing a tear strip planarization ring for gang bonded semiconductor device interconnect tape |
JPS57152147A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of metal projection on metal lead |
US4607779A (en) * | 1983-08-11 | 1986-08-26 | National Semiconductor Corporation | Non-impact thermocompression gang bonding method |
DE3343251A1 (de) * | 1983-11-30 | 1985-06-05 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Systemtraeger fuer elektrische bauelemente |
US4560826A (en) * | 1983-12-29 | 1985-12-24 | Amp Incorporated | Hermetically sealed chip carrier |
IT1213261B (it) * | 1984-12-20 | 1989-12-14 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositivo a semiconduttore con metallizzazione a piu' spessori eprocedimento per la sua fabbricazione. |
DE3590792T (de) * | 1985-05-10 | 1987-07-16 | ||
US4707418A (en) * | 1985-06-26 | 1987-11-17 | National Semiconductor Corporation | Nickel plated copper tape |
US5134460A (en) * | 1986-08-11 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Aluminum bump, reworkable bump, and titanium nitride structure for tab bonding |
US4739917A (en) * | 1987-01-12 | 1988-04-26 | Ford Motor Company | Dual solder process for connecting electrically conducting terminals of electrical components to printed circuit conductors |
EP0284820A3 (de) * | 1987-03-04 | 1989-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Elektrisches Verbindungsteil und elektrisches Schaltungsteil und elektrische Schaltungsanordnung mit dem Verbindungsteil |
US5046657A (en) * | 1988-02-09 | 1991-09-10 | National Semiconductor Corporation | Tape automated bonding of bumped tape on bumped die |
US5197892A (en) * | 1988-05-31 | 1993-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric circuit device having an electric connecting member and electric circuit components |
US5130275A (en) * | 1990-07-02 | 1992-07-14 | Digital Equipment Corp. | Post fabrication processing of semiconductor chips |
JPH0484449A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Tabテープ |
US5508561A (en) * | 1993-11-15 | 1996-04-16 | Nec Corporation | Apparatus for forming a double-bump structure used for flip-chip mounting |
US5591649A (en) * | 1995-01-19 | 1997-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Process of removing a tape automated bonded semiconductor from bonded leads |
US5619068A (en) * | 1995-04-28 | 1997-04-08 | Lucent Technologies Inc. | Externally bondable overmolded package arrangements |
US5597470A (en) * | 1995-06-18 | 1997-01-28 | Tessera, Inc. | Method for making a flexible lead for a microelectronic device |
US6020640A (en) * | 1996-12-19 | 2000-02-01 | Texas Instruments Incorporated | Thick plated interconnect and associated auxillary interconnect |
US6060341A (en) * | 1998-01-12 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Method of making an electronic package |
DE19916177B4 (de) * | 1999-04-10 | 2006-01-26 | Sokymat Gmbh | Verfahren zum Kontaktieren des Halbleiterchips und Halbleiterchip mit drahtförmigen Anschlußstücken |
US6940178B2 (en) * | 2001-02-27 | 2005-09-06 | Chippac, Inc. | Self-coplanarity bumping shape for flip chip |
US6768210B2 (en) * | 2001-11-01 | 2004-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Bumpless wafer scale device and board assembly |
EP1389802A1 (de) * | 2002-08-16 | 2004-02-18 | ABB Schweiz AG | Schutzschicht für Leistungshalbleitermodul-Kontaktplättchen |
US7176580B1 (en) * | 2003-10-24 | 2007-02-13 | Joseph Fjelstad | Structures and methods for wire bonding over active, brittle and low K dielectric areas of an IC chip |
US7910471B2 (en) * | 2004-02-02 | 2011-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Bumpless wafer scale device and board assembly |
US20050230262A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Semitool, Inc. | Electrochemical methods for the formation of protective features on metallized features |
DE102005028951B4 (de) * | 2005-06-22 | 2018-05-30 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur elektrischen Verbindung einer Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einer äusseren Kontakteinrichtung |
US7439100B2 (en) * | 2005-08-18 | 2008-10-21 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Encapsulated chip scale package having flip-chip on lead frame structure and method |
US8169081B1 (en) | 2007-12-27 | 2012-05-01 | Volterra Semiconductor Corporation | Conductive routings in integrated circuits using under bump metallization |
US20100133671A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-03 | Chung Hsing Tzu | Flip-chip package structure and the die attach method thereof |
TW201114114A (en) * | 2009-10-14 | 2011-04-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Electrical connector contact and electroplating method thereof |
JP6001956B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11538778B2 (en) * | 2020-12-18 | 2022-12-27 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package including alignment material and method for manufacturing semiconductor package |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3506880A (en) * | 1963-06-28 | 1970-04-14 | Ibm | Semiconductor device |
US3396454A (en) * | 1964-01-23 | 1968-08-13 | Allis Chalmers Mfg Co | Method of forming ohmic contacts in semiconductor devices |
US3787958A (en) * | 1965-08-18 | 1974-01-29 | Atomic Energy Commission | Thermo-electric modular structure and method of making same |
US3689991A (en) * | 1968-03-01 | 1972-09-12 | Gen Electric | A method of manufacturing a semiconductor device utilizing a flexible carrier |
US3480412A (en) * | 1968-09-03 | 1969-11-25 | Fairchild Camera Instr Co | Method of fabrication of solder reflow interconnections for face down bonding of semiconductor devices |
US3713575A (en) * | 1971-06-29 | 1973-01-30 | Western Electric Co | Bonding apparatus having means for continuous monitoring of the bond |
US3760238A (en) * | 1972-02-28 | 1973-09-18 | Microsystems Int Ltd | Fabrication of beam leads |
US3777365A (en) * | 1972-03-06 | 1973-12-11 | Honeywell Inf Systems | Circuit chips having beam leads attached by film strip process |
US3778685A (en) * | 1972-03-27 | 1973-12-11 | Nasa | Integrated circuit package with lead structure and method of preparing the same |
US3838984A (en) * | 1973-04-16 | 1974-10-01 | Sperry Rand Corp | Flexible carrier and interconnect for uncased ic chips |
US4005472A (en) * | 1975-05-19 | 1977-01-25 | National Semiconductor Corporation | Method for gold plating of metallic layers on semiconductive devices |
-
1975
- 1975-06-02 US US05/582,620 patent/US4000842A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-04-13 CA CA250,140A patent/CA1050668A/en not_active Expired
- 1976-05-25 BR BR7603301A patent/BR7603301A/pt unknown
- 1976-05-28 GB GB22357/76A patent/GB1530216A/en not_active Expired
- 1976-05-28 FR FR7616182A patent/FR2313771A1/fr active Granted
- 1976-05-31 DE DE19762624313 patent/DE2624313A1/de not_active Withdrawn
- 1976-06-02 JP JP51064442A patent/JPS5936823B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0152189A2 (de) * | 1984-01-25 | 1985-08-21 | Luc Technologies Limited | Verbindung mit elektrischen Leitern und damit verbundene Bausteine |
EP0152189A3 (de) * | 1984-01-25 | 1987-12-09 | Luc Technologies Limited | Verbindung mit elektrischen Leitern und damit verbundene Bausteine |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1530216A (en) | 1978-10-25 |
FR2313771B1 (de) | 1982-07-02 |
BR7603301A (pt) | 1977-02-15 |
FR2313771A1 (fr) | 1976-12-31 |
US4000842A (en) | 1977-01-04 |
JPS5936823B2 (ja) | 1984-09-06 |
CA1050668A (en) | 1979-03-13 |
JPS527678A (en) | 1977-01-20 |
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---|---|---|
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DE2624292C2 (de) | ||
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