DE112017005374A5 - Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil - Google Patents
Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil Download PDFInfo
- Publication number
- DE112017005374A5 DE112017005374A5 DE112017005374.9T DE112017005374T DE112017005374A5 DE 112017005374 A5 DE112017005374 A5 DE 112017005374A5 DE 112017005374 T DE112017005374 T DE 112017005374T DE 112017005374 A5 DE112017005374 A5 DE 112017005374A5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- optoelectronic semiconductor
- producing
- semiconductor component
- components
- semiconductor components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016220915.9 | 2016-10-25 | ||
DE102016220915.9A DE102016220915A1 (de) | 2016-10-25 | 2016-10-25 | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
PCT/EP2017/077326 WO2018077957A1 (de) | 2016-10-25 | 2017-10-25 | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112017005374A5 true DE112017005374A5 (de) | 2019-07-11 |
Family
ID=60201552
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102016220915.9A Withdrawn DE102016220915A1 (de) | 2016-10-25 | 2016-10-25 | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE112017005374.9T Pending DE112017005374A5 (de) | 2016-10-25 | 2017-10-25 | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102016220915.9A Withdrawn DE102016220915A1 (de) | 2016-10-25 | 2016-10-25 | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11018283B2 (de) |
JP (1) | JP7003124B2 (de) |
KR (4) | KR20190047048A (de) |
DE (2) | DE102016220915A1 (de) |
WO (1) | WO2018077957A1 (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017119872A1 (de) * | 2017-08-30 | 2019-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102018101086A1 (de) | 2018-01-18 | 2019-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Epitaktisches konversionselement, verfahren zur herstellung eines epitaktischen konversionselements, strahlungsemittierende rgb-einheit und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden rgb-einheit |
DE102018101089A1 (de) * | 2018-01-18 | 2019-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Epitaktisches konversionselement, verfahren zur herstellung eines epitaktischen konversionselements, strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips |
KR102551354B1 (ko) * | 2018-04-20 | 2023-07-04 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
DE102019101417A1 (de) * | 2019-01-21 | 2020-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils und strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil |
WO2023099709A1 (en) * | 2021-12-03 | 2023-06-08 | Ams-Osram International Gmbh | Epitaxially grown converter layer, optoelectronic arrangement and method for producing the same |
IL295430A (en) * | 2022-08-07 | 2024-03-01 | Ka Dynamic Color Ltd | Adaptive look |
DE102022122980A1 (de) | 2022-09-09 | 2024-03-14 | Ams-Osram International Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
DE102022122981A1 (de) | 2022-09-09 | 2024-03-14 | Ams-Osram International Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6366018B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-04-02 | Sarnoff Corporation | Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes |
JP2002217454A (ja) | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ledアレー及びこれを用いたled表示装置 |
EP1672962B1 (de) * | 2003-09-19 | 2012-06-20 | Sony Corporation | Organisches lichtemittierendes bauelement, herstellungsverfahren dafür und anzeigevorrichtung damit |
EP2122695A4 (de) * | 2007-03-08 | 2013-09-11 | 3M Innovative Properties Co | Anordnung von leuchtelementen |
JP2008262993A (ja) | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Nikon Corp | 表示装置 |
JP5207812B2 (ja) | 2008-04-25 | 2013-06-12 | 京セラ株式会社 | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 |
US8350462B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-01-08 | 3M Innovative Properties Company | Light generating device having double-sided wavelength converter |
EP2380217A2 (de) | 2008-12-24 | 2011-10-26 | 3M Innovative Properties Company | Verfahren zum herstellen eines doppelseitigen wellenlängenumsetzers und lichterzeugungseinrichtung damit |
KR101034211B1 (ko) | 2009-04-16 | 2011-05-12 | (재)나노소자특화팹센터 | 수직형 발광소자 |
TW201044568A (en) | 2009-04-20 | 2010-12-16 | 3M Innovative Properties Co | Non-radiatively pumped wavelength converter |
US8541803B2 (en) | 2009-05-05 | 2013-09-24 | 3M Innovative Properties Company | Cadmium-free re-emitting semiconductor construction |
KR20130138792A (ko) | 2010-09-29 | 2013-12-19 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 파장 변환된 발광 장치 |
US9117977B2 (en) * | 2010-12-27 | 2015-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, display apparatus, and illuminating apparatus |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
TWI467751B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-01-01 | Sony Corp | A solid-state imaging device, a driving method of a solid-state imaging device, and an electronic device |
