CH269324A - Elément à conductibilité électrique asymétrique. - Google Patents
Elément à conductibilité électrique asymétrique.Info
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Description
Elément à conductibilité électrique asymétrique. La présente invention se rapporte à. un élément à eonduetibilité électrique asymé trique, comprenant une plaque de support métallique sur laquelle est déposée une couche de matière semi-conductrice sur la quelle est encore appliquée une contre-élec- trode métallique.
Pour obtenir un contact satisfaisant de la couche semi-conductrice avec la contre-élec- trode, surtout lorsqu'un certain nombre d'élé ments redresseurs doivent être montés en série pour former une unité, il est nécessaire d'appliquer une certaine pression. Une telle pression est également recommandée lorsque le redresseur doit être protégé contre la péné tration de l'humidité par une couche de ver nis. Une telle pression provoque, dans le cas de certains redresseurs, par exemple de ceux utilisant le sélénium comme matière semi-con ductrice, une augmentation du courant in verse.
En conséquence, il a déjà, été proposé d'iso ler une partie de la couche semi-conductrice de la contre-électrode, afin de déterminer une partie de cette dernière, sur laquelle la pres sion puisse être exercée sans effet nuisible pour le redresseur. Cet. isolement partiel peut. être réalisé en fixant une mince rondelle de matière isolante à la couche semi-conductrice avant de lui appliquer la contre-électrode.
On a constaté qu'à l'endroit où la contre- électrode dépasse le bord de la mince rondelle isolante, elle tend à provoquer des craque lures ou à devenir exagérément mince, de sorte que la résistance interne du redresseur est indûment augmentée.
Cette'difficulté est. surmonté, dans l'objet de l'invention, en insérant une mince ron delle isolante entre une partie de la surface de la contre-électrode et la partie correspon dante de la couche semi-conductrice, cette ron delle étant disposée de fagon que sa surface en contact avec la contre-électrode soit au même niveau que la surface de la couche semi-conductrice en contact avec la contre- électrode. On peut y parvenir aisément en plac,ant la rondelle isolante sur la surface du semi-conducteur lorsque celui-ci est. à l'état plastique et en appliquant. une pression.
La description de l'objet de l'invention qui suit se rapporte à un redresseur au sélénium. Dans les procédés de fabrication connus d'un tel redresseur, une plaque de support revêtue de sélénium est soumise à la chaleur et à une pression dans le cadre du traitement néces saire pour convertir le sélénium de l'état vitreux à l'état allotropique qui lui confère ses propriétés de redressement. Dans la mise en #uvre de l'invention, une mince rondelle de papier est. placée sur la surface de revête ment de sélénium d'une plaque de support avant que la chaleur et la pression ne lui soient appliquées.
Après la fin du traitement thermique normal et de l'application de la pression, on constate que la surface de la rondelle de papier est au même niveau que celle de la couche de sélénium. On applique alors une contre-électrode sur la totalité de ladite surface. L'élément redresseur est alors assemblé avec d'autres par des organes n'appuyant que sur la surface de la rondelle de papier.
L'invention peut s'appliquer également aux cellules photoélectriques, étant donné qu'on peut utiliser dans lesdites cellules -une rondelle ou une couche isolante dans le même but que dans lui redresseur.
Le dessin ci-joint représente, à titre d'exemple, -une forme d'exécution de l'objet. de l'invention.
La fig:1 est -une vue en coupe d'une plaque de support revêtue de sélénium et pourvue d'une rondelle isolante placée sur ledit revêtement.
La fig. 2 est -une vue en coupe de la plaque de support de la fig.1, disposée pour le montage avec d'autres éléments semblables pour former un redresseur.
D'après le dessin, une plaque de support 1 comportant une ouverture centrale 2 est re vêtue d'une couche semi-conductrice 3, par exemple de sélénium; le sélénium est appliqué à la plaque de support 1, après que celle-ci a été portée à -une température nettement supérieure au point de fusion du sélénium et en répandant le séléniiun sur la surface de la plaque dune manière connue. La. plaque de support ainsi revêtue est alors rapidement refroidie.
La plaque de support revêtue de sélénium doit être ensuite placée dans -une presse d'une manière connue et un traitement thermique doit lui être appliqué pour faire passer le sélénium à l'état allotropique voulu pour lui conférer des propriétés de redressement. Immédiatement avant de mettre la plaque de support revêt-Lie de sélénium dans la presse, une rondelle de papier 4 présentant une ouverture coaxiale à l'ouverture 2 de la plaque de support 1 est placée sur la surface de la couche de sélénium 3, comme indiqué à la fig. 1.
La rondelle de papier 4 peut être emboutie au centre comme représenté pour faciliter la. mise en position, l'ouverture de ladite rondelle étant pus petite que celle de la plaque de support.
Lorsque la plaque de support est. retirée de la presse, la rondelle de papier affleure la surface du sélénium 3, comme représenté à la fig. 2, et une contre-électrode 5 est alors appliquée par vaporisation. Il n'y a donc pas de solution de continuité dans la surface de la couche semi-conductrice susceptible de pro voquer des craquelures ou des ruptures de la couche formant contre-électrode et celle-ci constitue hzne couche lisse. La matière en excès au centre de la rondelle 4 est alors éli minée.
Une plaque de contact 6 peut alors être appliquée sur la contre-électrode pour com pléter l'élément redresseur qui petit alors être placé sur une tige centrale 7 et assemblé avec d'autres redresseurs sur la même tige en une unité complète, une rondelle conductrice 8 étant intercalée pour établir le contact entre la plaque de contact 6 et la plaque de sup port de l'élément redresseur suivant de l'assemblage. L'assemblage étant achevé, on exerce une pression finale sur l'ensemble des éléments par des moyens connus, pression qui, étant donné que la rondelle 8 n'a. pas un dia mètre supérieur à celui de la rondelle de papier 4, n'est exercée que sur la surface cou verte par la rondelle de papier 4 et non sur le sélénium.
L'invention peut s'appliquer indifférem ment aux redresseurs ou aux cellules photo électriques, dans lesquelles une pression ast appliquée sur la périphérie de l'élément, la rondelle de papier couvrant, dans ce cas, une bande autour de ladite périphérie. La ron delle 4 peut. être en une matière solide iso lante autre que le papier.
Les rondelles de papier 4, après avoir été placées, comme exposé ci-dessus, de niveau avec la surface du revêtement .de sélénium d'une plaque de support, servent également de protection pour les bords du revêtement de sélénium autour de l'ouverture centrale 2, lorsque ladite ouverture est pratiquée dans la plaque de support 1 par- poinçonnage d'une plaque préalablement revêtue de sélénium.
Claims (1)
- REVENDICATION I: Elément à conductibilité électrique asi mé trique, comprenant une plaque de support, une couche de matière semi-conductrice appli quée sur ladite plaque et une contre-électrode placée sur ladite couche semi-conductrice, caractérisé par une rondelle isolante de faible épaisseur insérée entre une partie de la sur face de la contre-électrode et la partie corres pondante de la couche semi-conductrice, et disposée de façon que la surface de la ron delle en contact avec la contre-électrode soit au même niveau que la surface de la couche semi-conductrice en contact avec la contre- électrode. <B>SOUS-REVENDICATIONS</B> 1.Elément selon la revendication I, carac térisé en ce que la couche semi-conductrice est en sélénium. 2. Elément selon la revendication I, carac térisé en ce que ladite rondelle isolante est en papier. 3. Elément selon la. revendication I, des tiné à être utilisé notamment pour les redres- seurs comprenant une pluralité de ces élé ments formant un assemblage soumis à une pression, caractérisé en ce que ladite rondelle isolante s'étend sur la partie de la couche semi-conductrice sur laquelle s'exerce la pres sion.REVENDICATION II: Procédé de fabrication d'un élément à conductibilité électrique asymétrique selon la revendication I, dans lequel une plaque de support recouverte d'une couche semi-conduc trice est soumise à la chaleur et à une pres sion, caractérisé en ce qu'on applique une ron delle de matière isolante sur une partie de la surface de la couche semi-conductrice, qu'on applique ensuite la chaleur et la pres sion, afin de faire pénétrer ladite rondelle clans la couche semi-conductrice jusqu'à ce que la surface extérieure de ladite rondelle soit au même niveau que la. couche semi-con ductrice et qu'on applique ensuite une contre- électrode sur la couche semi-conductrice et la rondelle isolante.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB269324X | 1945-04-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH269324A true CH269324A (fr) | 1950-06-30 |
Family
ID=10251476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH269324D CH269324A (fr) | 1945-04-07 | 1946-11-15 | Elément à conductibilité électrique asymétrique. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH269324A (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1121734B (de) * | 1953-12-11 | 1962-01-11 | Siemens Ag | Trockengleichrichterelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1946
- 1946-11-15 CH CH269324D patent/CH269324A/fr unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE1121734B (de) * | 1953-12-11 | 1962-01-11 | Siemens Ag | Trockengleichrichterelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
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