DE1054180B - Selen-Trockengleichrichterelement mit einer oder mehreren Isolierschichten - Google Patents

Selen-Trockengleichrichterelement mit einer oder mehreren Isolierschichten

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DE1054180B
DE1054180B DES57040A DES0057040A DE1054180B DE 1054180 B DE1054180 B DE 1054180B DE S57040 A DES57040 A DE S57040A DE S0057040 A DES0057040 A DE S0057040A DE 1054180 B DE1054180 B DE 1054180B
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DE
Germany
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layer
rectifier element
selenium
semiconductor layer
insulating
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DES57040A
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Werner Goetze
Georg Hoppe
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
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Description

Es ist bei Selen-Trockengleichrichterelemeiiten bereits bekanntgeworden, an den betriebsmäßig auf Kontakt- und Montagedruck beanspruchten Stellen in dem Gleichrichterelemente-Schiclitenaufbau eine Isoliereinlage vorzusehen, um elektrische Schäden für das Gleichrichterelement durch die Druckbeanspruchung auszuschließen. Für solche Isolierschichten sind als Werkstoffe unter anderem. Polystyrol, Lack, Glimmer, Papier oder eine Gewebeeinlage vorgeschlagen worden.
Eine Lackschicht läßt sich sehr leicht unter Anpassung an die benachbarten Grenzflächen der Schichten des Gleichrichterelementes aufbringen. Unter dem Einfluß der Wärme kann sie aber zu Zersetzungen oder Zerfallserscheinungen neigen, die dann die Güte der erwünschten Isolationsschicht nachteilig beeinflussen können. Beim Anbringen fester Isolationskörper als Schicht muß eine genaue Anpassung an die benachbarte Grenzfläche des Gleichrichterschichtenaufbaues stattfinden oder ein Eindrücken in eine darunterliegende Halbleiterschicht, solange diese verformungsfähig ist. Außerdem muß bei solchen Isolationsschich'ten aus festem Werkstoff, wenn sie, auf die Halbleiterschicht aufgebracht, mit ihrem Rand eine scharfe Stufe bilden, ein sehr vorsorgliches Aufbringen der Deckelektrode stattfinden, damit an der Stelle dieser Stufe in der Deckelektrode ein genügender Querschnitt für die Stromführung zu der Kontaktstelle über dem Gleichrichterschichtenaufbau an der Stelle bestehenbleibt, wo die Druckkontaktvermittlung insbesondere zu einem benachbarten Gleichrichterelement in einer Säule aus einer Vielzahl von Gleichrichterelementen stattfindet. In jedem dieser Fälle der Anwendung einer Isoliermaterialschicht aus einem einheitlichen festen Körper besteht außerdem der Mangel, daß unter dem Einfluß der Betriebswärme eine selbsttätige Verformung dieses Isoliermaterialkörpers stattfinden kann, die zu Abhebungserscheinungen desselben, von seiner Unterlage und damit gegebenenfalls zu einer mechanischen Beanspruchung der ihn übergreifenden Schicht, z. B. der Deckelektrode, führen kann.
Die Erfindung hat eine neue Lösung des Problems der Schaffung eines sicheren Aufbaues eines SelenTrockengleichrichterelementes mit einer oder mehreren Isolierschichten in reinem Schichtenaufbau an den. betriebsmäßig auf Kontakt- und Montagedruck beanspruchten Stellen unter Vermeidung der Mängel der bekannten Anordnungen zum Gegenstand, deren AVesen darin besteht, daß die Isolierschicht aus einem Lack mit einem fein in ihm. verteilten faserigen oder blätterförmigen elektrischen Isoliermaterial-Füllstoff hergestellt ist.
Eine solche Isolierschicht bildet selbsttätig einen Selen-Trockengleichrichterelement
mit einer oder mehreren Isolierschichten
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke
Aktienges ells chaf t,
ίο Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Georg Hoppe, Berlin-Siemensstadt1
und Werner Götze, Berlin-Spandau,
sind als Erfinder genannt worden
2
guten allmählichen Übergang an ihren Randzonen, also* unter Vermeidung einer scharfen Stufenbildung. Die Isolierschicht paßt sich jederzeit einem benachharten Rand einer oder mehrerer anderer Schichten des Gleichridhterelementeaufbaues leicht an, ohne eine besondere mechanische Anpassungsa.rbeit zu bedingen. Treten in einer solchen Isolierschicht unter dem Wärmeeinfluß Zersetzungs- oder Zerfallserscheinungen auf, die sonst zu einer \"erschlechterung des Isolierwertes der Schicht führen würden, so ist in der Schicht dodh jederzeit noch der Füllstoff in der Weise in wesentlichem Maße wirksam, daß er für sich sonst direkt zwischen den Oberflächen, der Isolierschicht entwickelnde Bahnen besserer elektrischer Leitfähigkeit auf jeden Fall nur Labyrinthwege von großer Länge zwischen der Vielzahl unregelmäßig gelagerter und einander überdeckender Füllmaterialteilchen entstehen läßt, die in der Mehrzahl der Fälle, wie sich ergeben hat, einen ausreichenden elektrischen Widerstand vom Charakter eines Isolationswiderstandes gewährleisten. Als geeigneter Füllstoff faserigen Charakters hat sich z. B. fein unterteilter Asbest erwiesen,. Als blätterförmiger Füllstoff erweist sich insbesondere Glimmer als geeignet, der ja die Eigenart hat, stets unter Blättchenbildung aufzuspalten bei hohem elektrischen Isolationswert des einzelnen dünnen Blättchens. Außerdem hat Glimmer die Eigenart, nicht saugfähig zu sein, so daß auch im Falle einer Behandlung der Oberfläche eines Selengleichrichterelementes, z. B. mit einer zusätzlichen flüssigen Isoliermasse, wie z. B. öl oder einer flüssigen Fettsubstanz, keine Neigung zu einem Einsaugen dieses Materials in die vorliegende Isolier-
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Claims (3)