DE102011056888A1 (de) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung |
DE102012106859B4 (de) | 2012-07-27 | 2019-01-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays |
DE102012109460B4 (de) * | 2012-10-04 | 2024-03-07 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display |
DE102013102667A1 (de) * | 2013-03-15 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung |
DE102013109031B4 (de) | 2013-08-21 | 2021-11-04 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102014101896A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil |
US9705980B2 (en) | 2014-03-05 | 2017-07-11 | Teachers Insurance And Annuity Association Of America | Visualization of performance parameters of distributed computer systems |
DE102014103620A1 (de) | 2014-03-17 | 2015-09-17 | Waldner Laboreinrichtungen Gmbh & Co. Kg | Medienversorgungsvorrichtung |
DE102014105999A1 (de) | 2014-04-29 | 2015-10-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102014112750A1 (de) | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
EP3328162B1 (de) * | 2015-07-23 | 2021-10-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung davon |
WO2018070666A1 (ko) * | 2016-10-11 | 2018-04-19 | 주식회사 루멘스 | Led 디스플레이 모듈 및 그 제조방법 |
-
2016
- 2016-10-25 DE DE102016220915.9A patent/DE102016220915A1/de not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-10-25 KR KR1020197010680A patent/KR20190047048A/ko active Application Filing
- 2017-10-25 KR KR1020227023970A patent/KR102638174B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-25 US US16/335,632 patent/US11018283B2/en active Active
- 2017-10-25 DE DE112017005374.9T patent/DE112017005374A5/de active Pending
- 2017-10-25 WO PCT/EP2017/077326 patent/WO2018077957A1/de active Application Filing
- 2017-10-25 JP JP2019521459A patent/JP7003124B2/ja active Active
- 2017-10-25 KR KR1020247004986A patent/KR20240024361A/ko active Application Filing
- 2017-10-25 KR KR1020217003459A patent/KR102422146B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-03-19 US US17/206,336 patent/US11557700B2/en active Active
-
2022
- 2022-12-15 US US18/082,440 patent/US20230120107A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220104274A (ko) | 2022-07-26 |
US20190312184A1 (en) | 2019-10-10 |
KR20240024361A (ko) | 2024-02-23 |
DE102016220915A1 (de) | 2018-04-26 |
JP2019534564A (ja) | 2019-11-28 |
US20210210661A1 (en) | 2021-07-08 |
US20230120107A1 (en) | 2023-04-20 |
JP7003124B2 (ja) | 2022-01-20 |
US11018283B2 (en) | 2021-05-25 |
KR102638174B1 (ko) | 2024-02-16 |
KR20210014781A (ko) | 2021-02-09 |
KR102422146B1 (ko) | 2022-07-18 |
WO2018077957A1 (de) | 2018-05-03 |
US11557700B2 (en) | 2023-01-17 |
KR20190047048A (ko) | 2019-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112016000691A5 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements | |
DE112016002417A5 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements | |
DE112017005374A5 (de) | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil | |
DE112015003999A5 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips | |
DE112015004073A5 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
DE112016000901A5 (de) | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
DE112019000537A5 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen | |
DE112015000814A5 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
DE112016001544A5 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips | |
DE112015000888A5 (de) | Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
DE112015005495A5 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils | |
DE112017001393A5 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip | |
DE112017002058A5 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement | |
DE112015000824A5 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterchips und elektronischer Halbleiterchip | |
DE102013104840A8 (de) | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen | |
DE112014005331A5 (de) | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement | |
DE112018001984A5 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement | |
DE112017000332A5 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements | |
DE112015005446A5 (de) | Konversionselement, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen | |
DE112015001999A5 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements | |
DE112015005127A5 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils | |
DE112017002036A5 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips | |
DE112015001351A5 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen | |
DE112018002299A5 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips | |
DE112018005496A5 (de) | Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von strahlungsemittierenden halbleiterbauelementen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication |