DE112020001697A5 - Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischer schicht und transparenter leitfähiger schicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischer schicht und transparenter leitfähiger schicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements Download PDF

Info

Publication number
DE112020001697A5
DE112020001697A5 DE112020001697.8T DE112020001697T DE112020001697A5 DE 112020001697 A5 DE112020001697 A5 DE 112020001697A5 DE 112020001697 T DE112020001697 T DE 112020001697T DE 112020001697 A5 DE112020001697 A5 DE 112020001697A5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor component
optoelectronic semiconductor
manufacturing
transparent conductive
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112020001697.8T
Other languages
English (en)
Inventor
Ivar Tangring
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of DE112020001697A5 publication Critical patent/DE112020001697A5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
DE112020001697.8T 2019-03-29 2020-03-23 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischer schicht und transparenter leitfähiger schicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements Pending DE112020001697A5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019108216.1A DE102019108216A1 (de) 2019-03-29 2019-03-29 Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit dielektrischer Schicht und transparenter leitfähiger Schicht und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102019108216.1 2019-03-29
PCT/EP2020/057988 WO2020200881A1 (de) 2019-03-29 2020-03-23 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischer schicht und transparenter leitfähiger schicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112020001697A5 true DE112020001697A5 (de) 2021-12-23

Family

ID=69960638

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019108216.1A Withdrawn DE102019108216A1 (de) 2019-03-29 2019-03-29 Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit dielektrischer Schicht und transparenter leitfähiger Schicht und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112020001697.8T Pending DE112020001697A5 (de) 2019-03-29 2020-03-23 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischer schicht und transparenter leitfähiger schicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019108216.1A Withdrawn DE102019108216A1 (de) 2019-03-29 2019-03-29 Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit dielektrischer Schicht und transparenter leitfähiger Schicht und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220190222A1 (de)
DE (2) DE102019108216A1 (de)
WO (1) WO2020200881A1 (de)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9508902B2 (en) * 2005-02-21 2016-11-29 Epistar Corporation Optoelectronic semiconductor device
TWI344709B (en) * 2007-06-14 2011-07-01 Epistar Corp Light emitting device
JP2010171376A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US8987772B2 (en) * 2010-11-18 2015-03-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad
US8686429B2 (en) * 2011-06-24 2014-04-01 Cree, Inc. LED structure with enhanced mirror reflectivity
WO2013077619A1 (ko) * 2011-11-21 2013-05-30 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP5776535B2 (ja) * 2011-12-16 2015-09-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
DE102012217533A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
TWI635772B (zh) * 2013-10-15 2018-09-11 晶元光電股份有限公司 發光元件
US9608168B2 (en) * 2014-06-13 2017-03-28 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
JP2016149462A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 豊田合成株式会社 発光素子およびその製造方法
KR102554231B1 (ko) * 2016-06-16 2023-07-12 서울바이오시스 주식회사 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
US20220190222A1 (en) 2022-06-16
WO2020200881A1 (de) 2020-10-08
DE102019108216A1 (de) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102360681B9 (en) Heterocyclic compound organic light emitting device comprising the same composition for organic layer of organic light emitting device and method for manufacturing organic light emitting device
DE112019000537A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE102015118633B8 (de) Ein Leistungshalbleitermodul mit einem Direct Copper Bonded Substrat und einem integrierten passiven Bauelement und ein integriertes Leistungsmodul sowie ein Verfahren zur Herstellung des Leistungshalbleitermoduls
DE112019005387A5 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE112017005374A5 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102010041547A8 (de) Halbleitervorrichtung mit einem SOI-Substrat und Verfahren zur Herstellung derselben
DE112019001502A5 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
EP3284771A4 (de) Hitzebeständige harzzusammensetzung, verfahren zur herstellung eines hitzebeständigen harzfilms, verfahren zur herstellung eines zwischenschichtisolationsfilms oder eines oberflächenschutzfilms sowie verfahren zur herstellung einer elektronischen komponente oder eines halbleiterbauelements
DE112014005331A5 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
FR3002239B1 (fr) Procede de fabrication d'une piece d'aeronef comportant un substrat et une couche de revetement du substrat
EP3428977A4 (de) Lichtemittierendes halbleiterelement und verfahren zur herstellung davon
DE112020004606A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112018002299A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE112019005944A5 (de) Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterlaserbauelements
DE112019004879A8 (de) Optoelektronischer halbleiterchip mit kontaktelementen und dessen herstellungsverfahren
DE502004009020D1 (de) Integrierte schaltung mit einem organischen halbleiter und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltung
DE112018005496A5 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von strahlungsemittierenden halbleiterbauelementen
EP3269689A4 (de) Mit transparenter leitfähiger folie versehenes substrat und verfahren zur herstellung davon
DE112019004212A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
EP3544045A4 (de) Verfahren zur herstellung eines zusammengesetzten halbleitersubstrats und zusammengesetztes halbleitersubstrat
DE112019004099A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE112020001697A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischer schicht und transparenter leitfähiger schicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112018003926A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE112019003634T8 (de) Optoelektronisches bauelement und das verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE112019003892A5 (de) Halbleiterbauelement mit einer stresskompensationsschicht und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication