DE112020000826T5 - Halbleiterbauteil und verfahren zum herstellen eines halbleiterbauteils - Google Patents

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Susumu Fukui
Takaki Takahashi
Kanako DEGUCHI
Kentaro NASU
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ASE Japan Co Ltd
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Rohm Co Ltd
ASE Japan Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil beinhaltet einen ersten Anschluss, ein Halbleiterelement, ein Abdichtungsharz, eine erste Plattierungsschicht und eine zweite Plattierungsschicht. Der erste Anschluss weist eine erste Vorderfläche und eine erste Rückfläche auf, die in einer Dickenrichtung in voneinander entgegengesetzte Richtungen weisen, und weist eine erste Ausnehmung auf, die gegenüber der ersten Rückfläche hin zu der ersten Vorderfläche ausgenommen ist. Das Halbleiterelement ist auf der ersten Vorderfläche montiert. Das Abdichtungsharz bedeckt das Halbleiterelement. Die erste Plattierungsschicht ist in Kontakt mit der ersten Vorderfläche und der ersten Rückfläche gebildet. Die erste Ausnehmung ist gegenüber dem Abdichtungsharz freigelegt. Die erste Plattierungsschicht beinhaltet einen ersten Abschnitt, der die erste Rückfläche bedeckt. Die zweite Plattierungsschicht ist in Kontakt mit der ersten Ausnehmung und dem ersten Abschnitt gebildet.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils.
  • STAND DER TECHNIK
  • In einer Vielzahl von Strukturen sind Halbleiterbauteile vorgeschlagen worden, die Halbleiterelemente (wie Transistoren) beinhalten. In einem Beispiel weist ein derartiges Halbleiterbauteil ein Halbleiterelement auf, das mit einem Abdichtungsharz bedeckt ist. Ein derartiges Halbleiterbauteil wird hergestellt, indem ein Halbleiterelement auf einem Anschlussrahmen („lead frame“) montiert wird, das Halbleiterelement (und ein Abschnitt des Anschlussrahmens) mit einem Abdichtungsharz bedeckt wird und der Anschlussrahmen und das Abdichtungsharz entlang vorbestimmter Trennlinien („cutting lines“) getrennt werden.
  • Ein Halbleiterbauteil, das wie oben beschrieben konfiguriert ist, wird beispielsweise über ein Bond-Material auf einer Leiterplatte („circuit board“) montiert. Vorzugsweise ist das Bond-Material angeordnet, um von außen sichtbar zu sein, sodass visuell bestätigt werden kann, ob das Halbleiterbauteil geeignet an die Leiterplatte gebondet ist. Zu diesem Zweck offenbart das Patentdokument 1 ein Halbleiterbauteil mit geneigten Flächen entlang der Ränder bzw. Kanten („edges“) der Rückfläche (der Fläche, die zu der Leiterplatte weist). Genauer gesagt, offenbart dieses Dokument das Folgende. Nachdem ein Halbleiterelement auf einem Anschlussrahmen montiert und ein Abdichtungsharz gebildet ist, wird ein Halbtrennschritt, bei dem der Anschlussrahmen ausgehend von der Rückfläche halb getrennt bzw. eingeschnitten wird, durchgeführt, um geneigte Trennflächen („cut faces“) zu bilden. Hiernach wird eine Plattierungsschicht auf dem Anschlussrahmen gebildet, um die Rückfläche und die geneigten Trennflächen zu beschichten, gefolgt von einem Volltrennschritt („full-cutting step“), bei dem der Anschlussrahmen durchgehend bzw. vollständig getrennt bzw. durchtrennt wird.
  • Der Herstellungsprozess eines Halbleiterbauteils, der in dem Patentdokument 1 offenbart ist, beinhaltet zusätzlich einen Draht-Bond-Schritt des Verbindens von Elektroden des Halbleiterelements und des Anschlussrahmens durch Drähte. Vor dem Draht-Bond-Schritt wird eine Ag-Plattierungsschicht auf dem Anschlussrahmen gebildet, um die Adhäsion zu Bond-Drähten zu verbessern. Die Ag-Plattierungsschicht wird nur auf den ausgewählten Regionen gebildet, an die Bond-Drähte zu bonden sind. Dies vermeidet ein Verringern der Adhäsion zwischen dem Anschlussrahmen und der Abdichtung bzw. dem Abdichtungsharz, und zwar durch das Vorhandensein einer Ag-Plattierungsschicht. Vor dem Halbtrennschritt wird eine Plattierungsschicht, wie eine Sn-Plattierungsschicht, auf der Rückfläche des Anschlussrahmens gebildet, um die Bildung von Graten („burrs“) während des Trennens zu reduzieren. Nach dem Halbtrennschritt wird eine weitere Sn-Plattierungsschicht gebildet, wie oben erwähnt, um die sich aus dem Halbtrennen ergebenden, frisch geschnittenen und folglich frei liegenden Oberflächen zu bedecken. Das heißt, das herkömmliche Herstellungsverfahren beinhaltet wenigstens drei Plattierungsschritte.
  • Dokument des Standes der Technik
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2005-38927
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Von der Erfindung zu lösendes Problem
  • Im Hinblick auf die oben beschriebenen Umstände zielt die vorliegende Offenbarung darauf ab, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das technisch so ausgeführt ist, dass es eine Vereinfachung der Herstellungsschritte ermöglicht.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Ein Halbleiterbauteil, das gemäß der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ist versehen mit: einem ersten Anschluss, der eine erste Vorderfläche und eine erste Rückfläche hat, die in einer Dickenrichtung in voneinander entgegengesetzte Richtungen weisen bzw. voneinander wegweisen, und eine erste Ausnehmung hat, die gegenüber der ersten Rückfläche hin zu der ersten Vorderfläche ausgenommen bzw. zurückversetzt ist; einem Halbleiterelement, das auf der ersten Vorderfläche montiert ist; einem Abdichtungsharz, das das Halbleiterelement bedeckt; einer ersten Plattierungsschicht, die in Kontakt mit der ersten Vorderfläche und der ersten Rückfläche gebildet ist; und einer zweiten Plattierungsschicht. Die erste Ausnehmung ist gegenüber dem Abdichtungsharz freigelegt. Die erste Plattierungsschicht beinhaltet einen ersten Abschnitt, der die erste Rückfläche bedeckt. Die zweite Plattierungsschicht ist in Kontakt mit der ersten Ausnehmung und dem ersten Abschnitt gebildet. Das Halbleiterbauteil mit dieser Konfiguration kann durch einen Prozess hergestellt werden, der zwei Plattierungsschritte beinhaltet, einen zum Bilden der ersten Plattierungsschicht und den anderen zum Bilden der zweiten Plattierungsschicht. Dies ermöglicht es, dass der Herstellungsprozess vereinfacht wird.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung ergeben sich deutlicher aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform.
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils, mit der Bodenseite nach oben platziert.
    • 3 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil, das in 1 gezeigt ist.
    • 4 ist eine Bodenansicht des Halbleiterbauteils, das in 1 gezeigt ist.
    • 5 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie V-V von 3.
    • 6 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie VI-VI von 3.
    • 7 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie VII-VII von 3.
    • 8 ist eine vergrößerte Teilansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 9 ist eine Draufsicht, die einen Herstellungsschritt des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 10 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsschritt des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 11 ist eine Draufsicht, die einen Herstellungsschritt des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 12 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsschritt des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 13 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsschritt des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 14 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsschritt des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 15 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsschritt des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 16 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsschritt des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 17 ist eine vergrößerte Teilansicht einer Variation des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 18 ist eine vergrößerte Teilansicht einer Variation des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 19 ist eine vergrößerte Teilansicht einer Variation des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 20 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform, mit der Bodenseite nach oben platziert.
    • 21 ist eine Bodenansicht des in 20 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 22 ist eine Draufsicht, die einen Herstellungsschritt des in 20 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 23 ist eine Bodenansicht, die einen Herstellungsschritt des in 20 gezeigten Halbleiterbauteils darstellt.
    • 24 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform.
    • 25 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer vierten Ausführungsform.
  • MODUS BZW. AUSFÜHRUNGSFORM ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden nachstehend genauer unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Unter Bezugnahme auf die 1 bis 7 wird ein Halbleiterbauteil A1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Das in den Figuren gezeigte Halbleiterbauteil A1 beinhaltet eine Vielzahl von Anschlüssen („leads“) 1 bis 3, ein Halbleiterelement 6, Bond-Drähte 71 und 72 und ein Abdichtungsharz 8.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die das Halbleiterbauteil A1 zeigt. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die das Halbleiterbauteil A1 zeigt, und zwar mit der Bodenseite nach oben platziert. 3 ist eine Draufsicht, die das Halbleiterbauteil A1 zeigt. Aus Gründen der Zweckmäßigkeit ist 3 durch ein Abdichtungsharz 8 hindurch gezeigt, und der Umriss des Abdichtungsharzes 8 wird durch imaginäre Linien (Strich-Doppelpunkt-Linien) dargestellt. 4 ist eine Bodenansicht, die das Halbleiterbauteil A1 zeigt. 5 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie V-V von 3. 6 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie VI-VI von 3. 7 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie VII-VII von 3. 8 ist eine vergrößerte Ansicht, die eine Region zeigt, die von einem Kreis B von 5 umschlossen ist.
  • Das Halbleiterbauteil A1 ist zur Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte einer Vielzahl von Bauteilen konstruiert. Das Halbleiterbauteil A1 ist bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung rechteckförmig. Aus Gründen der Zweckmäßigkeit wird die Dickenrichtung des Halbleiterbauteils A1 als eine z-Richtung definiert. Eine Richtung senkrecht zu der z-Richtung entlang eines Randes des Halbleiterbauteils A1 (die horizontale Richtung in 3) ist als eine x-Richtung definiert. Die Richtung senkrecht zu der z-Richtung und der x-Richtung (die vertikale Richtung in 3) ist als eine y-Richtung definiert. Das Halbleiterbauteil A1 ist nicht auf irgendeine bestimmte Größe beschränkt. In dem dargestellten Beispiel betragen die Abmessungen des Halbleiterbauteils A1 beispielsweise 1 bis 3 mm in der x-Richtung, 1 bis 3 mm in der y-Richtung und 0,3 bis 1 mm in der z-Richtung.
  • Wie es in den Figuren gezeigt ist, lagert der Anschluss 1 (erster Anschluss) das Halbleiterelement 6, und die Anschlüsse 2 und 3 (zweiter und dritter Anschluss) sind über Bond-Drähte (später beschrieben) elektrisch mit dem Halbleiterelement 6 verbunden. Die Anschlüsse 1 bis 3 sind beispielsweise durch Verarbeiten einer Metallplatte gebildet, beispielsweise durch Stanzen oder Ätzen. Die Anschlüsse 1 bis 3 sind aus einem Metall hergestellt, bei dem es sich vorzugsweise entweder um Cu oder Ni handelt, eine Legierung eines derartigen Metalls oder eine 42-Legierung („42Alloy“). In dem dargestellten Beispiel sind die Anschlüsse 1 bis 3 aus Cu hergestellt. Die Anschlüsse 1 bis 3 haben eine Dicke von beispielsweise 0,08 bis 0,3 mm. In dem in der Figur gezeigten Beispiel haben die Anschlüsse 1 bis 3 eine Dicke von etwa 0,2 mm.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, ist der erste Anschluss 1 entlang eines Randes des Halbleiterbauteils A1 in der y-Richtung angeordnet (oberer Rand in 3) und erstreckt sich in der x-Richtung über die gesamte Länge des Halbleiterbauteils A1. Der zweite Anschluss 2 und der dritte Anschluss 3 sind entlang des anderen Randes des Halbleiterbauteils A1 in der y- bzw. x-Richtung (unterer Rand in 3) benachbart zueinander angeordnet und in der x- bzw. y-Richtung von dem ersten Anschluss 1 beabstandet. Bei einer Betrachtung in der z-Richtung hat der erste Anschluss 1 die größte Größe (Fläche), und der dritte Anschluss 3 ist am kleinsten.
  • In dem dargestellten Beispiel beinhaltet der erste Anschluss 1 einen Montageabschnitt 110, eine Vielzahl von Terminal-Abschnitten 120 und eine Vielzahl von Verbindungsabschnitten 130.
  • Der Montageabschnitt 110 ist bei einer Betrachtung in der z-Richtung generell rechteckförmig. Der Montageabschnitt 110 weist eine Montageabschnitt-Vorderfläche 111, eine Montageabschnitt-Rückfläche 112 und Montageabschnitt-Ausnehmungen 113 auf. Die Montageabschnitt-Vorderfläche 111 und die Montageabschnitt-Rückfläche 112 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen bzw. voneinander weg. Die Montageabschnitt-Vorderfläche 111 weist in den 5 bis 7 nach oben. Die Montageabschnitt-Vorderfläche 111 ist eine Fläche zum Montieren des Halbleiterelements 6. Die Montageabschnitt-Rückfläche 112 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die Montageabschnitt-Rückfläche 112 ist gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt und dient als eine Rückflächenelektrode. Die Montageabschnitt-Ausnehmungen 113 sind Abschnitte des Montageabschnitts 110, die gegenüber der Montageabschnitt-Rückfläche 112 hin zu der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 ausgenommen bzw. zurückversetzt sind. Die Dicke des Montageabschnitts 110 (die Abmessung in der z-Richtung), die an den Montageabschnitt-Ausnehmungen 113 gemessen wird, beträgt etwa die Hälfte der Dicke, die an der Montageabschnitt-Rückfläche 112 gemessen wird. Die Montageabschnitt-Ausnehmungen 113 sind beispielsweise durch Halb-Ätzen („half-etching“) gebildet. Wie es in 7 gezeigt ist, sind die Montageabschnitt-Ausnehmungen 113 von dem Abdichtungsharz 8 bedeckt und sind gegenüber dem Abdichtungsharz 8 nicht freigelegt. Diese Konfiguration reduziert das Risiko eines Lösens des ersten Anschlusses 1 von dem Abdichtungsharz 8. Der Montageabschnitt 110 ist nicht auf die Form beschränkt, wie sie in den Figuren gezeigt ist. Der Montageabschnitt 110 kann ohne die Montageabschnitt-Ausnehmungen 113 ausgebildet sein.
  • Die Terminal-Abschnitte 120 sind bei einer Betrachtung in der z-Richtung rechteckförmig und mit dem Montageabschnitt 110 verbunden. Bei diesem Beispiel sind an jedem Ende des Montageabschnitts 110 in der x-Richtung zwei Terminal-Abschnitte 120 vorgesehen, was bedeutet, dass insgesamt vier Terminal-Abschnitte 120 vorgesehen sind. Jeder Terminal-Abschnitt 120 hat eine Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 121, eine Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122, eine Terminal-Abschnitt-Endfläche 123 und eine Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 124. Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 121 und die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen bzw. voneinander weg. Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 121 weist in den 5 bis 7 nach oben. Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 121 ist bündig ausgebildet mit der Montage-Abschnitt-Vorderfläche 111. Die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122 ist bündig ausgebildet mit der Montage-Abschnitt-Rückfläche 112. Die Terminal-Abschnitt-Endfläche 123 ist senkrecht ausgerichtet zu der Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 121 und der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122, ist mit der Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 121 verbunden und weist in der x-Richtung nach außen. In dem Herstellungsprozess sind die Terminal-Abschnitt-Endflächen 123 durch Vollschnitt-Vereinzeln („full-cut dicing“) in einem ersten Trennschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Jede Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 124 ist ausgehend von der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122 hin zu der Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 121 ausgenommen bzw. zurückversetzt. In der y-Richtung erstreckt sich die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 124 von einem Ende zu dem anderen Ende der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122, und zwar entlang eines Randes nach außen in der x-Richtung. Die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 124 ist mit der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122 und der Terminal-Abschnitt-Endfläche 123 verbunden. In dem Herstellungsprozess werden die Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124 durch Halbschnitt-Vereinzeln bzw. Halbtrenn-Vereinzeln („half-cut-dicing“) in einem Grabenbildungsschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die Terminal-Abschnitt-Endflächen 123, die Terminal-Abschnitt-Rückflächen 122 und die Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124 sind gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt und dienen insgesamt als Terminals (siehe 4 und 5). Die Form, der Ort und die Anzahl der vorzusehenden Terminal-Abschnitte 120 sind nicht besonders eingeschränkt.
  • Die Verbindungsabschnitte 130 sind bei einer Betrachtung in der z-Richtung rechteckförmig und mit dem Montageabschnitt 110 verbunden. Bei diesem Beispiel sind an einem Ende des Montageabschnitts 110 in der y-Richtung (das obere Ende in 3) drei Verbindungsabschnitte 130 vorgesehen, die in der x-Richtung benachbart zueinander sind. Die Verbindungsabschnitte 130 haben eine Dicke (Abmessung in der z-Richtung), die im Wesentlichen die gleiche ist, wie die Dicke des Montageabschnitts 110 gemessen an den Montage-Abschnitt-Ausnehmungen 113. Die Verbindungsabschnitte 130 sind beispielsweise durch Halb-Ätzen gebildet. Jeder Verbindungsabschnitt 130 weist eine Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 131, eine Verbindungsabschnitt-Rückfläche 132 und eine Verbindungsabschnitt-Endfläche 133 auf. Die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 131 und die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 132 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen bzw. voneinander weg. Die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 131 weist in den 5 bis 7 nach oben. Die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 131 ist bündig ausgebildet mit der Montageabschnitt-Vorderfläche 111. Das heißt, die Montageabschnitt-Vorderfläche 111, die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 121 und die Verbindungsabschnitt-Vorderflächen 131 sind Regionen einer kontinuierlichen Fläche (siehe 3). Die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 132 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 132 ist bündig ausgebildet mit den Montageabschnitt-Ausnehmungen 113. Die Verbindungsabschnitt-Endfläche 133 verbindet die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 131 und die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 132 und weist in der y-Richtung nach außen. In dem Herstellungsprozess werden die Verbindungsabschnitt-Endflächen 133 durch Vollschnitt- bzw. Volltrenn-Vereinzeln („full-cut dicing“) in dem zweiten Trennschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die Verbindungsabschnitt-Endflächen 133 sind gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt. Die Form, der Ort und die Anzahl der vorzusehenden Verbindungsabschnitte 130 sind nicht besonders eingeschränkt.
  • Wie es in den 5, 7 und 8 gezeigt ist, ist der überwiegende Teil der Oberfläche des ersten Anschlusses 1 mit der ersten Plattierungsschicht 41 bedeckt. Genauer gesagt, sind die Montageabschnitt-Vorderflächen 111, die Terminal-Abschnitt-Vorderflächen 121 und die Verbindungsabschnitt-Vorderflächen 131 der ersten Plattierungsschicht 41 bzw. des ersten Anschlusses 1 mit der ersten Plattierungsschicht 41 bedeckt. Ferner sind auch die Montageabschnitt-Rückflächen 112, die Montageabschnitt-Ausnehmungen 113, die Terminal-Abschnitt-Rückflächen 122 und die Verbindungsabschnitt-Rückflächen 132 des ersten Anschlusses 1 mit der ersten Plattierungsschicht 41 bedeckt. Wie es in 8 gezeigt ist, ist jede erste Plattierungsschicht 41 ein Stapel bzw. eine Schichtung aus einer Ni-Plattierungsschicht (innere Schicht) 411, einer Pd-Plattierungsschicht (Zwischenschicht) 412 und einer Au-Plattierungsschicht (äußere Schicht) 413.
  • Die Ni-Plattierungsschicht 411 ist in Kontakt mit dem ersten Anschluss 1 gebildet. Die Ni-Plattierungsschicht 411 ist aus Ni oder einer Ni-Legierung hergestellt. Die Ni-Plattierungsschicht 411 kann eine grobe („coarse“) Ni-Schicht auf ihrer Oberfläche (die Oberfläche gegenüberliegend dem ersten Anschluss 1) haben. Die Ni-Plattierungsschicht 411 kann eine Dicke von beispielsweise 0,5 bis 2,0 µm haben. Die Pd-Plattierungsschicht 412 ist in Kontakt mit der Ni-Plattierungsschicht 411 gebildet und überlappt mit der Ni-Plattierungsschicht 411. Die Pd-Plattierungsschicht 412 kann eine Dicke von beispielsweise 0,01 bis 0,15 µm haben. Die Au-Plattierungsschicht 413 ist in Kontakt mit der Pd-Plattierungsschicht 412 gebildet und überlappt mit der Pd-Plattierungsschicht 412. Die Au-Plattierungsschicht 413 kann eine Dicke von beispielsweise 0,003 bis 0,015 µm haben. Es ist jedoch anzumerken, dass die erste Plattierungsschicht 41 nicht auf die oben beschriebene genaue Konfiguration eingeschränkt ist.
  • Wie es später beschrieben wird, und zwar in Verbindung mit dem Herstellungsprozess, ist die erste Plattierungsschicht 41 auf einem Anschlussrahmen gebildet, um die gesamte Oberfläche des Anschlussrahmens zu beschichten. Die Terminal-Abschnitt-Endflächen 123 und die Verbindungsabschnitt-Endflächen 133 sind jedoch Trennflächen, die in dem ersten oder dem zweiten Trennschritt gebildet werden, und sind folglich nicht mit der ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet.
  • Wie es in den 5 und 7 gezeigt ist, hat die erste Plattierungsschicht 41 einen Abschnitt (erster Abschnitt), der auf der Montageabschnitt-Rückfläche 112 und den Terminal-Abschnitt-Rückflächen 122 gebildet ist. Der erste Abschnitt der ersten Plattierungsschicht 41 und die Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124 sind mit einer zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet. Die zweite Plattierungsschicht 42 ist aus einem Material hergestellt, das eine höhere Lötmittel-Benetzbarkeit hat als Cu, bei dem es sich um das Basismaterial des ersten Anschlusses 1 handelt. Die zweite Plattierungsschicht 42 ist aus einer Sn-basierten Legierung hergestellt. Genauer gesagt, ist die Legierung ein bleifreies Lötmittel, wie eine Sn-Sb-Legierung oder eine Sn-Ag-Legierung. Es ist jedoch anzumerken, dass die zweite Plattierungsschicht 42 nicht auf die oben beschriebene genaue Komposition bzw. Zusammensetzung beschränkt ist.
  • Die Terminal-Abschnitt-Endflächen 123 sind nicht mit der ersten Plattierungsschicht 41 und der zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet. Die Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124 sind mit der zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet. Demzufolge wird dann, wenn das Halbleiterbauteil A1 auf einer Leiterplatte montiert wird, die zweite Plattierungsschicht 42 Lötmittel-Kehlen bzw. -Bänder („solder fillets“) entlang der Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124 bilden. Dies dient dazu, die Bond-Festigkeit des Halbleiterbauteils A1 an der Leiterplatte zu erhöhen. Zusätzlich hierzu kann der Bond-Zustand des ersten Anschlusses 1 an der Leiterplatte durch eine visuelle Inspektion leicht bestimmt werden.
  • Der zweite Anschluss 2 ist an einer Ecke (untere rechte Ecke in 3) des Halbleiterbauteils A1 angeordnet, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung, und beinhaltet einen Draht-Bond-Abschnitt 210, einen Terminal-Abschnitt 220 und Verbindungsabschnitte 230.
  • Bei einer Betrachtung in der z-Richtung hat der Draht-Bond-Abschnitt 210 eine rechteckige Form, die in der x-Richtung länglich ist. Der Draht-Bond-Abschnitt 210 ist in dem zweiten Anschluss 2 näher an dem ersten Anschluss 1 angeordnet. Der Draht-Bond-Abschnitt 210 weist eine Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211, eine Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212 und eine Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213 auf. Die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211 und die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen bzw. voneinander weg. Die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211 weist in den 5 bis 7 nach oben. Die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211 ist dort vorhanden, wo die Bond-Drähte 71 zu bonden sind. Die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212 ist gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt und dient als eine Rückflächenelektrode. Die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213 ist ein Abschnitt des Draht-Bond-Abschnitts 210, der gegenüber der Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212 hin zu der Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211 ausgenommen bzw. zurückversetzt ist. Die Dicke des Draht-Bond-Abschnitts 210 (die Abmessung in der z-Richtung) ist gemessen an der Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213 etwa halb so groß wie die Dicke gemessen an der Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212. Die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213 ist beispielsweise durch Halb-Ätzen gebildet. Wie es in den 6 und 7 gezeigt ist, ist die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213 mit dem Abdichtungsharz 8 bedeckt und liegt nicht gegenüber dem Abdichtungsharz 8 frei. Dies reduziert das Risiko eines Lösens („detachment“) des zweiten Anschlusses 2 von dem Abdichtungsharz 8. Der Draht-Bond-Abschnitt 210 ist nicht auf eine genaue Form eingeschränkt. In einem Beispiel kann die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213 weggelassen werden.
  • Der Terminal-Abschnitt 220 ist bei einer Betrachtung in der z-Richtung rechteckförmig und mit den Draht-Bond-Abschnitt 210 verbunden. Der Terminal-Abschnitt 220 ist an einem Ende des Draht-Bond-Abschnitts 210 gegenüberliegend dem dritten Anschluss 3 in der x-Richtung angeordnet (an dem rechten Ende in 3). Der Terminal-Abschnitt 220 weist einen Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221, eine Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222, eine Terminal-Abschnitt-Endfläche 223 und eine Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 auf. Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221 und die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 weisen in der z-Richtung in entgegensetzte Richtungen bzw. voneinander weg. Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221 weist in den 5 bis 7 nach oben. Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221 ist bündig ausgebildet mit der Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211. Die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 ist bündig ausgebildet mit der Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212. Die Terminal-Abschnitt-Endfläche 223 ist senkrecht angeordnet zu der Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221 und zu der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222, ist mit der Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221 verbunden und weist in der x-Richtung nach außen. Bei dem Herstellungsprozess wird die Terminal-Abschnitt-Endfläche 223 durch Vollschnitt-Vereinzeln in dem ersten Trennschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 ist gegenüber der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 hin zu der Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221 ausgenommen bzw. zurückversetzt. In der y-Richtung erstreckt sich die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 von einem Ende zu dem anderen Ende der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 entlang eines Randes nach außen in der x-Richtung. Die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 ist mit der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 und der Terminal-Abschnitt-Endfläche 223 verbunden. In dem Herstellungsprozess wird die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 durch Halbschnitt-Vereinzeln in dem Grabenbildungsschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die Terminal-Abschnitt-Endfläche 223, die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 und die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 sind gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt und dienen insgesamt als ein Terminal (siehe 4 und 6). Die Form, der Ort und die Anzahl der vorzusehenden Terminal-Abschnitte 220 sind nicht besonders beschränkt.
  • Die Verbindungsabschnitte 230 sind bei einer Betrachtung in der z-Richtung rechteckförmig und mit dem Draht-Bond-Abschnitt 210 verbunden. Bei diesem Beispiel sind zwei Verbindungsabschnitte 230 benachbart zueinander in der x-Richtung an einem Ende des Draht-Bond-Abschnitts 210 in der y-Richtung vorgesehen (dem unteren Ende in 3). Die Verbindungsabschnitte 230 haben eine Dicke (Abmessung in der z-Richtung), die im Wesentlichen gleich der Dicke des Draht-Bond-Abschnitts 210 gemessen an der Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213 ist. Die Verbindungsabschnitte 230 sind beispielsweise durch Halb-Ätzen gebildet. Jeder Verbindungsabschnitt 230 hat eine Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 231, eine Verbindungsabschnitt-Rückfläche 232 und eine Verbindungsabschnitt-Endfläche 233. Die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 231 und die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 232 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen. Die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 231 weist in den 5 bis 7 nach oben. Die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 231 ist bündig ausgebildet mit der Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211. Das heißt, die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211, die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221 und die Verbindungsabschnitt-Vorderflächen 231 sind Regionen einer kontinuierlichen Oberfläche (siehe 3). Die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 232 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 232 ist bündig ausgebildet mit der Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213. Die Verbindungsabschnitt-Endfläche 233 verbindet die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 231 und die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 232 und weist in der y-Richtung nach außen. Bei dem Herstellungsprozess werden die Verbindungsabschnitt-Endflächen 233 durch Vollschnitt-Vereinzeln in dem zweiten Trennschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die Verbindungsabschnitt-Endflächen 233 sind gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt. Die Form, der Ort und die Anzahl der vorzusehenden Verbindungsabschnitte 230 sind nicht besonders eingeschränkt.
  • Wie es in den 6 und 7 gezeigt ist, ist eine erste Plattierungsschicht 41 auf dem zweiten Anschluss 2 gebildet, um die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211, die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221, die Verbindungsabschnitt-Vorderflächen 231, die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212, die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213, die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 und die Verbindungsabschnitt-Rückflächen 232 zu beschichten. Diese erste Plattierungsschicht 41 ist die gleiche, wie die erste Plattierungsschicht 41, die auf dem ersten Anschluss 1 gebildet ist. Wie es nachstehend beschrieben wird, wird bei dem Herstellungsprozess die erste Plattierungsschicht 41 auf einem Anschlussrahmen gebildet, um die gesamte Oberfläche des Anschlussrahmens zu beschichten. Die Terminal-Abschnitt-Endfläche 223 und die Verbindungsabschnitt-Endflächen 233 sind jedoch Trennoberflächen, die in dem ersten oder dem zweiten Trennschritt gebildet sind, und sind folglich nicht mit der ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet.
  • Wie es in den 6 und 7 gezeigt ist, hat die erste Plattierungsschicht 41 Abschnitte (zweite Abschnitte), die auf der Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212 und der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 gebildet sind. Die zweiten Abschnitte der ersten Plattierungsschicht 41 und die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 sind mit einer zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet. Diese zweite Plattierungsschicht 42 ist die gleiche, wie die zweite Plattierungsschicht 42, die auf dem ersten Anschluss 1 gebildet ist.
  • Die Terminal-Abschnitt-Endfläche 223 ist nicht mit der ersten Plattierungsschicht 41 und der zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet. Die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 ist jedoch mit der zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet. Wenn das Halbleiterbauteil A1 an einer Leiterplatte montiert wird, wird die zweite Plattierungsschicht 42 folglich eine Lötmittelkehle („solder fillet“) entlang der Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 bilden. Die Lötmittelkehle dient dazu, die Bond-Festigkeit des Halbleiterbauteils A1 an der Leiterplatte zu erhöhen. Zusätzlich hierzu kann durch visuelles Inspizieren der Lötmittelkehle der Bond-Zustand des zweiten Anschlusses 2 an der Leiterplatte leicht bestimmt werden.
  • Der dritte Anschluss 3 ist an einer Ecke (untere linke Ecke in 3) des Halbleiterbauteils A1 angeordnet, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung, und beinhaltet einen Draht-Bond-Abschnitt 310, einen Terminal-Abschnitt 320 und einen Verbindungsabschnitt 330.
  • Bei einer Betrachtung in der z-Richtung ist der Draht-Bond-Abschnitt 310 rechteckförmig und in dem dritten Anschluss 3 näher an dem ersten Anschluss 1 angeordnet. Der Draht-Bond-Abschnitt 310 hat eine Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311, eine Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312 und eine Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313. Die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311 und die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen. Die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311 weist in den 5 bis 7 nach oben. Die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311 ist dort, wo der Bond-Draht 72 zu bonden ist. Die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312 ist gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt und dient als eine Rückflächenelektrode. Die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313 ist ein Abschnitt des Draht-Bond-Abschnitts 310, der ausgehend von der Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312 hin zu der Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311 ausgenommen bzw. zurückversetzt ist. Die Dicke des Draht-Bond-Abschnitts 310 (die Abmessung in der z-Richtung), und zwar gemessen an der Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313, beträgt etwa die Hälfte der Dicke, wie sie an der Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312 gemessen wird. Die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313 ist beispielsweise durch Halb-Ätzen gebildet. Wie es in 6 gezeigt ist, ist die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313 mit dem Abdichtungsharz 8 bedeckt und gegenüber dem Abdichtungsharz 8 nicht freigelegt. Dies reduziert das Risiko eines Lösens des dritten Anschlusses 3 von dem Abdichtungsharz 8. Der Draht-Bond-Abschnitt 310 ist nicht auf eine bestimmte Form eingeschränkt. In einem Beispiel kann die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313 weggelassen werden.
  • Der Terminal-Abschnitt 320 ist bei einer Betrachtung in der z-Richtung rechteckförmig und mit dem Draht-Bond-Abschnitt 310 verbunden. Der Terminal-Abschnitt 320 ist an einem Ende des Draht-Bond-Abschnitts 310 angeordnet, das dem zweiten Anschluss 2 in der x-Richtung gegenüberliegt (an dem linken Ende in 3). Der Terminal-Abschnitt 320 weist eine Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321, eine Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322, eine Terminal-Abschnitt-Endfläche 323 und eine Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 auf. Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321 und die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen. Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321 weist in den 5 bis 7 nach oben. Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321 ist bündig ausgebildet mit der Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311. Die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 ist bündig ausgebildet mit der Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312. Die Terminal-Abschnitt-Endfläche 323 ist senkrecht ausgerichtet zu der Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321 und zu der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322, ist mit der Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321 verbunden und weist in der x-Richtung nach außen. Bei dem Herstellungsprozess ist die Terminal-Abschnitt-Endfläche 323 durch Vollschnitt-Vereinzeln in dem ersten Trennschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 ist ausgehend von der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 hin zu der Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321 ausgenommen bzw. zurückversetzt. In der y-Richtung erstreckt sich die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 von einem Ende zu dem anderen Ende der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322, und zwar entlang eines Randes nach außen in der x-Richtung. Die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 ist mit der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 und der Terminal-Abschnitt-Endfläche 323 verbunden. In dem Herstellungsprozess wird die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 durch Halbschnitt-Vereinzeln in dem Grabenbildungsschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die Terminal-Abschnitt-Endfläche 323, die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 und die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 sind gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt und dienen insgesamt als ein Terminal (siehe 4 und 6). Die Form, der Ort und die Anzahl der vorzusehenden Terminal-Abschnitte 320 sind nicht besonders eingeschränkt.
  • Der Verbindungsabschnitt 330 ist bei einer Betrachtung in der z-Richtung rechteckförmig und mit dem Draht-Bond-Abschnitt 310 verbunden. Der Verbindungsabschnitt 330 (der dritte Anschluss 3 hat nur einen Verbindungsabschnitt) ist in der y-Richtung an einem Ende des Draht-Bond-Abschnitts 310 angeordnet (dem unteren Ende in 3). Der Verbindungsabschnitt 330 hat eine Dicke (Abmessung in der z-Richtung), die im Wesentlichen gleich der Dicke des Draht-Bond-Abschnitts 310 gemessen an der Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313 ist. Der Verbindungsabschnitt 330 ist beispielsweise durch Halb-Ätzen gebildet. Der Verbindungsabschnitt 330 hat eine Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 331, eine Verbindungsabschnitt-Rückfläche 332 und eine Verbindungsabschnitt-Endfläche 333. Die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 331 und die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 332 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen. Die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 331 weist in den 5 bis 7 nach oben. Die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 331 ist bündig ausgebildet mit der Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311. Das heißt, die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311, die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321 und die Verbindungsabschnitt-Vorderflächen 331 sind Regionen einer kontinuierlichen Oberfläche (siehe 3). Die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 332 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 332 ist bündig ausgebildet mit der Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313. Die Verbindungsabschnitt-Endfläche 333 verbindet die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 331 und die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 332 und weist in der y-Richtung nach außen. In dem Herstellungsprozess wird die Verbindungsabschnitt-Endfläche 333 durch Vollschnitt-Vereinzeln in dem zweiten Trennschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die Verbindungsabschnitt-Endfläche 333 ist gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt. Die Form, der Ort und die Anzahl der vorzusehenden Verbindungsabschnitte 330 sind nicht besonders eingeschränkt.
  • Wie es in 6 gezeigt ist, ist eine erste Plattierungsschicht 41 auf dem dritten Anschluss 3 gebildet, um die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311, die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321, die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 331, die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312, die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313, die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 und die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 332 zu beschichten. Diese erste Plattierungsschicht 41 ist die gleiche wie die erste Plattierungsschicht 41, die auf dem ersten Anschluss 1 gebildet ist. Wie es nachstehend beschrieben wird, wird in dem Herstellungsprozess die erste Plattierungsschicht 41 auf einem Anschlussrahmen gebildet, um die gesamte Oberfläche des Anschlussrahmens zu beschichten. Die Terminal-Abschnitt-Endfläche 323 und die Verbindungsabschnitt-Endfläche 333 sind jedoch Trennoberflächen, die in dem ersten oder dem zweiten Trennschritt gebildet werden, und sind folglich nicht mit der ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet.
  • Wie es in 6 gezeigt ist, ist eine zweite Plattierungsschicht 42 auf der ersten Plattierungsschicht 41 vorgesehen und beschichtet die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312 und die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 sowie die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324. Diese zweite Plattierungsschicht 42 ist die gleiche wie die zweite Plattierungsschicht 42, die auf dem ersten Anschluss 1 gebildet wird.
  • Die Terminal-Abschnitt-Endfläche 323 ist nicht mit der ersten Plattierungsschicht 41 und der zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet. Die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 ist jedoch mit der zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet. Wenn das Halbleiterbauteil A1 an einer Leiterplatte montiert wird, wird demzufolge die zweite Plattierungsschicht 42 eine Lötmittelkehle entlang der Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 bilden. Die Lötmittelkehle dient dazu, die Bond-Festigkeit des Halbleiterbauteils A1 an der Leiterplatte zu erhöhen. Zusätzlich hierzu kann durch visuelle Inspektion der Bond-Zustand des dritten Anschlusses 3 an der Leiterplatte leicht bestimmt werden.
  • Das Halbleiterelement 6 führt elektrische Funktionen des Halbleiterbauteils A1 durch. Das Halbleitelement 6 ist nicht auf einen bestimmten Typ eingeschränkt. Beispielsweise kann das Halbleiterelement 6 ein Transistor sein, wie ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekt-Transistor (MOSFET). Das Halbleiterelement 6 beinhaltet einen Elementkörper 60, eine erste Elektrode 61, eine zweite Elektrode 62 und eine dritte Elektrode 63.
  • Die erste Elektrode 61 und die zweite Elektrode 62 sind auf jener Oberfläche des Elementkörpers 60 angeordnet, die von dem ersten Anschluss 1 weg weist. Die dritte Elektrode 63 ist auf jener Oberfläche des Elementkörpers 60 angeordnet, die hin zu dem ersten Anschluss 1 weist. In dem in den Figuren gezeigten Beispiel ist die erste Elektrode 61 eine Gate-Elektrode, die zweite Elektrode 62 ist eine Source-Elektrode, und die dritte Elektrode 63 ist eine Drain-Elektrode.
  • Das Halbleiterelement 6 wird an dem zentralen Abschnitt der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 des ersten Anschlusses 1 angeordnet, der mit der ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet ist, und wird mittels eines nicht dargestellten, elektrisch leitfähigen Bond-Materials gebondet. Durch dieses elektrisch leitfähige Bond-Material wird die dritte Elektrode 63 des Halbleiterelements 6 elektrisch mit dem ersten Anschluss 1 verbunden. Der Bond-Draht 71 bzw. 72 wird an die erste Elektrode 61 des Halbleiterelements 6 und an die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311 des dritten Anschlusses 3 gefügt, die mit der ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet ist. Durch diesen Bond-Draht ist die erste Elektrode 61 des Halbleiterelements 6 elektrisch mit dem dritten Anschluss 3 verbunden. Die Bond-Drähte 72 bzw. 71 sind an die zweite Elektrode 62 des Halbleiterelements 6 und an die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211 des zweiten Anschlusses 2 gefügt, die mit der ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet ist.
  • Durch diese Bond-Drähte ist die zweite Elektrode 62 des Halbleiterelements 6 elektrisch mit dem zweiten Anschluss 2 verbunden.
  • Die Konfigurationen des Halbleiterelements 6 und der Verbindungen zu den Anschlüssen 1 bis 3 sind lediglich beispielhaft beschrieben. Der Typ und die Anzahl des Halbleiterelements 6, das zu montieren ist, sind nicht besonders eingeschränkt, und die Montageanordnung und die Verbindungen sind ebenfalls nicht eingeschränkt.
  • Das Abdichtungsharz 8 bedeckt das Halbleiterelement 6, die Bond-Drähte 71 und 72 und Abschnitte der Anschlüsse 1 bis 3. Das Abdichtungsharz 8 ist beispielsweise aus einem schwarzen Epoxidharz hergestellt.
  • Das Abdichtungsharz 8 weist eine Harz-Vorderfläche 81, eine Harz-Rückfläche 82, ein Paar von ersten Harz-Seitenflächen 83, ein Paar von zweiten Harz-Seitenflächen 84 und Harzausnehmungen 85 auf. Die Harz-Vorderfläche 81 und die Harz-Rückfläche 82 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen. Die Harz-Vorderfläche 81 weist in den 5 bis 7 nach oben, und die Harz-Rückfläche 82 weist in den 5 bis 7 nach unten. Die ersten Harz-Seitenflächen 83 verbinden die Harz-Vorderfläche 81 und die Harz-Rückfläche 82 und weisen in der y-Richtung nach außen. In dem Herstellungsprozess werden die ersten Harz-Seitenflächen 83 durch Vollschnitt-Vereinzeln in dem zweiten Trennschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die zweiten Harz-Seitenflächen 84 sind senkrecht ausgerichtet zu der Harz-Vorderfläche 81 und der Harz-Rückfläche 82, sind mit der Harz-Vorderfläche 81 verbunden und weisen in der x-Richtung nach außen. In dem Herstellungsprozess werden die zweiten Harz-Seitenflächen 84 durch Vollschnitt-Vereinzeln in dem ersten Trennschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Die Harzausnehmungen 85 sind Abschnitte, die ausgehend von der Harz-Rückfläche 82 hin zu der Harz-Vorderfläche 81 ausgenommen bzw. zurückversetzt sind. In der y-Richtung erstrecken sich die Harz-Ausnehmungen 85 von einem Ende zu dem anderen Ende der Harz-Rückfläche 82, und zwar entlang der gegenüberliegenden Ränder in der x-Richtung. Die Harzausnehmungen 85 verbinden die Harz-Rückfläche 82 mit der zweiten Harz-Seitenfläche 84. In dem Herstellungsprozess werden die Harzausnehmungen 85 durch Halbschnitt-Vereinzeln in dem Grabenbildungsschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird.
  • Eine der ersten Harz-Seitenflächen 83 (die untere in 4) ist bündig ausgebildet mit den Verbindungsabschnitt-Endflächen 133 des ersten Anschlusses 1, wohingegen die andere erste Harz-Seitenfläche 83 (die obere in 4) bündig ausgebildet ist mit den Verbindungsabschnitt-Endflächen 233 des zweiten Anschlusses 2 und der Verbindungsabschnitt-Endfläche 333 des dritten Anschlusses 3. Eine der zweiten Harz-Seitenflächen 84 (die rechte in 4) ist bündig ausgebildet mit den Terminal-Abschnitt-Endflächen 123, die an dem entsprechenden Ende des ersten Anschlusses 1 in der x-Richtung angeordnet sind (das rechte Ende in 4), und auch mit der Terminal-Abschnitt-Endfläche 223 des zweiten Anschlusses 2. Die andere zweite Harz-Seitenfläche 84 (die linke in 4) ist bündig ausgerichtet mit den Terminal-Abschnitt-Endflächen 123, die an dem entsprechenden Ende des ersten Anschlusses 1 in der x-Richtung angeordnet sind (das linke Ende in 4), und auch mit der Terminal-Abschnitt-Endfläche 323 des dritten Anschlusses 3.
  • Als nächstes wird ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen eines Halbleiterbauteils A1 unter Bezugnahme auf die 9 bis 16 beschrieben.
  • Als erstes wird ein Anschlussrahmen 900 vorbereitet, wie es in 9 gezeigt ist (Vorbereitungsschritt). Der Anschlussrahmen 900 ist eine plattenartige Komponente, aus der die Anschlüsse 1 bis 3 gebildet werden. In dem dargestellten Beispiel ist das Basismaterial des Anschlussrahmens 900 aus Cu hergestellt. Der Anschlussrahmen 900 kann durch Ätzen einer Metallplatte gebildet sein. Der Anschlussrahmen 900 kann durch andere Verarbeitungsprozesse gebildet sein, beispielsweise durch Stanzen bzw. Prägen einer Metallplatte. Der Anschlussrahmen 900 hat eine Vorderfläche 901, eine Rückfläche 902, Ausnehmungen 903 und Durchgangslöcher 906.
  • Die Vorderfläche 901 und die Rückfläche 902 weisen in der z-Richtung in entgegengesetzte Richtungen. Die Vorderfläche 901, die in 10 nach oben weist, wird in Folgendes gebildet bzw. bildet Folgendes: die Montageabschnitt-Vorderfläche 111, die Terminal-Abschnitt-Vorderflächen 121 und die Verbindungsabschnitt-Vorderflächen 131 des ersten Anschlusses 1; die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211, die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221 und die Verbindungsabschnitt-Vorderflächen 231 des zweiten Anschlusses 2; und die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311, die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321 und die Verbindungsabschnitt-Vorderfläche 331 des dritten Anschlusses 3. Die Rückfläche 902, die in 10 nach unten weist, wird in Folgendes gebildet bzw. bildet Folgendes: die Montage-Abschnitt-Rückfläche 112 und die Terminal-Abschnitt-Rückflächen 122 des ersten Anschlusses 1; die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212 und die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 des zweiten Anschlusses 2; und die Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312 und die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 des dritten Anschlusses 3.
  • Die Ausnehmungen 903 sind Abschnitte, die ausgehend von der Rückfläche 902 hin zu der Vorderfläche 901 ausgenommen sind. Die Ausnehmungen 903 können beispielsweise durch Halb-Ätzen gebildet sein. Die Ausnehmungen 903 werden in Folgendes gebildet bzw. bilden Folgendes: Die Montage-Abschnitt-Ausnehmung 113 und die Verbindungsabschnitt-Rückflächen 132 des ersten Anschlusses 1; die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213 und die Verbindungsabschnitt-Rückflächen 232 des zweiten Anschlusses 2; und die Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313 und die Verbindungsabschnitt-Rückfläche 332 des dritten Anschlusses 3. In 9 sind die Grenzen zwischen der Rückfläche 902 und den Ausnehmungen 903 durch gestrichelte Linien dargestellt. Die Durchgangslöcher 906, die durch Ätzen gebildet werden können, erstrecken sich von der Vorderfläche 901 zu der Rückfläche 902 oder zu den Ausnehmungen 903. Genauer gesagt ist die Basisplatte des Anschlussrahmens 900 ausgehend von sowohl der Vorderfläche 901 als auch der Rückfläche 902 geätzt, um die Durchgangslöcher 906 zu bilden, und ausgehend von nur der Rückfläche 902 geätzt, um die Ausnehmungen 903 zu bilden.
  • 9 zeigt einige Regionen, die mit diagonalen Linien schraffiert sind. Von diesen relativ leicht schraffierten Regionen stellen jene, die sich in der y-Richtung erstrecken, erste Entfernungsregionen („removal regions“) S1 dar. Die ersten Entfernungsregionen S1 sind Regionen, die in dem ersten Trennschritt zu entfernen sind, der nachstehend beschrieben wird. Die ersten Entfernungsregionen S1 werden bestimmt, um aus dem Anschlussrahmen 900 jene in der y-Richtung länglichen Regionen zwischen den in der x-Richtung benachbarten Regionen auszuwählen, wo die ersten Anschlüsse 1 zu bilden sind. Von den relativ leicht schraffierten Regionen stellen jene, die sich in der x-Richtung erstrecken, zweite Entfernungsregionen S2 dar. Die zweiten Entfernungsregionen S2 sind Regionen, die in dem zweiten Trennschritt zu entfernen sind, was nachstehend beschrieben wird. Die zweiten Entfernungsregionen S2 werden bestimmt, um aus dem Anschlussrahmen 900 jene in der x-Richtung länglichen Regionen zwischen den benachbarten Regionen auszuwählen, wo die Halbleiterbauteile A1 zu bilden sind. 9 zeigt auch dunkler schraffierte Regionen, die die relativ leicht schraffierten Regionen flankieren, die sich in der y-Richtung erstrecken (die ersten Entfernungsregionen Sl). Die dunkler schattierten Regionen und die ersten Entfernungsregionen S1 stellen zusammen Grabenbildungsregionen S3 dar, wo an der Rückfläche 902 in dem Grabenbildungsschritt Gräben zu bilden sind, was nachstehend beschrieben wird. Die Grabenbildungsregionen S3 werden bestimmt, um aus dem Anschlussrahmen 900 jene in der y-Richtung länglichen Regionen zwischen den in der x-Richtung benachbarten Regionen auszuwählen, wo die ersten Anschlüsse 1 zu bilden sind. Jede Grabenbildungsregion S3 hat eine Breite (Abmessung in der x-Richtung), die größer ist als jene einer ersten Entfernungsregion S1, und enthält in der Mitte eine erste Entfernungsregion S1, und zwar in Breitenrichtung gesehen. Mit anderen Worten ist jede erste Entfernungsregion S1 schmaler als eine Grabenbildungsregion S3 und überlappt vollständig mit der Grabenbildungsregion S3.
  • Anschließend wird eine erste Plattierungsschicht 911 auf sämtlichen Oberflächen des Anschlussrahmens 900 gebildet, wie es in 10 gezeigt ist (erster Plattierungsschritt). Die erste Plattierungsschicht 911 wird gebildet durch elektrolytisches Plattieren unter Verwendung des Anschlussrahmens 900 als ein Leitungspfad. Die erste Plattierungsschicht 911 kann durch stromlose bzw. chemische Plattierung gebildet werden. In dem dargestellten Beispiel ist die erste Plattierungsschicht 911 gebildet durch nacheinander Abscheiden einer Ni-Plattierungsschicht 411, einer Pd-Plattierungsschicht 412 und einer Au-Plattierungsschicht 413. Die erste Plattierungsschicht 911 ist auf der Vorderfläche 901, der Rückfläche 902, den Ausnehmungen 903 und den inneren Oberflächen der Durchgangslöcher 906 gebildet. Die erste Plattierungsschicht 911 wird die erste Plattierungsschicht 41 bilden.
  • Anschließend werden Halbleiterelemente 6 auf dem Anschlussrahmen 900 montiert, wie es in 11 gezeigt ist (Montageschritt). Der Montageschritt beginnt mit dem Bonden der Halbleiterelemente 6 an die Vorderfläche 901 des Anschlussrahmens 900 unter Verwendung eines elektrisch leitfähigen Bond-Materials. Jedes Halbleiterelement 6 wird auf eine Region der Vorderfläche 901 platziert, wo die Montageabschnitt-Vorderflächen 111 des erstens Anschlusses 1 gebildet wird. Anschließend wird ein Bond-Draht 72 bzw. 71 gebondet, um die erste Elektrode 61 des Halbleiterelements 6 mit einer Region zu verbinden, wo die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311 des dritten Anschlusses 3 gebildet wird. Auch werden eine Vielzahl von Bond-Drähten 71 bzw. 72 gebondet, um die zweite Elektrode 62 des Halbleiterelements 6 mit einer Region zu verbinden, wo die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211 des zweiten Anschlusses 2 gebildet wird. Da die Vorderfläche 901 des Anschlussrahmens 900 mit der ersten Plattierungsschicht 911 beschichtet ist, ist eine gute Adhäsion der Bond-Drähte 71 und 72 gewährleistet.
  • Anschließend wird ein Harzmaterial ausgehärtet, wie es in 12 gezeigt ist, um ein Abdichtungsharz 920 zu bilden, das Abschnitte des Anschlussrahmens 900 zusammen mit den Halbleiterelementen 6, den Bond-Drähten 71 und 72 bedeckt (Harzbildungsschritt). Das Abdichtungsharz 920 ist beispielsweise aus einem schwarzen Epoxidharz hergestellt. In dem Harzbildungsschritt wird der Anschlussrahmen 900 in eine Metallform bzw. Metallgussform eingesetzt, wobei sich die Rückfläche 902 in Kontakt mit der Metallform befindet und wobei ein Harzmaterial in einem flüssigen Zustand in die Metallform eingespritzt wird. Das so gebildete Abdichtungsharz 920 bedeckt nicht die Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900. Zusätzlich hierzu ist eine Oberfläche des Abdichtungsharzes 920, die hin zu der gleichen Seite wie die Rückfläche 902 weist, bündig mit der Rückfläche 902 gebildet. Die Ausnehmungen 903 werden mit dem Abdichtungsharz 920 gefüllt, da das Harzmaterial in Hohlräume zwischen der Metallform und den Ausnehmungen 903 strömt bzw. fließt. Das Abdichtungsharz 920 wird in das Abdichtungsharz 8 gebildet.
  • Anschließend werden Gräben 904 gebildet, wie es in 13 gezeigt ist (Grabenbildungsschritt). Die Gräben 904 sind gegenüber der Rückfläche 902 hin zu der Vorderfläche 901 bis zu einer Tiefe auf halbem Wege bzw. Teiltiefe ausgenommen bzw. zurückversetzt und erstrecken sich in der y-Richtung. Die Gräben 904 sind in den Regionen gebildet, die den Grabenbildungsregionen S3 entsprechen, die in 9 gezeigt sind. Die Gräben 904 werden an sowohl dem Anschlussrahmen 900 als auch dem Abdichtungsharz 920 gebildet. Jeder Graben 904 hat eine Bodenfläche 904a und Seitenflächen 904b. Die Bodenfläche 904a weist hin zu der gleichen Seite wie die Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900. Die Seitenfläche 904b verbindet die Bodenfläche 904a mit der Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 und auch mit der Oberfläche des Abdichtungsharzes 920, die hin zu der gleichen Seite weist wie die Rückfläche 902.
  • Die Gräben 904 werden Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124 an jenen Regionen des Anschlussrahmens 900 bilden, wo die Terminal-Abschnitte 120 des ersten Anschlusses 1 zu bilden sind. Ähnlich hierzu werden die Gräben 904 Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 224 an jenen Regionen bilden, wo die Terminal-Abschnitte 220 der zweiten Anschlüsse 2 zu bilden sind. In gleicher Weise werden die Gräben 904 Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 324 an jenen Regionen bilden, wo die Terminal-Abschnitte 320 der dritten Anschlüsse 3 zu bilden sind. Abschnitte der Gräben 904, die in dem Abdichtungsharz 920 gebildet sind, werden Harzausnehmungen 85 bilden.
  • Der Grabenbildungsschritt wird durch Halbschnitt-Vereinzeln („half-cut dicing“) des Einschneidens bzw. Trennens der Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 mittels eines ersten Messers bzw. einer ersten Klinge 951 durchgeführt, wie es in 12 gezeigt ist. Das erste Messer 951 hat eine Dicke (Abmessung in der x-Richtung), die an die Abmessung in der x-Richtung der Grabenbildungsregionen S3 angepasst ist. In dem Schritt des Halbschnitt-Vereinzelns werden Abschnitte des Anschlussrahmens 900 von der Rückfläche 902 an Regionen entfernt, die den Grabenbildungsregionen S3 entsprechen, die in 9 gezeigt sind. Bei dem Halbschnitt-Vereinzeln wird der Anschlussrahmen 900 in der z-Richtung teilweise („partway“) getrennt bzw. eingeschnitten. Die Trenntiefe kann wenigstens eine Hälfte, in einem Beispiel etwa dreiviertel, der Dicke (Abmessung in der z-Richtung) des Anschlussrahmens 900 betragen. In dem in den Figuren gezeigten Beispiel ist die Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 mit der ersten Plattierungsschicht 911 beschichtet, sodass die Bildung von Graten („burrs“), die sich aus dem Trennen des Anschlussrahmens 900 ergeben, reduziert ist. In dem Grabenbildungsschritt können die Gräben 904 durch einen Prozess gebildet werden, der sich von dem Halbschnitt-Vereinzeln mittels eines Messers unterscheidet.
  • Hiernach wird eine zweite Plattierungsschicht 912 gebildet, wie es 14 gezeigt ist (zweiter Plattierungsschritt). Die zweite Plattierungsschicht 912 wird durch elektrolytisches Plattieren unter Verwendung des Anschlussrahmens 900 als ein Leitungspfad gebildet. Die zweite Plattierungsschicht 912 kann durch stromloses bzw. chemisches Plattieren gebildet werden. Die zweite Plattierungsschicht 912 wird an Regionen des Anschlussrahmens 900 gebildet, die nicht von dem Abdichtungsharz 920 bedeckt sind. Das heißt, die zweite Plattierungsschicht 912 wird an der ersten Plattierungsschicht 911, die die Rückfläche 902 bedeckt, und auch an den Bodenflächen 904a und den Seitenflächen 904b der Gräben 904 gebildet. Die zweite Plattierungsschicht 912 wird in die zweite Plattierungsschicht 42 gebildet.
  • Als nächstes wird ein Schutz-Tape 970 an jener Oberfläche des Abdichtungsharzes 920 aufgebracht, das hin zu der gleichen Seite weist wie die Vorderfläche 901 des Anschlussrahmens 900, wie es in 15 gezeigt ist. Das Schutz-Tape 970 hält individuelle Stücke zusammen, die in dem ersten und dem zweiten Trennschritt getrennt bzw. vereinzelt werden, was nachstehend beschrieben wird.
  • Anschließend werden, wie es in 16 gezeigt ist, der Anschlussrahmen 900 und das Abdichtungsharz 920 in der y-Richtung getrennt, ohne das Schutz-Tape 970 zu trennen (erster Trennschritt). Der erste Trennschritt wird ausgeführt durch Vollschnitt-Vereinzeln („full-cut dicing“) des Anschlussrahmens 900 ausgehend von der Rückfläche 902 mittels eines zweiten Messers bzw. einer zweiten Klinge 952, wie es in 15 gezeigt ist. Das zweite Messer 952 hat eine Dicke (Abmessung in der x-Richtung), die an die Abmessung in der x-Richtung der ersten Entfernungsregionen S1 angepasst ist. Das zweite Messer 952 ist folglich dünner als das erste Messer 951, das in dem Grabenbildungsschritt verwendet wird. In dem Vollschnitt-Vereinzelungsprozess wird der Anschlussrahmen 900 ausgehend von der Rückfläche 902 getrennt, bis das Schutz-Tape 970 erreicht ist, wodurch Regionen entsprechend den ersten Entfernungsregionen S1 der 9 entfernt werden. Als ein Ergebnis hiervon werden die Regionen des Anschlussrahmens 900 und des Abdichtungsharzes 920, die bei einer Betrachtung in der z-Richtung mit den ersten Entfernungsregionen S1 überlappen, in der z-Richtung vollständig entfernt. Dies stellt den Anschlussrahmen 900 mit frisch geschnittenen bzw. getrennten Oberflächen bereit, die in die x-Richtung weisen. Die frisch geschnittenen Oberflächen werden Terminal-Abschnitt-Endflächen 123 an jenen Regionen bilden, wo die Terminal-Abschnitte 120 der ersten Anschlüsse 1 zu bilden sind. In ähnlicher Weise werden die frisch geschnittenen Oberflächen die Terminal-Abschnitt-Endflächen 223 an den Regionen bilden, wo die Terminal-Abschnitte 220 der zweiten Anschlüsse 2 zu bilden sind. Die frisch geschnittenen Oberflächen werden die Terminal-Abschnitt-Endflächen 323 an den Regionen bilden, wo die Terminal-Abschnitte 320 der dritten Anschlüsse 3 zu bilden sind. Die geschnittenen bzw. getrennten Oberflächen des Abdichtungsharzes 920 werden die zweiten Harz-Seitenflächen 84 bilden. In dem in den Figuren gezeigten Beispiel sind die Gräben 904 des Anschlussrahmens 900 mit der zweiten Plattierungsschicht 912 beschichtet, was dazu wirksam ist, die Bildung von Graten zur Zeit des Trennens des Anschlussrahmens 900 zu reduzieren. Der erste Trennschritt kann einen anderen Prozess verwenden als das Vollschnitt-Vereinzeln mittels eines Messers. Beispielsweise kann der erste Trennschritt ein Plasma-Vereinzeln oder ein Laser-Vereinzeln einsetzen. In dem ersten Trennschritt werden der Anschlussrahmen 900 und das Abdichtungsharz 920 in Stücke unterteilt bzw. vereinzelt, die in der x-Richtung voneinander getrennt sind.
  • Anschließend werden der Anschlussrahmen 900 und das Abdichtungsharz 920 in der x-Richtung getrennt bzw. geschnitten, ohne das Schutz-Tape 970 zu durchtrennen (zweiter Trennschritt). In dem dargestellten Beispiel wird der zweite Trennschritt durch Vollschnitt-Vereinzeln ausgeführt, bei dem der Anschlussrahmen 900 ausgehend von der Rückfläche 902 mit dem zweiten Messer 952 getrennt bzw. durchschnitten wird. In dem Vollschnitt-Vereinzelungsprozess wird der Anschlussrahmen 900 ausgehend von der Rückfläche 902 getrennt, um Regionen zu entfernen, die den zweiten Entfernungsregionen S2 der 9 entsprechen. Als ein Ergebnis hiervon werden die Regionen des Anschlussrahmens 900 und des Abdichtungsharzes 920, die mit den zweiten Entfernungsregionen S2 bei einer Betrachtung in der z-Richtung überlappen, in der z-Richtung vollständig entfernt. Dies stellt den Anschlussrahmen 900 mit frisch geschnittenen Oberflächen bereit, die in die y-Richtung weisen. Die frisch geschnittenen Oberflächen werden die Verbindungsabschnitt-Endflächen 133 an den Regionen bilden, wo die Verbindungsabschnitte 130 der ersten Anschlüsse 1 zu bilden sind. Ähnlich hierzu werden die frisch geschnittenen Oberflächen die Verbindungsabschnitt-Endflächen 233 an den Regionen bilden, wo die Verbindungsabschnitte 230 der zweiten Anschlüsse 2 zu bilden sind. Die frisch geschnittenen Oberflächen werden die Verbindungsabschnitt-Endflächen 333 an den Regionen bilden, wo die Verbindungsabschnitte 330 der dritten Anschlüsse 3 zu bilden sind. Die geschnittenen Oberflächen des Abdichtungsharzes 920 werden die ersten Harz-Seitenflächen 83 bilden. Da die Ausnehmungen 903 des Anschlussrahmens 900 mit der ersten Plattierungsschicht 911 beschichtet sind, ist die Bildung von Graten, die sich aus dem Trennen bzw. Schneiden des Anschlussrahmens 900 ergeben, reduziert. Der zweite Trennschritt kann einen Prozess verwenden, der sich von dem Vollschnitt-Vereinzeln mittels eines Messers unterscheidet. Beispielsweise kann der zweite Trennschritt ein Plasma-Vereinzeln oder ein Laser-Vereinzeln einsetzen. In dem zweiten Trennschritt werden der Anschlussrahmen 900 und das Abdichtungsharz 920 in Stücke getrennt bzw. unterteilt, die in der y-Richtung voneinander getrennt sind. Als ein Ergebnis hiervon werden die individuellen Halbleiterelemente 6 in separate Chips getrennt bzw. vereinzelt, die jedoch durch das Schutz-Tape 970 zusammengehalten werden.
  • Anschließend wird das Schutz-Tape 970 entfernt. Als ein Ergebnis hiervon werden die individuellen Chips der Halbleiterelemente 6 voneinander getrennt. Durch die obigen Verarbeitungsschritte werden die Halbleiterbauteile A1 erhalten, wie sie in den 1 bis 7 gezeigt sind.
  • Nachstehend werden Vorteile des Halbleiterbauteils A1 beschrieben.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform ist die Plattierungsschicht 41 in Kontakt mit den Vorderflächen und den Rückflächen der Anschlüsse 1 bis 3 vorgesehen. Die erste Plattierungsschicht 41 ist in dem ersten Plattierungsschritt durch Bilden einer Schicht auf sämtlichen Oberflächen des Anschlussrahmens 900 gebildet. Zusätzlich hierzu ist die zweite Plattierungsschicht 42 in Kontakt mit den Regionen der ersten Plattierungsschicht 41 vorgesehen, die auf die Rückflächen der Anschlüsse 1 bis 3 verlegt bzw. belegt ist, und auch mit den Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124, 224 und 324. Die zweite Plattierungsschicht 42 ist in dem zweiten Plattierungsschritt durch Bilden einer Schicht auf den Regionen der ersten Plattierungsschicht 911, die auf die Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 vergelegt sind, und den Gräben 904 gebildet. Das heißt, der Herstellungsprozess für das Halbleiterbauteil A1 beinhaltet zwei Plattierungsschritte, nämlich den ersten Plattierungsschritt und den zweiten Plattierungsschritt. Als solcher wird der Herstellungsprozess verglichen mit dem Herstellen eines herkömmlichen Halbleiterbauteils vereinfacht, bei dem drei Plattierungsschritte erforderlich sind. Zusätzlich hierzu ist aufgrund dessen, dass der erste Plattierungsschritt zur Bildung der ersten Plattierungsschicht 911 auf sämtlichen Flächen des Anschlussrahmens 900 durchgeführt wird, ein Maskieren nicht notwendig. Dies ermöglicht es, die Herstellungskosten zu reduzieren, und zwar verglichen mit dem Fall, bei dem eine Ag-Plattierungsschicht auf begrenzten Regionen gebildet werden muss, und zwar dort, wo Bond-Drähte zu bonden sind.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform wird die erste Plattierungsschicht 911 in dem ersten Plattierungsschritt auf der Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 gebildet. Dies gewährleistet, dass in dem Grabenbildungsschritt die Ausbildung von Graten, die sich aus dem Schneidvorgang des Anschlussrahmens 900 ergeben, reduziert wird. In dem zweiten Plattierungsschritt wird zusätzlich die zweite Plattierungsschicht 912 auf den Bodenflächen 904a der Gräben 904 gebildet. Dies gewährleistet, dass in dem ersten Trennschritt die Bildung von Graten, die sich aus dem Trennen des Anschlussrahmens 900 ergeben, reduziert ist. In dem ersten Plattierungsschritt wird zusätzlich hierzu die erste Plattierungsschicht 911 auch auf den Ausnehmungen 903 des Anschlussrahmens 900 gebildet. Dies gewährleistet, dass in dem zweiten Trennschritt die Ausbildung von Graten, die sich aus dem Trennen des Anschlussrahmens 900 ergeben, reduziert wird.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform wird die erste Plattierungsschicht 911 auf der Vorderfläche 901 des Anschlussrahmens 900 in dem ersten Plattierungsschritt gebildet. Dies stellt die erste Plattierungsschicht 41 auf den Draht-Bond-Abschnitt-Vorderflächen 211 und 311 zur Verfügung, um die Adhäsion mit den Bond-Drähten 71 und 72 zu verbessern.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform wird die zweite Plattierungsschicht 42 auf den Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124, 224 und 324 gebildet. Wenn das Halbleiterbauteil A1 an einer Leiterplatte montiert wird, wird die zweite Plattierungsschicht 42 folglich Lötmittelkehlen entlang der Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124, 224 und 324 bilden. Dies dient dazu, die Bond-Festigkeit des Halbleiterbauteils A1 an der Leiterplatte zu erhöhen. Zusätzlich hierzu kann der Bond-Zustand der Anschlüsse 1 bis 3 an der Leiterplatte durch visuelle Inspektion leicht bestimmt werden.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform ist jede erste Plattierungsschicht 41 ein Stapel bzw. eine Schichtung aus einer Ni-Plattierungsschicht 411, einer Pd-Plattierungsschicht 412 und einer Au-Plattierungsschicht 413. Die erste Plattierungsschicht 41 ist nicht auf eine derartige Schichtung beschränkt. In einem anderen Beispiel, das in 17 gezeigt ist, ist die erste Plattierungsschicht 41 ein Stapel bzw. eine Schichtung aus einer Ni-Plattierungsschicht 411 und einer Au-Plattierungsschicht 413, ohne eine Pd-Plattierungsschicht 412. In noch einem weiteren Beispiel, das in 18 gezeigt ist, ist die erste Plattierungsschicht 41 ein Stapel aus einer Ni-Plattierungsschicht 411 und einer Pd-Plattierungsschicht 412, ohne eine Au-Plattierungsschicht 413. In noch einem weiteren Beispiel, das in 19 gezeigt ist, ist die erste Plattierungsschicht 41 aus einer einzelnen Plattierungsschicht anstelle eines Stapels einer Vielzahl von Plattierungsschichten gebildet. Die erste Plattierungsschicht 41 eines derartigen Beispiels kann aus einer Sn-basierten Legierung hergestellt sein. Die erste Plattierungsschicht 41 ist in verschiedenen Konfigurationen möglich, solange die Bildung von Graten reduziert ist, und zwar verglichen mit dem Fall, bei dem der Anschlussrahmen getrennt bzw. geschnitten wird, ohne dass die erste Plattierungsschicht 41 bereitgestellt ist. Vorzugsweise sind die ersten Plattierungsschichten 41 dazu in der Lage, einen engen Kontakt mit den Anschlüssen 1 bis 3 (Anschlussrahmen 900) herzustellen und eine gute Adhäsion zu den Bond-Drähten 71 und 72 bereitzustellen.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform ist die zweite Plattierungsschicht 42 aus einer Sn-basierten Legierung hergestellt. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf eine derartige Legierung beschränkt. Beispielsweise kann die zweite Plattierungsschicht 42 aus einer Au-basierten Legierung hergestellt sein. In einem weiteren Beispiel kann die zweite Plattierungsschicht 42 beispielsweise ein Stapel bzw. eine Schichtung aus einer Ni-Plattierungsschicht 411, einer Pd-Plattierungsschicht 412 und einer Au-Plattierungsschicht 413 sein. Die zweite Plattierungsschicht 42 ist hinreichend, solange sie aus einem Material hergestellt ist, das eine höhere Lötmittel-Benetzbarkeit hat als das Basismaterial der Anschlüsse 1 bis 3 (Anschlussrahmen 900) .
  • Unter Bezugnahme auf die 20 bis 23 wird ein Halbleiterbauteil A2 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. In diesen Figuren sind gleiche oder ähnliche Elemente zu jenen des ersten Halbleiterbauteils A1, das oben beschrieben wurde, mit den gleichen Bezugszeichen versehen und eine überlappende Beschreibung erfolgt nicht. 20 ist eine perspektivische Ansicht, die das Halbleiterbauteil A2 zeigt, und zwar mit der Bodenseite nach oben. 21 ist eine Bodenansicht, die das Halbleiterbauteil A2 zeigt. 22 ist eine Draufsicht, die einen Herstellungsschritt des Halbleiterbauteils A2 zeigt. 23 ist eine Bodenansicht, die einen Herstellungsschritt des Halbleiterbauteils A2 zeigt.
  • Anders als das Halbleiterbauteil A1 der ersten Ausführungsform beinhaltet das in den Figuren gezeigte Halbleiterbauteil A2 zusätzliche Terminal-Abschnitte 120, 220 und 320, und zwar an den Rändern in der y-Richtung, anstelle nur an den Rändern in der x-Richtung. Demzufolge ist die Bodenfläche des Halbleiterbauteils A2 entlang der gegenüberliegenden Ränder in der y-Richtung ausgenommen, und zwar zusätzlich zu den gegenüberliegenden Rändern in der x-Richtung.
  • Der erste Anschluss 1 des Halbleiterbauteils A2 weist die Terminal-Abschnitte 120 an den Rändern in der x-Richtung und zusätzliche Terminal-Abschnitte 120 an einem Rand nach außen in der y-Richtung auf. Mit anderen Worten, sind die zusätzlichen Terminal-Abschnitte 120 anstelle der Verbindungsabschnitte 130 vorgesehen. Jeder Terminal-Abschnitt 120 ist an dem Rand in der y-Richtung mit einer Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 124 versehen, die in der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122 gebildet ist, und zwar entlang des Rands nach außen in der y-Richtung. Bei dem Herstellungsprozess werden die Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124 in einem zweiten Grabenbildungsschritt durch Halbschnitt-Vereinzeln gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Jeder Terminal-Abschnitt 120, der an dem Rand in der y-Richtung vorgesehen ist, hat eine Terminal-Abschnitt-Endfläche 123, eine Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122 und eine Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 124, die sämtlich gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt sind, um insgesamt als ein Terminal zu dienen (siehe 21). Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 121 und die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122 sind mit einer ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet. Die erste Plattierungsschicht 41 an der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 122 ist ferner mit einer zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet, und die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 124 ist auch mit der zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet.
  • Der zweite Anschluss 2 des Halbleiterbauteils A2 weist den Terminal-Abschnitt 120 an einem Rand in der x-Richtung und zusätzliche Terminal-Abschnitte 220 an einem Rand bzw. einer Kante in der y-Richtung auf. Mit anderen Worten, sind die zusätzliche Terminal-Abschnitte 220 anstelle der Verbindungsabschnitte 230 vorgesehen. Jeder Terminal-Abschnitt 220 an dem Rand in der y-Richtung hat eine Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222, die mit einer Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 entlang des Rands nach außen in der y-Richtung versehen ist. Bei dem Herstellungsprozess wird die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 durch Halbschnitt-Vereinzeln in dem zweiten Grabenbildungsschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Jeder Terminal-Abschnitt 220, der an dem Rand in der y-Richtung vorgesehen ist, weist eine Terminal-Abschnitt-Endfläche 223, eine Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 und eine Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 auf, die sämtlich gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt sind und insgesamt als ein Terminal dienen (siehe 21). Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 221 und die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 sind mit einer ersten Plattierungsschicht beschichtet. Die erste Plattierungsschicht 41 an der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 ist ferner mit einer zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet, und die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 224 ist auch mit der zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet.
  • Der dritte Anschluss 3 des Halbleiterbauteils A2 hat den Terminal-Abschnitt 320 an einem Rand in der x-Richtung und einen zusätzlichen Terminal-Abschnitt 320 an einem Rand in der y-Richtung. Mit anderen Worten, ist der zusätzliche Terminal-Abschnitt 320 anstelle des Verbindungsabschnitts 330 vorgesehen. Der Terminal-Abschnitt 320 hat an dem Rand in der y-Richtung eine Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322, die mit einer Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 entlang des Rands nach außen in der y-Richtung versehen ist. Bei dem Herstellungsprozess wird die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 durch Halbschnitt-Vereinzeln in dem zweiten Grabenbildungsschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird. Der Terminal-Abschnitt 320 an dem Rand in der y-Richtung hat eine Terminal-Abschnitt-Endfläche 323, eine Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 und eine Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324, die sämtlich gegenüber dem Abdichtungsharz 8 freigelegt sind und insgesamt als ein Terminal dienen (siehe 21). Die Terminal-Abschnitt-Vorderfläche 321 und die Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 sind mit einer ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet. Die erste Plattierungsschicht 41 an der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 ist ferner mit einer zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet, und die Terminal-Abschnitt-Ausnehmung 324 ist auch mit der zweiten Plattierungsschicht 42 beschichtet.
  • Das Abdichtungsharz 8 des Halbleiterbauteils A2 weist Harzausnehmungen 86 auf. Die Harzausnehmungen 86 sind Abschnitte, die ausgehend von der Harz-Rückfläche 82 hin zu der Harz-Vorderfläche 81 ausgenommen bzw. zurückversetzt sind. In der x-Richtung erstrecken sich die Harz-Ausnehmungen 86 von einem Ende zu dem anderen Ende der Harz-Rückfläche 82 entlang der gegenüberliegenden Ränder in der y-Richtung. Jede Harzausnehmung 86 ist mit der Harz-Rückfläche 82 und einer ersten Harz-Seitenfläche 83 verbunden. Bei dem Herstellungsprozess werden die Harzausnehmungen 86 durch Halbschnitt-Vereinzeln in dem zweiten Grabenbildungsschritt gebildet, was nachstehend beschrieben wird.
  • Als nächstes wird ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiterbauteils A2 unter Bezugnahme auf die 22 bis 23 beschrieben. Die Herstellungsschritte, die die gleichen sind, wie jene für das Halbleiterbauteil A1 der ersten Ausführungsform, werden nicht beschrieben.
  • Als erstes wird ein Anschlussrahmen 900 vorbereitet, wie es in 22 gezeigt ist (Vorbereitungsschritt). Der Anschlussrahmen 900 hat zweite Grabenbildungsregionen S4, die zur späteren Verarbeitung bestimmt sind. In 22 sind die zweiten Grabenbildungsregionen S4 durch relativ leicht schraffierte Regionen dargestellt, die sich in der x-Richtung erstrecken (die zweiten Entfernungsregionen S2), und zwar zusammen mit den dunkler schattierten Regionen, die die zweiten Entfernungsregionen S2 flankieren. Die zweiten Grabenbildungsregionen S4 sind dort, wo in dem zweiten Grabenbildungsschritt Gräben an der Rückfläche 902 zu bilden sind, was nachstehend beschrieben wird. Die zweiten Grabenbildungsregionen S4 werden bestimmt, um jene Regionen des Anschlussrahmens 900 auszuwählen, die länglich sind in der x-Richtung, und zwar zwischen den benachbarten Regionen, wo die Halbleiterbauteile A2 zu bilden sind. Die zweiten Grabenbildungsregionen S4 haben eine Breite (Abmessung in der y-Richtung), die größer ist als jene der zweiten Entfernungsregionen S2. Jede zweite Grabenbildungsregion S4 enthält eine zweite Entfernungsregion S2 in der Mitte der Breitenrichtung. Mit anderen Worten, ist jede zweite Entfernungsregion S2 schmaler als eine zweite Grabenbildungsregion S4 und überlappt vollständig mit der zweiten Grabenbildungsregion S4.
  • In der Folge wird eine erste Plattierungsschicht 911 auf sämtlichen Flächen des Anschlussrahmens gebildet (erster Plattierungsschritt), Halbleiterelemente 6 werden auf dem Anschlussrahmen 900 montiert (Montageschritt), ein Abdichtungsharz 920 wird gebildet (Harzbildungsschritt) und Gräben 904 werden gebildet (Grabenbildungsschritt). Diese Herstellungsschritte sind ähnlich zu den Herstellungsschritten der ersten Ausführungsform.
  • Hiernach werden Gräben 905 gebildet, wie es in 23 gezeigt ist (zweiter Grabenbildungsschritt). In 23 ist das Abdichtungsharz 920 in einer getüpfelten bzw. gepunkteten Form gezeigt. Die Gräben 905 sind an Regionen gebildet, die den zweiten Grabenbildungsregionen S4 entsprechen, die in 22 gezeigt sind, und erstrecken sich folglich in der x-Richtung. Jeder Graben 905 ist gegenüber der Rückfläche 902 hin zu der Vorderfläche 901 ausgenommen bzw. zurückversetzt. Wie es in 23 gezeigt ist, erstreckt sich jeder Graben 905 durch sowohl den Anschlussrahmen 900 als auch das Abdichtungsharz 920. Jeder Graben 905 weist eine Bodenfläche 905a und Seitenflächen 905b auf. Die Bodenfläche 905a weist hin zu der gleichen Seite wie die Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900. Die Seitenflächen 905b verbinden die Bodenfläche 905a mit der Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 und auch mit der Fläche des Abdichtungsharzes 920, die hin zu der gleichen Seite weist wie die Rückfläche 902. Die Gräben 905 werden Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124 an den Regionen des Anschlussrahmens 900 bilden, wo die Terminal-Abschnitte 120 der ersten Anschlüsse 1 zu bilden sind. Ähnlich hierzu werden die Gräben 905 Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 224 an den Regionen bilden, wo die Terminal-Abschnitte 220 der zweiten Anschlüsse 2 zu bilden sind. Ähnlich hierzu werden die Gräben 905 Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 324 an den Regionen bilden, wo Terminal-Abschnitte 320 der dritten Anschlüsse 3 zu bilden sind. Abschnitte der Gräben 905, die in dem Abdichtungsharz 920 gebildet sind, werden Harzausnehmungen 86 bilden.
  • Ähnlich zu dem Grabenbildungsschritt wird der zweite Grabenbildungsschritt durch Halbschnitt-Vereinzeln beim Schneiden bzw. Trennen der Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 mittels eines ersten Messers 951 durchgeführt. Bei dem Halbschnitt-Vereinzeln werden Abschnitte des Anschlussrahmens 900 ausgehend von der Rückfläche 902 an Regionen entfernt, die den zweiten Grabenbildungsregionen S4 entsprechen, die in 22 gezeigt sind. Bei dem Halbschnitt-Vereinzeln wird der Anschlussrahmen 900 teilweise in der z-Richtung getrennt bzw. eingeschnitten. Im dem dargestellten Beispiel beträgt die Schnitttiefe bzw. Trenntiefe wenigstens eine Hälfte, so wie etwa Dreiviertel, der Dicke (Abmessung in der z-Richtung) des Anschlussrahmens 900. Da die Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 mit der ersten Plattierungsschicht 911 beschichtet ist, ist die Bildung von Graten, die sich aus dem Schneiden des Anschlussrahmens 900 ergeben, reduziert. In dem zweiten Grabenbildungsschritt können die Gräben 905 durch einen anderen Prozess als ein Halbschnitt-Vereinzeln mittels eines Messers gebildet werden.
  • Nachfolgend wird eine zweite Plattierungsschicht 912 gebildet (zweiter Plattierungsschritt), ein Schutz-Tape 970 wird angebracht und der Anschlussrahmen 900 und das Abdichtungsharz 920 werden entlang von Linien in der y-Richtung getrennt bzw. geschnitten (erster Trennschritt). Hiernach werden der Anschlussrahmen 900 und das Abdichtungsharz 920 entlang von Linien in der x-Richtung getrennt bzw. geschnitten (zweiter Trennschritt). Diese Herstellungsschritte sind ähnlich zu den Herstellungsschritten der ersten Ausführungsform.
