DE1176759B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von HalbleiteranordnungenInfo
- Publication number
- DE1176759B DE1176759B DEN20832A DEN0020832A DE1176759B DE 1176759 B DE1176759 B DE 1176759B DE N20832 A DEN20832 A DE N20832A DE N0020832 A DEN0020832 A DE N0020832A DE 1176759 B DE1176759 B DE 1176759B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode material
- semiconductor body
- vapor pressure
- weight
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 34
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C11/00—Alloys based on lead
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: H Ol 1
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1176 759
Aktenzeichen: N 20832 VIII c / 21,
Anmeldetag: 17. November 1961
Auslegetag: 27. August 1964
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, bei dem
Halbleiterkörper und eine Elektrodenmaterialmenge getrennt auf eine Temperatur zwischen dem Schmelzpunkt
des Elektrodenmaterials und dem des Halbleiterkörpers erhitzt werden und dann das Elektrodenmaterial
auf den Halbleiterkörper geworfen und mit ihm legiert wird. Dies kann z. B. in bekannter
Weise dadurch erfolgen, daß der Körper und das Elektrodenmaterial in Aufnahmeräumen einer Form
angeordnet werden, die durch mindestens einen Kanal miteinander verbunden sind, wonach die Form
so gekippt wird, daß das geschmolzene Elektrodenmaterial auf den Körper fällt. Der Halbleiterkörper
kann z. B. aus Germanium oder Silizium bestehen.
Für eine gute gleichmäßige Haftung zwischen dem Halbleiterkörper und dem auf ihn geworfenen Elektrodenmaterial
ist es erwünscht, daß dieses Material im Augenblick der Berührung eine gewisse kinetische
Energie hat. Es wurde bereits vorgeschlagen, diese kinetische Energie dadurch zu steigern, daß auf dem
Elektrodenmaterial ein verschiebbares Gewicht angebracht wird. Ein Nachteil dieses Verfahrens ist,
daß eine Form mit einem verschiebbaren Gewicht eine komplizierte Konstruktion hat.
Weiter ist es bekannt, Elemente aus der III., IV. und V. Gruppe des Periodischen Systems, wie Blei
und Wismut, zur Herstellung von Legierungselektroden an Halbleiterkörpern zu verwenden. Das spezifische
Gewicht der genannten Elemente ist recht groß und ihr Dampfdruck bei Temperaturen zwischen
ihren Schmelzpunkten und dem Schmelzpunkt des Halbleiterkörpers ebenfalls groß. Diese physikalischen
Eigenschaften wurden bisher jedoch nicht dazu ausgenutzt, um bestimmte Wirkungen beim
Auflegieren der Elektroden zu erzielen.
Die Erfindung bezweckt nun, Mittel anzugeben, durch die die kinetische Energie des aufgeworfenen
Elektrodenmaterials auf einfache Weise gesteigert werden kann. Sie beruht auf dem Gedanken, die
Menge und somit das Gewicht des aufgeworfenen Elektrodenmaterials zu steigern, ohne daß die am
Ende auf dem Halbleiterkörper verbleibende Materialmenge größer als normal ist. Wäre die verbleibende
Menge ungewöhnlich groß, so könnten z. B. mechanische Spannungen auftreten, die zu einer Ablösung
des Kontakts oder zu Rissen führen können.
Gemäß der Erfindung werden als Elektrodenmaterial zu mindestens 25 Gewichtsprozent ein oder mehrere
an sich als Elektrodenmaterial bekannte Elemente mit möglichst großem spezifischem Gewicht
verwendet, deren Dampfdruck bei Temperaturen Verfahren zum Herstellen von
Halbleiteranordnungen
Halbleiteranordnungen
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Willem Gerard Einthoven,
Jan Adrianus Manintveld, Nijmegen
(Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 21. November 1960 (258 203)
zwischen dem Schmelzpunkt des Elektrodenmaterials und dem des Halbleiterkörpers mindestens ebenso
groß ist <wie <ier des Bleis, und es werden der Halbleiterkörper
und das aufgeworfene Elektrodenmaterial zusammen auf eine so hohe Temperatur erhitzt,
daß mindestens 25 Gewichtsprozent des ursprünglich aufgeworfenen Elektrodenmaterials verdampfen.
Da für das Elektrodenmaterial Elemente verwendet werden, deren Dampfdruck in dem in Frage
kommenden Temperaturbereich groß und deren spezifisches Gewicht recht groß ist, kann in einfacher
Weise das Gewicht des aufgeworfenen Elektrodenmaterials gesteigert werden; die überschüssige Menge
läßt sich dann leicht nach dem Aufwerfen verdampfen, und es ergeben sich keine übermäßigen Abmessungen
der fertigen Elektrode. Infolge des hohen Dampfdrucks der verwendeten Elemente braucht die
Anordnung auch nicht übermäßig lange auf einer hohen Temperatur gehalten zu werden, bis mindestens
25 Gewichtsprozent des ursprünglich aufgeworfenen Materials verdampft sind. Die genannten
Elemente können einzeln oder zusammen verwendet werden.
Die Temperatur, bei der die Dampfdrücke der benutzten Elemente mit dem Dampfdruck von Blei verglichen
werden müssen, ist nicht kritisch, weil diese Dampfdrücke, wie aus der zu erläuternden graphischen
Darstellung hervorgeht, in einem großen Temperaturbereich das gleiche Verhältnis aufweisen.
409 658/328
Die geeignetste Temperatur zum Anstellen eines Vergleichs ist selbstverständlich die, bei der das Material
verdampft wird.
Selbstverständlich kommen als Zusatz nur die Elemente in Betracht, die unter den in einem bestimmten
Fall auftretenden Umständen keinen störenden Einfluß auf die Wirkung der weiteren im Elektrodenmaterial
vorhandenen Elemente ausüben, und zwar insbesondere nicht auf die im Material normalerweise
vorhandenen Aktivatoren oder auf den Halbleiterkörper.
Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels, das durch Figuren verdeutlicht ist, näher
erläutert.
F i g. 1 ist ein schematischer Schnitt durch eine an sich bekannte Form zum Aufwerfen und Auflegieren
von Elektroden auf einen Halbleiterkörper;
F i g. 2 und 3 zeigen das Profil einer Elektrode unmittelbar nach dem Aufwerfen des Elektrodenmaterials
und nach einer Wärmebehandlung;
F i g. 4 ist eine graphische Darstellung, in der der Logarithmus der Dampfspannung in Millimeter
Quecksilberdruck mehrerer Elemente über dem Kehrwert der absoluten Temperatur aufgetragen ist.
Die Form nach der F i g. 1 besteht aus einer unteren Hälfte 1, in der sich ein Aufnahmeraum 2 für
einen Halbleiterkörper 3 befindet, und einer oberen Hälfte 4, die durch einen Paßrand 5 in bezug auf die
untere Hälfte zentriert wird. In der oberen Hälfte befindet sich ein Aufnahmeraum 6 für eine Menge an
Elektrodenmaterial 7, der durch einen Kanal 8 mit einem Durchmesser von 2,5 mm mit dem Aufnahmeraum
2 für den Halbleiterkörper in Verbindung steht. Die Form kann aus Graphit hergestellt sein.
Eine solche Form kann mehrfach sein, womit gemeint ist, daß sie zum Behandeln mehrerer Halbleiterkörper
ausgebildet sein kann, während auch die Zahl der auf einen Körper aufzulegierenden Elektroden
mehrfach sein kann. Deutlichkeitshalber wird nachstehend nun die Anbringung einer einzigen
Elektrode beschrieben.
Der Halbleiterkörper besteht z. B. aus n-leitendem Silizium mit einem spezifischen Widerstand von
10 Ω cm. Das Elektrodenmaterial besteht aus
89,75 Gewichtsprozent Blei, 5,0 Gewichtsprozent Zinn, 5,0 Gewichtsprozent Antimon und
0,25 Gewichtsprozent Callium.
Etwa 100 mg dieser Legierung werden in den Aufnahmeraum 6 gegeben, wonach die Form in einer
Wasserstoffatmosphäre auf etwa 1000° C erhitzt und dann um einen kleinen Winkel nach links gekippt
wird. Dabei gelangt das geschmolzene Elektrodenmaterial 7 in den Kanal 8 und fällt auf die infolge
der Erhitzung in der reduzierenden Wasserstoffatmosphäre gereinigte Siliziumoberfläche. Es ergibt
sich dabei eine Elektrode 9 mit einem verhältnismäßig hohen Profil, wie es schematisch in F i g. 2
dargestellt wird. Dann wird die Temperatur auf 1100° C gesteigert und 3 Stunden lang auf diesem
Wert gehalten, wobei etwa die Hälfte des ursprünglich vorhandenen Bleis verdampft und die Elektrode
9 ein viel flacheres Profil annimmt, wie es in F i g. 3 dargestellt ist.
Nach dem Aufwerfen des Elektrodenmaterials löst sich eine gewisse Menge des Halbleitermaterials in
ihm, die dann beim Abkühlen rekristallisiert und am ursprünglichen Kristallgitter anwächst.
Unter dieser Elektrode entstehen somit eine durch Galliumdiffusion gebildete, etwa 3 μ dicke p-leitende
Siliziumschicht 10, die an das ursprüngliche n-leitende Silizium grenzt, und über dieser eine durch
Rekristallisation des mit Antimon gesättigten Siliziums gebildete η-leitende Siliziumschicht 11, die
durch das restliche Elektrodenmaterial bedeckt ist.
ίο Diese Schicht ist etwa 15 μ dick. Solche n-p-n-Strukturen
können z. B. bei Transistoren und steuerbaren Gleichrichtern Anwendung finden.
Infolge der verhältnismäßig großen aufgeworfenen Elektrodenmateri almenge, von der später ein Teil
verdampft, ist die Menge an Halbleitermaterial, die anfangs in Lösung geht, auch verhältnismäßig groß,
so daß die rekristallisierte Schicht 11 verhältnismäßig dick ausgebildet wird. Findet ein Elektrodenmaterial
Verwendung, in dem sich das Halbleitermaterial schlecht löst, so bleibt die Schicht 11 verhältnismäßig
dünn.
Es kann selbstverständlich auch ein Elektrodenmaterial Verwendung finden, das entweder nur einen
Akzeptor oder nur einen Donator enthält. Ebenso ist es möglich, daß das Material neutral ist und sowohl
auf einem p-leitenden Halbleitermaterial als auch auf einem n-Ieitenden Halbleitermaterial einen
Ohmschen Kontakt liefert.
In bezug auf die Wahl des Elementes, das bei dem Verfahren nach der Erfindung nach dem Aufwerfen
verdampft wird, sei an Hand der F i g. 4 noch folgendes erwähnt. In dieser Figur sind als Abszisse
10'
die Werte aufgetragen, wobei T die absolute
die Werte aufgetragen, wobei T die absolute
Temperatur darstellt. Die Werte von T sind gleichfalls angegeben. Als Ordinate sind die Logarithmen
des Dampfdruckes in Millimeter Quecksilberdruck aufgetragen. Für mehrere Elemente sind die Linien,
die die Beziehung zwischen Dampfdruck und Temperatur angeben, gezeichnet. Bei diesen Linien, die
annähernd gerade sind, sind die Symbole der Elemente und zwischen Klammern eine Zahl angegeben,
die das jeweilige spezifische Gewicht angibt.
Aus der Figur geht hervor, daß die zum Bilden von Legierungselektroden vielfach benutzten Elemente Indium, Gallium, Aluminium und Zinn einen verhältnismäßig niedrigen Dampfdruck und auch ein verhältnismäßig niedriges spezifisches Gewicht besitzen.
Aus der Figur geht hervor, daß die zum Bilden von Legierungselektroden vielfach benutzten Elemente Indium, Gallium, Aluminium und Zinn einen verhältnismäßig niedrigen Dampfdruck und auch ein verhältnismäßig niedriges spezifisches Gewicht besitzen.
Die für die Erfindung als Kriterium gefundene Grenze beim Dampfdruck von Blei wird nicht nur
dadurch erklärt, daß der Dampfdruck dieses Elementes bei den üblichen Legierungstemperaturen um
mindestens zwei Zehnerpotenzen höher als derjenige von Indium ist, obgleich das letztere Element unter
der bereits erwähnten Gruppe von Elementen die höchsten Dampfdrücke aufweist. Die Wahl wird auch
dadurch erklärt, daß Blei ein verhältnismäßig hohes spezifisches Gewicht hat. Das gleiche gilt für die EIemente
Wismut und Thallium. Ein Element wie Zink eignet sich hinsichtlich seines Dampfdruckes auch
gut für die Anwendung beim Verfahren nach der Erfindung, aber dieses Element kann einen nachteiligen
Einfluß auf die elementaren Halbleiter ausüben.
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, bei dem ein Halbleiterkörper und
eine Elektrodenmaterialmenge getrennt auf eine Temperatur zwischen dem Schmelzpunkt des
Elektrodenmaterials und dem des Halbleiterkörpers erhitzt werden und dann das Elektrodenmaterial
auf den Halbleiterkörper geworfen und mit ihm legiert wird, dadurch gekennzeichnet,
daß als Elektrodenmaterial zu mindestens 25 Gewichtsprozent ein oder mehrere an sich als Elektrodenmaterial bekannte Elemente
mit möglichst großem spezifischem Gewicht verwendet werden, deren Dampfdruck bei Temperaturen
zwischen dem Schmelzpunkt des Elektrodenmaterials und dem des Halbleiterkörpers mindestens ebenso groß ist wie der des Bleis,
und daß der Halbleiterkörper und das aufgeworfene Elektrodenmaterial zusammen auf eine so
hohe Temperatur erhitzt werden, daß mindestens 25 Gewichtsprozent des ursprünglich aufgeworfenen
Elektrodenmaterials verdampfen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Element mit hohem
Dampfdruck Blei verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Element mit hohem
Dampfdruck Wismut verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Element mit hohem
Dampfdruck Thallium verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1015 937;
deutsche Auslegeschrift W14766 VIKc/21g (bekanntgemacht am 9. 2.1956);
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1015 937;
deutsche Auslegeschrift W14766 VIKc/21g (bekanntgemacht am 9. 2.1956);
österreichische Patentschrift Nr. 212 880.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL258203 | 1960-11-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1176759B true DE1176759B (de) | 1964-08-27 |
Family
ID=19752711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN20832A Pending DE1176759B (de) | 1960-11-21 | 1961-11-17 | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3152373A (de) |
CH (1) | CH413112A (de) |
DE (1) | DE1176759B (de) |
GB (1) | GB966594A (de) |
NL (1) | NL258203A (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3279006A (en) * | 1963-12-30 | 1966-10-18 | Martin Metals Company | Method of preparing composite castings |
US3436280A (en) * | 1965-06-30 | 1969-04-01 | Fujitsu Ltd | Method of producing a variable capacitance diode |
DE1279646B (de) * | 1965-09-29 | 1968-10-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung kristalliner Staebe aus halbleitenden Verbindungen |
US3678986A (en) * | 1970-04-27 | 1972-07-25 | Siemens Ag | Method for manufacturing homogeneous bodies from semiconductor alloys |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1015937B (de) * | 1952-09-16 | 1957-09-19 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleitern mit p-n-Schichten |
AT212880B (de) * | 1958-02-22 | 1961-01-10 | Philips Nv | Verfahren und Legierform zum Aufschmelzen eines Kontaktes auf einen halbleitenden Körper |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB794128A (en) * | 1955-08-04 | 1958-04-30 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to methods of forming a junction in a semiconductor |
US2842831A (en) * | 1956-08-30 | 1958-07-15 | Bell Telephone Labor Inc | Manufacture of semiconductor devices |
NL131155C (de) * | 1958-02-22 |
-
0
- NL NL258203D patent/NL258203A/xx unknown
-
1961
- 1961-11-14 US US152322A patent/US3152373A/en not_active Expired - Lifetime
- 1961-11-17 GB GB41243/61A patent/GB966594A/en not_active Expired
- 1961-11-17 CH CH1339761A patent/CH413112A/de unknown
- 1961-11-17 DE DEN20832A patent/DE1176759B/de active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1015937B (de) * | 1952-09-16 | 1957-09-19 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleitern mit p-n-Schichten |
AT212880B (de) * | 1958-02-22 | 1961-01-10 | Philips Nv | Verfahren und Legierform zum Aufschmelzen eines Kontaktes auf einen halbleitenden Körper |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3152373A (en) | 1964-10-13 |
GB966594A (en) | 1964-08-12 |
NL258203A (de) | |
CH413112A (de) | 1966-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1127488B (de) | Halbleiteranordnung aus Silizium oder Germanium und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2818261A1 (de) | Halbleiter-solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE976348C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit pn-UEbergaengen und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente | |
DE2130122A1 (de) | Schottkygrenzschicht-Feldeffekttransistor | |
DE1033786B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Gleichrichters | |
DE1764180B2 (de) | Verfahren zum einstellen der ladungstraeger lebensdauer in einer oertlich begrenzten zone eines halbleiterkoerpers | |
DE1176759B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen | |
DE2517252A1 (de) | Halbleiterelement | |
DE1279203B (de) | Halbleiterkoerper fuer einen Thyristor | |
DE2014797A1 (de) | Halbleiter-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2310453C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines gegen Überspannungen geschützten Halbleiterbauelementes | |
DE1029936B (de) | Legierungs-Verfahren zum Herstellen von p-n-Schichten | |
DE1170082B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
AT233631B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen | |
DE1131808B (de) | Verfahren zum Herstellen von n-leitenden Halbleiterkoerpern von Transistoren od. dgl. aus Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Germanium oder Silizium | |
DE1262388B (de) | Verfahren zur Erzeugung eines nicht-gleichrichtenden UEbergangs zwischen einer Elektrode und einem dotierten thermoelelktrischen Halbleiter fuer ein thermoelektrisches Geraet | |
DE1130525B (de) | Flaechentransistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper eines bestimmten Leitungstyps | |
DE2009359A1 (de) | Anordnung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in ein Halbleitermaterial | |
DE1282204B (de) | Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
AT219097B (de) | Tunnel-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1160953B (de) | Legierungsverfahren zur Herstellung von Tunneldioden | |
DE1035780B (de) | Transistor mit eigenleitender Zone | |
AT250699B (de) | Thermoelektrische Einrichtung | |
DE1266510B (de) | Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkoerper mit mindestens einem Kontakt und Verfahren zum Herstellen | |
DE1218621B (de) | Siliziumgleichrichterelement mit einem kreisscheibenfoermigen Siliziumplaettchen |