schicht besteht und sonst eventuell noch denkbare Ouellerscheinungen der Isolationsschicht auf jeden Fall ausgeschlossen werden. Die vorliegende Isolierschicht kann an den bereits geläufigen Stellen eines Trockengleichrichterelementes aufgebracht werden. So kann sie am inneren oder/und äußeren Rand der Gleichrichterplatten auf der Selenschicht oder auf der Trägerplatte unter der Deckelektrode oder einer mit dieser zusammenwirkenden steiferen Elektrodenplatte oder auch innerhalb' des Gleichrichterelementeaufbaues zwischen einer Stelle der Halbleiterschicht und der Trägerplatte oder auch zwischen verschiedenen Schichten des eigentlichen Halbleiterkörpers bei dessen mehrschichtigem Aufbau an den entsprechenden betriebsmäßig auf Kontaktoder Montagedruck beanspruchten Stellen des Gleichrichterelementes angeordnet werden. Zur Erläuterung eines Ausführungsbeispiels wird nunmehr auf die Zeichnung Bezug genommen. In dieser ist in einem zur Veranschaulichung gewählten vergrößerten Maßstab ein solcher Teil einer Selengleichrichterplatte dargestellt, an weichem eine solche Isoliermaterialeinlage eingearbeitet ist. 1 bezeichnet den Trägerplattenteil, der z. B. aus Eisen mit einem Xickelüberzug besteht. Auf diesen ist die Selenhalbleiterschicht 2 aufgebracht. Auf diese Halbleiterschicht 2 ist zunächst unter Benutzung einer Scha- blone, die einen zentralen Ringteil der Fläche der Halbleiterschiclhit 2 für die nachfolgende Anordnung der Isolierschicht abdeckt, die Gegenelektrode 3 aufgespritzt. Anschließend wird in der frei gehaltenen zentralen Zone auf die Halbleiterschicht 2 die Isolierschicht 4 aufgebracht, welche aus einem Lack gemäß der Erfindung besteht. Nach dem Trocknen bzw. Durchhärten der Isolierschicht 4 wird auf diese und einen sie umschließenden Randteil des Deckelektrodenkörpers 3 eine Abnahmeelektrode 5 aufgebracht. Patentansprüche:
1. Selen-Trockengleichrichterelement mit einer oder mehreren Isolierschichten in seinem Schichtenaufbau an den betriebsmäßig auf Kontakt- und Montagedruck beanspruchten Stellen, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht aus einem Lack mit einem fein in ihm verteilten faserigen oder blätterförmigen elektrischen Isoliermaterial-Füllstoff hergestellt ist.
2. Selen-Trockengleichrichterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Füllstoff Asbest benutzt ist.
3. Selen-Trockengleichrichterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Füllstoff Glimmer benutzt ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DES57040A 1958-02-21 1958-02-21 Selen-Trockengleichrichterelement mit einer oder mehreren Isolierschichten Pending DE1054180B (de)

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NL112923D NL112923C (de) 1958-02-21
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FR785926A FR1216066A (fr) 1958-02-21 1959-02-04 élément redresseur sec au sélénium
CH6967359A CH364044A (de) 1958-02-21 1959-02-17 Selen-Trockengleichrichterelement
GB597059A GB858990A (en) 1958-02-21 1959-02-20 Improvements in or relating to selenium dry rectifier elements

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GB (1) GB858990A (de)
NL (1) NL112923C (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1108331B (de) * 1960-02-24 1961-06-08 Licentia Gmbh Selengleichrichterplatte zum Zusammenbau unter Druck
DE1178112B (de) * 1959-08-03 1964-09-17 Gen Precision Inc Bistabile Kippschaltung
DE1260030B (de) * 1962-03-16 1968-02-01 Gen Electric Halbleiterdiode mit einem PN-UEbergang von kleinem Querschnitt

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DE1260030B (de) * 1962-03-16 1968-02-01 Gen Electric Halbleiterdiode mit einem PN-UEbergang von kleinem Querschnitt

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FR1216066A (fr) 1960-04-21
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