  • Der Herstellungsprozess für das Halbleiterbauteil A2 beinhaltet zwei Plattierungsschritte, nämlich den ersten Plattierungsschritt und den zweiten Plattierungsschritt. Als solcher ist der Herstellungsprozess verglichen mit der Herstellung eines herkömmlichen Halbleiterbauteils vereinfacht, das drei Plattierungsschritte erfordert. Da der erste Plattierungsschritt durchgeführt wird, um die erste Plattierungsschicht 911 an sämtlichen Oberflächen des Anschlussrahmens 900 durchzuführen, ist ein Maskieren nicht notwendig. Dies ermöglicht es, die Herstellungskosten zu reduzieren, und zwar verglichen mit dem Fall, bei dem eine Ag-Plattierungsschicht auf begrenzten Regionen gebildet werden muss, dort, wo Bond-Drähte zu bonden sind.
  • Gemäß dieser Ausführungsform wird die erste Plattierungsschicht 911 auf der Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 in dem ersten Plattierungsschritt gebildet. Dies gewährleistet, dass die Bildung von Graten, die sich aus dem Schneiden des Anschlussrahmens 900 ergeben, in dem Grabenbildungsschritt und in dem zweiten Grabenbildungsschritt reduziert ist. In dem zweiten Plattierungsschritt wird zusätzlich die zweite Plattierungsschicht 912 auf den Bodenflächen 904a der Gräben 904 und den Bodenflächen 905a der Gräben 905 gebildet. Dies gewährleistet, dass die Bildung von Graten, die sich aus dem Schneiden bzw. Trennen des Anschlussrahmens 900 ergeben, bei dem ersten Trennschritt und dem zweiten Trennschritt reduziert ist.
  • Gemäß dieser Ausführungsform wird die erste Plattierungsschicht 911 auf der Vorderfläche 901 des Anschlussrahmens 900 in dem ersten Plattierungsschritt gebildet. Dies stellt die erste Plattierungsschicht 41 auf den Draht-Bond-Abschnitt-Vorderflächen 211 und 311 bereit, um die Adhäsion mit Bond-Drähten 71 und 72 zu verbessern.
  • Gemäß dieser Ausführungsform wird die zweite Plattierungsschicht auf den Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124, 224 und 324 gebildet. Wenn das Halbleiterbauteil A2 an einer Leiterplatte montiert wird, wird die zweite Plattierungsschicht 42 demzufolge Lötmittelkehlen entlang der Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124, 224 und 324 bilden. Dies dient dazu, die Bond-Festigkeit des Halbleiterbauteils A2 an der Leiterplatte zu erhöhen. Zusätzlich hierzu kann der Bond-Zustand der Anschlüsse 1 bis 3 an der Leiterplatte durch visuelle Inspektion leicht bestimmt werden.
  • Unter Bezugnahme auf 24 wird ein Halbleiterbauteil A3 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. In 24 sind die gleichen oder ähnliche Elemente wie jene des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A1 mit den gleichen Bezugszeichen versehen und eine überlappende Beschreibung erfolgt nicht. 24 ist eine Schnittansicht des Halbleiterbauteils A3 und entspricht 7 der ersten Ausführungsform.
  • Anders als bei dem Halbleiterbauteil A1 der ersten Ausführungsform ist die erste Plattierungsschicht 41 des Halbleiterbauteils A3, das in der Figur gezeigt ist, so vorgesehen, dass die erste Plattierungsschicht 41 auf ausgewählten Flächen gebildet ist, anstelle auf den gesamten Flächen der Anschlüsse 1 bis 3.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A3 hat der erste Anschluss 1 die erste Plattierungsschicht 41 nur auf der Montageabschnitt-Rückfläche 112, den Montage-Abschnitt-Ausnehmungen 113, den Terminal-Abschnitt-Rückflächen 122 und den Verbindungsabschnitt-Rückflächen 132. Das heißt, die erste Plattierungsschicht 41 ist nicht auf der Montage-Abschnitt-Vorderfläche 111, den Terminal-Abschnitt-Vorderflächen 121 und den Verbindungsabschnitt-Vorderflächen 131 gebildet. Ferner hat der zweite Anschluss 2 die erste Plattierungsschicht 41 nur auf der Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 212, der Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 213, der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 222 und den Verbindungsabschnitt-Rückflächen 232, und zwar zusätzlich zu den Regionen der Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211, wo Bond-Drähte 71 zu bonden sind. Obgleich dies in 24 nicht dargestellt ist, hat der dritte Anschluss 3 die erste Plattierungsschicht 41 nur auf der Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche 312, der Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung 313, der Terminal-Abschnitt-Rückfläche 322 und der Verbindungsabschnitt-Rückfläche 332, und zwar zusätzlich zu der Region der Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 311, wo ein Bond-Draht 72 zu bonden ist.
  • Bei dem Herstellungsprozess des Halbleiterbauteils A3 wird der erste Plattierungsschritt durchgeführt, um eine erste Plattierungsschicht 911 auf der gesamten Rückfläche 902 und sämtlichen Flächen der Ausnehmungen 903 des Anschlussrahmens 900 zu bilden. Die Vorderfläche 901 des Anschlussrahmens 900 ist jedoch maskiert, sodass die erste Plattierungsschicht 41 nur auf den Regionen gebildet wird, wo die Bond-Drähte 71 und 72 zu bonden sind.
  • Das Halbleiterbauteil A3 wird durch die Verarbeitungsschritte einschließlich von zwei Plattierungsschritten hergestellt, nämlich dem ersten Plattierungsschritt und dem zweiten Plattierungsschritt. Als solcher ist der Herstellungsprozess vereinfacht, und zwar verglichen mit dem Herstellen eines herkömmlichen Halbleiterbauteils, das drei Plattierungsschritte erfordert.
  • Gemäß dieser Ausführungsform wird die erste Plattierungsschicht 911 auf der Rückfläche 902 des Anschlussrahmens 900 in dem ersten Plattierungsschritt gebildet. Dies gewährleistet, dass die Bildung von Graten, die sich aus dem Schneiden des Anschlussrahmens 900 ergeben, in dem Grabenbildungsschritt reduziert ist. In dem zweiten Plattierungsschritt wird zusätzlich die zweite Plattierungsschicht 912 auf den Bodenflächen 904a der Gräben 904 gebildet. Dies gewährleistet, dass die Bildung von Graten, die sich aus dem Schneiden des Anschlussrahmens 900 ergeben, in dem ersten Trennschritt reduziert ist. In dem ersten Plattierungsschritt wird zusätzlich die erste Plattierungsschicht 911 auch auf den Ausnehmungen 903 des Anschlussrahmens 900 gebildet. Dies gewährleistet, dass die Bildung von Graten, die sich aus dem Schneiden des Anschlussrahmens 900 ergeben, in dem zweiten Trennschritt reduziert ist.
  • Gemäß dieser Ausführungsform wird der erste Plattierungsschritt durchgeführt, um die erste Plattierungsschicht 911 auf der Vorderfläche 901 des Anschlussrahmens 900 zu bilden, und zwar um nur die begrenzten Regionen zu bedecken. Dies stellt die erste Plattierungsschicht 41 auf den zum Bonden notwendigen Regionen der Draht-Bond-Abschnitt-Vorderflächen 211 und 311 bereit. Dies gewährleistet nach wie vor eine gute Adhäsion mit den Bond-Drähten 71 und 72.
  • Gemäß dieser Ausführungsform wird die zweite Plattierungsschicht 42 auf den Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124, 224 und 324 gebildet. Wenn das Halbleiterbauteil A3 auf einer Leiterplatte montiert wird, wird die zweite Plattierungsschicht 42 demzufolge Lötmittelkehlen entlang der Terminal-Abschnitt-Ausnehmungen 124, 224 und 324 bilden. Dies dient dazu, die Bond-Festigkeit des Halbleiterbauteils A3 an der Leiterplatte zu erhöhen. Zusätzlich hierzu kann der Bond-Zustand der Anschlüsse 1 bis 3 an der Leiterplatte leicht durch visuelle Inspektion bestimmt werden.
  • Gemäß dieser Ausführungsform wird die erste Plattierungsschicht 41 auf der Vorderfläche 901 des Anschlussrahmens 900 gebildet, sodass nur die zum Bonden notwendigen Regionen bedeckt sind. Dies kann die Menge an Material zum Plattieren reduzieren.
  • Unter Bezugnahme auf 25 wird ein Halbleiterbauteil A4 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. In 25 sind gleiche oder ähnliche Elemente wie jene des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A1 mit den gleichen Bezugszeichen versehen, und es erfolgt keine überlappende Beschreibung. 25 ist eine Draufsicht des Halbleiterbauteils A4 und entspricht 3 der ersten Ausführungsform. Aus Gründen der Zweckmäßigkeit ist 25 durch ein Abdichtungsharz 8 hindurch gezeigt, und der Umriss des Abdichtungsharzes 8 ist durch imaginäre Linien (Strich-Doppelpunkt-Linien) dargestellt.
  • Anders als bei dem Halbleiterbauteil A1 der ersten Ausführungsform beinhaltet das Halbleiterbauteil A4 ein Halbleiterelement 6, bei dem es sich um eine Diode handelt.
  • Das Halbleiterbauteil A4 beinhaltet keinen dritten Anschluss 3, und der zweite Anschluss 2 erstreckt sich in der x-Richtung von einem Ende zu dem anderen Ende des Halbleiterbauteils A4 entlang eines Rands in der y-Richtung (der untere Rand in 25). Es ist jedoch anzumerken, dass die Form, die Anordnung und die Anzahl von zweiten Anschlüssen 2, die vorzusehen sind, nicht auf das in den Figuren gezeigte Beispiel beschränkt sind.
  • Die Diode (Halbleiterelement) 6 weist einen Elementkörper 60, eine erste Elektrode 61 und eine dritte Elektrode 63 auf. Die erste Elektrode 61 ist auf der Oberfläche des Elementkörpers 60 angeordnet, die von dem ersten Anschluss 1 weg weist. Die dritte Elektrode 63 ist auf der Oberfläche des Elementkörpers 60 angeordnet, die hin zu dem ersten Anschluss 1 weist. In dem dargestellten Beispiel ist die ersten Elektrode 61 eine Anode, und die dritte Elektrode 63 ist eine Kathode. Die Diode 6 wird mittels eines nicht dargestellten, elektrisch leitfähigen Bond-Materials an die Mitte der Montage-Abschnitt-Vorderfläche 111 des ersten Anschlusses 1 gebondet, die mit der ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet ist. Auf diese Art und Weise wird die dritte Elektrode 63 der Diode 6 elektrisch mit dem ersten Anschluss 1 verbunden, und zwar über das elektrisch leitfähige Bond-Material. Eine Vielzahl von Bond-Drähten 71 sind an die erste Elektrode 61 der Diode 6 und auch an die Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche 211 des zweiten Anschlusses 2 gebondet, die mit der ersten Plattierungsschicht 41 beschichtet ist. Auf diese Art und Weise wird die erste Elektrode 61 der Diode 6 elektrisch mit dem zweiten Anschluss 2 verbunden.
  • Das Halbleiterbauteil A4 wird durch die Verarbeitungsschritte einschließlich von zwei Plattierungsschritten hergestellt, nämlich dem ersten Plattierungsschritt und dem zweiten Plattierungsschritt. Demzufolge können die gleichen Vorteile wie bei der ersten Ausführungsform erreicht werden.
  • Das Halbleiterbauteil und das Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Es sind verschiedene Konstruktionsänderungen an bestimmten Details des Halbleiterbauteils und an dem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils der vorliegenden Offenbarung möglich.
    • Klausel 1. Halbleiterbauteil mit:
      • einem ersten Anschluss, der eine erste Vorderfläche und eine erste Rückfläche hat, die in einer Dickenrichtung in voneinander entgegengesetzte Richtungen weisen, wobei der erste Anschluss mit einer ersten Ausnehmung gebildet ist, die gegenüber der ersten Rückfläche hin zu der ersten Vorderfläche ausgenommen bzw. zurückversetzt ist;
      • einem Halbleiterelement, das auf der ersten Vorderfläche montiert ist;
      • einem Abdichtungsharz, das das Halbleiterelement bedeckt;
      • einer ersten Plattierungsschicht, die in Kontakt mit der ersten Vorderfläche und der ersten Rückfläche gebildet ist; und
      • einer zweiten Plattierungsschicht,
      • wobei die erste Ausnehmung gegenüber dem Abdichtungsharz freigelegt ist,
      • wobei die erste Plattierungsschicht einen ersten Abschnitt aufweist, der die erste Rückfläche bedeckt, und
      • wobei die zweite Plattierungsschicht in Kontakt mit der ersten Ausnehmung und dem ersten Abschnitt gebildet ist.
    • Klausel 2. Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei die erste Plattierungsschicht dazu konfiguriert ist, die Bildung von Graten („burrs“) zu reduzieren, wenn die erste Ausnehmung gebildet wird.
    • Klausel 3. Halbleiterbauteil nach Klausel 1 oder 2, wobei die erste Plattierungsschicht eine erste Schicht aufweist, die Ni enthält und die in Kontakt mit dem ersten Anschluss gehalten bzw. angeordnet ist.
    • Klausel 4. Halbleiterbauteil nach Klausel 3, wobei die erste Plattierungsschicht eine zweite Schicht aufweist, die Au enthält und die in Kontakt mit der zweiten Plattierungsschicht gehalten ist.
    • Klausel 5. Halbleiterbauteil nach Klausel 3 oder 4, wobei die erste Plattierungsschicht eine dritte Schicht aufweist, die Pd enthält und die in Kontakt mit der ersten Schicht gehalten ist bzw. angeordnet ist.
    • Klausel 6. Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 5, wobei die zweite Plattierungsschicht aus einem Material hergestellt ist, das eine höhere Lötmittelbenetzbarkeit („solder wettability“) aufweist als ein Material des ersten Anschlusses.
    • Klausel 7. Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 6, wobei die zweite Plattierungsschicht Sn enthält.
    • Klausel 8. Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 7, wobei der erste Anschluss Cu enthält.
    • Klausel 9. Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 8, wobei der erste Anschluss eine zweite Ausnehmung hat, die gegenüber der ersten Rückfläche hin zu der ersten Vorderfläche ausgenommen ist und die von dem Abdichtungsharz bedeckt ist.
    • Klausel 10. Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 9, ferner mit:
      • einem zweiten Anschluss, der von dem ersten Anschluss beabstandet ist; und
      • einem Bond-Draht,
      • wobei der zweite Anschluss eine zweite Vorderfläche und eine zweite Rückfläche aufweist, die in der Dickenrichtung in voneinander entgegengesetzte Richtungen weisen, und eine erste Ausnehmung aufweist, die gegenüber der zweiten Rückfläche hin zu der zweiten Vorderfläche ausgenommen ist,
      • wobei der Bond-Draht mit dem Halbleiterelement und mit der zweiten Vorderfläche verbunden ist,
      • wobei die erste Ausnehmung des zweiten Anschlusses gegenüber dem Abdichtungsharz freigelegt ist,
      • wobei die erste Plattierungsschicht einen zweiten Abschnitt aufweist, der die zweite Rückfläche bedeckt, und
      • wobei die zweite Plattierungsschicht in Kontakt mit der ersten Ausnehmung des zweiten Anschlusses und dem zweiten Abschnitt gebildet ist.
    • Klausel 11. Halbleiterbauteil nach Klausel 10, wobei die erste Plattierungsschicht aus einem Material hergestellt ist, das eine höhere Adhäsion für den Bond-Draht hat, als ein Material des ersten Anschlusses.
    • Klausel 12. Halbleiterbauteil nach Klausel 10 oder 11, wobei der zweite Anschluss eine zweite Ausnehmung hat, die gegenüber der zweiten Rückfläche hin zu der zweiten Vorderfläche ausgenommen ist und die von dem Abdichtungsharz bedeckt ist.
    • Klausel 13. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils, wobei das Verfahren aufweist:
      • einen Vorbereitungsschritt des Vorbereitens eines Anschlussrahmens, der eine Vorderfläche und eine Rückfläche hat, die in einer Dickenrichtung in voneinander entgegengesetzte Richtungen weisen bzw. voneinander wegweisen;
      • einen ersten Plattierungsschritt des Bildens einer ersten Plattierungsschicht auf der Vorderfläche und der Rückfläche;
      • einen Montageschritt des Montierens eines Halbleiterelementes auf der Vorderfläche;
      • einen Harzbildungsschritt des Bedeckens des Halbleiterelementes mit einem Abdichtungsharz;
      • einen Grabenbildungsschritt des Bildens eines Grabens durch teilweises Einschneiden bzw. Trennen („cutting partway“) des Anschlussrahmens in der Dickenrichtung, und zwar ausgehend von der Rückfläche;
      • einen zweiten Plattierungsschritt des Bildens einer zweiten Plattierungsschicht auf der Rückfläche und dem Graben; und
      • einen Trennschritt des Trennens („cutting“) des Anschlussrahmens und des Abdichtungsharzes entlang des Grabens, und zwar durch Entfernen von gesamten Abschnitten des Anschlussrahmens und des Abdichtungsharzes, die bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung mit einer Entfernungsregion überlappen, wobei die Entfernungsregion schmaler ist als der Graben und bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung vollständig mit dem Graben überlappt.
    • Klausel 14. Verfahren nach Klausel 13, wobei der Grabenbildungsschritt das Bilden des Grabens durch Halbschnitt-Vereinzeln („half-cut dicing“) mittels eines ersten Messers aufweist, und wobei der Trennschritt das Trennen zum Entfernen des Abschnittes durch Vollschnitt-Vereinzeln („full-cut dicing“) mittels eines zweiten Messers beinhaltet, das dünner ist als das erste Messer.
    • Klausel 15. Verfahren nach Klausel 13 oder 14, wobei der Grabenbildungsschritt das Bilden eines ersten Grabens, der sich in einer ersten Richtung erstreckt, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung, und das Bilden eines zweiten Grabens beinhaltet, der senkrecht ausgerichtet ist zu dem ersten Graben.
    • Klausel 16. Verfahren nach Klausel 15, wobei der Trennschritt einen ersten Trennschritt des Entfernens einer ersten Entfernungsregion, die sich entlang des ersten Grabens erstreckt, und einen zweiten Trennschritt des Entfernens einer zweiten Entfernungsregion beinhaltet, die sich entlang des zweiten Grabens erstreckt.
  • Bezugszeichenliste
    • A1 bis A4
    Halbleiterbauteil
    1
    erster Anschluss
    110
    Montageabschnitt
    111
    Montageabschnitt-Vorderfläche
    112
    Montageabschnitt-Rückfläche
    113
    Montageabschnitt-Ausnehmung
    120
    Terminal-Abschnitt
    121
    Terminal-Abschnitt-Vorderfläche
    122
    Terminal-Abschnitt-Rückfläche
    123
    Terminal-Abschnitt-Endfläche
    124
    Terminal-Abschnitt-Ausnehmung
    130
    Verbindungsabschnitt
    131
    Verbindungsabschnitt-Vorderfläche
    132
    Verbindungsabschnitt-Rückfläche
    133
    Verbindungsabschnitt-Endfläche
    2
    zweiter Anschluss
    210
    Draht-Bond-Abschnitt
    211
    Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche
    212
    Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche
    213
    Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung
    220
    Terminal-Abschnitt
    221
    Terminal-Abschnitt-Vorderfläche
    222
    Terminal-Abschnitt-Rückfläche
    223
    Terminal-Abschnitt-Endfläche
    224
    Terminal-Abschnitt-Ausnehmung
    230
    Verbindungsabschnitt
    231
    Verbindungsabschnitt-Vorderfläche
    232
    Verbindungsabschnitt-Rückfläche
    233
    Verbindungsabschnitt-Endfläche
    3
    dritter Anschluss
    310
    Draht-Bond-Abschnitt
    311
    Draht-Bond-Abschnitt-Vorderfläche
    312
    Draht-Bond-Abschnitt-Rückfläche
    313
    Draht-Bond-Abschnitt-Ausnehmung
    320
    Terminal-Abschnitt
    321
    Terminal-Abschnitt-Vorderfläche
    322
    Terminal-Abschnitt-Rückfläche
    323
    Terminal-Abschnitt-Endfläche
    324
    Terminal-Abschnitt-Ausnehmung
    330
    Verbindungsabschnitt
    331
    Verbindungsabschnitt-Vorderfläche
    332
    Verbindungsabschnitt-Rückfläche
    333
    Verbindungsabschnitt-Endfläche
    41
    erste Plattierungsschicht
    411
    Ni-Plattierungsschicht
    412
    Pd-Plattierungsschicht
    413
    Au-Plattierungsschicht
    42
    zweite Plattierungsschicht
    6
    Halbleiterelement
    60
    Elementkörper
    61
    erste Elektrode
    62
    zweite Elektrode
    63
    dritte Elektrode
    71, 72
    Bond-Draht
    8
    Abdichtungsharz
    81
    Harz-Vorderfläche
    82
    Harz-Rückfläche
    83
    erste Harz-Seitenfläche
    84
    zweite Harz-Seitenfläche
    85, 86
    Harzausnehmungen
    900
    Anschlussrahmen („lead frame“)
    901
    Vorderfläche
    902
    Rückfläche
    903
    Ausnehmung
    904
    Graben
    904a
    Bodenfläche
    904b
    Seitenfläche
    905
    Graben
    905a
    Bond-Draht
    905b
    Seitenfläche
    906
    Durchgangsloch
    911
    erste Plattierungsschicht
    912
    zweite Plattierungsschicht
    920
    Abdichtungsharz
    951
    erstes Messer („first blade“)
    952
    zweites Messer
    970
    Schutz-Tape
    S1
    erste Entfernungsregion
    S2
    zweite Entfernungsregion
    S3
    Grabenbildungsregion
    S4
    zweite Grabenbildungsregion
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2005038927 A [0005]

Claims (16)

  1. Halbleiterbauteil mit: einem ersten Anschluss, der eine erste Vorderfläche und eine erste Rückfläche hat, die in einer Dickenrichtung in voneinander entgegengesetzte Richtungen weisen, wobei der erste Anschluss mit einer ersten Ausnehmung gebildet ist, die gegenüber der ersten Rückfläche hin zu der ersten Vorderfläche ausgenommen ist; einem Halbleiterelement, das auf der ersten Vorderfläche montiert ist; einem Abdichtungsharz, das das Halbleiterelement bedeckt; einer ersten Plattierungsschicht, die in Kontakt mit der ersten Vorderfläche und der ersten Rückfläche gebildet ist; und einer zweiten Plattierungsschicht, wobei die erste Ausnehmung gegenüber dem Abdichtungsharz freigelegt ist, wobei die erste Plattierungsschicht einen ersten Abschnitt aufweist, der die erste Rückfläche bedeckt, und wobei die zweite Plattierungsschicht in Kontakt mit der ersten Ausnehmung und dem ersten Abschnitt gebildet ist.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei die erste Plattierungsschicht dazu konfiguriert ist, die Bildung von Graten zu reduzieren, wenn die erste Ausnehmung gebildet wird.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Plattierungsschicht eine erste Schicht aufweist, die Ni enthält und die in Kontakt mit dem ersten Anschluss gehalten ist.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei die erste Plattierungsschicht eine zweite Schicht aufweist, die Au enthält und die in Kontakt mit der zweiten Plattierungsschicht gehalten ist.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3 oder 4, wobei die erste Plattierungsschicht eine dritte Schicht aufweist, die Pd enthält und die in Kontakt mit der ersten Schicht gehalten ist.
  6. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 5, wobei die zweite Plattierungsschicht aus einem Material hergestellt ist, das eine höhere Lötmittelbenetzbarkeit aufweist als ein Material des ersten Anschlusses.
  7. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 6, wobei die zweite Plattierungsschicht Sn enthält.
  8. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 7, wobei der erste Anschluss Cu enthält.
  9. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 8, wobei der erste Anschluss eine zweite Ausnehmung hat, die gegenüber der ersten Rückfläche hin zu der ersten Vorderfläche ausgenommen ist und die von dem Abdichtungsharz bedeckt ist.
  10. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 9, ferner mit: einem zweiten Anschluss, der von dem ersten Anschluss beabstandet ist; und einem Bond-Draht, wobei der zweite Anschluss eine zweite Vorderfläche und eine zweite Rückfläche aufweist, die in der Dickenrichtung in voneinander entgegengesetzte Richtungen weisen, und eine erste Ausnehmung aufweist, die gegenüber der zweiten Rückfläche hin zu der zweiten Vorderfläche ausgenommen ist, wobei der Bond-Draht mit dem Halbleiterelement und mit der zweiten Vorderfläche verbunden ist, wobei die erste Ausnehmung des zweiten Anschlusses gegenüber dem Abdichtungsharz freigelegt ist, wobei die erste Plattierungsschicht einen zweiten Abschnitt aufweist, der die zweite Rückfläche bedeckt, und wobei die zweite Plattierungsschicht in Kontakt mit der ersten Ausnehmung des zweiten Anschlusses und dem zweiten Abschnitt gebildet ist.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, wobei die erste Plattierungsschicht aus einem Material hergestellt ist, das eine höhere Adhäsion für den Bond-Draht hat, als ein Material des ersten Anschlusses.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10 oder 11, wobei der zweite Anschluss eine zweite Ausnehmung hat, die gegenüber der zweiten Rückfläche hin zu der zweiten Vorderfläche ausgenommen ist und die von dem Abdichtungsharz bedeckt ist.
  13. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils, wobei das Verfahren aufweist: einen Vorbereitungsschritt des Vorbereitens eines Anschlussrahmens, der eine Vorderfläche und eine Rückfläche hat, die in einer Dickenrichtung in voneinander entgegengesetzte Richtungen weisen; einen ersten Plattierungsschritt des Bildens einer ersten Plattierungsschicht auf der Vorderfläche und der Rückfläche; einen Montageschritt des Montierens eines Halbleiterelementes auf der Vorderfläche; einen Harzbildungsschritt des Bedeckens des Halbleiterelementes mit einem Abdichtungsharz; einen Grabenbildungsschritt des Bildens eines Grabens durch teilweises Einschneiden des Anschlussrahmens in der Dickenrichtung, und zwar ausgehend von der Rückfläche; einen zweiten Plattierungsschritt des Bildens einer zweiten Plattierungsschicht auf der Rückfläche und dem Graben; und einen Trennschritt des Trennens des Anschlussrahmens und des Abdichtungsharzes entlang des Grabens, und zwar durch Entfernen von gesamten Abschnitten des Anschlussrahmens und des Abdichtungsharzes, die bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung mit einer Entfernungsregion überlappen, wobei die Entfernungsregion schmaler ist als der Graben und bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung vollständig mit dem Graben überlappt.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei der Grabenbildungsschritt das Bilden des Grabens durch Halbschnitt-Vereinzeln mittels eines ersten Messers aufweist, und wobei der Trennschritt das Trennen zum Entfernen des Abschnittes durch Vollschnitt-Vereinzeln mittels eines zweiten Messers beinhaltet, das dünner ist als das erste Messer.
  15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei der Grabenbildungsschritt das Bilden eines ersten Grabens, der sich in einer ersten Richtung erstreckt, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung, und das Bilden eines zweiten Grabens beinhaltet, der senkrecht ist zu dem ersten Graben.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Trennschritt einen ersten Trennschritt des Entfernens einer ersten Entfernungsregion, die sich entlang des ersten Grabens erstreckt, und einen zweiten Trennschritt des Entfernens einer zweiten Entfernungsregion beinhaltet, die sich entlang des zweiten Grabens erstreckt.
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